JPH06224469A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPH06224469A JPH06224469A JP3138893A JP3138893A JPH06224469A JP H06224469 A JPH06224469 A JP H06224469A JP 3138893 A JP3138893 A JP 3138893A JP 3138893 A JP3138893 A JP 3138893A JP H06224469 A JPH06224469 A JP H06224469A
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- leds
- light emitting
- emitting device
- semiconductor light
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板１上にＬＥＤ５のアレイを備え、相隣接
するＬＥＤ５の間に各ＬＥＤ５の側面から出る光の反射
壁１０が設けられている。各ＬＥＤ５の側面から発する
光は反射壁１０において反射するため、隣接するＬＥＤ
５において反射することはない。 【効果】 例えば電子写真用感光ドラムの露光用光源に
利用した場合には画像の滲みを防止してシャープな画像
を得ることができ、光の利用効率が上がり光量が増大す
る。
するＬＥＤ５の間に各ＬＥＤ５の側面から出る光の反射
壁１０が設けられている。各ＬＥＤ５の側面から発する
光は反射壁１０において反射するため、隣接するＬＥＤ
５において反射することはない。 【効果】 例えば電子写真用感光ドラムの露光用光源に
利用した場合には画像の滲みを防止してシャープな画像
を得ることができ、光の利用効率が上がり光量が増大す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上にＬＥＤアレイ
を備えた半導体発光装置に関し、例えばページプリンタ
の感光ドラムの露光用光源として用いられる。
を備えた半導体発光装置に関し、例えばページプリンタ
の感光ドラムの露光用光源として用いられる。
【０００２】
【従来の技術】図８に示すような基板１００上にＬＥＤ
１０１のアレイを備えた半導体発光装置を、例えばペー
ジプリンタの感光ドラムの露光用光源として用い、各Ｌ
ＥＤ１０１の図において上方側の発光面１０１ａから図
中実線矢印で示すように発する光によって、感光ドラム
上に各ＬＥＤ１０１に対応するドットを潜像として形成
することが提案されている。
１０１のアレイを備えた半導体発光装置を、例えばペー
ジプリンタの感光ドラムの露光用光源として用い、各Ｌ
ＥＤ１０１の図において上方側の発光面１０１ａから図
中実線矢印で示すように発する光によって、感光ドラム
上に各ＬＥＤ１０１に対応するドットを潜像として形成
することが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、各ＬＥＤ１０
１からは発光面１０１ａからだけでなく側面１０１ｂか
らも図中破線矢印で示すように光が発せられ、その光は
隣接するＬＥＤ１０１の側面１０１ｂにおいて反射す
る。そのため、例えば図において中央のＬＥＤ１０１の
みしか発光していない場合でも、その両隣のＬＥＤ１０
１の端部までもが発光したように見え、感光ドラム上に
潜像として形成されるドットの輪郭が不明瞭になって電
子写真画像の滲みの原因になる。また、各ＬＥＤ１０１
から発する光の利用効率が低いという問題がある。
１からは発光面１０１ａからだけでなく側面１０１ｂか
らも図中破線矢印で示すように光が発せられ、その光は
隣接するＬＥＤ１０１の側面１０１ｂにおいて反射す
る。そのため、例えば図において中央のＬＥＤ１０１の
みしか発光していない場合でも、その両隣のＬＥＤ１０
１の端部までもが発光したように見え、感光ドラム上に
潜像として形成されるドットの輪郭が不明瞭になって電
子写真画像の滲みの原因になる。また、各ＬＥＤ１０１
から発する光の利用効率が低いという問題がある。
【０００４】本発明は、上記従来技術の問題を解決する
ことのできる半導体発光装置を提供することを目的とす
る。
ことのできる半導体発光装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にＬＥ
Ｄアレイを備えた半導体発光装置において、相隣接する
ＬＥＤの間に各ＬＥＤの側面から出る光の反射壁が設け
られていることを特徴とするものである。
Ｄアレイを備えた半導体発光装置において、相隣接する
ＬＥＤの間に各ＬＥＤの側面から出る光の反射壁が設け
られていることを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】本発明の構成によれば、各ＬＥＤの側面から発
する光は、隣接するＬＥＤとの間に設けられた反射壁に
おいて反射するため隣接するＬＥＤにおいて反射するこ
とはない。
する光は、隣接するＬＥＤとの間に設けられた反射壁に
おいて反射するため隣接するＬＥＤにおいて反射するこ
とはない。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【０００８】図２に示す半導体発光装置４は、シリコン
基板１の一方の主面側に列をなして形成された複数のメ
サ形状のＬＥＤ５のアレイと、各ＬＥＤ５の隣接間に形
成された反射壁１０とを備えている。
基板１の一方の主面側に列をなして形成された複数のメ
サ形状のＬＥＤ５のアレイと、各ＬＥＤ５の隣接間に形
成された反射壁１０とを備えている。
【０００９】その半導体発光装置４の製造方法を図３〜
図７に基づいて説明する。
図７に基づいて説明する。
【００１０】まず、図３に示すようにシリコン基板１の
一方の主面１ａと他方の主面１ｂの全面に、酸化シリコ
ン膜２ａ、２ｂを熱酸化法により形成する。例えば、シ
リコン基板１を１１００℃〜１１５０℃の酸素（Ｏ2 ）
雰囲気中において約６０分間酸化処理することで、厚さ
１５００Å〜１００００Åの酸化シリコン膜２ａ、２ｂ
を形成する。
一方の主面１ａと他方の主面１ｂの全面に、酸化シリコ
ン膜２ａ、２ｂを熱酸化法により形成する。例えば、シ
リコン基板１を１１００℃〜１１５０℃の酸素（Ｏ2 ）
雰囲気中において約６０分間酸化処理することで、厚さ
１５００Å〜１００００Åの酸化シリコン膜２ａ、２ｂ
を形成する。
【００１１】次に、図４に示すようにシリコン基板１の
一方の主面１ａに形成された酸化シリコン膜２ａの一部
をフォトリソグラフィーにより帯状に除去することで、
その一方の主面１ａに形成された酸化シリコン膜２ａを
絶縁マスクとする。
一方の主面１ａに形成された酸化シリコン膜２ａの一部
をフォトリソグラフィーにより帯状に除去することで、
その一方の主面１ａに形成された酸化シリコン膜２ａを
絶縁マスクとする。
【００１２】次に、そのマスク２ａにより選択された帯
状のシリコン基板部分に、図５に示すようにIII −Ｖ族
やII−VI族の半導体結晶を、例えば有機金属気相エピタ
キシー（ＭＯＣＶＤ）や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）
を用い成長させてエピタキシャル層３を形成する。その
エピタキシャル層３は、例えばガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）、ガリウム砒素リン（ＧａＡｓＰ）、ガリウムリン
（ＧａＰ）等の成長層であるバッファー層３ａと、ガリ
ウム砒素、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡ
ｓ）、インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）、ガリ
ウム砒素リン等の成長層であるｎ形半導体層３ｂ、ｐ形
半導体層３ｃおよび高濃度にドープされたｐ+形半導体
層３ｄとで構成する。
状のシリコン基板部分に、図５に示すようにIII −Ｖ族
やII−VI族の半導体結晶を、例えば有機金属気相エピタ
キシー（ＭＯＣＶＤ）や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）
を用い成長させてエピタキシャル層３を形成する。その
エピタキシャル層３は、例えばガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）、ガリウム砒素リン（ＧａＡｓＰ）、ガリウムリン
（ＧａＰ）等の成長層であるバッファー層３ａと、ガリ
ウム砒素、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡ
ｓ）、インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）、ガリ
ウム砒素リン等の成長層であるｎ形半導体層３ｂ、ｐ形
半導体層３ｃおよび高濃度にドープされたｐ+形半導体
層３ｄとで構成する。
【００１３】次に、その帯状に成長したエピタキシャル
層３をＬＥＤ５になる部分と反射壁１０になる部分とを
残して除去するため、図６の（１）に示すようにＬＥＤ
５に対応する部分と反射壁１０に対応する部分とにレジ
スト１１を形成し、しかる後に図６の（２）に示すよう
にエッチングを行ない、次に、図６の（３）に示すよう
にレジスト１１を除去する。なお、エッチングは深さ方
向だけでなく横方向にも進行するためレジスト１１の幅
はエッチング深さの２倍以上とする。エッチング液は一
般的な硫酸、過酸化水素および水を混合したものを用い
ることができる。なお、面方位によりエッチングレート
が相違することに基づき、互いに対向するＬＥＤ５の上
部側面は逆メサ部５′となっている。
層３をＬＥＤ５になる部分と反射壁１０になる部分とを
残して除去するため、図６の（１）に示すようにＬＥＤ
５に対応する部分と反射壁１０に対応する部分とにレジ
スト１１を形成し、しかる後に図６の（２）に示すよう
にエッチングを行ない、次に、図６の（３）に示すよう
にレジスト１１を除去する。なお、エッチングは深さ方
向だけでなく横方向にも進行するためレジスト１１の幅
はエッチング深さの２倍以上とする。エッチング液は一
般的な硫酸、過酸化水素および水を混合したものを用い
ることができる。なお、面方位によりエッチングレート
が相違することに基づき、互いに対向するＬＥＤ５の上
部側面は逆メサ部５′となっている。
【００１４】次に、図７に示すようにＬＥＤ５を保護膜
９により覆い、ｐ+ 形半導体層３ｄと基板１の他方の主
面１ｂとに電極６ａ、６ｂを接続する。その電極６ａ、
６ｂは例えばクロム金（ＣｒＡｕ）を用いる。なお、各
ＬＥＤ５は例えば６０μｍ×５０μｍ程度の平面視矩形
のメサ形状とし、８４μｍ程度のピッチで配置すると共
に、そのピッチ間中央に反射壁１０を位置させる。
９により覆い、ｐ+ 形半導体層３ｄと基板１の他方の主
面１ｂとに電極６ａ、６ｂを接続する。その電極６ａ、
６ｂは例えばクロム金（ＣｒＡｕ）を用いる。なお、各
ＬＥＤ５は例えば６０μｍ×５０μｍ程度の平面視矩形
のメサ形状とし、８４μｍ程度のピッチで配置すると共
に、そのピッチ間中央に反射壁１０を位置させる。
【００１５】上記構成によれば、図１に示すように、各
ＬＥＤ５の側面５ｂから発する光は図中破線矢印で示す
ように反射壁１０において反射するため、隣接するＬＥ
Ｄ５において反射することはなく、各ＬＥＤ５の図にお
いて上方側の発光面５ａから図中実線矢印で示すように
発する光と共に利用することが可能になる。
ＬＥＤ５の側面５ｂから発する光は図中破線矢印で示す
ように反射壁１０において反射するため、隣接するＬＥ
Ｄ５において反射することはなく、各ＬＥＤ５の図にお
いて上方側の発光面５ａから図中実線矢印で示すように
発する光と共に利用することが可能になる。
【００１６】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではない。例えば、基板はシリンコンに限定されずＧ
ａＡｓ等を用いてもよい。また、反射壁１０に反射率の
大きい金属等を蒸着してもよい。
のではない。例えば、基板はシリンコンに限定されずＧ
ａＡｓ等を用いてもよい。また、反射壁１０に反射率の
大きい金属等を蒸着してもよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明の半導体発光装置によれば、各Ｌ
ＥＤの発する光が隣接するＬＥＤにおいて反射するのを
防止して各発光領域を絞ることができるので、例えば電
子写真用感光ドラムの露光用光源として利用した場合に
は画像の滲みを防止してシャープな画像を得ることがで
き、また、光の利用効率が上がり光量が増大する。
ＥＤの発する光が隣接するＬＥＤにおいて反射するのを
防止して各発光領域を絞ることができるので、例えば電
子写真用感光ドラムの露光用光源として利用した場合に
は画像の滲みを防止してシャープな画像を得ることがで
き、また、光の利用効率が上がり光量が増大する。
【図１】本発明の実施例の半導体発光装置の構成説明図
【図２】本発明の実施例の半導体発光装置の斜視図
【図３】本発明の実施例の半導体発光装置の製造の第１
工程の説明図
工程の説明図
【図４】本発明の実施例の半導体発光装置の製造用絶縁
マスクの平面図
マスクの平面図
【図５】本発明の実施例の半導体発光装置の製造途中で
の断面図
の断面図
【図６】本発明の実施例の半導体発光装置のエッチング
工程の説明図
工程の説明図
【図７】本発明の実施例の半導体発光装置の断面構成を
示す図
示す図
【図８】従来の半導体発光装置の構成説明図
１ 基板 ５ ＬＥＤ １０ 反射壁
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にＬＥＤアレイを備え、相隣接す
るＬＥＤの間に各ＬＥＤの側面から出る光の反射壁が設
けられている半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3138893A JPH06224469A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3138893A JPH06224469A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224469A true JPH06224469A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12329881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3138893A Pending JPH06224469A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224469A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002015287A1 (de) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender halbleiterchip und lumineszenzdiode |
| JP2005277152A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Daido Steel Co Ltd | 点光源発光ダイオードおよびその製造方法 |
| JP2006245380A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
| JP2008124372A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Fuji Xerox Co Ltd | Ｌｅｄアレイ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像記録装置 |
| WO2014087938A1 (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | シチズンホールディングス株式会社 | Ｌｅｄモジュール |
| FR3087580A1 (fr) * | 2018-10-23 | 2020-04-24 | Aledia | Procede de realisation d’un dispositif optoelectronique comprenant des diodes electroluminescentes homogenes en dimensions |
| WO2024024239A1 (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置とその製造方法 |
-
1993
- 1993-01-26 JP JP3138893A patent/JPH06224469A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002015287A1 (de) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender halbleiterchip und lumineszenzdiode |
| US6891199B2 (en) | 2000-08-11 | 2005-05-10 | Osram Gmbh | Radiation-emitting semiconductor chip and light-emitting diode |
| JP2005277152A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Daido Steel Co Ltd | 点光源発光ダイオードおよびその製造方法 |
| JP2006245380A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
| JP2008124372A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Fuji Xerox Co Ltd | Ｌｅｄアレイ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像記録装置 |
| WO2014087938A1 (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | シチズンホールディングス株式会社 | Ｌｅｄモジュール |
| JP5634647B1 (ja) * | 2012-12-03 | 2014-12-03 | シチズンホールディングス株式会社 | Ｌｅｄモジュール |
| US9810381B2 (en) | 2012-12-03 | 2017-11-07 | Citizen Watch Co., Ltd. | LED module |
| FR3087580A1 (fr) * | 2018-10-23 | 2020-04-24 | Aledia | Procede de realisation d’un dispositif optoelectronique comprenant des diodes electroluminescentes homogenes en dimensions |
| WO2020084226A1 (fr) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | Aledia | Procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes homogènes en dimensions |
| US11894413B2 (en) | 2018-10-23 | 2024-02-06 | Aledia | Method for producing an optoelectronic device comprising light-emitting diodes which are homogeneous in dimensions |
| WO2024024239A1 (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置とその製造方法 |
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