CN104865730A - 一种液晶面板和阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种液晶面板及阵列基板，所述液晶面板包括阵列基板、彩色滤光片基板和液晶层，阵列基板包括多条扫描线、多条数据线、多个像素单元和遮光层，多个像素单元形成在多条所述扫描线和多条数据线围成的像素区域内，且其包括顶栅型薄膜晶体管和像素电极；遮光层位于所述多条数据线正下方，用于防止所述每条数据线两侧漏光。通过上述方式，本发明能够防止数据线两侧漏光，同时提高遮光层与数据线相对位置的精度，从而进一步为减小遮光层的宽度提供可能，为提高开口率和穿透率提供可能。

Description

一种液晶面板和阵列基板
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及液晶面板和阵列基板。
背景技术
液晶显示装置是一种主要的平面显示装置，液晶面板主要由阵列基板和彩色滤光片基板组成。目前制造液晶面板时，分别制造阵列基板和彩色滤光片基板之后，将两个基板进行对合。
现有的液晶面板的阵列基板上经常出现数据线两侧漏光的现象，目前解决这个问题的方法通常是在彩色滤光片基板上设置黑矩阵作为遮光结构，防止数据线两侧出现的漏光；但是在传统的液晶面板制作工艺中，需要阵列基板和彩色滤光片基板的对位，由于阵列基板和彩色滤光片基板存在对位的误差，并且阵列基板和彩色滤光片基板距离较远，所以黑矩阵的宽度往往比数据线的宽度更大，这样在上下基板发生错位的时候仍然能够起到遮光作用，并防止漏光。但是，黑矩阵的宽度过大将对液晶面板的开口率和穿透率造成不利的影响。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种液晶面板和阵列基板，能够防止数据线两侧漏光，同时提高遮光层与数据线相对位置的精度，从而进一步为减小遮光层的宽度提供可能，为提高开口率和穿透率提供可能。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种液晶面板，包括：
阵列基板，包括：
多条扫描线，设置在所述阵列基板上；
多条数据线，设置在所述阵列基板上；
多个像素单元，形成在所述多条扫描线和所述多条数据线相互交叉所形成的多个像素区域内，且每个所述像素单元分别包括顶栅型薄膜晶体管和像素电极；
遮光层，位于所述多条数据线正下方，用于防止每条所述数据线两侧漏光；
彩色滤光片基板，与所述阵列基板相对设置；
液晶层，设置在所述阵列基板和彩色滤光片基板之间。
其中，在遮挡每条所述数据线的位置处，所述遮光层的宽度大于所述数据线的宽度。
其中，所述遮光层的宽度不大于所述数据线宽度的110％。
其中，每个所述顶栅型薄膜晶体管分别包括：
所述遮光层，设置在所述阵列基板的透明基板上；
第一绝缘层，覆盖在所述遮光层之上；
源极和漏极，其分别覆盖在所述第一绝缘层之上，且所述源极与所述漏极相邻间隔设置；
半导体层，覆盖在所述源极和所述漏极之上；
第二绝缘层，覆盖在所述半导体层之上；
栅极，设置在所述第二绝缘层之上，并位于所述源极和所述漏极之间；
其中，所述半导体层在所述源极和所述漏极之间形成沟道区，所述遮光层进一步延伸至所述沟道区的下方，以对所述遮光区进行遮光。
其中，每个所述顶栅型薄膜晶体管中的所述栅极电性连接一条对应的扫描线，所述源极电性连接一条对应的数据线，而所述漏极与所述像素电极电性连接。
其中，所述彩色滤光片基板包括：
透明基板，包括多个与所述阵列基板上的所述像素区域对应的像素区域；
彩色滤光片层，其由RGB三原色的彩色层而组成，且所述RGB三原色的彩色层按照RGB顺序而设置在对应的所述像素区域中。
其中，所述彩色滤光片基板进一步包括：
黑矩阵，设置在所述透明基板上，且其包括多条黑矩阵薄膜，所述多条黑矩阵薄膜相互交叉设置，以将所述彩色滤光片基板划分为所述多个像素区域；
其中，所述多条黑矩阵薄膜位于所述多条数据线正上方，且每条所述黑矩阵薄膜的宽度不大于每条所述数据线的宽度。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括：
多条扫描线，设置在所述阵列基板上；
多条数据线，设置在所述阵列基板上；
多个像素单元，形成在所述多条扫描线和所述多条数据线相互交叉所形成的多个像素区域内，且每个所述像素单元分别包括顶栅型薄膜晶体管和像素电极；
遮光层，位于所述多条数据线正下方，用于防止每条所述数据线两侧漏光。
其中，在遮挡每条所述数据线的位置处，所述遮光层的宽度大于所述数据线的宽度。
其中，每个所述顶栅型薄膜晶体管分别包括：
所述遮光层，设置在所述阵列基板的透明基板上；
第一绝缘层，覆盖在所述遮光层之上；
源极和漏极，其分别覆盖在所述第一绝缘层之上，且所述源极与所述漏极相邻间隔设置；
半导体层，覆盖在所述源极和所述漏极之上；
第二绝缘层，覆盖在所述半导体层之上；
栅极，设置在所述第二绝缘层之上，并位于所述源极和所述漏极之间；
其中，所述半导体层在所述源极和所述漏极之间形成沟道区，所述遮光层进一步延伸至所述沟道区的下方，以对所述遮光区进行遮光。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明在液晶面板的阵列基板上设置遮光层，使其处于多条数据线正下方，从而对多条数据线进行遮光，防止数据线两侧出现漏光现象；由于遮光层和数据线均位于阵列基板上，所以两者的位置是固定的，相对位置精度高，不会出现对位误差的情况，因此，可以为遮光层的宽度设置地更小提供可能，同时，由于遮光层和数据线均位于阵列基板上，两者距离较短，因此，可以为遮光层的宽度进一步减小提供可能，由于遮光层宽度较小，使得液晶面板的开口率和穿透率能够得到提高。
附图说明
图1是本发明一种液晶面板的阵列基板一实施方式的结构示意图；
图2是图1中A-A向的液晶面板的剖视图；
图3是图1中B-B向的阵列基板的剖视图；
图4是本发明一种阵列基板一实施方式的结构示意图；
图5是图4中A-A向的剖视图；
图6是图4中B-B向的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本发明进行详细说明。
如图1和图2，本发明实施方式提供一种液晶面板，包括阵列基板5、彩色滤光片基板6和液晶层7，阵列基板5和彩色滤光片基板6相对设置，液晶层7封装在阵列基板5和彩色滤光片基板6之间。
其中，阵列基板5包括多条扫描线1、多条数据线2、多个像素单元3和遮光层4，多条扫描线1相互平行设置，多条数据线2相互平行设置，多条扫描线1与多条数据线2相互交叉设置，将阵列基板5分成多个像素区域，多个像素单元3分别形成在多条扫描线1和多条数据线2围成的多个像素区域内，每个像素单元3包括顶栅型薄膜晶体管31和像素电极32，顶栅型薄膜晶体管31的栅极设置在源极和漏极的上方，顶栅型薄膜晶体管31连接扫描线1、数据线2和像素电极32，通过扫描线1的扫描信号控制顶栅型薄膜晶体管31将数据线2的资料信号传送至像素电极32，使像素电极32产生电场而使液晶发生偏转。
遮光层4设置于多条数据线2正下方，即每条数据线2的正下方均设置有遮光层4，遮光层4用于防止每条数据线2两侧漏光，由于背光是从遮光层4向数据线2方向照射，在数据线2下方设置遮光层4，能将射向数据线2的光线遮挡，从而防止数据线2两侧出现漏光现象，一般地，遮光层4能覆盖住数据线2即可，遮光层4的面积不宜过大，遮光层4的面积过大将影响开口率和穿透率。遮光层4可以是金属遮光层，金属遮光层可以是钥薄膜，或铝薄膜，或铬薄膜，或铜薄膜，或钥、铝、铬以及铜中至少两种构成的合金薄膜。
本发明实施方式在阵列基板5上设置遮光层4，使其处于多条数据线2正下方，从而对多条数据线2进行遮光，防止数据线2两侧出现漏光现象；由于遮光层4和数据线2均位于阵列基板5上，所以两者的位置是固定的，相对位置精度高，不会出现对位误差的情况，因此，可以为遮光层4的宽度设置地更小提供可能，同时，由于遮光层4和数据线2均位于阵列基板5上，两者距离较短，因此，可以为遮光层4的宽度进一步减小提供可能，由于遮光层4宽度较小，使得液晶面板的开口率和穿透率能够得到提高。
其中，在遮挡每条数据线2的位置处，遮光层4的宽度大于数据线2的宽度。
在本发明实施方式中，可将遮光层4分布的图案设置为与数据线2分布的图案相同，即沿着数据线2的走向在数据线2下方设置遮光层4，使遮光层4正好能遮住数据线2，而不对其它区域产生影响，由于遮光层4离数据线2有一定距离，所以需要设置在遮挡每条数据线2的位置处，遮光层4的宽度大于数据线2的宽度，在相同位置处是指在遮光层4与数据线2对应的位置处，遮光层4的宽度稍大于数据线2的宽度即可，具体地，可设置遮光层4向数据项两侧方向分别延伸出一定宽度；本发明实施方式的遮光层4的宽度要比现有技术中设置在彩色滤光片基板上用于遮光的黑矩阵宽度小。
其中，遮光层4的宽度不大于数据线2宽度的110％，具体地，可设置遮光层4在与数据线2相同宽度的情况下向数据线2两侧分别延伸出占数据线2宽度不大于5％的宽度；在本发明其它实施方式中，也可设置遮光层4的宽度不大于数据线2宽度的105％或遮光层4的宽度不大于数据线2宽度的115％。
如图3，其中，每个顶栅型薄膜晶体管31分别包括遮光层4、第一绝缘层314、源极312、漏极313、半导体层316、第二绝缘层315和栅极311，其中，遮光层4设置在阵列基板5的透明基板51上，透明基板51为阵列基板5的衬底基板，可采用玻璃基板，第一绝缘层314覆盖在遮光层4之上，源极312和漏极313分别覆盖在第一绝缘层314之上，且源极312与漏极313相邻间隔设置，半导体层316覆盖在源极312和漏极313之上，半导体层316可以采用非晶硅，第二绝缘层315覆盖在半导体层316之上，栅极311设置在第二绝缘层315之上，并位于源极312和漏极313之间；其中，本发明实施方式的第一绝缘层314和第二绝缘层315可为硅的氧化物或硅的氮化物等。
其中，半导体层316在源极312和漏极313之间形成沟道区8，遮光层4进一步延伸至沟道区8的下方，以对遮光区进行遮光。半导体层316覆盖源极312、漏极313以及源极312和漏极313之间的区域，并在源极312和漏极313之间形成沟道区8。
一般地，阵列基板5上会设置遮光层4对源极312和漏极313之间的沟道区8进行遮光，本发明实施方式将该遮光层4进行延伸扩大，使其同样也对数据线2进行遮光，这样既能防止数据线2两侧出现漏光的情况，同时也能简化制作工艺。
其中，每个顶栅型薄膜晶体管31中的栅极311电性连接一条对应的扫描线1，源极312电性连接一条对应的数据线2，而漏极313与像素电极32电性连接。本发明实施方式的数据线2和像素电极32可设置在第一绝缘层314和第二绝缘层315之间。
本发明实施方式及附图只是对遮光层4、栅极311、漏极313、源极312和数据线2的相对位置关系做出示意性地表示，并不限定阵列基板5的具体结构，具体如何沉积制作，是本领域制作液晶面板常规的技术。
其中，彩色滤光片基板6包括透明基板61和彩色滤光片层62，透明基板61包括多个与阵列基板5上的像素区域对应的像素区域，彩色滤光片层62由RGB(红绿蓝)三原色的彩色层而组成，且RGB三原色的彩色层按照RGB顺序而设置在对应的像素区域中。
与现有的彩色滤光片基板相比，在本发明实施方式中，彩色滤光片基板6上不设置黑矩阵，而只是在阵列基板5上设置遮光层4就能起到防止数据线2两侧漏光的作用，同时由于彩色滤光片上没有黑矩阵，使得液晶面板的开口率和穿透率得到提高。
其中，在本发明其它实施方式中，彩色滤光片基板6进一步包括黑矩阵63，黑矩阵63设置在透明基板61上，且其包括多条黑矩阵薄膜，多条黑矩阵薄膜相互交叉设置，以将彩色滤光片基板6划分为多个与阵列基板5上的像素区域对应的像素区域；其中，多条黑矩阵薄膜位于多条数据线2正上方，且每条黑矩阵薄膜的宽度不大于每条数据线2的宽度。本发明实施方式将彩色滤光片基板6上的黑矩阵63设置在对应数据线2的位置，进一步提高防止数据线2两侧漏光的效果，同时设置黑矩阵63的宽度小于或等于数据线2的宽度，与现有的彩色滤光片基板相比，黑矩阵的宽度变小了，能有效降低对液晶面板的开口率和穿透率的影响。
如图4和图5，本发明另一实施方式提供一种阵列基板，该阵列基板与上述实施方式的液晶面板中的阵列基板具有相同结构，具体地，阵列基板包括多条扫描线10、多条数据线20、多个像素单元30，其中，多个像素单元30，形成在多条扫描线10和多条数据线20相互交叉所形成的多个像素区域内，且每个像素单元30分别包括顶栅型薄膜晶体管310和像素电极320；遮光层40位于多条数据线20正下方，用于防止每条数据线20两侧漏光。
本发明实施方式在阵列基板上设置遮光层40，使其处于数据线20正下方，从而对数据线20进行遮光，防止数据线20两侧出现漏光现象；由于遮光层40和数据线20均位于阵列基板上，所以两者的位置是固定的，相对位置精度高，不会出现对位误差的情况，因此，可将遮光层40的宽度设置地更小，同时，由于遮光层40和数据线20均位于阵列基板上，两者距离较短，因此，遮光层40的宽度可进一步减小，由于遮光层40宽度较小，使得液晶面板的开口率和穿透率得到提高。
其中，在遮挡每条数据线20的位置处，遮光层40的宽度大于数据线20的宽度。
如图6，其中，每个顶栅型薄膜晶体管310分别包括遮光层40、第一绝缘层3140、源极3120、漏极3130、半导体层3160、第二绝缘层3150、栅极3110；遮光层40设置在阵列基板的透明基板上；第一绝缘层3140覆盖在遮光层40之上；源极3120和漏极3130分别覆盖在第一绝缘层3140之上，且源极3120与漏极3130相邻间隔设置；半导体层3160覆盖在源极3120和漏极3130之上；第二绝缘层3150覆盖在半导体层3160之上；栅极3110设置在第二绝缘层3150之上，并位于源极3120和漏极3130之间；其中，半导体层3160在源极3120和漏极3130之间形成沟道区，遮光层40进一步延伸至沟道区的下方，以对遮光区进行遮光。
本发明实施方式的阵列基板与上述实施方式的液晶面板中的阵列基板的结构完全相同，且可产生相同效果，具体细节请参照上述实施方式，在此不一一赘述。
以上仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种液晶面板，其特征在于，包括：
阵列基板，包括：
多条扫描线，设置在所述阵列基板上；
多条数据线，设置在所述阵列基板上；
多个像素单元，形成在所述多条扫描线和所述多条数据线相互交叉所形成的多个像素区域内，且每个所述像素单元分别包括顶栅型薄膜晶体管和像素电极；
遮光层，位于所述多条数据线正下方，用于防止每条所述数据线两侧漏光；
彩色滤光片基板，与所述阵列基板相对设置；
液晶层，设置在所述阵列基板和彩色滤光片基板之间。
2.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，在遮挡每条所述数据线的位置处，所述遮光层的宽度大于所述数据线的宽度。
3.根据权利要求2所述的液晶面板，其特征在于，所述遮光层的宽度不大于所述数据线宽度的110％。
4.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，每个所述顶栅型薄膜晶体管分别包括：
所述遮光层，设置在所述阵列基板的透明基板上；
第一绝缘层，覆盖在所述遮光层之上；
源极和漏极，其分别覆盖在所述第一绝缘层之上，且所述源极与所述漏极相邻间隔设置；
半导体层，覆盖在所述源极和所述漏极之上；
第二绝缘层，覆盖在所述半导体层之上；
栅极，设置在所述第二绝缘层之上，并位于所述源极和所述漏极之间；
其中，所述半导体层在所述源极和所述漏极之间形成沟道区，所述遮光层进一步延伸至所述沟道区的下方，以对所述遮光区进行遮光。
5.根据权利要求4所述的液晶面板，其特征在于，每个所述顶栅型薄膜晶体管中的所述栅极电性连接一条对应的扫描线，所述源极电性连接一条对应的数据线，而所述漏极与所述像素电极电性连接。
6.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述彩色滤光片基板包括：
透明基板，包括多个与所述阵列基板上的所述像素区域对应的像素区域；
彩色滤光片层，其由红绿蓝(RGB)三原色的彩色层而组成，且所述RGB三原色的彩色层按照RGB顺序而设置在对应的所述像素区域中。
7.根据权利要求6所述的液晶面板，其特征在于，所述彩色滤光片基板进一步包括：
黑矩阵，设置在所述透明基板上，且其包括多条黑矩阵薄膜，所述多条黑矩阵薄膜相互交叉设置，以将所述彩色滤光片基板划分为所述多个像素区域；
其中，所述多条黑矩阵薄膜位于所述多条数据线正上方，且每条所述黑矩阵薄膜的宽度不大于每条所述数据线的宽度。
8.一种阵列基板，其特征在于，包括：
多条扫描线，设置在所述阵列基板上；
多条数据线，设置在所述阵列基板上；
多个像素单元，形成在所述多条扫描线和所述多条数据线相互交叉所形成的多个像素区域内，且每个所述像素单元分别包括顶栅型薄膜晶体管和像素电极；
遮光层，位于所述多条数据线正下方，用于防止每条所述数据线两侧漏光。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，在遮挡每条所述数据线的位置处，所述遮光层的宽度大于所述数据线的宽度。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，每个所述顶栅型薄膜晶体管分别包括：
所述遮光层，设置在所述阵列基板的透明基板上；
第一绝缘层，覆盖在所述遮光层之上；
源极和漏极，其分别覆盖在所述第一绝缘层之上，且所述源极与所述漏极相邻间隔设置；
半导体层，覆盖在所述源极和所述漏极之上；
第二绝缘层，覆盖在所述半导体层之上；
栅极，设置在所述第二绝缘层之上，并位于所述源极和所述漏极之间；
其中，所述半导体层在所述源极和所述漏极之间形成沟道区，所述遮光层进一步延伸至所述沟道区的下方，以对所述遮光区进行遮光。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107505754A (zh) * 2017-09-20 2017-12-22 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示器
CN107797352A (zh) * 2017-11-17 2018-03-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板的制作方法
CN107861286A (zh) * 2017-12-08 2018-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板
CN109491130A (zh) * 2018-11-14 2019-03-19 惠科股份有限公司 一种显示面板的制程方法、显示面板及显示装置
CN110082975A (zh) * 2019-04-12 2019-08-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板以及显示面板
WO2020062463A1 (zh) * 2018-09-30 2020-04-02 惠科股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
WO2020098022A1 (zh) * 2018-11-14 2020-05-22 惠科股份有限公司 一种显示面板的制程方法、显示面板及显示装置
CN111682033A (zh) * 2020-07-07 2020-09-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107479288A (zh) * 2017-09-06 2017-12-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶面板及其制作方法
TWI671568B (zh) * 2018-03-02 2019-09-11 友達光電股份有限公司 顯示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1420386A (zh) * 2001-11-15 2003-05-28 日本电气株式会社 平面开关模式有源矩阵型液晶显示器件及其制造方法
KR20040050237A (ko) * 2002-12-09 2004-06-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
CN1940683A (zh) * 2005-09-30 2007-04-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
KR20090044467A (ko) * 2007-10-31 2009-05-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI297407B (zh) * 2002-01-29 2008-06-01 Au Optronics Corp
KR101177720B1 (ko) * 2005-09-20 2012-08-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치와 그 제조방법
TWI328136B (en) * 2008-01-09 2010-08-01 Au Optronics Corp Pixel structure and method of making the same
KR101710574B1 (ko) * 2010-05-04 2017-02-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR101790060B1 (ko) * 2011-04-21 2017-10-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP5855888B2 (ja) * 2011-09-30 2016-02-09 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1420386A (zh) * 2001-11-15 2003-05-28 日本电气株式会社 平面开关模式有源矩阵型液晶显示器件及其制造方法
KR20040050237A (ko) * 2002-12-09 2004-06-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
CN1940683A (zh) * 2005-09-30 2007-04-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
KR20090044467A (ko) * 2007-10-31 2009-05-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107505754A (zh) * 2017-09-20 2017-12-22 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示器
CN107797352A (zh) * 2017-11-17 2018-03-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板的制作方法
CN107797352B (zh) * 2017-11-17 2020-06-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板的制作方法
CN107861286A (zh) * 2017-12-08 2018-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板
CN107861286B (zh) * 2017-12-08 2020-12-04 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板
WO2020062463A1 (zh) * 2018-09-30 2020-04-02 惠科股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
WO2020098032A1 (zh) * 2018-11-14 2020-05-22 惠科股份有限公司 显示面板的制程方法、显示面板及显示装置
WO2020098022A1 (zh) * 2018-11-14 2020-05-22 惠科股份有限公司 一种显示面板的制程方法、显示面板及显示装置
CN109491130A (zh) * 2018-11-14 2019-03-19 惠科股份有限公司 一种显示面板的制程方法、显示面板及显示装置
US11112661B2 (en) 2018-11-14 2021-09-07 HKC Corporation Limited Method for manufacturing display panel, display panel, and display device
US11561442B2 (en) 2018-11-14 2023-01-24 HKC Corporation Limited Method for manufacturing display panel, display panel, and display device
CN110082975A (zh) * 2019-04-12 2019-08-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板以及显示面板
CN111682033A (zh) * 2020-07-07 2020-09-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

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US20170139293A1 (en) 2017-05-18

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