CN105950895B - 一种小晶片led封装用微细银合金键合线的制造方法 - Google Patents
一种小晶片led封装用微细银合金键合线的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105950895B CN105950895B CN201610293480.4A CN201610293480A CN105950895B CN 105950895 B CN105950895 B CN 105950895B CN 201610293480 A CN201610293480 A CN 201610293480A CN 105950895 B CN105950895 B CN 105950895B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silver alloy
- wire
- alloy
- silver
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 125
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000010946 fine silver Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 claims abstract description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 claims description 72
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 30
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 19
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 10
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 9
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000007670 refining Methods 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 3
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003026 anti-oxygenic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 4
- 229910000858 La alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000048 melt cooling Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 241001226615 Asphodelus albus Species 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N gold silver Chemical compound [Ag].[Au] PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
- C22C1/03—Making non-ferrous alloys by melting using master alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/06—Alloys based on silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/02—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working in inert or controlled atmosphere or vacuum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/14—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of noble metals or alloys based thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Metal Extraction Processes (AREA)
Abstract
本发明公开了一种小晶片LED封装用微细银合金键合线的制造方法,包括如下步骤:1银合金键合线坯料的冶炼与连铸:2银合金线的拉制:3银合金线的中间热处理:4将经过中间热处理的银合金线经拉丝机拉制成直径0.06‑0.08mm的银合金线。本发明通过优化合金成分消除了键合银线及其它键合银合金线强度低、抗氧化性能差的缺陷,并有效降低了成本。通过采用真空熔炼超生振动连铸技术,改善了合金性能,提高了合金一致性,获得了高品质合金线坯料,并通过适当中间热处理控制加工过程中合金的组织结构,降低拉丝中的局部应力集中,并进一步优化拉丝模具入口角度,减少拉丝过程中的断线,确保微细键合银合金线了成品率。
Description
技术领域
本发明属于半导体材料技术领域,主要涉及一种小晶片LED封装用微细键合银合金线及其制造方法。
背景技术
键合引线起联结硅片电极与引线框架的外部引出端子的作用,并传递芯片的电信号、散发芯片内产生的热量,是集成电路封装的关键材料。引线键合是半导体生产的极小特征尺寸和极大产量的集中体现,前者表现为不断缩小的引线间距上,后者则体现在逐步提高的生产效率上。细间距键合需要强度和刚度更高的连线,通过对无空气焊球(Free AirBall)及热影响区(Heat Affect Zone)长度的控制以满足细间距键合的需要,在大规模集成电路及LED 封装中对键合线的技术指标提出了越来越高的要求,高性能、超细键合线需求量迅速增长,同时芯片密度的不断提高,对键合材料的可靠性提出了更高的要求键合线(键合金线、键合铜线、键合合金线等)起联结硅片电极与引线框架的外部引出端子的作用,并传递芯片的电信号、散发芯片内产生的热量,是集成电路封装的关键材料。键合银线及键合银合金线由于其优秀的电学性能(可降低器件高频噪声、降低大功率LED 发热量等)、良好的稳定性及适当的成本因素,开始应用于微电子封装中,尤其在LED 封装中。但对于纯银线来说,主要存在以下几个方面的问题:1)Ag 线键合过程中不采用N2+H2气体保护(Cu 键合线在使用过程中采用N2+H2 气体保护,成本较高且存在安全隐患),在键合过程中参数窗口范围较小,由于导热率高、氧化速率高等原因,易导致Free Air Ball 凝固不均匀容易形成高尔夫球、球部变尖、波浪球等缺陷,影响第一焊点强度和形状,降低了器件合格率和可靠性;2)Ag 线高温强度低,高温条件下失效几率较高,无法满足大功率LED 等器件的使用;3)苛刻条件下焊接Ag/Al 界面易于产生Ag 离子电迁移,导致焊点强度下降进而影响器件寿命。对于键合银合金线,目前多是通过添加Pd、Au等元素的合金,该类银合金具有良好的性能,可以满足部分LED封装的需求,但该类银合金存在如下几个方面问题:1)由于Au和Pd与Ag可以无限互溶,在Ag中添加Au和Pd元素后合金强度增加有限,而对于小晶片LED,其焊盘尺寸较小,通常为40*40um,需要超细(线径为0.012-0.016mm)键合引线连接,这就要求键合银合金线具有足够的连接强度,由此,添加Au和Pd的银合金线不能满足小晶片LED封装的要求;2)纯银中添加Au和Pd后,由于其原子排列方式及原子半径相似,合金元素对银的抗氧化性能提高有限,使得键合过程中参数范围较小,导致其生产效率降低;3)Au和Pd都是贵金属,大大增加了键合银合金线的成本。Ni元素及稀土元素的加入能够有效的提高银合金的强度、提高银的抗氧化性能及高温稳定性。此外,由于小晶片LED封装用键合银合金线线径较细(线径为0.012-0.016mm),对于微细线材加工而言,原材料的致密性和一致性是影响微细拉丝的关键,拉丝过程的中间热处理及拉丝模具是影响微细线材加工的重要因素。因此,优化银合金键合线的组份,提高银合金键合线的强度及抗腐蚀性能,通过真空熔炼超生振动连铸技术确保银合金组织及性能一致,采用适当中间热处理并优化拉丝模具入口角度、完善微细银合金线制造方法,对于加快银合金线在小晶片LED封装中的应用具有重要意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种小晶片LED封装用微细键合银合金线及其制造方法,其能解决现有键合银合金线的缺点,满足小晶片LED封装的使用要求。
为此,本发明提供如下技术方案:一种小晶片LED封装用微细键合银合金线及其制造方法,包括如下步骤:(1)银合金键合线坯料的冶炼与连铸:a.制造Ag/Ni中间合金:将质量分数90%的Ag和质量分数10%的Ni分层放入真空炉氮化硼坩埚中,对真空炉的炉膛抽真空,真空度高于3.0×10-2Pa后,开始升温至1450-1850℃,熔化过程真空度高于5×10-2Pa,然后静置10-20分钟,待Ag/Ni合金完全熔解且金属液变清澈后,通过氮化硼管向Ag/Ni合金液中充入Ar搅拌5-10分钟,然后将合金浇注到水冷模具中冷却,得到Ag/Ni中间合金; b.制造Ag/Ce、Ag/La中间合金:将质量分数95%的Ag放入真空炉石墨坩埚中,将质量分数5%的Ce或La放入真空炉加料盒中,对真空炉的炉膛抽真空,真空度高于3.0×10-2Pa后,充入Ar至0.1-0.5Mpa,然后重新抽真空至真空度高于3.0×10-2Pa后,开始升温,待温度升至600-800℃后,停止抽真空并向真空炉中充入Ar至0.1-0.5MPa;然后继续升温至1150-1250℃,待银完全熔解且银液变清澈后,移动加料盒将Ce或La加入到坩埚中,并向g/Ce、Ag/La合金液中充入Ar搅拌5-10分钟,然后将合金熔体冷却,得到Ag/Ce、Ag/La合金中间合金;c.在真空冶炼炉中将Ag/Ni中间合金、Ag/Ce中间合金、Ag/La中间合金、Ag按下述比例称量计算后,其中镍(Ni)为3-5wt%;铈(Ce)为0.3-0.5 wt%;镧(La)为0.3-0.5 wt%,银为余量,且银合金中铈(Ce)和镧(La)的质量分数相同,混合加入到真空冶炼炉中,抽真空至6.0×10-1Pa以上,开始升温,待温度升至600-800℃后,停止抽真空并向真空冶炼炉中充入Ar至0.1-0.5MPa;然后继续升温至1250-1450℃,待合金完全熔解后,向银合金液中充入Ar搅拌5-10分钟,将合金熔体冷却,得到银合金坯料;d.将银合金坯料加入到真空熔炼电磁搅拌合金连铸机坩埚中,坩埚为氮化硼坩埚,抽真空至6.0×10-1Pa以上,开始升温至1250-1450℃,待合金完全熔解,采用氮化硼搅拌棒搅拌10-15分钟,然后精炼静置10-15分钟后,充入高纯Ar至1.05MPa-1.1MPa,开始采用间歇方式拉铸8-12mm银合金杆;(2)银合金杆的拉制:将上述直径8-12mm的银合金杆经过拉丝机拉制成直径为1.0-1.5mm 的银合金线,拉丝过程采用单向拉制;(3)银合金线的中间热处理:将直径1.0-1.5mm的银合金线在管式炉中进行中间热处理,热处理过程采用惰性气体或N2气体保护,热处理温度为550-750℃,热处理时间为2-5分钟;(4)将经过中间热处理的银合金线经拉丝机拉制成直径0.06-0.08mm 的银合金线,然后将直径为0.06-0.08mm 的银合金线经过拉丝机连续拉拔成直径为0.03-0.05mm 细线, 再在微细拉丝机上通过多道拉拔,最终获得直径0.012-0.018mm 微细银合金键合线,拉丝过程中,线材变形率为5%-7%。
进一步地,所述浇注Ag/Ni合金的水冷模具材料为纯铜。
更进一步地,所述连铸机的结晶器上安装有电磁搅拌机构;银金合金杆牵引采用间歇式牵引,牵引速度为50-300mm/分钟,牵引时间1-5秒,停歇时间1-5秒。
再进一步地,所述银合金杆直径大于1.0-1.5mm时,拉丝过程中采用单向方式拉制,且拉丝速度为10-20m/分钟。
再更进一步地,所述银合金线拉制过程中,拉丝模具的入口角度为11°-14°。
此外,本发明还提供一种用所述的小晶片LED封装用微细键合银合金线的制造方法制造的小晶片LED封装用微细键合银合金线,该银合金键合线材料的各成分重量百分含量是:Ni 3-5wt%,Ce 0.3-0.5wt%,La 0.3-0.5wt%,Ag余量,且Ce和La质量分数相同。
本发明所述的小晶片LED封装用微细键合银合金线的制造方法制造的小晶片LED封装用微细键合银合金线,通过优化合金成分消除了键合银线及其它键合银合金线强度低、抗氧化性能差的缺陷,并有效降低了成本。通过采用真空熔炼超生振动连铸技术,改善了合金性能,提高了合金一致性,获得了高品质合金线坯料,并通过适当中间热处理控制加工过程中合金的组织结构,降低拉丝中的局部应力集中,并进一步优化拉丝模具入口角度,减少拉丝过程中的断线,确保微细键合银合金线了成品率。
具体实施方式
实施例一:
微细键合银合金键合线的制造方法如下:
(1)银合金键合线坯料的冶炼与连铸:a.制造Ag/Ni中间合金:将质量分数90%的Ag和质量分数10%的Ni分层放入真空炉氮化硼坩埚中,对真空炉的炉膛抽真空,真空度高于3.0×10-2Pa后,开始升温至1450℃,熔化过程真空度高于3.0×10-2Pa,然后静置10分钟,待Ag/Ni合金完全熔解且金属液变清澈后,通过氮化硼管向Ag/Ni合金液中充入Ar搅拌5分钟,然后将合金浇注到水冷模具中冷却,得到Ag/Ni中间合金; b.制造Ag/Ce、Ag/La中间合金:将质量分数95%的Ag放入真空炉石墨坩埚中,将质量分数5%的Ce或La放入真空炉加料盒中,对真空炉的炉膛抽真空,真空度高于3.0×10-2Pa后,充入Ar至0.1Mpa,然后重新抽真空至真空度高于3.0×10-2Pa后,开始升温,待温度升至600℃后,停止抽真空并向真空炉中充入Ar至0.1MPa;然后继续升温至1150℃,待银完全熔解且银液变清澈后,移动加料盒将Ce或La加入到坩埚中,并晃动坩埚搅拌5分钟,然后将合金熔体随炉冷却,得到Ag/Ce、Ag/La合金中间合金;c.在真空冶炼炉中将Ag/Ni中间合金、Ag/Ce中间合金、Ag/La中间合金、Ag按下述比例称量计算后,其中镍(Ni)为3wt%;铈(Ce)为0.3wt%;镧(La)为0.3 wt%,银为余量,且银合金中铈(Ce)和镧(La)的质量分数相同,混合加入到真空冶炼炉中,抽真空至5.0×10-1Pa以上,开始升温,待温度升至600℃后,停止抽真空并向真空冶炼炉中充入Ar至0.1MPa;然后继续升温至1250℃,待合金完全熔解后,向银合金液中充入Ar搅拌5分钟,将合金熔体冷却,得到银合金坯料;d.将银合金坯料加入到真空熔炼电磁搅拌合金连铸机坩埚中,坩埚为氮化硼坩埚,抽真空至5.0×10-1Pa以上,开始升温至1250℃,待合金完全熔解,采用氮化硼搅拌棒搅拌10分钟,然后精炼静置15分钟后,充入高纯Ar至1.05MPa,开始采用间歇方式拉铸8mm银合金杆;
(2)银合金杆的拉制:将上述直径8mm 的银合金杆经过拉丝机拉制成直径为1.0mm的银合金线,拉丝过程采用单向拉制;(3)银合金线的中间热处理:将直径1.0mm的银合金线在管式炉中进行中间热处理,热处理过程采用N2气体保护,热处理温度为550℃,热处理时间为5分钟;(4)将经过中间热处理的银合金线经拉丝机拉制成直径0.06mm 的银合金线,然后将直径为0.06mm 的银合金线经过拉丝机连续拉拔成直径为0.03mm 细线, 再在微细拉丝机上通过多道拉拔,最终获得直径0.012mm 微细银合金键合线,拉丝过程中,线材变形率为5%,模具入口角度为11°。
实施例二:
微细银金合金键合线的制造方法如下:
(1)银合金键合线坯料的冶炼与连铸:a.制造Ag/Ni中间合金:将质量分数90%的Ag和质量分数10%的Ni分层放入真空炉氮化硼坩埚中,对真空炉的炉膛抽真空,真空度高于3.0×10-2Pa后,开始升温至1650℃,熔化过程真空度高于3.0×10-2Pa,然后静置15分钟,待Ag/Ni合金完全熔解且金属液变清澈后,通过氮化硼管向Ag/Ni合金液中充入Ar搅拌8分钟,然后将合金浇注到水冷模具中冷却,得到Ag/Ni中间合金; b.制造Ag/Ce、Ag/La中间合金:将质量分数95%的Ag放入真空炉石墨坩埚中,将质量分数5%的Ce或La放入真空炉加料盒中,对真空炉的炉膛抽真空,真空度高于3.0×10-2Pa后,充入Ar至0.3Mpa,然后重新抽真空至真空度高于3.0×10-2Pa后,开始升温,待温度升至700℃后,停止抽真空并向真空炉中充入Ar至0.3MPa;然后继续升温至1200℃,待银完全熔解且银液变清澈后,移动加料盒将Ce或La加入到坩埚中,并晃动坩埚搅拌8分钟,然后将合金熔体随炉冷却,得到Ag/Ce、Ag/La合金中间合金;c.在真空冶炼炉中将Ag/Ni中间合金、Ag/Ce中间合金、Ag/La中间合金、Ag按下述比例称量计算后,其中镍(Ni)为4wt%;铈(Ce)为0.4wt%;镧(La)为0.4 wt%,银为余量,且银合金中铈(Ce)和镧(La)的质量分数相同,混合加入到真空冶炼炉中,抽真空至5.0×10-1Pa以上,开始升温,待温度升至700℃后,停止抽真空并向真空冶炼炉中充入Ar至0.3MPa;然后继续升温至1350℃,待合金完全熔解后,向银合金液中充入Ar搅拌8分钟,将合金熔体冷却,得到银合金坯料;d.将银合金坯料加入到真空熔炼电磁搅拌合金连铸机坩埚中,坩埚为氮化硼坩埚,抽真空至5.0×10-1Pa以上,开始升温至1350℃,待合金完全熔解,采用氮化硼搅拌棒搅拌12分钟,然后精炼静置18分钟后,充入高纯Ar至1.07MPa,开始采用间歇方式拉铸10mm银合金杆;
(2)银合金杆的拉制:将上述直径10mm 的银合金杆经过拉丝机拉制成直径为1.2mm 的银合金线,拉丝过程采用单向拉制;(3)银合金线的中间热处理:将直径1.2mm的银合金线在管式炉中进行中间热处理,热处理过程采用惰性气体Ar保护,热处理温度为650℃,热处理时间为4分钟;(4)将经过中间热处理的银合金线经拉丝机拉制成直径0.07mm 的银合金线,然后将直径为0.07mm 的银合金线经过拉丝机连续拉拔成直径为0.04mm 细线,再在微细拉丝机上通过多道拉拔,最终获得直径0.016mm 微细银合金键合线,拉丝过程中,线材变形率为6%,模具入口角度为13°
实施例三:
微细银金合金键合线的制造方法如下:
(1)银合金键合线坯料的冶炼与连铸:a.制造Ag/Ni中间合金:将质量分数90%的Ag和质量分数10%的Ni分层放入真空炉氮化硼坩埚中,对真空炉的炉膛抽真空,真空度高于3.0×10-2Pa后,开始升温至1850℃,熔化过程真空度高于3.0×10-2Pa,然后静置20分钟,待Ag/Ni合金完全熔解且金属液变清澈后,通过氮化硼管向Ag/Ni合金液中充入Ar搅拌10分钟,然后将合金浇注到水冷模具中冷却,得到Ag/Ni中间合金; b.制造Ag/Ce、Ag/La中间合金:将质量分数95%的Ag放入真空炉石墨坩埚中,将质量分数5%的Ce或La放入真空炉加料盒中,对真空炉的炉膛抽真空,真空度高于3.0×10-2Pa后,充入Ar至0.5Mpa,然后重新抽真空至真空度高于3.0×10-2Pa后,开始升温,待温度升至800℃后,停止抽真空并向真空炉中充入Ar至0.5MPa;然后继续升温至1250℃,待银完全熔解且银液变清澈后,移动加料盒将Ce或La加入到坩埚中,并晃动坩埚搅拌10分钟,然后将合金熔体随炉冷却,得到Ag/Ce、Ag/La合金中间合金;c.在真空冶炼炉中将Ag/Ni中间合金、Ag/Ce中间合金、Ag/La中间合金、Ag按下述比例称量计算后,其中镍(Ni)为5wt%;铈(Ce)为0.5 wt%;镧(La)为0.5 wt%,银为余量,且银合金中铈(Ce)和镧(La)的质量分数相同,混合加入到真空冶炼炉中,抽真空至5.0×10- 1Pa以上,开始升温,待温度升至800℃后,停止抽真空并向真空冶炼炉中充入Ar至0.5MPa;然后继续升温至1450℃,待合金完全熔解后,向银合金液中充入Ar搅拌10分钟,将合金熔体冷却,得到银合金坯料;d.将银合金坯料加入到真空熔炼电磁搅拌合金连铸机坩埚中,坩埚为氮化硼坩埚,抽真空至5.0×10-1Pa以上,开始升温至1450℃,待合金完全熔解,采用氮化硼搅拌棒搅拌15分钟,然后精炼静置20分钟后,充入高纯Ar至1.1MPa,开始采用间歇方式拉铸12mm银合金杆;(2)银合金杆的拉制:将上述直径12mm 的银合金杆经过拉丝机拉制成直径为1.5mm 的银合金线,拉丝过程采用单向拉制;(3)银合金线的中间热处理:将直1.5mm的银合金线在管式炉中进行中间热处理,热处理过程采用N2气体保护,热处理温度为750℃,热处理时间为2分钟;(4)将经过中间热处理的银合金线经拉丝机拉制成直径0.08mm 的银合金线,然后将直径为0.08mm 的银合金线经过拉丝机连续拉拔成直径为0.05mm 细线, 再在微细拉丝机上通过多道拉拔,最终获得直径0.018mm 微细银合金键合线,拉丝过程中,线材变形率为7%,模具入口角度为14°。
从上表可以看出,本发明的低弧度LED封装用微细键合银合金线及其制造方法的银合金线可以在超低弧度LED封装中使用,能够满足低弧度LED封装的要求,且该银合金线及其制造方法可以拉制大长度的微细银合金线材,能够满足工业化生产需求。
Claims (3)
1.一种小晶片LED封装用微细银合金键合线的制造方法, 其特征在于:包括如下步骤:
(1)银合金键合线坯料的冶炼与连铸:
a.制造Ag/Ni中间合金:将质量分数90%的Ag和质量分数10%的Ni分层放入真空炉的氮化硼坩埚中,并在坩埚上放置中间开孔的氮化硼坩埚盖,对真空炉的炉膛抽真空,真空度高于3.0×10-2Pa后,开始升温至1450-1850℃,其中低于800℃时升温速率为20-40℃/min,温度高于800℃时升温速率为30-50℃/min,熔化过程中真空度高于3.0×10-2Pa,然后静置10-20分钟,待Ag/Ni合金完全熔解且金属液变清澈后,通过氮化硼管向Ag/Ni合金液中充入Ar搅拌5-10分钟,然后将合金浇注到水冷模具中冷却,得到Ag/Ni中间合金;
b.制造Ag/Ce和Ag/La中间合金:将质量分数90%的Ag放入真空炉的石墨坩埚中,将质量分数10%的Ce或La放入真空炉的加料盒中,对真空炉的炉膛抽真空,真空度高于3.0×10-2Pa后,充入Ar至0.1-0.5MPa,然后重新抽真空至真空度高于3.0×10-2Pa后,开始升温,待温度升至400-600℃后,停止抽真空并向真空炉中充入Ar至0.1-0.5MPa;然后继续升温至1150-1250℃,待银完全熔解且银液变清澈后,移动加料盒将Ce或La加入到坩埚中,并晃动坩埚搅拌5-10分钟,然后将合金熔体随炉冷却,得到Ag/Ce或Ag/La合金中间合金;采用相同的方法制造Ag/Ce和Ag/La中间合金中的另一种;
c.在真空冶炼炉中将Ag/Ni中间合金、Ag/Ce中间合金、Ag/La中间合金、Ag按下述比例称量计算后,其中镍(Ni)为3-5wt%;铈(Ce)为0.5-1.0 wt%;镧(La)为0.5-1.0 wt%,银为余量,且其中铈(Ce)和镧(La)的质量分数相同,混合加入到真空冶炼炉中,抽真空至5.0×10- 1Pa以上,开始升温,待温度升至600-800℃后,停止抽真空并向真空冶炼炉中充入Ar至0.1-0.5MPa;然后继续升温至1250-1450℃,待合金完全熔解后,向银合金液中充入Ar搅拌5-10分钟,将合金熔体冷却,得到银合金坯料;
d.将银合金坯料加入到真空熔炼电磁搅拌合金连铸机的坩埚中,坩埚为氮化硼坩埚,抽真空至5.0×10-1Pa以上,开始升温至1250-1450℃,待合金完全熔解,采用氮化硼搅拌棒搅拌10-15分钟,然后精炼静置15-20分钟后,充入高纯Ar至1.05-1.1MPa,开始采用间歇方式拉铸,形成直径为8-12mm的银合金杆;
(2)银合金线的拉制:
将上述直径为8-12mm 的银合金杆经过拉丝机拉制成直径为1.0-1.5mm 的银合金线,拉丝过程采用单向拉制;
(3)银合金线的中间热处理:
将直径1.0-1.5mm的银合金线在管式炉中进行中间热处理,热处理过程采用惰性气体或N2气体保护,热处理温度为550-750℃,热处理时间为2-5分钟;
(4)将经过中间热处理的银合金线经拉丝机拉制成直径0.06-0.08mm 的银合金线,然后将直径为0.06-0.08mm 的银合金线经过拉丝机连续拉拔成直径为0.03-0.05mm 细线,再在微细拉丝机上通过多道拉拔,最终获得直径0.012-0.018mm 微细银合金键合线,拉丝过程中,线材变形率为5%-7%;所述连铸机的结晶器上安装有电磁搅拌机构;银金合金杆牵引采用间歇式牵引,牵引速度为30-300mm/分钟,牵引时间1-5秒,停歇时间1-5秒;所述银合金线拉制过程中,拉丝模具的入口角度为11°-14°。
2. 根据权利要求1 所述的小晶片LED封装用微细银合金键合线的制造方法,其特征在于:所述浇注Ag/Ni合金的水冷模具材料为纯铜。
3.采用权利要求1或2所述的小晶片LED封装用微细银合金键合线的制造方法制造的小晶片LED封装用微细银合金键合线,其特征在于:所述银合金键合线材料的各成分重量百分含量是:Ni 3-5wt%,Ce 0.5-1.0wt%,La 0.5-1.0wt%,Ag余量,且Ce和La质量分数相同。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610293480.4A CN105950895B (zh) | 2016-05-06 | 2016-05-06 | 一种小晶片led封装用微细银合金键合线的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610293480.4A CN105950895B (zh) | 2016-05-06 | 2016-05-06 | 一种小晶片led封装用微细银合金键合线的制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105950895A CN105950895A (zh) | 2016-09-21 |
CN105950895B true CN105950895B (zh) | 2018-04-20 |
Family
ID=56914034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610293480.4A Active CN105950895B (zh) | 2016-05-06 | 2016-05-06 | 一种小晶片led封装用微细银合金键合线的制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105950895B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108677044A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-10-19 | 雷山县弘悦银饰有限责任公司 | 一种高强度银饰品的加工方法 |
CN111524811B (zh) * | 2020-04-23 | 2021-08-31 | 江西森通新材料科技有限公司 | 一种石墨烯-金键合丝及其制备方法和应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104353696A (zh) * | 2014-10-10 | 2015-02-18 | 河南优克电子材料有限公司 | 一种微细铜银合金线制造方法 |
CN104388861A (zh) * | 2014-10-10 | 2015-03-04 | 河南理工大学 | 一种多晶串联led用微细银金合金键合线的制造方法 |
CN105393343A (zh) * | 2014-01-31 | 2016-03-09 | 大自达电线株式会社 | 线键合及其制造方法 |
-
2016
- 2016-05-06 CN CN201610293480.4A patent/CN105950895B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105393343A (zh) * | 2014-01-31 | 2016-03-09 | 大自达电线株式会社 | 线键合及其制造方法 |
CN104353696A (zh) * | 2014-10-10 | 2015-02-18 | 河南优克电子材料有限公司 | 一种微细铜银合金线制造方法 |
CN104388861A (zh) * | 2014-10-10 | 2015-03-04 | 河南理工大学 | 一种多晶串联led用微细银金合金键合线的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105950895A (zh) | 2016-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104388861B (zh) | 一种多晶串联led用微细银金合金键合线的制造方法 | |
CN102776405B (zh) | 一种键合金银合金丝的制备方法 | |
CN103194637B (zh) | 一种键合合金银丝及制备方法 | |
CN107799496B (zh) | 一种电子封装用高可靠性铜合金键合丝及其制备方法 | |
CN102114584B (zh) | 一种集成电路封装用AuSn20合金钎料的制备方法和用途 | |
CN109338176A (zh) | 一种高强度高导热铸造铝合金及其制备方法 | |
CN106011516B (zh) | 一种掺杂金合金键合丝及其深冷处理制备方法 | |
CN104894438B (zh) | 一种高导电率耐热铝合金单丝材料及其制备方法 | |
CN105950895B (zh) | 一种小晶片led封装用微细银合金键合线的制造方法 | |
CN104308124A (zh) | 一种高强度金包铜复合丝材及其制备方法 | |
CN106381458A (zh) | 一种基于限定型高压扭转的非晶合金强化方法 | |
CN105925831A (zh) | 一种低弧度led封装用高强度银合金键合线的制造方法 | |
CN109767991A (zh) | 一种高金合金键合丝的制备方法 | |
CN105950900B (zh) | 小晶片led封装用高强度微细银合金键合线的制造方法 | |
CN108315581A (zh) | 一种高强度高软化温度的低铍铜合金及其制备方法 | |
CN106392371A (zh) | 一种中温合金钎料薄带及制备方法 | |
CN109599381A (zh) | 一种固定比例金基/银基键合线及其制备方法 | |
CN106811617A (zh) | 一种键合金银合金的制备方法 | |
CN105950899A (zh) | 一种低弧度led封装用微细银合金键合线的制造方法 | |
CN115148419B (zh) | 一种高导电抗氧微合金化铜合金键合丝及其制备方法 | |
CN104752235A (zh) | 一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法 | |
CN110783299A (zh) | 一种铜微合金单晶键合丝及其制备方法 | |
CN108118176A (zh) | 一种高速铁路接触线用铜基非晶合金及其制备工艺 | |
CN109055800A (zh) | 一种键合金线及其制备方法 | |
CN109207788A (zh) | 一种高强韧性、低电阻率的银金合金键合丝的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A Manufacturing Method for Micro Silver Alloy Bonding Wire for Small Chip LED Packaging Effective date of registration: 20230421 Granted publication date: 20180420 Pledgee: Bank of China Limited by Share Ltd. Jiyuan branch Pledgor: HENAN YOUK ELECTRONIC MATERIALS Co.,Ltd. Registration number: Y2023980038611 |
|
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |