CN104861887A - 活性面贴付用切割膜及切割后被加工物拾取的方法 - Google Patents

Abstract

本发明一种活性面贴付用切割膜，包括基材，在所述基材至少一面设有放射线硬化性粘着剂层，所述放射线硬化性粘着剂层包括丙烯系聚合物和/或从碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物中选取一种放射线聚合性化合物，聚合性方面作为使用含羟基单体经聚合后得到的丙烯酸聚合物，侧锁部分羟基以10/100~100/100，同与其反应的官能基和含有碳素-碳素二重结合基反应，向聚合物导入碳素-碳素二重化合物，重量平均分子量在50万以上的二重结合侧锁导入型丙烯系聚合物，和碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物，以及从碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物中选取一种放射线聚合性化合物（B）。

Description

活性面贴付用切割膜及切割后被加工物拾取的方法

技术领域

本发明涉及一种活性面贴付用切割膜及切割后被加工物拾取的方法。

背景技术

历来，硅化合物，锗系化合物，砷化镓等作为材料的半导体晶圆，一般来说，制造后需要做背面减薄，更进一步，需要做相对应的背面处理（刻蚀，抛光处理等）。然后在硅片背面贴付切割膜，切割成小片，再进行清洗，扩膜，拾取，封装等工序。

上述的切割膜，通常由塑料构成的基材上，涂布，干燥由丙烯系构成的粘着剂组成物，形成粘着剂层（厚度约1~50μm），切割膜在实际切割时，膜必须有能和硅片紧密贴付的粘着力。从这点来看，列如，对硅片镜面贴付的膜拾取的时候，一般需要剥离的力（剥离角度：15°，牵引速度150mm/min，贴膜时温度23°，揭膜时温度23°）。另一方面，切割后剥膜时，为了容易剥离，且不损坏硅片，就需要低粘性。切割膜对半导体芯片来说，不能留残胶（粘着剂层在硅片表面的残留现象），污染低，也是非常重要的特点之一。作为有这种特点的切割膜，例如分子量在10^5的低分子量的成分含有量在10％以下的聚合物所构成的粘着剂层的再剥离粘着膜。

上述拾取的工序，通常是在切割后硅片做扩膜的工序后实行，扩膜的工序是为了，切割膜易于从半导体芯片上剥离的工序。而且这种扩膜工序，切割膜在某种程度张开的状态下，拾取的半导体芯片下方的切割膜点状或线状的形式向上提，芯片在这种情况下，处于易剥离的状态，通过从上方吸真空的方式，是现在主流的拾取方式。

但是近年来，随着客户的需求的不断改进，生产时间的加紧，为了防止减薄后，硅片的破损，（背面减薄工艺，减薄后破碎层除去工艺）等工艺完成后，数小时内，硅片不揭膜的案例也在增加，还有破碎层除去工艺方面，会使用干磨（CMP处理，湿刻，干刻等）。

这样的话，硅片背面减薄，出碎屑等数小时内背面不揭膜的情况下，因为贴膜时间长，粘性又会回复到一个比较高的情况，拾取就会比较难实行，只是因为，硅片的减薄面，自然氧化膜尚未完全形成的状态的活性面，同切割膜贴合，未氧化的活性原子和粘着剂层之间起化学反应。

活性面具体来说，就是自然氧化膜还未完全形成，为氧化状态的活性原子（例如同粘着剂层反应的原子）存在的那一面。

发明内容

针对上述问题，本发明提供一种切割膜长时间贴付活性面，在拾取的时候，也能容易取下切割膜的活性面贴付用切割膜及切割后被加工物拾取的方法。

为达到上述发明目的，本发明活性面贴付用切割膜，包括基材，在所述基材至少一面设有放射线硬化性粘着剂层，所述放射线硬化性粘着剂层包括重量平均分子量在50万以上的丙烯系聚合物和/或从碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物中选取一种放射线聚合性化合物，作为胶带粘着剂层化合物成分的丙烯，烷基脂，占切割膜总体质量的60％以上，且聚合性方面作为使用含羟基单体经聚合后得到的丙烯酸聚合物，侧锁部分羟基以10/100~100/100，同与其反应的官能基和含有碳素-碳素二重结合基反应，向聚合物导入碳素-碳素二重化合物，重量平均分子量在50万以上的二重结合侧锁导入型丙烯系聚合物，和碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物，以及从碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物中选取一种放射线聚合性化合物（B），丙烯系聚合物（A），按100的重量比率，放射线聚合性化合物（B）从5~150的重量比例，按此比例为特征的活性面贴付切割膜。

进一步地，所述的反射线聚合性化合物的分子中，含有碳素-碳素二重结合基2~12个。

进一步地，所述的放射线聚合性化合物碳素-碳素二重结合基，从乙烯基，芳基，丙烯基，以及甲基丙烯基中选取一种。

进一步地，丙烯系聚合物（A）的重量平均分子量在80万至300万。

进一步地，所述的放射线硬化层粘着剂层为单层的形态或多层的形态。

进一步地，丙稀系聚合物（A），碳素-碳素二重结合，侧锁，主锁中以及主锁末端存在的丙稀系聚合物，加入放射线硬化性单体和低聚物的低分子量成分，切割膜在活性面贴附后，通过放射线照射。

进一步地，丙烯系聚合物（A）包括丙烯酸甲酯，丙烯酸乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异丁酯、正庚基丙烯酸酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸癸酯 、丙烯酸十二酯、丙烯酸十三酯、丙烯酸十四酯、十五基丙烯酸酯、丙烯酸十六酯、丙烯酸十七烷基、丙烯酸十八酯、丙烯酸酯、丙烯酸环己酯等，丙烯酸苯酯、芳基丙烯酸酯。

进一步地，所述的放射线硬化性粘着剂层设有离型膜保护。

进一步地，基材的厚度为30至200μm。

为达到上述发明目的，本发明切割后被加工物拾取的方法，对于被加工物的活性面，在权利要求1至9任一所述的活性面贴付用切割膜贴付后切割，对形成的切割片进行拾取。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：作为切割膜，特定的丙酸烯系化合物作为吸水性树脂，且使用含特点放射线聚合性化合物的切割膜，在硅片的背面减薄，作为减薄后的活性面，贴膜一长段时间后容易剥离。

附图说明

图1 是本发明切割膜的简略断面图；

图2 是本发明切割膜粘着力测定方法的简略断面图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本发明做进一步的描述。

本发明，活性面贴付切割膜，以及相关使用该活性面贴付切割膜的被加工物的切断片的pick up方法，比较详细的说法是硅系化合物，锗系化合物，砷化镓等作为材料的加工物（例如应用在半导体硅片，半导体封装，玻璃，陶瓷等方面）进行切割后，在切断片拾取的时候。前面所说的在被加工物的自然氧化膜没有完全形成状态的活性面进行贴付的状态下，使用活性面贴付切割膜，以及使用该活性面贴付切割膜切割后被加工物的切断片的拾取方法。

本发明的切割膜，至少有一面有放射线硬化性粘着剂层构成，且放射线硬化性粘着剂层，重量平均分子量在50万以上的丙烯系聚合物（A）（也有单独的称为丙烯系聚合物的情况），以及从碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物中选取一种放射线聚合性化合物（B）（也有单独的称为放射线聚合性化合物的情况），丙烯、系聚合物（A），按100的重量比率，含有放射线聚合性化合物（B）从5~150的重量比例 。这样，本发明的切割膜，至少有一面有放射线硬化性粘着剂层构成，且放射线硬化性粘着剂层，因重量平均分子量在50万以上的丙烯、聚合物（A） 丙烯系粘着剂中，所定的比率，使用了放射线聚合性化合物（B）构成，经放射线的照射，放射线硬化性粘着剂层硬化，可能对活性面有效的形成三次元网状构造。为了这个目的本发明的切割膜长时间贴付活性面后，经放射线照射，对活性面的粘着力减弱，方便切断片的拾取pick up。

关于放射线聚合性化合物（B），碳素-碳素二重结合基 ，根据含有放射线具有的重合性是非常重要的。

丙烯系聚合物（A）

丙烯系聚合物（A），重量平均分子量在50万以上（例如在50万~500万）的丙烯系聚合物，

作为放射线硬化性粘着剂组成物作为吸水性树脂使用。丙烯系聚合物（A）重量平均分子量，未满50万，对半导体硅片等被加工物的污染防止性较低，在活性面贴附后剥离时容易产生残胶。对丙烯系聚合物，低分子量物质（成分）的含有量越少越好，依据这个观点，丙烯系聚合物（A）的重量平均分子量80万以上（例如在80万~300万）比较合适。

丙烯系聚合物（A），丙烯酸酯作为主要成分的聚合物（均聚物、共聚物），丙烯系聚合物，作为单体的主要成分，例如，丙烯酸甲酯，丙烯酸乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异丁酯、正庚基丙烯酸酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸癸酯 、丙烯酸十二酯、丙烯酸十三酯、丙烯酸十四酯、十五基丙烯酸酯、丙烯酸十六酯、丙烯酸十七烷基、丙烯酸十八酯、丙烯酸酯、丙烯酸环己酯等，丙烯酸苯酯、芳基丙烯酸酯。芳基丙烯酸酯又可以与两种上述所说的相结合。丙烯酸酯作为丙烯酸甲酯，丙烯酸乙酯、、丙烯酸丁酯、丙烯酸异丁酯、正庚基丙烯酸酯的芳基丙烯酸酯比较适合。

    丙烯系聚合物为了改善凝聚力，耐热等特性为目的，作为单体，也可以对丙烯酸酯聚合的单体使用，这样作为聚合性的单体，聚合性单体又可以与两种以上的相结合，这样聚合性的单体，例如含丙烯酸、（丙烯酸、甲基丙烯酸）、腐胺、衣康酸、顺丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸的羟基的单体、含顺丁烯二酸酐、衣康酸等的酸酐基的单体，丙烯酸-2-羟基乙酯、 4-羟基丁基丙烯酸、6-丙烯酸酯、2-[2-(2-)乙氧基)丙烯酸乙酯，(Z)-3-(9-蒽基)丙烯酸 乙烯醇、乙烯基乙二醇醚、(R)-(-羟乙基)-2-氯-1-丙醇、4-羟丁基乙烯基醚、乙烯基乙二醇醚、二乙二醇单乙烯基醚 等单体，聚(苯乙烯磺酸)，2-甲基-2-[(1-氧-2-丙烯基)氨基]-1-丙磺酸和2-丙烯腈，等磺酸聚合物，3-氯-1-丙醇等的磷酸单体。丙烯酰胺，N-二甲基丙烯酰胺，N-叔丁基甲基丙烯酰胺，N-羟甲基丙烯酰胺，N-(甲氧基甲基)-2-丙烯酰胺，N-丁氧基甲基丙烯酰胺等系单体，氰乙烯等氰基含有单体，丙烯酸辛酯的氨基含有单体，丙烯酸缩水甘油酯， 丙烯酸甲基缩水甘油基等的环氧基树基单体， 乙烯，丙烯，异戊二烯，1，3-丁二烯 异丁烯等的烯烃系单体，苯乙烯，α-甲基苯乙烯，甲基苯乙烯等的苯乙烯系单体，醋酸乙烯酯，丙酸乙烯酯，乙烯基酯系单体，甲基乙烯基醚，乙烯基***等的乙烯醚系单体，氯乙烯，偏二氯乙烯等的含N-溴邻磺酰苯酰亚胺原子的单体，(R)-(-)-2-氯-1-丙醇等的含有碳酰亚胺的单体，乙烯基吡咯烷酮，乙烯基氮苯，N-丙烯酰吗啉的氮素原子含有单体等。

    另外，作为聚合性单体以连接为目的，必须要能对应使用多官能性单体，这样的多官能性单体有1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯， 二乙二醇二丙烯酸酯，丙二醇二丙烯酸酯，新戊二醇二丙烯酸酯，季戊四醇聚丙烯酸酯，三甲醇丙烷三丙烯酸酯 ， 季戊四醇聚丙烯酸酯，二季戊四醇六丙烯酸酯，二乙烯基苯等。

    在聚合性单体使用量（比例）方面，对单体成分总量在40％以下较好。作为聚合性单体，使用多官能单体的时候，多官能单体的使用量，粘着性特点等观点方面考虑，单体成分总量在30％以下较好。

    丙稀系聚合物（A），单体成分为两种以上的单体混合调制而成，聚合，通过溶液聚合法，酯化聚合法，悬浊聚合法等其中之一进行聚合。

本发明，丙稀系聚合物（A），碳素-碳素二重结合，侧锁，主锁中以及主锁末端存在的丙稀系聚合物，加入其他的放射线硬化性单体和低聚物的低分子量成分，切割膜在活性面贴附后，通过放射线照射，使对活性面粘着力减低成为可能。

这样的二重结合导入型丙稀系聚合物，在丙稀系聚合物的分子内的侧键内，1/100以上侧键，

    有一个碳素-碳素二重结合适用二重结合导入型丙稀系聚合物。这样碳素-碳素二重结合，对丙稀系聚合物的导入，从分子设计的这点来看也比较有利。然而在二重结合导入型丙稀系聚合物中，主锁，侧锁的末端，也有碳素-碳素二重结合，这样的二重结合导入型丙稀系聚合物，含有低分子成分的低聚物便不再必要，而且因为不含很多，时间一长，有防止了低聚物成分的低分子成分在粘着剂层中移动，这样就可以形成安定构造的粘着剂层。

二重结合导入型丙稀系聚合物的调制方法(顺带一提对丙稀系聚合物碳素-碳素二重结合的导入方法)，特别受限制，从种种已知的办法中选取最合适的。具体来说，二重结合导入型丙稀系聚合物的调制方法，例如作为聚合性单体 使用有官能基的单体聚合，用含有官能基的丙稀系聚合物调制后，含有官能基的丙稀系聚合物中的官能基反应后得到的官能基，对含有碳素-碳素二重结合的化合物，官能基的丙稀系聚合物，碳素-碳素二重结合的维持放射线硬化性的状态，根据缩合及附加反应，列举二重结合导入型丙稀系聚合物的调制方法，对丙稀系聚合物碳素-碳素二重结合，全侧锁内的1/100以上的侧锁导入型丙稀系聚合物的控制手段，对含有丙稀系聚合物的官能基，对其缩合及附加反应的化合物，适当调节碳素-碳素二重结合含有反应性化合物的使用量。对含有丙稀系聚合物的官能基使用碳素-碳素二重结合含有反应性化合物进行缩合反应的时候，根据催化，前面所述的反应能有效进行。这样的催化没有特定限制，用锡（二月桂酸二丁基锡）做催化比较合适，催化剂的使用量不限，比如含有丙稀系聚合物的官能基：100的重量的对比0.05~1重量比比较合适。

对于二重结合侧锁导入型丙稀系聚合物，导入碳素-碳素二重结合的侧锁比例，如前记所述，对全侧锁中的官能基（羟基等）的数量，1/100以上（1/100~100/100）的比较合适，特别是10/100~98/100（中也有50/100~95/100）的最合适，依此，碳素-碳素二重结合含有反应性化合物的使用量，对含有官能基的丙稀系聚合物中的官能基，适当调节，二重结合侧锁导入型丙稀系聚合物对导入碳素-碳素二重结合的侧锁比例进行控制。

含有官能基的丙稀系聚合物的官能基同碳素-碳素二重结合含有反应性化合物的官能基相组合，列如羧酸和环氧基组合，羧酸和氮杂环丙烷基组合，羟基同异氰酸基的组合。在这些官能基的组合中，总容易追踪反应痕迹这点来说，羟基同异氰酸基的组合最合适。这些官能基的组合，不管那个官能基，含有官能基的丙稀系聚合物还有碳素-碳素二重结合含有反应性化合物之中，变成哪一侧的官能基都可以。列如羟基同异氰酸基的组合，羟基变成含有官能基的丙稀系聚合物，异氰酸基变成碳素-碳素二重结合含有反应性化合物。在这种情况下，含有作为官能基异氰酸基碳素-碳素二重结合含有反应性化合物，会有列如，异氰酸酯，(R)-(-)-2-氯-1-丙醇等的含有碳酰亚胺的单体等。还有，含有作为官能基的羟基官能基含有丙稀系聚合物，列如聚合性单体含有羟基单体，如丙烯酸羟乙酯，2-丙烯酸-2-羟基丙基酯，4-羟基丁基丙烯酸酯，6-丙烯酸酯，丙烯酸 10-，羟乙基酯3,5-二氟苯甲酸，丙烯酸甲酯，乙烯醇，烯丙醇，2-乙烯氧基乙醇，4-羟丁基乙烯基醚，2-乙烯氧基乙醇，二乙二醇单乙烯基醚，等聚合后的含有羟基的丙稀系聚合物。

二重结合导入型丙稀系聚合物，经放射线照射硬化，此时，系内的光重合开始剂出现，容易进行硬化反应。这样的光聚合开始剂，在放射线照射后放射线重合性化合物硬化的时候，可以使用光聚合开始剂。

·       另外，丙稀系聚合物（A），经催化，重量平均分子量可以控制在50万以上。催化剂不限，已知的催化剂(比如聚乙烯(异佛尔酮二异氰酸酯异)异佛尔酮二异氰酸酯异系催化剂，环氧系催化剂，氮丙环系催化剂，三聚氰胺系催化剂，尿素甲醛树脂催化剂，多胺系催化剂等等)中选取合适的使用，作为催化剂的使用量不限，应当催化的化合物（催化前的丙稀系聚合物（A））的平衡，根据作为粘着剂的使用用途可以设定。一般来说，催化剂的使用量，应该催化的化合物，以100为重量比0.01~5的重量比较合适。

丙稀系聚合物通过催化剂催化的时候，作为丙稀系聚合物，使用对有催化反应性的官能基的丙稀系聚合物是非常重要的。

放射线重合性化合物(B),含碳素-碳素二重结合含基氰尿酸盐系化合物，以及碳素-碳素二重结合含有基的氰脲酸酯系化合物中选取至少一种。伴随碳素-碳素二重结合含有基的氰脲酸酯系化合物的分子内三嗪环，也有放射线重合性的碳素-碳素二重结合化合物。这样的放射线重合性化合物(B)，单体，低聚物，同这些混合物对应。

放射线重合性化合物(B)的调制方法不限，一般放射线重合性化合物(B），根据二异氰酸盐等化合物作为原材料进行反应，三嗪环的化合物调制后，对该化合物，根据放射线重合性的碳素-碳素二重结合含有基的导入，可以调制。

本发明，放射线重合性化合物(B)，根据放射线的照射，有效的形成3次元网状结构这点来看，分子中的碳素-碳素二重结合含有基有两个以上的较好，特别是，放射线重合性化合物(B)在单体的场合相当一个分子，碳素-碳素二重结合含有基有两个以上的较好，另一方面，低聚物的情况，对反复的单位，碳素-碳素二重结合含有基有两个以上的较好。放射线重合性化合物(B)中所含的碳素-碳素二重结合含有基的数量，2~12个更好，特别3个以上（3~10个）的也比较好，放射线重合性化合物(B)中所含的碳素-碳素二重结合含有基的数量不满2个的时候，根据放射线的照射，使粘着强度下降的催化强度不够的时候也有，超过12个的时候，放射线的照射后粘着剂的过度脆化也存在。

这样的碳素-碳素二重结合含有基，乙烯基，烯丙基，甲基比烯烃比较适合，这样的碳素-碳素二重结合含有基，用一种也可以，用两种以上组合也可以。

对放射线重合性化合物(B)，碳素-碳素二重结合含有基，通常，三嗪环构成的氮原子，通过或不通过其他基结合。碳素-碳素二重结合含有基，碳素-碳素二重结合含有基同三嗪环或五元环之间的结合基，也就是没有（刚直的分子构造）（如有芳香族化合物的分子构造，杂环化合物的分子构造）较好。碳素-碳素二重结合含有基，结合基有刚直性，对放射线重合性化合物(B)过度给予刚直性，根据放射线照射，不让放射线硬化层的过度脆化，比如在扩膜后pick up的时候，会发生脆化的粘着剂层裂开的情况发生。

依此，碳素-碳素二重结合含有基，作为结合基，含有丰富的原子自由回转性。以丰富的原子自由回转性为基础，列如脂肪族烃（亚甲基，乙基，环丙烷基，环丁烷基，环戊烷基，环己烷基等），「－Ｏ－」基，「－ＣＯ－」基，「－ＯＣＯ－」基，「－ＣＯＯ－」基，「－ＮＨＣＯ－」基，「－ＣＯＮＨ－」基，「－ＮＨＣＯＯ－」基，「－ＯＣＯＮＨ－」基等不含芳香族化合物，杂环化合物的2价有机基，这样的组合基（如脂肪族烃，「－Ｏ－」基，「－ＣＯ－」基，「－ＯＣＯ－」基，「－ＣＯＯ－」基，「－ＮＨＣＯ－」基，「－ＣＯＮＨ－」基，「－ＮＨＣＯＯ－」基，「－ＯＣＯＮＨ－」基中选取至少一种2价的有机基构成的）

    碳素-碳素二重结合构成的碳素原子，是通过「－Ｏ－」基，与三嗪环结合，构成碳素-碳素二重结合构成的碳素原子又通过亚烷基，同三嗪环结合，特别是碳素-碳素二重结合构成的碳素原子，又通过碳素数2个以上的亚烷基，与三嗪环结合，这时，三嗪环与碳素-碳素二重结合构成的碳素原子的复数结合的情况下，至少有一个碳素-碳素二重结合含有基，碳素-碳素二重结合构成的碳素原子，通过碳素数2个以上的结合基的形态与三嗪环结合。

具体来说，对放射线重合性化合物(B) ，放射线氰尿酸盐系化合物，列如颜料红 172 铝色淀， 吲羟磷酸二钠盐,对甲苯胺蓝，三噻吩，1-{3-[(2-萘氧基)甲基]苯基}六亚甲基四胺，4-对硝基邻苯二胺等。

本发明，作为对放射线重合性化合物(B) 单体形态的放射线重合性化合物(B)，（例如前记碳素-碳素二重结合含有氰尿酸盐系化合物）适用，低聚物形态的放射线重合性化合物(B)，前记所示的碳素-碳素二重结合含有氰尿酸盐系化合物等等。

放射线硬化粘着剂层

活性面贴付切割膜，前记的丙稀系聚合物（A），和前记放射线重合性化合物(B)，丙稀系聚合物（A）以100的重量比，对放射线重合性化合物(B)5~150的重量比，以这个比例的放射线硬化层粘着剂，至少有一面基材构成。丙稀系聚合物（A）和放射线重合性化合物(B)的比例，丙稀系聚合物（A）以100的重量比，对放射线重合性化合物(B)不满50的重量比，放射线硬化层粘着剂因为射线照射三次元网状化不充分，容易造成切断片困难，另一方面，丙稀系聚合物（A）以100的重量比，对放射线重合性化合物(B)要超过150的重量比，放射线硬化层粘着剂才会使硬度变强，切割时刀刃因切割力，抵抗洗净水的水压等无法发挥切断片固定粘着力。

    这样放射线硬化层粘着剂层，根据丙稀系聚合物（A）和放射线重合性化合物(B)所定的比例形成粘着剂组成物，放射线硬化层粘着剂组成物，在放射线照射的时候效果会更好，为了实行放射线重合性化合物(B)的聚合以及硬化，最好放入光聚合剂，这样的光聚合剂有，安息香甲醚， 安息香***，安息香异丙醚，苯偶姻异丁基醚等安息香胶系的开始剂，二苯基甲酮，苯甲酰苯甲酸，1-(3,4-二氯苯基)-3,3-对氯苯基，苯甲酮系开始剂，1-羟基环己基苯基甲酮，1-( 2-羟基苯乙酸邻羟基苯乙酸)-3-(2-甲氧苯胺)，乙酸异丁酯，二苯基-双(三氟甲基)苯甲胺等芳族酮的开始剂，安息香双甲醚等的芳族酮的开始剂，噻吨酮，氯噻吨酮，异丙基硫杂蒽酮的噻吨酮系开始剂，苯偶酰等的苯偶酰系开始剂，安息香等的安息香系开始剂，芳磺酰氯，DL-樟脑醌等，而光重合剂有可以和两种以上组合。

    光重合剂的配合量，放射线重合性化合物(B)，以100的重量比对0.5~30的重量比的范围中选择，丙稀系聚合物（A），在使用二重结合导入型丙稀系聚合物的时候，光重合剂因为利用了二重结合导入型丙稀系聚合物的硬化，二重结合导入型丙稀系聚合物（A）以及放射线重合性化合物(B)，以100的重量比对0.5~30的重量比的范围中选择。

    为了形成放射线硬化层粘着剂层的放射线硬化层粘着剂层组成物，需要对应，如催化剂，交叉结合剂，粘着符合剂，填充剂，阻燃剂，抗氧化剂，软化剂，紫外线吸收剂，可塑剂，着色剂，等等添加剂，作为催化剂，如前述，已知的催化剂中选取一种使用，对丙稀系聚合物（A）催化的时候，对丙稀系聚合物（A）的官能基反应是非常重要的。具体来说，含盐酸羟胺基以及 羧基等官能基丙稀系聚合物（A），经催化，适合使用聚亚安酯系的催化剂。聚亚安酯系的催化剂有，甲苯二异氰酸酯，1,6-己二异氰酸酯，4,4’二苯基甲烷二异氰酸酯，以及4,4’二苯基甲烷二异氰酸酯的二重体三重体等，三羟甲基丙烷和甲苯二异氰酸酯的反应生成物，三羟甲基丙烷和1,6-己二异氰酸酯的反应生成物，二苯基甲烷-4等。

    放射线硬化层粘着剂层组成物中，放射线重合性化合物(B)，其他的放射线重合性化合物也可以含一种或两种以上。其他的放射线重合性化合物从已知的几种里选就可以，具体来说有，三羟甲基丙烷三丙烯酸酯 季戊四醇三丙烯酸酯，二新戊四醇一羥五丙烯酸酯，双季戊四醇六丙烯酸酯，1,4:3,6-双脱水甘露醇，1,6-己二醇二丙烯酸酯，聚乙二醇二丙烯酸酯等低分子类型的放射线重合性化合物，对分子末端含丙烯酸脂的 聚氨酯丙烯酸酯，环氧丙烯酸酯，三聚氰胺丙烯酸酯，分子末端含丙烯酸的巯基附加刑树脂以及重氮化的丙烯酰胺型聚合物的高分子类型的放射线重合性化合物。

放射线硬化层粘着剂层，使用含丙稀系聚合物（A）和放射线重合性化合物(B)按一定比例混合的粘着剂层组成物，可以利用已知的粘着剂层组成物的形成方法，在离型膜上涂布放射线硬化性粘着剂组成物，形成放射线硬化性粘着剂层后，根据对基材所定面的该放射线硬化性粘着剂层的抄写方法，可以形成放射线硬化层粘着剂层。

放射线硬化层粘着剂层，有单层的形态，也有积层的形态。

放射线硬化层粘着剂层的厚度，没有特点限制，1~50微米都可以，最好在2~30微米。活性面贴付切割膜，在切割的时候，也会震动，这个时候如果震动大，被加工物的切断片可能会掉落。但是如果，放射线硬化层粘着剂层的厚度，50微米以下，被加工物切割时发生的震动过大就可以被抑制。这样切断片掉落的现象就会减少。如果，放射线硬化层粘着剂层的厚度在1μm以上，切割的时候就不容易掉落，在放射线硬化性粘着剂层上贴付的被加工物可以保持稳定，特别是放射线硬化层粘着剂层在2~30微米的时候，飞料会更进一步减低，切割时被加工物更稳定，发生切割不良的情况会得到有效控制。

    基材、

    活性面贴付切割膜，基材不限，塑料制，金属制，纤维制，纸制等等基材都可以，这当中塑料基材的塑料膜形式最好，塑料膜的构成材料有，聚烯烃系树脂(低密度，中密度，高密度，超低密度的聚乙烯，丁烯的均聚物，聚甲基戊烯等)，乙烯-醋酸乙烯共聚物，聚(乙烯-共-甲基丙烯酸)钠盐，EVA卷烟胶，聚乙烯，聚氨酯树脂，聚酰胺酯苯四甲酸二酐和4日4'-二氨基二苯醚聚合物)，聚酰胺粉(尼龙6)，聚苯乙烯树脂，聚氯乙烯，聚偏二氯乙烯树脂，聚乙烯醇，聚醋酸乙烯酯，聚碳酸双酚A)，氟系树脂，微晶纤维素系树脂等等。这些构成材料，可以单独也可以2种以上组合使用。塑料膜的构成材料，有必要导入官能基，可以改善单体的机能性和改质性。

    塑料制的基材表面，为了加强邻接层（放射线硬化层粘着剂层）的密着性，稳定性，可以实行已知惯用的表面处理（铬酸，臭氧，火焰，高压电击暴露处理等）。对塑料制的基材，为了能防静电，在基材上，可以做一层，金属，合金，等等氧化物的蒸渡层，这层的厚度约为30~500A左右。

    基材上形成的放射线硬化层粘着剂层基材一侧经放射线照射，为了使放射线硬化性粘着剂层硬化后，可以有效的使用放射线部分透过的特性。

    基材，有单层的形态，也有积层的形态，基材中可以含，交叉结合剂，粘着符合剂，填充剂，阻燃剂，抗氧化剂，软化剂，紫外线吸收剂，可塑剂，界面活性剂，等等添加剂

    基材的形成方法不限，可以采用已知的惯用的形成方法，比如，塑料制基材的形成方法，比如日历成膜法，锻造成膜法，膨胀法等等，有积成多层的情况，可以用干压法。基材也有无延伸的状态，延伸处理用一轴或两轴。

基材的厚度不限，10~300μm，30~200μm比较合适。

本发明，切割膜，如图1所示，基材至少有一面由放射线硬化层粘着剂层所构成，这一层外接离型膜保护。

图1是本发明的切割膜的断面简略示意图，在图1中，1指的是切割膜，2是基材，3是放射线硬化性粘着剂层，4是离型膜。这款切割膜是由，基材2 的一面有3的放射线硬化性粘着剂层构成，并由4的离型膜保护，图1所示的切割膜是放射线硬化性粘着剂层3，既前记放射线硬化层粘着剂层（既含有丙稀系聚合物（A）和放射线重合性化合物(B)按一定的比例形成粘着剂层），基材也如前几所述。

如图1所示，本切割膜，前记放射线硬化层粘着剂层在基材的一面形成，有必要的话，两面都可以做，然后随一面形成的粘着剂层，再在基材的另一面做一层放射线硬化层粘着剂层以外的粘着剂层（热剥离型粘着剂层等等）。

如前记所述，为了保护切割膜的粘着剂层，需要使用离型膜，离型膜材质不限，例如，纸类，聚乙烯，聚丙烯，1,4-苯二甲酸二甲酯与1,2-乙二醇和2,2’-氧双[乙醇]的聚合物的树脂等等，为了提高粘着剂层的剥离性，离型膜的表面，进行了硅处理，长锁烷基处理，氟素处理等剥离处理。更进一步，为了防止粘着剂层同环境紫外线发生反应，在做防紫外线处理，离型膜厚度不限，通常在10~200μm左右（25~100μm比较合适）。

本发明的切割膜，基材一面有放射线硬化层粘着剂层构成，基材另一面有其他粘着剂层，离型层构成。其他粘着剂层种类不限，一般以通过加热，实现热剥离性的粘着剂层，以及加热和放射线照射后实现剥离的粘着剂层为主。为了形成这种粘着剂组成物，例如已知的粘着剂（有烷系，橡胶系，氨基甲酸酯系，硅系，聚酯系，聚酰胺系，树脂系，氟系粘着剂等等）中选取一种，添加必要的含有粘着剂，放射性聚合性化合物，发泡剂的粘着剂组成物。另一方面，基材的另一面为了制作离型处理剂，从已知的离型处理剂（硅处理，长锁烷基处理，氟素处理剂）中选取一种。

切割膜，以滚筒状卷起，纸状层积。胶带在进行半导体硅片切割的情况时，根据预定的形状进行切断片加工。

活性面贴付用切割膜，自然氧化膜未完全形成状态的活性面使用是很重要的。前面所说的活性面，存在未氧化状态的活性原子，改活性原子的形成有和粘着剂层的成分化学结合的特性，顺带一提，活性面存在着对为氧化且粘着剂成分其反应的原子。本发明，长时间贴付后，经紫外线照射，就会容易从活性面上剥离。含化学合成的活性原子的粘着剂层的成分，对活性原子有反应的官能基的化合物。比如吸水性树脂等等

被加工物的活性面，例如半导体硅片，半导体封装体，玻璃，陶瓷等等。这样的加工物材料一般为，硅系化合物，锗系化合物，砷化镓等，进行背面减薄，新的抛光面产生的时候，存在未氧化状态的活性硅素原子，未氧化状态的锗原子，未氧化状态的镓原子的等未氧化的活性原子。这些活性原子，经过长时间自然环境原因，遭氧化，后变得失去活性。

此款切割膜，为了保护减薄后的被加工物，为了保持原子的活性状态贴付在硅片活性面，在剥离的时候，同贴付时间无关，对被加工物的活性面的粘着力，经放射线照射，使其粘性降低，容易剥离。依此，此切割膜，对硅片背面减薄，及其后碎屑处理，连续短时间内，经减薄后露出的新活性面，这之后可以有效的实施的切割工序，拾取pick up工序。具体来说，在切割前，起到有效保护脆弱的被加工物的作用，就切割工序来说，被加工物被牢牢固定，有效实施切割，拾取pick up 工艺方面，需要减弱胶带对被加工物的粘着力，起到发挥容易对切断片拾取pick up的功能。

依此，此款活性面贴付用切割膜，对自然氧化膜未完全形成状态的活性面非常适用。

此款活性面贴付用切割膜，放射线硬化层粘着剂层的粘着力（对硅片剥离角度15°，牵引速度：150mm/分，测定温度：23℃±3℃），在2.3N/25mm幅一下较为合适，这样切断片的拾取pick up情况会比较好，发生残胶的情况也会减少。放射线硬化层粘着剂层的粘着力，如图2所示，在硅片表面贴附后，测定温度：23℃±3℃粘着剂层对硅片角度15°，牵引速度：150mm/分。这样放射线硬化层粘着剂层的粘着力，对镜面硅片的使用有规定，镜面硅片的粗糙度也有所规定，镜面硅片的材质在切割以及拾取pick up的被加工物，半导体硅片的同等材质，温度在23℃±3℃为基准。

图2 是此款切割膜的粘着力测定方法的断面图概要，在图2中5指的是切割膜，51是基材，52是放射线硬化层粘着剂层，6是硅片，X表示胶带5剥离的方向，θ表示胶带与硅片间的剥离角度，如图在切割膜5的基材51的另一面有放射线硬化层粘着剂层52构成，这层如前面所述，是含有丙稀系聚合物（A）和放射线重合性化合物(B)按一定的比例形成粘着剂层。图2硅片一面贴付的膜与硅片保持15°的角度，朝X的方向，以150mm/分的速度，剥离，此数据在23°的室温下测得。

此款切割膜，放射线硬化层粘着剂层贴付在硅片表面，经切割后，照射剥离后，硅片表面的碳素元素比率C1（％）xps与贴付前硅片表面的碳素元素比率C2（％）xps的差(C1-C2)，这个值有在5以下的特性。这样ΔＣ在5以下，切割膜发生污染的情况极低，也就是减少所谓的残胶。

    这样的碳素元素比率[碳素元素比率C1（％），碳素元素比率C2（％）]，X射线光电子能谱学）的测定。具体来说，XPS的碳素元素比率C1（％），放射线硬化层粘着剂层与硅片表面接触，贴附后，进行切割然后剥离，用X射线电子分析仪，Ｘ射线源：ＭｇＫα１５ＫＶ（３００Ｗ），取角：45°，测定面积：1×3.5mm的条件下，对硅片贴付的切割膜的剥离面的射线进行分析。另一方面，XPS的碳素元素比率C2（％），放射线硬化层粘着剂层与硅片表面接触，贴附后，进行切割然后剥离，用X射线电子分析仪，Ｘ射线源：ＭｇＫα１５ＫＶ（３００Ｗ），取角：45°，测定面积：1×3.5mm的条件下，对硅片贴付的切割膜的剥离面的射线进行分析。

被加工物的切断片拾取pick up的方法

被加工物的活性面，前记的切割膜贴付切割后，切断片拾取pick up，在实际操作的时候，胶层（X）同被加工物的贴付是十分重要的。这样被加工物在切割后拾取pick up的时候，因为使用了切割膜，长时间贴附后照射放射线，就会容易拾取pick up。同样前记的拾取pick up的方法也被使用在厚度未满100μm的被加工物上。

这样针对本发明的被加工物的切断片拾取pick up的方法，对被加工物活性面贴付的切割膜的贴膜工艺，贴膜后，为了切割被加工物的切割工艺，切割工艺后，实行拾取pick up。

贴膜工艺，就是在被加工物表面贴付切割膜。贴膜工艺通常就是胶层同被加工物表面贴合，用滚筒等挤压手段，进行贴付，还有在加压可能的容器中，被加工物和切割膜，前记同样的方式挤压，在容器内进行加压。这样在实际贴付的时候，就可以一边加压一边贴合。在减压容器内，和前记同样的方式贴膜，实际贴付温度不限，20~80°较为合适。

切割工艺指的是，以制造半导体芯片为目的，对贴膜后的被加工物进行小片切割。切割工艺遵照一般常用法则。  当被加工物为半导体硅片的时候，通常在硅片电路一面用高速旋转的刀片进行切割。这是被称为采用全切的方式。切割机器不限，从已知的几种中选取。该胶带在切割过程中，牢牢固定住被切割物，抑制飞料，防止了被加工物的自身破损。

拾取pick up 工艺是指，贴膜后切割，从膜上剥离切断片的过程。拾取pick up的方法不限，从已知的几种中选取，比如切断片，从膜的下方突出一根针顶起的装置。这样对拾取pick up，放射线的照射就很重要，在拾取pick up之前照射。照射线可以为，α线、β线、γ线、中性子线、电子线、紫外线等，紫外线最合适。放射线的照射强度，照射时间不限，按实际情况设定。

贴膜工序是指，在硅片背面减薄后，对产生的新硅片活性面进行的非常重要的步骤，顺带一提，通常贴膜在硅片背面减薄，除碎屑的工序后进行，在短时间内，使新产生的硅片活性面保持不失去活性状态下实施的。贴膜工艺后实行的切割非常重要。比如，贴膜后马上切割，或是贴膜后过一段长时间再切割也可以，切割后的拾取pick up工艺也很重要，当然贴膜，切割之间，切割和拾取pick up之间，都根据实际工艺对应。

实施例1

丙烯酸甲酯：75重量比，  2-丙烯酸-2-甲氧基乙酯：10重量比，N-乙烯基吡咯烷酮；10重量比，以及丙烯酸羟乙酯：5重量比通过常法在乙酸乙酯中聚合，并在含丙烯系溶液中获得。

接下来，前记的丙烯系聚合含有溶液中，加入20重量比的甲基丙烯酸异氰基乙酯，然后加入作为催化剂的二月桂酸二丁基锡0.08重量比，通过在30°144小时的时间反应，获得含有侧锁末端碳素-碳素二重结合的二重结合侧锁导入型丙烯系聚合物。这个二重结合侧锁导入型丙烯系聚合物，是丙烯系聚合物的侧锁末端的羟基的90摩尔％，附加甲基丙烯酸异氰基乙酯的异氰酸酯酯所得。

接着，前记二重结合侧锁导入型丙烯系聚合物含有溶液A，三(2,3-二溴丙基)异氰脲酸酯：50重量比，光重合剂作为商品名的2'-羟基苯乙酮：3重量比，聚异氟尔酮二异氰酸酯系化合物：3重量比相加，获得紫外线硬化性丙烯系粘着剂溶液。

作为基材，使用单面做放电处理的直锁状低密度聚乙烯值薄膜（厚度70μm）。

基材的放电处理面，涂布前记的紫外线硬化型丙烯系粘着剂溶液，80°10分钟加热，然后催化，基材上形成作为放射线硬化性粘着剂层的紫外线硬化性粘着剂层（厚度5μm）， 然后这个紫外线硬化性粘着剂层的表面贴付离型膜，制成紫外线硬化性切割膜。紫外线硬化性粘着剂层，重量平均分子在50万的二重结合侧锁导入型丙烯系聚合物，通过聚异氟尔酮二异氰酸酯系化合物催化构成丙烯系聚合物。

实施例2

获得同实施例1一样的二重结合侧锁导入型丙烯系聚合物含有溶液A，4-硝基邻苯二胺：50重量比，光重合剂作为商品名的2'-羟基苯乙酮：3重量比，聚异氟尔酮二异氰酸酯系化合物：3重量比相加，获得紫外线硬化性丙烯系粘着剂溶液。

作为基材，使用单面做放电处理的直锁状低密度聚乙烯值薄膜（厚度70μm）。

前记紫外线硬化性丙烯系粘着剂溶液B以外，同实施例1同样方法制作紫外线硬化性切割膜。

实施例3

获得同实施例1一样的二重结合侧锁导入型丙烯系聚合物含有溶液A，这个二重结合侧锁导入型丙烯系聚合物含有溶液A，季戊四醇三丙烯酸酯以及二异氰酸盐反应所得的紫外线硬化性低聚物，光重合剂作为商品名的2'-羟基苯乙酮：3重量比，聚异氟尔酮二异氰酸酯系化合物：3重量比相加，获得紫外线硬化性丙烯系粘着剂溶液。

作为基材，使用同实施例1一样的单面做放电处理的直锁状低密度聚乙烯值薄膜（厚度70μm）。

然后，除使用前记的紫外线硬化性丙烯系粘着剂溶液c以外，用同实施例1一样制得紫外线硬化性切割膜。

实施例4丙烯酸甲酯：95重量比，以及丙烯酸：5重量比，乙酸乙酯中用一般方法聚合，获得重量平均分子80万含0丙烯系聚合的溶液。这种丙烯系聚合含有溶液D，季戊四醇三丙烯酸酯同二异氰酸盐反应和得到的紫外线硬化性低聚物：50重量比，光聚合剂品名安息香双甲醚：3重量比，聚异氟尔酮二异氰酸酯系化合物：3重量比相加，获得紫外线硬化性丙烯系粘着剂溶液。

作为基材，使用同实施例1一样的单面做放电处理的直锁状低密度聚乙烯值薄膜（厚度70μm）。

然后，除使用前记的紫外线硬化性丙烯系粘着剂溶液D以外，用同实施例1一样制得紫外线硬化性切割膜。

评价实施例1～2以及比较例1～2得到的切割膜，根据下记所述的拾取pick up性的评价方法，粘着力的测定方法，拾取pick up性，评价或测定粘着力，然后根据测定结果进行的综合评价，评价结果如表一所示

各实施例以及各比较例所得的切割膜，下记的实施背面减薄的6inch的半导 体硅片(厚度100μm)，减薄后(减薄好5分钟内)23°的环境下贴膜，接着，经下记的切割条件，最后得到芯片。

接着贴膜开始经过一段时间后（6小时或7天后），切割膜背面做紫外线照射（照射时间：20S，照射强度：500mj/ c㎡），然后以任意100个半导体芯片为单位，经下记的拾取pick up条件，计算拾取pick up成功的半导体芯片数，全部芯片拾取pick up成功的情况判定为良，除此以外结果为不良，然后评价拾取pick up性。

背面减薄条件 

研磨机：ＤＩＳＣＯ社製的「ＤＦＧ－８４０」

1轴：600磨刀石(回转数，4800rpm，Z1下降速度：P1：3.0μm/s,P2：2.0μm/s)

2轴：2000磨刀石(回转数，5500rpm，Z2下降速度：P1：0.8μm/s,P2：0.6μm/s)

半导体硅片的背面经2轴减薄30μm后，最终厚度为100μm。

切割条件

划片机：ＤＩＳＣＯ会社的「ＤＦＤ－６５１」

刀片：、ＤＩＳＣＯ会社的「２７ＨＥＣＣ」

刀片回转数：40000rpm

切割速度：120mm/s

切割深度：25μm

切割模式：down cut

切割尺寸：5.0×5.0mm

拾取Pick up条件

Die bonder机：ＮＥＣ会社的「机台型号 ＣＰＳ－１００」

针数：4根

针间隔：3.5×3.5mm

针顶端曲率：0.520mm

针突起量：0.50mm

吸附时间：0.2s

扩张量：3mm

粘着力的测定方法

各实施例以及各比较例所得的切割膜，用25mm短册状切断，23°的室温下，同抛光处理过 的硅片贴合，室温下静置30分钟后，然后从切割膜外侧做紫外线照射（照射时间：20S，照射强度：500mj/c㎡）

经紫外线照射后在20°的恒温室内，如图2所示，粘着剂层表面同抛光硅片的表面和剥离角度成15°，对剥离方向X的切割膜以牵引速度：150mm/m剥离，测定粘着力。然后根据粘着力的测定值，粘着力值在2.3N/25mm以下的情况判定为良，比这个粘性大的判定为不良。

综合评价

拾取Pick up性的评价，粘着力的评价全部的评价项目为良的情况下判定为良，其中一个评价项目为不良的时候全判定为不良。

根据表1 所示，实施例1~2有关的切割膜，在贴膜后6小时，经过7日后，所有的芯片都可以良好的拾取pick up，可以确认拾取pick up性非常优越。

实施例1~2有关的切割膜，抗污染性也非常优秀，拾取pick up后半导体芯片表面没有产生残胶。

对本发明应当理解的是，以上所述的实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细的说明，以上仅为本发明的实施例而已，并不用于限定本发明，凡是在本发明的精神原则之内，所作出的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内，本发明的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种活性面贴付用切割膜，其特征在于：包括基材，在所述基材至少一面设有放射线硬化性粘着剂层，所述放射线硬化性粘着剂层包括重量平均分子量在50万以上的丙烯系聚合物和/或从碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物中选取一种放射线聚合性化合物，作为胶带粘着剂层化合物成分的丙烯，烷基脂，占切割膜总体质量的60％以上，且聚合性方面作为使用含羟基单体经聚合后得到的丙烯酸聚合物，侧锁部分羟基以10/100~100/100，同与其反应的官能基和含有碳素-碳素二重结合基反应，向聚合物导入碳素-碳素二重化合物，重量平均分子量在50万以上的二重结合侧锁导入型丙烯系聚合物，和碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物，以及从碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物中选取一种放射线聚合性化合物（B），丙烯系聚合物（A），按100的重量比率，放射线聚合性化合物（B）从5~150的重量比例，按此比例为特征的活性面贴付切割膜。

2.根据权利要求1所述的活性面贴付用切割膜，其特征在于：所述的反射线聚合性化合物的分子中，含有碳素-碳素二重结合基2~12个。

3.根据权利要求2所述的活性面贴付用切割膜，其特征在于：所述的放射线聚合性化合物碳素-碳素二重结合基，从乙烯基，芳基，丙烯基，以及甲基丙烯基中选取一种。

4.根据权利要求1所述的活性面贴付用切割膜，其特征在于：丙烯系聚合物（A）的重量平均分子量在80万至300万。

5.根据权利要求1所述的活性面贴付用切割膜，其特征在于：所述的放射线硬化层粘着剂层为单层的形态或多层的形态。

6.根据权利要求1所述的活性面贴付用切割膜，其特征在于：丙稀系聚合物（A），碳素-碳素二重结合，侧锁，主锁中以及主锁末端存在的丙稀系聚合物，加入放射线硬化性单体和低聚物的低分子量成分，切割膜在活性面贴附后，通过放射线照射。

7.根据权利要求1所述的活性面贴付用切割膜，其特征在于：丙烯系聚合物（A）包括丙烯酸甲酯，丙烯酸乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异丁酯、正庚基丙烯酸酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸癸酯 、丙烯酸十二酯、丙烯酸十三酯、丙烯酸十四酯、十五基丙烯酸酯、丙烯酸十六酯、丙烯酸十七烷基、丙烯酸十八酯、丙烯酸酯、丙烯酸环己酯等，丙烯酸苯酯、芳基丙烯酸酯。

8.根据权利要求1所述的活性面贴付用切割膜，其特征在于：所述的放射线硬化性粘着剂层设有离型膜保护。

9.根据权利要求1所述的活性面贴付用切割膜，其特征在于：基材的厚度为30至200μm。

10.一种切割后被加工物拾取的方法，其特征在于：对于被加工物的活性面，在权利要求1至9任一所述的活性面贴付用切割膜贴付后切割，对形成的切割片进行拾取。