CN104823290B - Led模块 - Google Patents

Led模块 Download PDF

Info

Publication number
CN104823290B
CN104823290B CN201380063086.6A CN201380063086A CN104823290B CN 104823290 B CN104823290 B CN 104823290B CN 201380063086 A CN201380063086 A CN 201380063086A CN 104823290 B CN104823290 B CN 104823290B
Authority
CN
China
Prior art keywords
devices
led
2led
1led
led matrix
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201380063086.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104823290A (zh
Inventor
外川正人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Citizen Watch Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd, Citizen Watch Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Publication of CN104823290A publication Critical patent/CN104823290A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104823290B publication Critical patent/CN104823290B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00Planar light sources
    • F21Y2105/10Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00Planar light sources
    • F21Y2105/10Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F21Y2105/12Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements characterised by the geometrical disposition of the light-generating elements, e.g. arranging light-generating elements in differing patterns or densities
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种即使CSP化了的LED装置以接近的状态载置,也以单体的LED装置的发光色进行发光且明亮的LED模块。LED模块具有:具有由透光面构成的侧面的第1LED装置;和具有由遮光面构成的侧面的第2LED装置,以第1LED装置的透光面和第2LED装置的遮光面相对的方式,第1LED装置与第2LED装置相邻地被载置在模块基板上。

Description

LED模块
技术领域
本发明涉及将LED裸片覆盖并封装化了的LED装置载置在模块基板上的LED模块。
背景技术
高亮度化且作为裸片的LED裸片逐渐大型化、达到1mm×(0.5~1)mm左右。这样的大小与电阻等其他芯片元件为相同程度,因此,利用树脂等将LED裸片封装化了的LED装置希望具有与LED裸片相同程度的平面尺寸。由于该封装直接反映LED裸片的尺寸,因此有时被称为芯片尺寸封装(以下称为“CSP”)。CSP的安装面积较小、封装用构件较少。而且,能够根据必要的亮度来简单地改变搭载在主基板上的CSP的个数,因此,具有增加照明装置等的设计自由度的特点。
图14是作为第1现有例示出的CSP化了的发光装置100(LED装置)的截面图。
图14记载的发光装置100是CSP的最终结构,是LED裸片的芯片尺寸与封装外形一致的LED装置,是专利文献1的图6所示的装置。图14中,在层叠体112c(半导体层)的上表面层叠有荧光体层130c和透镜132。在层叠体112c的下部,具有电解电镀时通用电极未被蚀刻剩余的种金属(シード金属)122a、122b、铜配线层124a、124b、电镀形成的柱状的铜柱126a、126b。
层叠体112c包括:p型包覆层112b、发光层112e、n型包覆层112a,并被在下表面部分开口的绝缘层120c覆盖。在铜柱126a、126b的下部贴付有焊锡球136a、136b,在该铜柱126a、126b之间填充有加强树脂128。
图14所示的发光装置100的平面尺寸与层叠体112c的平面尺寸一致。发光装置100通过将发光装置100排列连结的晶片切分而得到,在以CSP切分的产品组中是最小的,因此有时也被称为WLP(晶片级封装)。发光装置100中,由于去除了本来在层叠体112c上的透明绝缘基板(参照专利文献1的第0026段、图2。),来自发光层112e的光仅向上方(箭头F)射出。因此,仅在LED装置6的上部设置荧光体层130c。
图14所示的LED装置100中,为了去除透明绝缘基板使用了激光,制造装置大型化,制造工序变长。另外,LED装置100中,由于以晶片级来形成荧光体层130c,因此不能够对应晶片上的个别LED裸片所具有的发光特性的偏差。结果导致LED装置100有时难以进行发光色的管理。
因此,作为小型的,容易制作的发光色管理容易的LED装置,本申请发明人试作了如下的LED装置:即,留下透明绝缘基板,将形成于透明绝缘基板的下表面的半导体层侧面连同透明绝缘基板的侧面一起用白色反射构件覆盖,由荧光体片覆盖了透明绝缘基板以及白色反射构件的上表面的倒装芯片安装用的LED装置(参照专利文献2)。
图15是作为第2现有例示出的LED装置200的截面图。LED装置200是专利文献2所示的LED装置。
LED装置200包含LED裸片216b,LED裸片216b具有蓝宝石基板214b(透明绝缘基板)和形成于其下表面的半导体层215b,在LED裸片216b的侧面具有白色反射构件217b,在LED裸片216b以及白色反射构件217b的上表面具有对出射光进行波长变换的荧光体片211b。在荧光体片211b和蓝宝石基板214b之间具有粘接层213b,对荧光体片211b和蓝宝石基板214b进行粘接。与LED裸片216b的半导体层215b接触的突起电极218b、219b分别是阳极和阴极,成为用于与主基板或模块基板连接的外部连接电极。主基板是将LED装置200与电阻、电容等其他的电子元件一起安装的基板。模块基板包含在作为发光元件使用的LED模块中,是搭载了多个LED装置的基板。
LED装置200能够根据个别的LED裸片216b的发光特性来变更荧光体片211b,容易进行发光色的管理,为了确保遮光、反射等特性,白色反射构件217b的厚度为100μm以下就足够了,因此能实现小型化。另外,能够适用在多个LED裸片216b排列的状态下进行加工,最后进行切分得到个别的LED装置200的集合方法,因此容易进行制造。进一步地,由于LED装置200是小型的,因此在构成LED模块时,能够在模块基板上进行狭间距排列以及高密度安装。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-141176号公报
专利文献2:日本特开2012-227470号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
但是,将上述这样的LED装置200之间以相互接近的状态载置在模块基板上构成LED模块时,LED模块的发光色(色度坐标)与LED装置200单体的发光色存在偏差。其原因判断为:从一个LED装置200发出的光的一部分进入相邻的其他LED装置200中,激发了该其他LED装置200的荧光体。作为对策考虑在模块基板上设置遮光壁,使得从各LED装置200向横向没有光进行传播,然而,使得LED模块的结构复杂化、产生遮光导致的发光损失,并不理想。
本发明的目的在于,提供一种即使小型的LED装置之间以接近的状态载置,也不会产生发光色偏差,发光损失少的LED模块。
解决问题的技术手段
提供一种LED模块,具有:模块基板;具有由透光面构成的侧面的第1LED装置;和具有由遮光面构成的侧面的第2LED装置,所述第1LED装置与所述第2LED装置相邻地被载置在所述模块基板上,使所述第1LED装置的透光面和所述第2LED装置的遮光面相对。
第2LED装置所具有的4个侧面内,仅相对的2个侧面是遮光面。
第1LED装置和第2LED装置被排列成一列。
第2LED装置所具有的4个侧面都是遮光面。
多个所述第1LED装置和多个2LED装置被交错排列。
第2LED的遮光面由白色反射构件构成。
第1LED装置包含配置在所述模块基板侧的、具有第1电极的第1LED裸片,所述第1LED裸片在所述第1电极上层叠有第1半导体层和第1透明绝缘基板,所述第1LED装置的所述第1LED裸片的上表面以及侧面被荧光树脂覆盖,
所述第2LED装置包含配置在所述模块基板侧的、具有第2电极的第2LED裸片,所述第2LED裸片在所述第2电极上层叠有第2半导体层和第2透明绝缘基板,所述第2LED装置的所述第2LED裸片的上表面被荧光树脂覆盖、且侧面被所述白色反射构件覆盖。
第1LED装置的所述第1电极以及第2LED装置的所述第2电极是用于与所述模块基板上的电极连接的外部连接电极。
除了所述外部连接电极之外,所述第1LED装置所包含的第1LED裸片的底面被所述荧光树脂覆盖。
除了所述外部连接电极之外,所述第2LED装置所包含的所述第2LED裸片的底面被所述白色反射构件覆盖。
所述第1LED装置所包含的所述第1LED裸片或第2LED装置所包含的所述第2LED裸片被倒装芯片安装在子安装基板或引线上。
所述子安装基板或引线的侧面被所述荧光树脂覆盖。
第1LED装置所包含的所述第1LED或所述第2LED装置所包含的所述第2LED裸片的上表面的所述荧光树脂是荧光体片。
第1LED装置的发光色和所述第2LED装置的发光色不同。
LED模块是在包括模块基板、和包括载置在模块基板上的多个LED装置的LED模块中,多个LED装置包含有第1LED装置和第2LED装置,第1LED装置与第2LED装置相邻,第1LED装置和第2LED装置相对的侧面中,第1LED装置的侧面是透光面,第2LED装置的侧面是遮光面。
LED模块所包含的第1LED装置和第2LED装置内置有LED裸片。模块基板为位于第1LED装置和第2LED装置的下侧的构件时,第1LED装置中,LED裸片的侧面以及上表面被荧光树脂构成的透光性构件覆盖,从而第1LED装置的侧面是透光面。与之相对,第2LED装置中,LED裸片的上表面被荧光树脂覆盖,另一方面,LED裸片以及荧光树脂的侧面被白色反射构件等的遮光性构件覆盖,从而第2LED装置的侧面是遮光面。于是,本发明的LED模块中,第2LED装置以在第1LED装置相邻位置的方式在模块基板上排列。
以这样排列的状态使各LED装置点亮的话,第1LED装置不仅从上方射出光,也从侧方射出光。从侧方射出的光的大部分到达模块基板或由相邻的第2LED装置的白色反射构件等构成的遮光面,因此一部分被吸收、剩余的反射。被模块基板表面、遮光面反射的光反复反射并射向上方,有助于改善LED模块的发光效率。
与之相对,第2LED装置在第1LED装置侧的侧面,具有由白色反射构件等构成的遮光面,因此,向第1LED装置侧不发射光。从而,第1LED装置或第2LED装置中,不会射入相邻的第2LED装置或第1LED装置的出射光,因此,不会产生由于来自外部入射的光使荧光树脂中的荧光体被激发、发光色产生变动的机制所引起的发光色的移位(偏差、变动)。
LED模块中的LED装置包含:将侧面作为由荧光树脂构成的透射面的第1LED装置、和将侧面作为由白色反射构件等构成的遮光面的第2LED装置,第2LED装置以位于第1LED装置的相邻位置的方式在模块基板上排列。通过如此构成,从第1LED装置的侧方射出的光不会入射到第2LED装置中,因此不会产生色度偏移,第2LED装置的发光也不会入射到第1LED装置中个,第1LED装置的光的出射效率较高,能够使LED模块明亮。因此,LED模块中,即使小型的LED装置被邻近排列,也不会产生色度偏移地明亮发光。
附图说明
图1的(a)~(c)是包含于LED模块50的LED装置10的外观图。
图2是图1的(a)的AA′截面图。
图3的(a)~(c)是包含于LED模块50的LED装置20的外观图。
图4是图3的(a)的BB′截面图。
图5是LED模块50的俯视图。
图6是图5的CC′截面图。
图7的(a)~(c)是包含于其他LED模块90的LED装置30的外观图。
图8是图7的(a)的DD′截面图。
图9是LED模块90的俯视图。
图10是包含于又一其他LED模块的LED装置30a以及LED装置30b的截面图。
图11是包含于又一其他LED模块的LED装置40a以及LED装置40b的截面图。
图12是包含于又一其他LED模块的LED装置50a以及LED装置50b的截面图。
图13是包含于又一其他LED模块的LED装置60a以及LED装置60b的截面图。
图14是第1现有例的LED装置100的截面图。
图15是第2现有例的LED装置200的截面图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。但是,需要留意本发明的技术范围并不限定于这些实施方式,而是涉及权利要求书中记载的发明和与其均等的发明。另外,在附图说明中,相同或者相当的要素用相同的符号表示,省略重复说明。为了便于说明,构件的比例尺进行了适当地变更。
图1示出LED模块50(参照图5、6)所包含的LED装置10(第1LED装置)的外观,图1的(a)是俯视图、图1的(b)是主视图、图1的(c)是仰视图。
如图1的(a)所示,从上部观察LED装置10的话,能看到长方形的荧光树脂12构成的框、和在其内侧的荧光体片11。荧光体片11是荧光树脂的一个形態,但是根据向LED裸片16(参照图2)的安装位置、安装方法、制造方法的不同,荧光树脂12也不同(以下同样)。如图1的(b)所示,从正面观察LED装置10的话,看到荧光树脂12及其下表面的2个电极15。如图1的(c)所示,从下方观察LED装置10的话,看到长方形的荧光树脂12构成的框、和在其内侧的半导体层14,在半导体层14的内侧还看到2个电极15。
图2是图1的(a)的AA′截面图。
如图2所示,LED装置10中,LED裸片16的上部被荧光体片11覆盖、LED裸片16以及荧光体片11的侧部被荧光树脂12覆盖。LED裸片16由蓝宝石基板13(透明绝缘基板)、半导体层14以及2个电极15构成,在电极15上层叠半导体层14以及蓝宝石基板13。在蓝宝石基板13和荧光体片11之间存在粘接件17。荧光体片11以及荧光树脂12将LED裸片16的蓝色发光进行波长变换变为白色。荧光树脂12作为LED装置10的侧面构成透光面。
荧光体片11是在苯基类硅树脂中混炼荧光体微粒子,再加工成片状的结构,厚度为100~300μm左右。在想要降低浓度猝灭引起的损失的情况下,将荧光体片11设定得较厚。荧光树脂12是在硅树脂中混炼了荧光体微粒子并使其热固化的结构,宽度大约为100μm。粘接件17是热固化型的硅粘接件,厚度大概为100μm以下。例如,平面尺寸为0.8mm×0.3mm的LED裸片16的情况下,设置由荧光树脂12构成的框时,LED装置10的平面尺寸为1.0mm×0.5mm,成为贴片机(表面贴装机)容易操作的大小。
包含于LED裸片16的蓝宝石基板13的厚度为80~120μm左右。形成在蓝宝石基板13的下表面的半导体层14的厚度为10μm左右,包括p型半导体层以及n型半导体层,其边界面为发光层。在半导体层14的下部存在有层间绝缘膜、保护膜,在保护膜上形成有电极15。两个电极15是阳极和阴极,分别通过层间绝缘膜上的配线连接p型半导体层和n型半导体层。电极15是与安装有电阻、电容等其他电子元件的主基板或模块基板51(参照图5、6)连接用的外部连接电极,为了带有焊锡,在表面具有金层。电极15的厚度被设定在数100nm至数十μm之间。
图3示出包含在LED模块50(参照图5、6)中的LED装置20(第2LED装置)的外观,图3的(a)是俯视图、图3的(b)是主视图、图3的(c)是仰视图。
如图3的(a)所示,从上部来看LED装置20的话,可以观察到由长方形的白色反射构件23构成的框、和在该框的内侧的荧光体片21。如图3的(b)所示,从正面来看LED装置20的话,可以观察到白色反射构件23和在其下方的2个电极15。如图3的(c)所示,从下方来看LED装置20的话,可以观察到由长方形的白色反射构件23构成的框、和在该框的内侧的半导体层14,进一步地在半导体层14的内侧观察到2个电极15。
图4是图3的(a)的BB′截面图。
如图4所示,LED装置20中,LED裸片16的上部被荧光体片21覆盖,LED裸片16和荧光体片21的侧部被白色反射构件23覆盖。LED裸片16与包含在图1、2所示的LED装置10中的LED裸片16相同,在蓝宝石基板13和荧光体片21之间存在粘接件27。荧光体片21将LED裸片16的蓝色发光进行波长变换使其白色化。白色反射构件23作为LED装置20的侧面构成遮光面。
荧光体片21和粘接件27是与图1、2所示的LED装置10的荧光体片11和粘接件17相同的构件。白色反射构件23是在硅树脂中混炼了氧化钛、氧化铝等反射性微粒子并使其热固化的构件,宽度约为100μm。LED装置20中,在LED裸片16的周围设有由白色反射构件23构成的框,与LED装置10的平面尺寸和高度相等。
图5是LED模块50的俯视图。
如图5所示,LED模块50中,在模块基板51上载置有多个LED装置10、20。LED装置10和LED装置20在模块基板51交替排列。LED装置10之间在模块基板51上没有相邻,同样地LED装置20之间在模块基板51上也没有相邻。换而言之,在LED装置10旁边是LED装置20。LED装置10和LED装置20分别呈所谓的锯齿形排列,整体成为格子状。在模块基板51也可以安装电阻、电容等其他电子元件。
图6是图5的CC′截面图。
如图6所示,载置在LED模块50上的LED装置10、20从上方射出光线61、62。LED装置10的侧面被透光性的荧光树脂12(参照图1、2)覆盖,因此,光线63、64也从侧方射出。光线63被遮光面反射向上方射出,该遮光面形成于相邻的LED装置20的侧部、由白色反射构件23(参照图3、4)构成。光线64被相邻的LED装置20的由白色反射构件23构成的遮光面反射,暂时射向下方,被模块基板51的表面反射,然后射向上方。另外,还有从LED装置10的侧面射出,被模块基板51的表面反射并射向上方的光线,在图中没有示出。
如上所述,LED装置10、20被点亮的话,LED装置10除了向上方,也向侧方射出光线,与之相对,LED装置20仅向上方射出光线。LED装置10和LED装置20交替排列,因此,从LED装置10向侧方射出的光的大部分被模块基板51的表面或相邻的LED装置20的白色反射构件23反射,一部直接射向上方,剩余的进一步反复被反射再射向上方。
在LED装置10或LED装置20中,不会入射与之相邻的LED装置20或LED装置10的发光,因此,不会产生由于来自外部入射的光使荧光树脂中的荧光体被激发、发光色产生变动的机制所引起的发光色的移位(偏差、变动)。LED装置10在侧部没有遮光构件或反射构件,侧面是透光面,因此,光的出射效率良好,包含LED装置10的LED模块50变亮。LED装置20的侧面是遮光面并具有反射性,将LED装置10的侧面发光的一部分高效反射,因此,可实现LED模块50的亮度提高。
LED模块50中,LED装置10(第1LED装置)以及LED装置20(第2LED装置)在图5的纵或横向,以LED装置10、LED装置20、LED装置10、LED装置20、‥‥的方式反复排列。但是,为了防止发光色的移位(偏差),如上所述,在LED装置10旁边存在LED装置20即可。因此,例如在模块基板51上,在图5的纵或横向,也可以以LED装置10、LED装置20、LED装置20、LED装置10、LED装置20、LED装置20、LED装置10‥‥的方式反复排列。
荧光体片11、21可以选择具有与LED裸片16的发光特性(峰值波长等)的变动对应的特性的片。荧光体片11、21便宜,容易进行保管、和调整波长变换特性,因此,预先准备具有多种特性的荧光体片11、21,根据LED裸片16的发光特性选择具有适当的波长变换特性的荧光体片即可。从而LED模块50的发光色的管理容易进行。
LED模块50中,荧光体片11、21为相同材质,但也可以使荧光体片11和荧光体片21所含有的荧光体不同,从而使LED装置10和LED装置20的发光色也不同。例如,可以将LED装置10的发光色调整为色温度高的自然光色,将LED装置20的发光色调整为色温度低的暖色。此时,LED模块50还可以具有将LED装置10和LED装置20同时点亮的动作模式、和仅将LED装置20点亮的动作模式。由此,使LED装置10和LED装置20同时点亮时,能够得到照射区域广、活动的明亮的照明,仅使LED装置20点亮时,能够得到照射区域窄、温暖印象的照明。
LED装置20中,白色反射构件23直接覆盖LED裸片16的侧面。因此,从LED裸片16的侧面射出的光线被白色反射构件23反射并返回到LED裸片16内。产生反射导致的损失和半导体层14的再吸收导致的损失,因此,存在LED装置20的发光效率降低的情况。作为对策,可以在LED裸片16的侧面和白色反射构件23之间设置透光层,还可以在白色反射构件23的内表面设置斜面。实施这样的对策的话,从LED裸片16的侧面射出的光线的一部分即使返回到LED裸片16内,返回的光线的大部分在透光层传播并射向上方,因此,能够抑制LED装置20的发光效率的降低。
LED装置20在周围设置由白色反射构件23构成的框,将侧面作为遮光面。但是,用于防止外部射入的光所导致的色偏差的遮光面并不限定于由白色反射构件构成的结构。例如,遮光面也可以是黑色树脂或金属。另外,遮光面采用白色反射构件的话,与遮光面采用黑色树脂或金属的情况相比,能够高效地实现发光效率的改善、小型化。
图7是其他LED模块90(参照图9)所包含的LED装置30的外观图,图7的(a)是俯视图、图7的(b)是主视图、图7的(c)是仰视图。
图1~6所示的LED模块50的LED装置10、20被平面排列(参照图5)。与之相对,LED模块90是将LED装置10、30直线排列的线型模块(参照图9)。LED模块90也与LED模块50一样,包含LED装置10(第1LED装置、参照图1、2)和LED装置30(第2LED装置、参照图3、4)。LED装置10是与LED模块50所包含的LED装置10同样的LED装置,省略其说明。
如图7的(a)所示,从上面看LED装置30的话,可以观察到长方形的荧光体片31、和上下夹着荧光体片31的荧光树脂32,进一步地,还可以观察到左右夹着荧光体片31和荧光树脂32的白色反射构件33。如图7的(b)所示,从正面看LED装置30的话,可以观察到荧光树脂32、和左右夹着荧光树脂32的白色反射构件33,还可以观察到在其下方的2个电极15。如图7的(c)所示,从下方看LED装置30的话,可以观察到半导体层14、在其内侧的2个电极15、上下夹着半导体层14的荧光树脂32、左右夹着半导体层14和荧光树脂32的白色反射构件33。
图8是图7的(a)的DD′截面图。
如图8所示,LED装置30中,LED裸片16的上部被荧光体片31覆盖,LED裸片16和荧光体片31的侧部被白色反射构件33覆盖。LED裸片16的蓝宝石基板13和荧光体片31通过粘接件37粘接。
包含于LED装置30的LED裸片16、荧光体片31以及粘接件37与图2、图4所示的LED装置10、20的LED裸片16、荧光体片11、21以及粘接件17、27相同。荧光树脂32和白色反射构件33由与图2、图4所示的荧光树脂12和白色反射构件23相同的材料构成。与LED装置20(参照图3,4)一样,LED装置30在其侧面具有由白色反射树脂33构成的遮光面。LED装置30中,仅是相对的2个侧面为遮光面。
图9是LED模块90的俯视图。
LED模块90中,在模块基板95上载置有多个LED装置10、30。LED装置10和LED装置30在模块基板95上交替排列成一列。从而,在模块基板95上LED装置10之间不相邻,同样在模块基板95上LED装置30之间也不相邻。另外,图9的EE′截面图与图6所示的截面图一样(仅是编号从20变更为30)。
图9中的长度方向的配光与图6所示的状态相同。关于图9的宽度方向,LED30与LED装置10都射出光。除了模块基板95以外没有遮挡,因此,图9的宽度方向的光在LED模块90的宽度方向的配光分布较广。另外,在LED模块90中,能够使用图3、4所示的LED装置20来代替LED装置30。在这种情况下,LED装置20与LED装置30相比,结构简单制造容易,但与LED装置30相比,射出的光束减少。因此,使用了LED装置20的线型LED模块比LED模块90暗。
图10是又一其他LED模块91所包含的LED装置30a(第1LED装置)以及LED装置30b(第2LED装置)的截面图。LED模块91俯视时与LED模块50相同,因此省略其图示。
用于LED模块50、90的LED装置10、20、30在LED裸片16的上表面具有荧光体片11、21、31。但是,覆盖LED裸片16的上表面的构件并不限定为荧光体片,只要是能够进行波长变换的构件即可。因此,LED模块91中使用的LED装置30a构成为以荧光树脂31a来覆盖LED裸片16的上表面以及侧面。LED模块91中使用的LED装置30b构成为以荧光树脂31b来覆盖LED裸片16的上表面,以白色反射构件33b来覆盖LED裸片16和荧光树脂31b的侧面。LED装置30a中,由荧光树脂31a构成的侧面是透光面,LED装置30b中,由白色反射构件33b构成的侧面是遮光面。LED装置30a同时形成上部和侧部的荧光树脂31a,因此,能够缩短制造工序。
图11是又一其他LED模块92所包含的LED装置40a(第1LED装置)以及LED装置40b(第2LED装置)的截面图。LED模块92俯视时与LED模块50一样,因此省略其图示。
LED模块50、90所使用的LED装置10、20、30中、LED裸片16的底面露出。但是,也不必一定要LED裸片16的底面露出。因此,LED模块92所使用的LED装置40a以及第2LED装置40b的各自的底面由荧光树脂41以及白色反射构件43覆盖。即,LED装置40a,40b和LED装置10、20(参照图2、4)的不同在于:除了电极15,LED装置40a所包含的LED裸片16以及LED装置40b所包含的LED裸片16的底面分别被荧光树脂41以及白色反射构件43覆盖。除了电极15,LED裸片16的底面被荧光树脂41或白色反射构件43覆盖的话,LED裸片16的半导体层14的底面能够避免被污染。另外,LED装置40a中,通过将从LED裸片16的底面向模块基板侧漏出的光进行波长变化,能够改善发光效率。进一步地,LED装置40b中,通过遮光能够去除无用的漏光。LED装置40a中,由荧光树脂41构成的侧面是透光面,LED装置40b中,由白色反射构件43构成的侧面是遮光面。
图12是又一其他LED模块93所包含的LED装置50a(第1LED装置)以及LED装置50b(第2LED装置)的截面图。俯视时LED模块93与LED模块50一样,因此省略其图示。
LED模块50、90中所使用的LED装置10、20、30中,形成在LED裸片16的底面的电极15是与模块基板51、91(参照图6、9)连接用的外部连接电极。但是,形成在LED裸片16的底面的电极并不一定作为外部连接电极。因此,LED模块93中使用的LED装置50a以及LED装置50b使用了子安装基板52。即,LED装置50a、50b和LED装置10、20(参照图2、4)的不同在于:图12所示的LED装置50a、50b在子安装基板52上被倒装芯片安装。子安装基板52在上表面具有内部连接用的电极54、在下表面具有外部连接用的电极55,电极54和电极55被未图示的过孔连接。考虑到热传导等,为了树脂、电极54、55、过孔等的配线要素之间不产生短路,子安装基板52的基材可以从表面绝缘处理了的金属、陶瓷等中进行选择。LED装置50a、50b中,荧光树脂51a以及白色反射构件53还覆盖LED裸片16的底面侧。LED装置50a中,由荧光树脂51a构成的侧面是透光面,LED装置50b中,由白色反射构件53构成的侧面是遮光面。
尽管LED装置50a、50b的平面尺寸与LED裸片16的平面尺寸大致相等,与图11所示的LED装置40a、40b同样,保护LED裸片16不被外部污染,并对从LED裸片16的下表面漏出的光进行波长变换或遮光。LED装置50a、50b能够缓和从外部向LED裸片16施加的应力。
图13是又一其他LED模块94所包含的LED装置60a(第1LED装置)以及LED装置60b(第2LED装置)的截面图。LED模块94在俯视时与LED模块50一样,因此省略其图示。
图12所示的LED装置50a、50b中,LED裸片16在子安装基板52上被倒装芯片安装,但LED裸片16也可以安装在引线上。因此,LED模块94所使用的LED装置60a以及LED装置60b中,LED裸片16安装在引线65上。即,LED装置60a、60b与LED装置50a、50b(参照图12)的不同在于:如图13所示,在LED装置60a、60b中,LED裸片16被倒装芯片安装在引线65上。引线65是在Cu的表面由锡等进行了电镀处理的金属,上表面为内部连接电极、下表面为外部连接电极。LED模块94中使用的LED装置60a和LED装置60b由荧光树脂61a和白色反射构件63a覆盖LED裸片16的底面侧以及引线65的侧面。LED装置60a中,由荧光树脂61a构成的侧面是透光面,LED装置60b中,由白色反射构件63a构成的侧面是遮光面。
LED装置60a、60b与图11所示的LED装置40a、40b一样,保护LED裸片16不被外部污染,并对从LED裸片16的下表面漏出的光进行波长变换或遮光。LED装置60a、60b能够缓和从外部向LED裸片16施加的应力。
图12和图13所示的LED装置50a、50b和LED装置60a、60b在子安装基板52和引线65上被倒装芯片安装。但是,在构成LED装置时,公知地,也可以将LED裸片芯片焊接在子安装基板或引线上,通过电线连接LED裸片的电极和子安装基板的电极或引线。另外,由于倒装芯片安装不需要电线,有利于小型化,不需要电线焊接用的生产设备。
LED模块50、90作为2种LED装置,准备第1LED装置(LED装置10)和第2LED装置(LED装置20、30),并分别相邻地安装在模块基板51、91上(参照图5、图9)。与之相对,即使在模块基板上邻近配置1种LED装置,也能够使光不会从一个LED装置射入到另一个LED装置。例如,准备LED装置20′(未图示),其在如图3的(a)所示的LED装置20中,将正交的2个侧面(23a和23b)作为遮光面,将剩余的正交的2个侧面(23c和23d)作为透光面。将多个LED装置20′以各自的遮光面和透光面相对的方式纵横排列在模块基板上即可。如此构成的LED模块中,准备1种LED装置即可,LED装置20′在侧面具有遮光面和透光面,因此,制造工序变长。
同样地,准备LED装置30′,其仅使图7的(a)所示的LED装置30的1个侧面(33a)作为遮光面、另1个侧面(33b)为透光面。仅将多个LED装置30横向排列的话,仅由LED装置30′构成没有色度偏移的线型模块。
符号说明
10、30a、40a、50a、60a 第1LED装置
11、21、31 荧光体片
12、32、31a、31b、41、51a、61a 荧光树脂
13 蓝宝石基板(透明绝缘基板)
14 半导体层
15、54、55 电极
16 LED裸片
17、27、37 粘接件
20、30、30b、40b、50b、60b 第2LED装置
23、33、33b、43、53、63a 白色反射构件
50、90、91、92、93、94 LED模块
51、95 模块基板
52 子安装基板
61~64 光线
65 引线。

Claims (15)

1.一种LED模块,其特征在于,具有:
模块基板;
具有由透光面构成的侧面的第1LED装置;和
具有由遮光面构成的侧面的第2LED装置,
所述第1LED装置与所述第2LED装置相邻地被载置在所述模块基板上,使所述第1LED装置的透光面和所述第2LED装置的遮光面相对。
2.如权利要求1所述的LED模块,其特征在于,
所述第2LED装置所具有的4个侧面内,仅相对的2个侧面是遮光面。
3.如权利要求2所述的LED模块,其特征在于,
所述第1LED装置和第2LED装置被排列成一列。
4.如权利要求1所述的LED模块,其特征在于,
所述第2LED装置所具有的4个侧面都是遮光面。
5.如权利要求4所述的LED模块,其特征在于,
多个所述第1LED装置和多个2LED装置被交错排列。
6.如权利要求1~5中的任意一项所述的LED模块,其特征在于,
所述第2LED的遮光面由白色反射构件构成。
7.如权利要求6所述的LED模块,其特征在于,
所述第1LED装置包含配置在所述模块基板侧的、具有第1电极的第1LED裸片,所述第1LED裸片在所述第1电极上层叠有第1半导体层和第1透明绝缘基板,所述第1LED装置的所述第1LED裸片的上表面以及侧面被荧光树脂覆盖,
所述第2LED装置包含配置在所述模块基板侧的、具有第2电极的第2LED裸片,所述第2LED裸片在所述第2电极上层叠有第2半导体层和第2透明绝缘基板,所述第2LED装置的所述第2LED裸片的上表面被荧光树脂覆盖、且侧面被所述白色反射构件覆盖。
8.如权利要求7所述的LED模块,其特征在于,
所述第1LED装置的所述第1电极以及第2LED装置的所述第2电极是用于与所述模块基板上的电极连接的外部连接电极。
9.如权利要求8所述的LED模块,其特征在于,
除了所述外部连接电极之外,所述第1LED装置所包含的第1LED裸片的底面被所述荧光树脂覆盖。
10.如权利要求8所述的LED模块,其特征在于,
除了所述外部连接电极之外,所述第2LED装置所包含的所述第2LED裸片的底面被所述白色反射构件覆盖。
11.如权利要求7~10中的任意一项所述的LED模块,其特征在于,
所述第1LED装置所包含的所述第1LED裸片或第2LED装置所包含的所述第2LED裸片被倒装芯片安装在子安装基板或引线上。
12.如权利要求11所述的LED模块,其特征在于,
所述子安装基板或引线的侧面被所述荧光树脂覆盖。
13.如权利要求7~10中的任意一项所述的LED模块,其特征在于,
所述第1LED装置所包含的所述第1LED或所述第2LED装置所包含的所述第2LED裸片的上表面的所述荧光树脂是荧光体片。
14.如权利要求1~5中的任意一项所述的LED模块,其特征在于,所述第1LED装置的发光色和所述第2LED装置的发光色不同。
15.如权利要求7~10中的任意一项所述的LED模块,其特征在于,所述第1LED装置的发光色和所述第2LED装置的发光色不同。
CN201380063086.6A 2012-12-03 2013-11-29 Led模块 Active CN104823290B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-264321 2012-12-03
JP2012264321 2012-12-03
PCT/JP2013/082231 WO2014087938A1 (ja) 2012-12-03 2013-11-29 Ledモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104823290A CN104823290A (zh) 2015-08-05
CN104823290B true CN104823290B (zh) 2017-03-15

Family

ID=50883356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380063086.6A Active CN104823290B (zh) 2012-12-03 2013-11-29 Led模块

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9810381B2 (zh)
EP (1) EP2927970B1 (zh)
JP (1) JP5634647B1 (zh)
CN (1) CN104823290B (zh)
WO (1) WO2014087938A1 (zh)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6118575B2 (ja) * 2013-02-12 2017-04-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN104716245A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
JP6152801B2 (ja) * 2014-01-21 2017-06-28 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6282493B2 (ja) * 2014-03-12 2018-02-21 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP6299423B2 (ja) * 2014-05-21 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP6319026B2 (ja) * 2014-09-29 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10297731B2 (en) * 2014-11-26 2019-05-21 Bridgelux, Inc. Light emitting diode constructions and methods for making the same
US9791112B2 (en) 2014-12-24 2017-10-17 Bridgelux, Inc. Serial and parallel LED configurations for linear lighting modules
JP6611795B2 (ja) * 2015-04-27 2019-11-27 シチズン電子株式会社 Ledパッケージ、発光装置およびledパッケージの製造方法
KR102335106B1 (ko) * 2015-06-19 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
TWI569473B (zh) * 2015-08-26 2017-02-01 邱羅利士公司 封裝結構及其製法
JP6611036B2 (ja) * 2015-09-10 2019-11-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置及び照明用光源
KR20170051004A (ko) * 2015-11-02 2017-05-11 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102481646B1 (ko) * 2015-11-12 2022-12-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
US10199533B2 (en) * 2015-12-21 2019-02-05 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
US10267489B2 (en) * 2015-12-22 2019-04-23 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting apparatus
EP3200248B1 (en) 2016-01-28 2020-09-30 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with asymmetrical radiation pattern and manufacturing method of the same
TWI608636B (zh) * 2016-01-28 2017-12-11 行家光電股份有限公司 具非對稱性光形的發光裝置及其製造方法
CN107039572B (zh) * 2016-02-03 2019-05-10 行家光电股份有限公司 具非对称性光形的发光装置及其制造方法
KR102407777B1 (ko) * 2016-02-04 2022-06-10 에피스타 코포레이션 발광소자 및 그의 제조방법
TWI780041B (zh) * 2016-02-04 2022-10-11 晶元光電股份有限公司 一種發光元件及其製造方法
DE102016105868A1 (de) * 2016-03-31 2017-10-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US10641437B2 (en) 2016-06-30 2020-05-05 Nichia Corporation LED module
CN106058020A (zh) * 2016-07-08 2016-10-26 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 碗状结构芯片级封装发光装置及其制造方法
US10290777B2 (en) * 2016-07-26 2019-05-14 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
JP6825258B2 (ja) * 2016-07-29 2021-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及び表示装置
CN106252475A (zh) * 2016-09-21 2016-12-21 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 Csp光源及其制造方法
DE202016105841U1 (de) * 2016-10-19 2018-01-22 Tridonic Jennersdorf Gmbh CSP LED Modul mit Reflexionsmittel
JP6798279B2 (ja) * 2016-11-28 2020-12-09 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
TWI713239B (zh) * 2016-12-01 2020-12-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
CN110050353B (zh) * 2016-12-15 2022-09-20 亮锐控股有限公司 具有高近场对比率的led模块
KR20180090002A (ko) * 2017-02-02 2018-08-10 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP7046493B2 (ja) * 2017-03-07 2022-04-04 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
KR101877237B1 (ko) * 2017-05-23 2018-08-09 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
US11335842B2 (en) * 2018-02-14 2022-05-17 Maven Optronics Co., Ltd. Chip-scale packaging light-emitting device with electrode polarity identifier and method of manufacturing the same
JP2019140305A (ja) * 2018-02-14 2019-08-22 スタンレー電気株式会社 発光装置
TWI659550B (zh) * 2018-02-14 2019-05-11 行家光電股份有限公司 具電極辨識之晶片級封裝發光裝置及其製造方法
KR102513954B1 (ko) * 2018-05-10 2023-03-27 주식회사 루멘스 박막 패드를 구비하는 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
CN110610928A (zh) * 2018-06-15 2019-12-24 海迪科(南通)光电科技有限公司 一种利用wlp的集成式led封装形式及其制备方法
WO2019219095A1 (zh) * 2018-05-17 2019-11-21 海迪科(南通)光电科技有限公司 一种利用wlp的集成式led封装形式及其制备方法
JP6978690B2 (ja) * 2018-05-25 2021-12-08 日亜化学工業株式会社 透光性部材の形成方法および発光装置の製造方法、ならびに、発光装置
US11024785B2 (en) 2018-05-25 2021-06-01 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages
CN108933189A (zh) * 2018-07-10 2018-12-04 江西新正耀光学研究院有限公司 一种单面出光的led芯片及其制备方法
CN108922882A (zh) * 2018-08-17 2018-11-30 易美芯光(北京)科技有限公司 一种双芯片csp封装结构
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
JP7311770B2 (ja) * 2018-12-12 2023-07-20 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法、発光モジュール及びプロジェクタ
JP6947990B2 (ja) 2019-04-22 2021-10-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
WO2021002158A1 (ja) 2019-07-04 2021-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法、並びに、発光装置及び発光モジュール
JP7448805B2 (ja) * 2020-04-28 2024-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7513907B2 (ja) 2021-12-24 2024-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2024024239A1 (ja) * 2022-07-28 2024-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置とその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1832167A (zh) * 2005-03-07 2006-09-13 西铁城电子股份有限公司 发光器件和使用所述发光器件的照明装置
CN101051153A (zh) * 2007-05-11 2007-10-10 友达光电股份有限公司 背光模块
JP2011096739A (ja) * 2009-10-27 2011-05-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
CN102738368A (zh) * 2011-04-14 2012-10-17 日东电工株式会社 荧光反射片、发光二极管装置及其制造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06224469A (ja) 1993-01-26 1994-08-12 Kyocera Corp 半導体発光装置
EP2420872A3 (en) * 2001-12-14 2012-05-02 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Uniform illumination system
JP2005158958A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP4622253B2 (ja) * 2004-01-22 2011-02-02 日亜化学工業株式会社 発光デバイス及びその製造方法
JP4667803B2 (ja) * 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP2300870A4 (en) * 2008-06-13 2012-03-07 3M Innovative Properties Co LIGHTING ARRANGEMENT WITH PROGRESSIVE INJECTION
EP2335295B1 (en) * 2008-09-25 2021-01-20 Lumileds LLC Coated light emitting device and method of coating thereof
JP4724222B2 (ja) 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
CN101752484B (zh) * 2008-12-22 2012-05-16 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
CN101771025A (zh) * 2008-12-26 2010-07-07 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管
JP5379615B2 (ja) * 2009-09-09 2013-12-25 パナソニック株式会社 照明装置
DE102009047789A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mischlichtquelle
JP2011159812A (ja) 2010-02-01 2011-08-18 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
US20110261847A1 (en) 2010-04-27 2011-10-27 Chou Hsi-Yan Light emitting devices
TWI422073B (zh) 2010-05-26 2014-01-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構
JP5680472B2 (ja) 2011-04-22 2015-03-04 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
EP2717338B1 (en) * 2011-05-27 2018-08-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and lighting device
CN102683335A (zh) 2012-04-26 2012-09-19 日月光半导体制造股份有限公司 发光二极管封装构造

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1832167A (zh) * 2005-03-07 2006-09-13 西铁城电子股份有限公司 发光器件和使用所述发光器件的照明装置
CN101051153A (zh) * 2007-05-11 2007-10-10 友达光电股份有限公司 背光模块
JP2011096739A (ja) * 2009-10-27 2011-05-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
CN102738368A (zh) * 2011-04-14 2012-10-17 日东电工株式会社 荧光反射片、发光二极管装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2927970A4 (en) 2016-06-29
EP2927970B1 (en) 2017-08-30
US20150316215A1 (en) 2015-11-05
US9810381B2 (en) 2017-11-07
JPWO2014087938A1 (ja) 2017-01-05
EP2927970A1 (en) 2015-10-07
WO2014087938A1 (ja) 2014-06-12
JP5634647B1 (ja) 2014-12-03
CN104823290A (zh) 2015-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104823290B (zh) Led模块
US10707188B2 (en) Light emitting device
CN104854716B (zh) Led装置及其制造方法
KR101543333B1 (ko) 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치
CN203774363U (zh) 半导体发光装置
EP2673812B1 (en) Light emitting device having wavelength converting layer
JP5347953B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
CN100502064C (zh) 用于发光器件的封装
CN108459437A (zh) 发光模块的制造方法以及发光模块
CN108231820A (zh) 用于实现多颜色的发光二极管(led)装置
CN101794852B (zh) 发光器件封装
EP2341560B1 (en) Light emitting device
CN109952641A (zh) 发光二极管封装器件及发光装置
DE10245930A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul
CN101271887A (zh) 半导体发光装置
JP2011238928A (ja) チップ・パッケージ用リードフレーム、チップ・パッケージ、パッケージ・モジュール及びパッケージ・モジュールを採用した照明装置
KR102116988B1 (ko) 광원 모듈, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US20100127294A1 (en) Side view type light-emitting diode package structure, and manufacturing method and application thereof
US8896016B2 (en) LED lighting module and method of making the same
CN104685625A (zh) 光电子器件
US20110189803A1 (en) Led chip package structure in order to prevent the light-emitting efficiency of fluorescent powder from decreasing due to high temperature and method for making the same
EP3084849A1 (en) Reflective solder mask layer for led phosphor package
KR101645009B1 (ko) 방열기판을 갖는 led 패키지
JP5286122B2 (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
CN101828272B (zh) 半导体发光装置、排列有该半导体发光装置的复合发光装置、以及使用该复合发光装置的平面状光源

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Japan Tokyo Tozai Tokyo city Tanashi town six chome 1 No. 12

Applicant after: Citizen Watch Co., Ltd.

Applicant after: Citizen Electronics Co., Ltd.

Address before: Japan Tokyo Tozai Tokyo city Tanashi town six chome 1 No. 12

Applicant before: Citizen Watch Co., Ltd.

Applicant before: Citizen Electronics Co., Ltd.

COR Change of bibliographic data
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant