CN108933189A - 一种单面出光的led芯片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种单面出光的LED芯片及其制备方法。该单面出光的LED芯片包括：LED芯片本体和介质高反射膜；LED芯片本体，包括：衬底层、外延层、N电极和P电极，其中，LED芯片本体具有相对设置的衬底面和电极面，以及芯片本体的四个侧壁，衬底层的一个表面为衬底面，外延层位于衬底层的另一个表面，N电极和P电极位于外延层远离衬底层的一侧；介质高反射膜覆盖LED芯片本体的四个侧壁。通过本发明，实现了LED芯片的单面出光,同时提升了芯片的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片技术领域，更具体地，涉及一种单面出光的LED芯片及其制备方法。
背景技术
目前，基于LED芯片的照明产业的发展，正由原有的普通照明应用为驱动力，转化为以更广泛的按特种需求、智能化照明、超越照明等方面的应用为新的驱动力，更广泛的、创新性的向前发展。它已渗入到了工业、农业育种、光医疗、背光显示、光通讯、照明智能化和安全等诸多领域。
为满足不同的市场，对LED芯片的光品质、结构等方面的差异化要求也随之而来。例如，LED芯片在汽车行业，除了小功率的显示和照明之外，也开始替代传统的汽车前大灯，这种市场需求，对LED芯片结构及其热管理***提出了新的要求。对于汽车前大灯等设备，在现有技术中，为了具有更好的远距离投光的光形、高光密度和照度，通常在封装多颗五面发光的LED裸芯片或CSP芯片的过程中，通过乳白色封装胶将LED芯片的四个侧壁围包，使得光只从发光顶层面逃逸，从而形成了单面出光的集成芯片和CSP芯片。
但是，发明人发现，由于四个侧壁围包乳白色封装胶存在不必要的光吸收，而使上述技术中的单面出光的集成芯片和CSP芯片的光效降低，因此，提供一种能够提高集成芯片和CSP芯片光效的单面出光的LED芯片及其制备方法，是本领域急需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种单面出光的LED芯片及其制备方法，解决了现有利用封装胶实现单面出光LED集成芯片和CSP芯片光效降低的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种单面出光的LED芯片。
该单面出光的LED芯片包括LED芯片本体和介质高反射膜；其中，LED芯片本体，包括：衬底层、外延层、N电极和P电极，其中，LED芯片本体具有相对设置的衬底面和电极面，以及芯片本体的四个侧壁，衬底层的一个表面为衬底面，外延层位于衬底层的另一个表面，N电极和P电极位于外延层远离衬底层的一侧；介质高反射膜覆盖LED芯片本体的四个侧壁。
进一步地，LED芯片为正装结构，LED芯片的电极面为出光面，LED芯片的衬底面已背镀有高反射层，以使LED芯片具有五面包封高反射膜；或者LED芯片为倒装结构，LED芯片的衬底面为出光面，外延层远离衬底层的电极一侧已具有高反射层，以使LED芯片具有五面包封高反射膜。
进一步地，LED芯片为正装结构时，LED芯片的衬底面背镀的高反射层为第一介质高反射层；LED芯片为倒装结构时，高反射层为金属高反射层，或者，高反射层包括薄膜导电层和第二介质高反射层，第二介质高反射层覆盖薄膜导电层上。
进一步地，衬底层，为蓝宝石衬底；外延层，包括：N型半导体层、量子阱区和P型半导体层；N型半导体层，N型半导体层位于远离衬底面的一侧；量子阱区，位于N型半导体层远离衬底层的一侧；P半导体层，位于量子阱区远离衬底层的一侧；P电极，位于P型半导体层远离衬底层的一侧，并与P型半导体层相连接；N电极，位于N半导体层远离衬底层的一侧，与N型半导体层相连接。
进一步地，介质高反射膜的反射率大于90％，且包括多层氧化硅薄膜和多层氧化钛薄膜。
进一步地，LED芯片为蓝光LED芯片。
为了解决上述技术问题，本发明还提供了一种制备单面出光的LED芯片的方法，该方法用于制备本发明任意一种单面出光的LED芯片，该方法包括：采用介质膜蒸镀法，在LED芯片本体的四个侧壁上生长包封的介质高反射膜。
进一步地，在制备正装结构的LED芯片时，LED芯片的电极面和芯片本体的四个侧壁为出光面，在生长包封的介质高反射膜之前，在LED芯片的衬底面已背镀了高反射层；在制备倒装结构的LED芯片时，LED芯片的衬底面和芯片本体的四个侧壁为出光面，在生长包封的介质高反射膜之前，在外延层远离衬底层的一侧设置高反射层。
进一步地，在制备正装结构的LED芯片时，采用介质膜蒸镀法，在LED芯片本体的四个侧壁上生长包封的介质高反射膜的步骤包括：将正装结构的LED芯片晶圆划裂为多颗LED晶粒；将各颗LED晶粒按预定间距排列在双面具有粘性的高温膜的第一粘性面，其中，电极面与第一粘性面粘接；将粘接有LED晶粒的高温膜的第二粘性面粘贴在电子束镀膜设备凸形载片夹盘载板面上；在真空镀膜设备内完成每颗LED晶粒的介质高反射膜的蒸镀；从电子束镀膜设备凸形载片夹盘面上取下粘贴有LED晶粒的高温膜；利用倒膜方法用带有粘性的柔性膜将LED晶粒翻在柔性膜上，将正装结构的LED芯片的电极面朝上。
进一步地，在制备倒装结构的LED芯片时，采用介质膜蒸镀法，在LED芯片本体的四个侧壁上生长包封的介质高反射膜的步骤包括：在倒装结构的LED芯片晶圆的衬底面上覆盖一层牺牲膜后划裂为多颗LED晶粒；将各颗LED晶粒按预定间距排列在双面具有粘性的高温膜的第一粘性面，其中，电极面与第一粘性面粘接；将粘接有LED晶粒的高温膜的第二粘性面粘贴在电子束镀膜设备凸形载片夹盘载板面上；在真空镀膜设备内完成每颗LED晶粒的介质高反射膜的蒸镀；从电子束镀膜设备凸形载片夹盘面上取下粘贴有LED晶粒的高温膜；利用倒膜方法用带有粘性的柔性膜撕除牺牲膜和覆盖于牺牲膜上的介质高反射膜，将倒装结构的LED芯片的衬底面朝上。
此外，采用本发明提供的任意一种单面出光的LED芯片，可封装单面出光的LED集成芯片或单面出光的LED CSP芯片。
与现有技术相比，本发明提供的单面出光的LED芯片及其制备方法和芯片，至少实现了如下的有益效果：
将LED芯片的四个侧壁用高反射的介质膜包封实现单面出光，完全区别于依赖于乳白色围墙胶的单面发光的集成芯片，大大简化了复杂的封装制程，并有效地提高了LED单面发光的光密度和光效，改善了远距离投光的光形，更好地满足了汽车市场、闪光灯市场、高杆灯等市场。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明实施例1提供的单面出光的LED芯片的结构示意图；
图2至图4为制备正装结构的单面出光的LED芯片时的示意图；
图5是本发明实施例2提供的单面出光的LED芯片的结构示意图；
图6至图10为制备倒装结构的单面出光的LED芯片时的示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
为了提升集成芯片和CSP芯片的光效，发明人对现有技术中的集成芯片和CSP芯片进行了如下的研究：在现有技术中，虽然通过乳白色封装胶实现了集成芯片和CSP芯片的单面出光，但是乳白色封装胶对LED芯片产生的光大约有15％的吸收，较严重的降低了LED芯片封装为集成芯片和CSP芯片的光效，而且增加了封装工艺的难度。
同时，采用该封装工艺实现集成芯片和CSP芯片的单面出光，仅仅能够基于倒装结构的LED芯片，对于正装结构的LED芯片，无法通过现有技术中的封装工艺实现集成芯片和CSP芯片的单面出光，限制了正装结构的LED芯片的应用。
有鉴于此，本申请提出了一种新的形成单面出光的集成芯片和CSP芯片的思路，具体地，不在通过封装工艺实现单面出光，而是在LED芯片的制程中，直接形成单面出光的LED芯片。具体地，将LED芯片本体的四个侧壁用高反射的介质膜(下称介质高反射膜)进行包封，实现单面出光的新型LED芯片结构，采用该新型的LED芯片结构形成集成芯片和CSP芯片时，LED芯片本身已经单面出光，在封装过程中无需再通过封装工艺实现单面出光，大大简化了复杂的封装制程，避免封装胶对光的吸收，因而，能够有效提高了LED单面出光的光效，改善了远距离投光的光形，更好地满足了汽车市场、闪光灯市场和高杆灯等市场的需求。
关于本发明提供的单面出光的LED芯片及其制备方法和芯片的具体实施方式，在下文中将逐一描述。
实施例1
本发明实施例1提供了一种单面出光的LED芯片，该单面出光的LED芯片为正装结构，图1是本发明实施例1提供的单面出光的LED芯片的结构示意图。
如图1所示，该单面出光的LED芯片包括LED芯片本体10和介质高反射膜20，其中，LED芯片本体10包括：衬底层11、外延层、N电极13和P电极14，LED芯片本体10具有相对设置的衬底面S1和电极面S2，以及LED芯片本体10的四个侧壁，图1中示出了四个侧壁中的第一侧壁W1和第二侧壁W2，衬底层11的一个表面为衬底面S1，外延层位于衬底层11的另一个表面，N电极13和P电极14位于外延层远离衬底层11的一侧，也即位于外延层上，该LED芯片为正装结构，因此，LED芯片的电极面S2为出光面。介质高反射膜20覆盖LED芯片本体10的四个侧壁。优选地，设置介质高反射膜20的反射率大于90％，以提升LED芯片的光效。
采用该实施例提供LED芯片，出光面是从芯片的电极一侧出光，其他五个侧面(包括四个侧壁和衬底面S1)均有高反射层，一种情况下，LED芯片的衬底面S1已背镀有高反射层15，优选地，该高反射层15为介质高反射层，在该实施例中定义为第一介质高反射层。介质高反射膜20仅覆盖LED芯片本体10的四个侧壁，在LED芯片的衬底面S1一侧，由高反射层15实现反射。或者，介质高反射膜20除了覆盖LED芯片本体10的四个侧壁之外，同时也覆盖在高反射层15之外。另一种情况下，LED芯片的衬底面S1没有高反射层15，介质高反射膜20覆盖LED芯片本体10的四个侧壁之外，同时也覆盖在衬底面S1之外。总之，无论哪种情况，LED芯片本体10均具有五面包封介质高反射膜，使得LED芯片本体10产生的光只能从芯片的电极一侧逃逸出去，也即实现了LED芯片的单面出光。
优选地，LED芯片为蓝光LED芯片，衬底层11为蓝宝石衬底。相应地，介质高反射膜20包括多层氧化硅薄膜和多层氧化钛薄膜，以对蓝光LED芯片所发射的蓝色光主波长实现高于95％的反射率。
在一种具体实施例中，外延层包括：N型半导体层121、量子阱区122和P型半导体层133，其中，N型半导体层121位于远离衬底面S1的一侧，量子阱区122位于N型半导体层121远离衬底层11的一侧，P半导体层123位于量子阱区122远离衬底层11的一侧，P电极14位于P型半导体层123远离衬底层11的一侧，并与P型半导体层123相连接，N电极13位于N半导体层121远离衬底层11的一侧，与N型半导体层121相连接。
以上介绍了该实施例提供的正装结构的单面出光LED芯片，关于该芯片，下面将详细描述其制备方式。
在制备该实施例中任意一种单面出光的LED芯片时，制备方法中包括如下的步骤：采用介质膜蒸镀法，在LED芯片本体10的四个侧壁上生长包封的介质高反射膜20。
进一步地，在一种情况下，在生长包封的介质高反射膜20之前，该方法还包括，在LED芯片本体的衬底面S1背镀高反射层15，在现有技术中，，为了实现正面出光，LED芯片的通常制程中会在LED芯片本体的衬底面S1背镀高反射层15，因而，在该实施例中，可以不改变已有制程，仍然在衬底面S1背镀高反射层15，进一步地，对于介质高反射膜20，可以仅在LED芯片本体10的四个侧壁上生长介质高反射膜20，也可以在LED芯片本体10的四个侧壁和高反射层15一侧均生长介质高反射膜20，总之，使得LED芯片本体10均具有五面包封介质高反射膜。
优选地，图2至图4为制备正装结构的单面出光的LED芯片时的示意图，采用介质膜蒸镀法，在LED芯片本体10的四个侧壁上生长包封的介质高反射膜20的步骤包括：
步骤S11：将正装结构的LED芯片晶圆划裂为多颗LED晶粒。
步骤S12：将各颗LED晶粒按预定间距排列在双面具有粘性的高温膜30的第一粘性面。
其中，结合图1和图2所示，图2示出了将LED晶粒A按一定间距排列在高温膜30上，电极面S2与第一粘性面粘接，背镀有高反射层15的衬底面S1在上，其中，高温膜30的粘性失效温度和形变温度不低于200℃。
步骤S13：将粘接有LED晶粒的高温膜30的第二粘性面粘贴在电子束镀膜设备凸形载片夹盘载板面上。
步骤S14：在真空镀膜设备内完成每颗LED晶粒的介质高反射膜的蒸镀。
步骤S15：从电子束镀膜设备凸形载片夹盘面上取下粘贴有LED晶粒的高温膜。
其中，如图3所示，将粘贴LED晶粒的高温膜的30第二粘性面均匀地粘贴在电子束镀膜设备凸形载片夹盘载板面上，在真空镀膜设备内完成每颗LED晶粒的除电极面之外的五面覆盖介质高反射膜20。
步骤S16：利用倒膜方法用带有粘性的柔性膜将LED晶粒翻在柔性膜上，将正装结构的LED芯片的电极面朝上裸露出正装LED的电极一侧的顶层出光面。
其中，如图4所示，利用倒膜方法，用带有粘性的柔性膜40将LED晶粒翻在该柔性膜40上，裸露出正装LED芯片的电极面，也即顶层的出光面，获得单面出光的正装结构LED芯片。
实施例2
本发明实施例2提供了一种单面出光的LED芯片，该单面出光的LED芯片为倒装结构，图5是本发明实施例2提供的单面出光的LED芯片的结构示意图。
如图5所示，该单面出光的LED芯片包括LED芯片本体10和介质高反射膜20，其中，LED芯片本体10包括：衬底层11、外延层、N电极13和P电极14，LED芯片本体10具有相对设置的衬底面S1和电极面S2，以及LED芯片本体10的四个侧壁，图5中示出了四个侧壁中的第一侧壁W1和第二侧壁W2，衬底层11的一个表面为衬底面S1，外延层位于衬底层11的另一个表面，N电极13和P电极14位于外延层远离衬底层11的一侧，该LED芯片为倒装结构，因此，LED芯片的衬底面S1为出光面。介质高反射膜20覆盖LED芯片本体10的四个侧壁。优选地，设置介质高反射膜20的反射率大于90％，以提升LED芯片的光效。
采用该实施例提供LED芯片，出光面是从芯片的衬底一侧出光。同时，外延层远离衬底层11的一侧具有高反射层15，与覆盖LED芯片本体10的四个侧壁的介质高反射膜20一起，以使LED芯片具有五面包封高反射膜。一种情况下，高反射层15位于P电极14与外延层之间，设置为金属高反射层，如图5所示。另一种情况下，高反射层15包括薄膜导电层和介质高反射层，该处将其定义为第二介质高反射层，薄膜导电层位于P电极14与外延层之间，第二介质高反射层覆盖薄膜导电层上。总之，无论哪种情况，LED芯片本体10均具有五面包封高反射膜，使得LED芯片本体10产生的光只能从芯片的衬底一侧逃逸出去，也即实现了倒装LED芯片的单面出光。
优选地，LED芯片为蓝光LED芯片，衬底层11为蓝宝石衬底。相应地，介质高反射膜20包括多层氧化硅薄膜和多层氧化钛薄膜，以对蓝光LED芯片所发射的蓝色光主波长实现高于90％的反射率。
在一种具体实施例中，外延层包括：N型半导体层121、量子阱区122和P型半导体层133，其中，N型半导体层121位于远离衬底面S1的一侧，量子阱区122位于N型半导体层121远离衬底层11的一侧，P半导体层123位于量子阱区122远离衬底层11的一侧，P电极14位于P型半导体层123远离衬底层11的一侧，并与P型半导体层123相连接，N电极13位于N半导体层121远离衬底层11的一侧，与N型半导体层121相连接。
以上介绍了该实施例提供的倒装结构的单面出光LED芯片，关于该芯片，下面将详细描述其制备方式。
在制备该实施例中任意一种单面出光的LED芯片时，制备方法中包括如下的步骤：采用介质膜蒸镀法，在LED芯片本体10的四个侧壁上生长包封的介质高反射膜20。
进一步地，在一种情况下，生长包封的介质高反射膜20之前，该方法还包括，在外延层远离衬底层11的一侧设置高反射层，具体地，高反射层15可以为位于P电极14与外延层之间的金属高反射层。或者，高反射层15包括薄膜导电层和第二介质高反射层，薄膜导电层位于P电极14与外延层之间，第二介质高反射层覆盖薄膜导电层上不设置P电极的区域。
优选地，图6至图10为制备倒装结构的单面出光的LED芯片时的示意图，采用介质膜蒸镀法，在LED芯片本体10的四个侧壁上生长包封的介质高反射膜20的步骤包括：
步骤S21：在倒装结构的LED芯片晶圆的衬底面上覆盖一层牺牲膜50后划裂为多颗LED晶粒。
结合图5和图6，图6示出了已完成倒的装LED芯片制作的晶圆，图7示出了将晶圆的衬底一侧的蓝宝石面上覆盖一层牺牲膜50并划裂晶圆，得到多颗LED晶粒B。
步骤S22：将各颗LED晶粒B按预定间距排列在双面具有粘性的高温膜30的第一粘性面。
图8示出了将覆盖有牺牲膜50的倒装LED晶粒B按一定间距排列在高温膜30上，其中，LED晶粒的电极面与第一粘性面粘接。
步骤S23：将粘接有LED晶粒B的高温膜30的第二粘性面粘贴在电子束镀膜设备凸形载片夹盘载板面上。
步骤S24：在真空镀膜设备内完成每颗LED晶粒B的介质高反射膜20的蒸镀。
图9示出了蒸镀介质高反射膜20的示意图，在LED晶粒B外表的各个位置均包封有介质高反射膜20。
步骤S25：从电子束镀膜设备凸形载片夹盘面上取下粘贴有LED晶粒B的高温膜30。
步骤S26：利用倒膜方法用带有粘性的柔性膜撕去牺牲膜50和覆盖于牺牲膜上的介质高反射膜20，将倒装结构的LED芯片的衬底面朝上。
用另一张粘性膜撕去蓝宝石面上的牺牲膜50和其上的介质高反射膜20，获得从蓝宝石面出光的单面出光的倒装LED芯片如图10所示。
实施例3
该实施例3提供的是单面出光的LED集成芯片或单面出光的LED CSP芯片，无论是单面出光的LED集成芯片或单面出光的LED CSP芯片，均是采用上述任意一种单面出光的LED芯片而形成，与现有技术中通过乳白色封装胶形成的单面出光的LED集成芯片或单面出光的LED CSP芯片相比，该实施例提供的单面出光的LED集成芯片或单面出光的LED CSP芯片的光效更高，而且，可形成基于正装结构的LED芯片形成单面出光的LED集成芯片或单面出光的LED CSP芯片，也可以基于倒装结构的LED芯片形成单面出光的LED集成芯片或单面出光的LED CSP芯片。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种单面出光的LED芯片，其特征在于，包括：
LED芯片本体和介质高反射膜；
所述LED芯片本体，包括：衬底层、外延层、N电极和P电极，其中，所述LED芯片本体具有相对设置的衬底面和电极面，以及所述LED芯片本体的四个侧壁，所述衬底层的一个表面为所述衬底面，所述外延层位于所述衬底层的另一个表面，所述N电极和所述P电极位于所述外延层远离所述衬底层的一侧；
所述介质高反射膜覆盖所述LED芯片本体的四个侧壁。
2.根据权利要求1所述的一种单面出光的LED芯片，其特征在于，
所述LED芯片为正装结构，所述LED芯片的电极面为出光面，所述LED芯片的衬底面已背镀有高反射层，以使所述LED芯片具有五面包封高反射膜；或者所述LED芯片为倒装结构，所述LED芯片的衬底面为出光面，所述外延层远离所述衬底层的电极一侧已具有高反射层，以使所述LED芯片具有五面包封高反射膜。
3.根据权利要求2所述的一种单面出光的LED芯片，其特征在于，
所述LED芯片为正装结构时，所述LED芯片的衬底面背镀的高反射层为第一介质高反射层；
所述LED芯片为倒装结构时，所述高反射层为金属高反射层，或者，所述高反射层包括薄膜导电层和第二介质高反射层，所述第二介质高反射层覆盖所述薄膜导电层上。
4.根据权利要求2所述的一种单面出光的LED芯片，其特征在于，
所述衬底层，为蓝宝石衬底；
所述外延层，包括：N型半导体层、量子阱区和P型半导体层；
所述N型半导体层，所述N型半导体层位于远离所述衬底面的一侧；
所述量子阱区，位于所述N型半导体层远离所述衬底层的一侧；
所述P半导体层，位于所述量子阱区远离所述衬底层的一侧；
所述P电极，位于所述P型半导体层远离所述衬底层的一侧，并与所述P型半导体层相连接；
所述N电极，位于所述N半导体层远离所述衬底层的一侧，与所述N型半导体层相连接。
5.根据权利要求1所述的一种单面出光的LED芯片，其特征在于，所述介质高反射膜的反射率大于90％，且包括多层氧化硅薄膜和多层氧化钛薄膜。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种单面出光的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片为蓝光LED芯片。
7.一种制备单面出光的LED芯片的方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-6中任意一项所述单面出光的LED芯片，包括：采用介质膜蒸镀法，在所述LED芯片本体的四个侧壁上生长包封所述的介质高反射膜。
8.根据权利要求7所述的一种制备单面出光的LED芯片的方法，其特征在于，
在制备正装结构的LED芯片时，所述LED芯片的电极面和芯片本体的四个侧壁为出光面，在生长包封所述的介质高反射膜之前，在LED芯片的衬底面已背镀了高反射层；
在制备倒装结构的LED芯片时，所述LED芯片的衬底面和芯片本体的四个侧壁为出光面，在生长包封所述的介质高反射膜之前，在所述外延层远离所述衬底层的一侧设置高反射层。
9.根据权利要求8所述的一种制备单面出光的LED芯片的方法，其特征在于，
在制备正装结构的LED芯片时，采用介质膜蒸镀法，在所述LED芯片本体的四个侧壁上生长包封所述的介质高反射膜的步骤包括：
将所述正装结构的LED芯片晶圆划裂为多颗LED晶粒；
将各颗所述LED晶粒按预定间距排列在双面具有粘性的高温膜的第一粘性面，其中，所述电极面与所述第一粘性面粘接；
将粘接有所述LED晶粒的高温膜的第二粘性面粘贴在电子束镀膜设备凸形载片夹盘载板面上；
在真空镀膜设备内完成每颗所述LED晶粒的介质高反射膜的蒸镀；
从所述电子束镀膜设备凸形载片夹盘面上取下粘贴有所述LED晶粒的高温膜；
利用倒膜方法用带有粘性的柔性膜将所述LED晶粒翻在所述柔性膜上，将所述正装结构的LED芯片的电极面朝上，
在制备倒装结构的LED芯片时，采用介质膜蒸镀法，在所述LED芯片本体的四个侧壁上生长包封所述的介质高反射膜的步骤包括：
在所述倒装结构的LED芯片晶圆的衬底面上覆盖一层牺牲膜后划裂为多颗LED晶粒；
将各颗所述LED晶粒按预定间距排列在双面具有粘性的高温膜的第一粘性面，其中，所述电极面与所述第一粘性面粘接；
将粘接有所述LED晶粒的高温膜的第二粘性面粘贴在电子束镀膜设备凸形载片夹盘载板面上；
在真空镀膜设备内完成每颗所述LED晶粒的介质高反射膜的蒸镀；
从所述电子束镀膜设备凸形载片夹盘面上取下粘贴有所述LED晶粒的高温膜；
利用倒膜方法用带有粘性的柔性膜撕去所述牺牲膜和覆盖于所述牺牲膜上的介质高反射膜，将所述倒装结构的LED芯片的衬底面朝上。
10.根据权利要求7所述的一种制备单面出光的LED芯片的方法，其特征在于，还包括，采用封装技术对所述的单面出光的LED芯片封装以形成的单面出光的LED集成芯片或单面出光的LED CSP芯片。
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