CN104894425A - 一种超极细银扁丝带及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种超极细银扁丝带，涉及键合引线生产技术领域，主要由银和辅料制成，银与辅料的比例为99.99:0.01，辅料包括以下重量份的原料：铁1-3份、铜3-5份、锰1-3份、镁2-3份、铬1-4份、钛3-4份、铍2-5份、铝1-4份。本发明的有益效果是：本发明工艺流程简洁，原料配比合理，通过银与其他混合辅料进行合理配比后，通过科学有序的步骤进行加工，作出的键合丝不仅产品质量优，作出的细度更加细，适合现阶段电子行业的需求，适用于各种精密电子设备，使用效果好，便于推广及使用。

Description

一种超极细银扁丝带及其制备方法
技术领域
本发明涉及键合引线生产技术领域，具体涉及一种超极细银扁丝带及其制备方法。
背景技术
键合引线广泛用于LED、半导体集成电路上，如民用消费品IC：电脑，手机，电视机等芯片上。工业IC：大型服务器，电机，智能仪表仪器，储存器，医疗器械设备等芯片，及太阳能光伏，二极管三极管等电子封装。
随着市场和技术的发展，芯片功能不断增强，引线越来越多，而体积却越来越小，导致焊盘在整个芯片中所占的面积比不断上升，因此，研究超细间距键合技术是解决芯片小型化必须解决的一个关键技术，但是目前市场上生产的键合丝的性能还是相对比较差，而且其在制备的时候，所选用的配料也不合理，同时加工的方式欠缺，很容易造成引线不够均匀，使用效果并不明显，不能满足人们的需求。
发明内容：
本发明所要解决的技术问题在于提供一种配方配比合理，制备工艺简单方便的超极细银扁丝带及其制备方法。
本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现：
一种超极细银扁丝带，其特征在于：主要由银和辅料制成，所述的银与辅料的比例为99.99:0.01；
所述的辅料包括以下重量份的原料：铁1-3份、铜3-5份、锰1-3份、镁2-3份、铬1-4份、钛3-4份、铍2-5份、铝1-4份。
所述的辅料优选的重量份为：铁2份、铜4份、锰2份、镁2.5份、铬2.5份、钛3.5份、铍3.5份、铝2.5份。
本发明的另一个目的是提供一种制备本发明超极细银扁丝带的方法，其特征在于包括以下步骤：
a、选用一真空熔炉，将原料中的银放进真空熔炉内，调节炉内温度为700-1200℃，进行高温熔炼，在熔炼过程中，要冲入氮气和氩气加以保护；
b、待银完全熔炼后，将原料中辅料依次添加进入熔炉，控制转速为2500-3000r/min的速率进行高速搅拌，搅拌均匀后，静置45分钟；
c、将上述步骤b中的原料通过铸造模，铸造出直径为8mm的银棒材，然后自然冷却；
d、将8mm的银棒材用模具拉拔成粗3mm银丝材，将3mm粗银丝以500-900℃的高温退火65分钟，然后进行冷挤压8-10次后得到所需细度的银丝材；
e、将步骤d处理后的银丝以400-600℃的高温退火45分钟以消除加工应力，随炉冷却，然后冷拉至所需的直径；
f、将步骤e中的银丝经扁模心加工到所需的规格后，最后再自然冷却后即可制成超极细银扁丝带。
本发明的有益效果是：本发明工艺流程简洁，原料配比合理，通过银与其他混合辅料进行合理配比后，通过科学有序的步骤进行加工，作出的键合丝不仅产品质量优，作出的细度更加细，适合现阶段电子行业的需求，适用于各种精密电子设备，使用效果好，便于推广及使用。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。
实施例1
称取99.99g的银和0.01g的辅料，(辅料按照铁1份、铜3份、锰1份、镁2份、铬1份、钛3份、铍2份、铝1份的组分进行配置)，然后选用一真空熔炉，将原料中的银放进真空熔炉内，调节炉内温度为700℃，进行高温熔炼，在熔炼过程中，要冲入氮气和氩气加以保护；待银完全熔炼后，将原料中辅料依次添加进入熔炉，控制转速为2500r/min的速率进行高速搅拌，搅拌均匀后，静置45分钟后通过铸造模，铸造出直径为8mm的银棒材，然后自然冷却，再用模具拉拔成粗3mm银丝材，将3mm粗银丝以500℃的高温退火65分钟，然后进行冷挤压8-10次后得到所需细度的银丝材，银丝以400℃的高温退火45分钟以消除加工应力，随炉冷却，然后冷拉至所需的直径经扁模心加工到所需的规格后，最后再自然冷却后即可制成超极细银扁丝带。
实施例2
称取999.9g的银和0.1g的辅料，(辅料按照铁2份、铜4份、锰2份、镁2.5份、铬2.5份、钛3.5份、铍3.5份、铝2.5份的组分进行配置)，然后选用一真空熔炉，将原料中的银放进真空熔炉内，调节炉内温度为950℃，进行高温熔炼、在熔炼过程中，要冲入氮气和氩气加以保护；待银完全熔炼后，将原料中辅料依次添加进入熔炉，控制转速为2750r/min的速率进行高速搅拌，搅拌均匀后，静置45分钟后通过铸造模，铸造出直径为8mm的银棒材，然后自然冷却，再用模具拉拔成粗3mm银丝材，将3mm粗银丝以750℃的高温退火65分钟，然后进行冷挤压8-10次后得到所需细度的银丝材，银丝以500℃的高温退火45分钟以消除加工应力，随炉冷却，然后冷拉至所需的直径经扁模心加工到所需的规格后，最后再自然冷却后即可制成超极细银扁丝带。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (3)

1.一种超极细银扁丝带，其特征在于：主要由银和辅料制成，所述的银与辅料的比例为99.99:0.01；
所述的辅料包括以下重量份的原料：铁1-3份、铜3-5份、锰1-3份、镁2-3份、铬1-4份、钛3-4份、铍2-5份、铝1-4份。
2.根据权利要求1所述的一种超极细银扁丝带，其特征在于，所述的辅料优选的重量份为：铁2份、铜4份、锰2份、镁2.5份、铬2.5份、钛3.5份、铍3.5份、铝2.5份。
3.一种制备本发明一种超极细银扁丝带的方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、选用一真空熔炉，将原料中的银放进真空熔炉内，调节炉内温度为700-1200℃，进行高温熔炼，在熔炼过程中，要冲入氮气和氩气加以保护；
b、待银完全熔炼后，将原料中辅料依次添加进入熔炉，控制转速为2500-3000r/min的速率进行高速搅拌，搅拌均匀后，静置45分钟；
c、将上述步骤b中的原料通过铸造模，铸造出直径为8mm的银棒材，然后自然冷却；
d、将8mm的银棒材用模具拉拔成粗3mm银丝材，将3mm粗银丝以500-900℃的高温退火65分钟，然后进行冷挤压8-10次后得到所需细度的银丝材；
e、将步骤d处理后的银丝以400-600℃的高温退火45分钟以消除加工应力，随炉冷却，然后冷拉至所需的直径；
f、将步骤e中的银丝经扁模心加工到所需的规格后，最后再自然冷却后即可制成超极细银扁丝带。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107653400A (zh) * 2017-09-05 2018-02-02 钱友静 一种用于书画表面装饰的银箔
CN110791675A (zh) * 2019-12-18 2020-02-14 苏州金江铜业有限公司 一种含铝的银镁合金材料及其制备方法
CN111411253A (zh) * 2020-04-14 2020-07-14 紫金矿业集团黄金冶炼有限公司 一种高纯银铜合金异型丝材的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001176912A (ja) * 1999-12-16 2001-06-29 Noge Denki Kogyo:Kk 金被覆した銀線ボンディングワイヤ
US20100239456A1 (en) * 2009-03-23 2010-09-23 Lee Jun-Der Composite alloy bonding wire and manufacturing method thereof
CN102214630A (zh) * 2011-05-18 2011-10-12 苏州衡业新材料科技有限公司 银基微合金键合丝及其制备方法
CN103614588A (zh) * 2013-11-19 2014-03-05 苏州衡业新材料科技有限公司 银及银合金微细线的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001176912A (ja) * 1999-12-16 2001-06-29 Noge Denki Kogyo:Kk 金被覆した銀線ボンディングワイヤ
US20100239456A1 (en) * 2009-03-23 2010-09-23 Lee Jun-Der Composite alloy bonding wire and manufacturing method thereof
CN102214630A (zh) * 2011-05-18 2011-10-12 苏州衡业新材料科技有限公司 银基微合金键合丝及其制备方法
CN103614588A (zh) * 2013-11-19 2014-03-05 苏州衡业新材料科技有限公司 银及银合金微细线的制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107653400A (zh) * 2017-09-05 2018-02-02 钱友静 一种用于书画表面装饰的银箔
CN110791675A (zh) * 2019-12-18 2020-02-14 苏州金江铜业有限公司 一种含铝的银镁合金材料及其制备方法
CN111411253A (zh) * 2020-04-14 2020-07-14 紫金矿业集团黄金冶炼有限公司 一种高纯银铜合金异型丝材的制备方法

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