TWI422073B - 發光二極體封裝結構 - Google Patents

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TWI422073B TW099116913A TW99116913A TWI422073B TW I422073 B TWI422073 B TW I422073B TW 099116913 A TW099116913 A TW 099116913A TW 99116913 A TW99116913 A TW 99116913A TW I422073 B TWI422073 B TW I422073B
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Description

發光二極體封裝結構
本發明係有關於一種封裝結構，特別是一種具有設置於圍欄內之發光二極體的封裝結構。
發光二極體(light emitting diode，LED)由於其耗電量低、效率高且壽命長的優點，因此可廣泛用於各種應用領域，例如筆記型電腦、監視器、行動電話、電視和液晶顯示器所用背光模組的光源。再者，隨著越來越多研發人員投入發光二極體(LED)的研究發展，使得目前的發光二極體之發光強度已達到照明的程度。
以目前最常使用的白光發光二極體為例，例如台灣第I291251號、台灣第200905854號、台灣第I237406號、及台灣第I253192號等專利案所揭示，其白光發光二極體係利用光三原色調光組合，將發出紅、綠及藍色光的三種發光二極體晶片以陣列方式組合並予以封裝，並將三種不同顏色之發光二極體所發出的色光加以混合，即獲得可發出白色光的多晶粒發光二極體封裝裝置。
然而，習用白光發光二極體封裝裝置並無法提供發光強度及色調皆屬均勻的光源，致使其發光品質受到嚴重的影響，因此若是將習用白光發光二極體封裝裝置做為照明光源之用時，卻未見有針對白光發光二極體進行調整相關色溫(correlated color temperature，CCT)的技術手段。
由於習用白光發光二極體的基本發光單元係由三個晶片組合而成，就製造上而言，其花費在晶片的成本上相對較高，並且三個晶片同時運作將產生較高的功率消耗及發熱量。再者，由於上述的發光二極體封裝結構設計必須先以三組電路分別控制三種晶片的發光量，導致發光二極體之驅動電路的設計較為複雜。
鑒於以上的問題，本發明提供一種發光二極體封裝結構，藉以改良習用發光二極體封裝裝置之色溫不均，以及發光二極體之驅動電路於設計上較為複雜等問題。
本發明所揭露之發光二極體封裝結構包括有一基板、一第一發光二極體、一第二發光二極體、及一樹脂材料。基板的表面上設有一圍欄，並於基板上包圍構成一配置區域，圍欄的材質為透明材料。第一發光二極體與第二發光二極體係設置於配置區域內且相互鄰近，第一發光二極體可發出具有第一波長的第一光線，第二發光二極體可發出具有第二波長的第二光線，並與第一光線混合成為照明光線。樹脂材料設置於配置區域內，樹脂材料覆蓋住第一發光二極體與第二發光二極體。
本發明所揭露之另一發光二極體封裝結構包括有一基板、至少一第一發光二極體、至少一第二發光二極體、及一樹脂材料。基板的表面上設有一圍欄及一分隔牆，其中分隔牆係設置於圍欄內，以於基板上包圍構成二配置區域，圍欄的材質為透明材料。第一發光二極體係設置於其中一配置區域內，且第一發光二極體可發出具有第一波長的第一光線，第二發光二極體係設置於另一配置區域內，且第二發光二極體可發出具有第二波長的第二光線，並與第一光線混合成為照明光線。樹脂材料設置於二配置區域內，樹脂材料覆蓋住第一發光二極體與第二發光二極體。
本發明所揭露之又一發光二極體封裝結構包括有一基板、至少一第一發光二極體、至少一第二發光二極體、及一樹脂材料。基板的表面上設有相鄰的二圍欄，其中二圍欄於基板上分別包圍構成二配置區域，二圍欄的材質為透明材料。第一發光二極體係設置於其中一配置區域內，且第一發光二極體可發出具有第一波長的第一光線，第二發光二極體係設置於另一配置區域內，且第二發光二極體可發出具有第二波長的第二光線，並與第一光線混合成為照明光線。樹脂材料設置於二配置區域內，樹脂材料覆蓋住第一發光二極體與第二發光二極體。
本發明之功效在於，設置在由圍欄構成的配置區域內的二發光二極體，其所發出的二光線相互混光而可獲得所需光色的照明光線。另外，本發明係藉由具有透光特性的圍欄圈圍住發光二極體，其封裝結構相當簡單，因此可大幅簡化製作步驟及降低製造成本，同時亦可提高發光二極體封裝結構的整體發光效率。
以上之關於本發明內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
「第1A圖」為本發明第一實施例之剖面側視圖。如圖所示，本發明第一實施例之發光二極體封裝結構100包括有一基板110、一第一發光二極體(light emitting diode，LED)120、一第二發光二極體130、及一樹脂材料140。基板110的材質可選自金屬材料、陶瓷材料、鑽石材料、類鑽碳材料、或印刷電路板之其中一種材料，但並不以此為限。基板110的頂表面突設有一圍欄(enclosure)111，並於基板110的表面上包圍形成一配置區域112。
值得注意的是，本發明之圍欄111的材質為透明材料(transparent material)，並且本實施例之圍欄111所構成之配置區域112的形狀為矩形、圓形、或是橢圓形等型態，然熟悉此項技術者，可依據實際使用需求而將配置區域112設計為各種幾何形狀，並不以上述所揭示的形狀為限。
另外，「第1A圖」所示之第一實施例的圍欄111為一矩形板狀結構，並且圍欄111與基板110之間呈相互垂直的關係。然而，本發明之圍欄111亦可設計成如「第1D圖」所示之以一傾斜角度設置於基板110上的型態，或者是如「第1E圖」所示之圍欄111為類似梯形的結構，其目的皆是為了達到光線反射的最適化。因此，熟悉此項技術者，可依據實際使用需求而將本發明所述的圍欄111更衍生設計為各種幾何形狀及不同擺放角度的形式，並不以本發明所揭露之各實施例為限。
請繼續參閱「第1A圖」，第一發光二極體120與第二發光二極體130皆設置於配置區域112內，即二發光二極體120、130係位於圍欄111的內部。第一發光二極體120與第二發光二極體130分別電性連接至一電壓，並且第一發光二極體120與第二發光二極體130藉由此一電壓的驅動而分別發出具有第一波長的第一光線與具有第二波長的第二光線。
須注意的是，第一發光二極體120之第一波長的波長範圍可與第二發光二極體130之第二波長的波長範圍為相同，即第一發光二極體120與第二發光二極體130所發出的光線為相同顏色。因此，第一光線與第二光線所混合而成的照明光線為與第一光線及第二光線相同的顏色，例如獲得冷白光、暖白光、仿日光白光等各種光色，而此一照明光線具有高色彩演色性的特性，二發光二極體120、130所發出之光線的波長範圍可為360奈米(nm)至550奈米(nm)之間的短波長光，或是位於580奈米(nm)至640奈米(nm)的長波長光；或者是第一發光二極體120之第一波長的波長範圍可與第二發光二極體130之第二波長的波長範圍為相異，即第一發光二極體120與第二發光二極體130所發出的光線為不同顏色。因此，第一光線與第二光線所混合而成的照明光線係根據第一光線及第二光線之實際顏色而對應呈色，例如獲得冷白光、暖白光、仿日光白光等各種光色，而此一照明光線具有高色彩演色性的特性，其中一發光二極體120、130所發出之光線的波長範圍可為360奈米(nm)至550奈米(nm)之間的短波長光，而另一發光二極體120、130所發出之光線的波長範圍可為位於580奈米(nm)至640奈米(nm)的長波長光。本發明之照明光線藉由圍欄111而具備垂直反射與水平反射的全反射效果，避免照明光線於折射過程中產生過多的光損耗。
本發明之樹脂材料140的材質可為環氧樹脂(epoxy)或是矽膠(silicone)等高分子材料，但並不以此為限。樹脂材料140係填裝於配置區域112內，並完全覆蓋住第一發光二極體120與第二發光二極體130，以構成完整的發光二極體封裝結構100。
「第1B圖」所示為本發明第一實施例之不同態樣的剖面側視圖，發光二極體封裝結構100包括有一基板110、一第一發光二極體120、一第二發光二極體130、及一樹脂材料140。其中，基板110更凹設有一容置槽113，而以透明材料製成的圍欄111係設置於容置槽113內，第一發光二極體120與第二發光二極體130係設置於圍欄111內，因此第一發光二極體120與第二發光二極體130亦電性設置於容置槽113內。樹脂材料140係填裝於配置區域112內，並完全覆蓋住第一發光二極體120與第二發光二極體130，以構成完整的發光二極體封裝結構100。當照明光線反射至容置槽113的壁面上，容置槽113提供了更為良好的反射光線之用。
「第1C圖」為本發明第一實施例之不同態樣的剖面側視圖。如圖所示，發光二極體封裝結構100包括有一基板110、一第一發光二極體120、一第二發光二極體130、及一樹脂材料140。其中，基板110的頂表面突設有一圍欄111，並於基板110的表面上包圍形成一配置區域112，而圍欄111係以透明材料製成。第一發光二極體120與第二發光二極體130皆設置於配置區域112內，即二發光二極體120、130係位於圍欄111的內部。第一發光二極體120與第二發光二極體130藉由電壓的驅動，而分別發出具有第一波長的第一光線與具有第二波長的第二光線。
樹脂材料140係填裝於配置區域112內，並完全覆蓋住第一發光二極體120與第二發光二極體130，以構成完整的發光二極體封裝結構100。其中，樹脂材料140內更可添加粉體型態的螢光材料141，而螢光材料141係選自Sr1-x-y Bax Cay SiO4 :Eu2+ F、(Sr1-x-y Eux Mny )P2+z O7 :Eu2+ F、(Ba,Sr,Ca)Al2 O4 :Eu((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2 O7 :Eu、SrGa2 S4 :Eu((Ba,Sr,Ca)1-x Eux )(Mg,Zn)1-x Mnx ))Al10 O17 、Ca8 Mg(SiO4 )4 Cl2 :Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-x Eux )2 SiO4 、Ca2 MgSi2 O7 :Cl、SrSi3 O8 2SrCl2 :Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、Sr4 Al14 O25 :Eu、YBO3 :Ce,Tb、BaMgAl10 O17 :Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2 S4 :Eu、Ca2 MgSi2 O7 :Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10 (PO4 )6 Cl2 :EuZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(Aly Ga1-y )5 O12 :Ce、(Sr1-x-y-z Bax Cay Euz )2 SiO4 、及(Sr1-a-b Cab Bac )Six Ny Oz :Eua Sr5 (PO4 )3 Cl:Eua 之其中之一或上述所組成之混合材質，但螢光材料141的材質選用並不以此為限，且螢光材料141的型態亦不以本實施例所揭露的粉體為限，熟悉此項技術者，可依據實際製作需求而對應採用各種型態添加至樹脂材料140內，例如以膠體貼覆於樹脂材料140的頂表面。當照明光線穿透過樹脂材料140時，混合於樹脂材料140內的螢光材料141提供了照明光線更為良好的反射效果。
「第2A圖」為本發明第二實施例之剖面側視圖。如圖所示，本發明第二實施例之發光二極體封裝結構100包括有一基板110、至少一第一發光二極體120、至少一第二發光二極體130、及一樹脂材料140。基板110的材質可選自金屬材料、陶瓷材料、鑽石材料、類鑽碳材料、或印刷電路板之其中一種材料，但並不以此為限。基板110的頂表面突設有一圍欄111及一分隔牆114，圍欄111於基板110的表面上包圍形成一區域，分隔牆114與圍欄111略為等高，且分隔牆114係設置於圍欄111內，以將此一區域再區分為相鄰接的二配置區域112。本發明之圍欄111的材質為透明材料(transparent material)，分隔牆114的材質可為透明材料或是不透明材料，且熟悉此項技術者，可依據實際使用需求而將配置區域112設計為各種幾何形狀。
另外，「第2A圖」所示之第二實施例的圍欄111為一矩形板狀結構，並且圍欄111與基板110之間呈相互垂直的關係。然而，本發明之圍欄111亦可設計成如「第2D圖」所示之以一傾斜角度設置於基板110上的型態，或者是如「第2E圖」所示之圍欄111為類似梯形的結構，其目的皆是為了達到光線反射的最適化。因此，熟悉此項技術者，可依據實際使用需求而將本發明所述的圍欄111更衍生設計為各種幾何形狀及不同擺放角度的形式，並不以本發明所揭露之各實施例為限。
請繼續參閱「第2A圖」，第一發光二極體120係設置於其中一配置區域112內，而第二發光二極體130係設置於另一配置區域112內，意即二發光二極體120、130皆係位於圍欄111的內部。第一發光二極體120與第二發光二極體130分別電性連接至一電壓，並且第一發光二極體120與第二發光二極體130藉由此一電壓的驅動而分別發出具有第一波長的第一光線與具有第二波長的第二光線。
須注意的是，第一發光二極體120之第一波長的波長範圍可與第二發光二極體130之第二波長的波長範圍為相同，即第一發光二極體120與第二發光二極體130所發出的光線為相同顏色。因此，第一光線與第二光線所混合而成的照明光線為與第一光線及第二光線相同的顏色，例如獲得冷白光、暖白光、仿日光白光等各種光色，而此一照明光線具有高色彩演色性的特性，二發光二極體120、130所發出之光線的波長範圍可為360奈米(nm)至550奈米(nm)之間的短波長光，或是位於580奈米(nm)至640奈米(nm)的長波長光；或者是第一發光二極體120之第一波長的波長範圍可與第二發光二極體130之第二波長的波長範圍為相異，即第一發光二極體120與第二發光二極體130所發出的光線為不同顏色。因此，第一光線與第二光線所混合而成的照明光線係根據第一光線及第二光線之實際顏色而對應呈色，例如獲得冷白光、暖白光、仿日光白光等各種光色，而此一照明光線具有高色彩演色性的特性，其中二發光二極體120、130之一所發出之光線的波長範圍可為360奈米(nm)至550奈米(nm)之間的短波長光，而另一發光二極體120、130所發出之光線的波長範圍可為位於580奈米(nm)至640奈米(nm)的長波長光。本發明之照明光線藉由圍欄111而具備垂直反射與水平反射的全反射效果，避免照明光線於折射過程中產生過多的光損耗。
其中，本實施例的第一發光二極體120與第二發光二極體130的配置數量可依據實際使用需求而對應增減其數量，只要同一配置區域112內的發光二極體之波長範圍相同即可。
本發明之樹脂材料140的材質可為環氧樹脂(epoxy)或是矽膠(silicone)等高分子材料，但並不以此為限。樹脂材料140係填裝於二配置區域112內，並完全覆蓋住第一發光二極體120與第二發光二極體130，以構成完整的發光二極體封裝結構100。
「第2B圖」所示為本發明第二實施例之不同態樣的剖面側視圖，發光二極體封裝結構100包括有一基板110、至少一第一發光二極體120、至少一第二發光二極體130、及一樹脂材料140。其中，基板110更凹設有一容置槽113，而圍欄111及分隔牆114係設置於容置槽113內，第一發光二極體120與第二發光二極體130係設置於圍欄111內，因此第一發光二極體120與第二發光二極體130亦電性設置於容置槽113內。樹脂材料140係填裝於二配置區域112內，並完全覆蓋住第一發光二極體120與第二發光二極體130，以構成完整的發光二極體封裝結構100。當照明光線反射至容置槽113的壁面上，容置槽113提供了更為良好的反射光線之用。
「第2C圖」為本發明第二實施例之不同態樣的剖面側視圖。如圖所示，發光二極體封裝結構100包括有一基板110、至少一第一發光二極體120、至少一第二發光二極體130、及一樹脂材料140。其中，基板110的頂表面突設有一圍欄111及一分隔牆114，並於基板110的表面上包圍形成二配置區域112，而圍欄111係以透明材料製成。第一發光二極體120與第二發光二極體130分別設置於二配置區域112內，即二發光二極體120、130係位於圍欄111的內部。第一發光二極體120與第二發光二極體130藉由電壓的驅動，而分別發出具有第一波長的第一光線與具有第二波長的第二光線。
樹脂材料140係填裝於二配置區域112內，並完全覆蓋住第一發光二極體120與第二發光二極體130，以構成完整的發光二極體封裝結構100。其中，樹脂材料140內更可添加粉體型態的螢光材料141，而螢光材料141係選自Sr1-x-y Bax Cay SiO4 :Eu2+ F、(Sr1-x-y Eux Mny )P2+z O7 :Eu2+ F、(Ba,Sr,Ca)Al2 O4 :Eu((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2 O7 :Eu、SrGa2 S4 :Eu((Ba,Sr,Ca)1-x Eux )(Mg,Zn)1-x Mnx ))Al10 O17 Ca8 Mg(SiO4 )4 Cl2 :Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-x Eux )2 SiO4 、Ca2 MgSi2 O7 :Cl、SrSi3 O8 2SrCl2 :Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、Sr4 Al14 O25 :Eu、YBO3 :Ce,Tb、BaMgAl10 O17 :Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2 S4 :Eu、Ca2 MgSi2 O7 :Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10 (PO4 )6 Cl2 :EuZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(Aly Ga1-y )5 O12 :Ce、(Sr1-x-y-z Bax Cay Euz )2 SiO4 、及(Sr1-a-b Cab Bac )Six Ny Oz :Eua Sr5 (PO4 )3 Cl:Eua 之其中之一或上述所組成之混合材質，但螢光材料141的材質選用並不以此為限，且螢光材料141的型態亦不以本實施例所揭露的粉體為限，熟悉此項技術者，可依據實際製作需求而對應採用各種型態添加至樹脂材料140內，例如以膠體貼覆於樹脂材料140的頂表面。當照明光線穿透過樹脂材料140時，混合於樹脂材料140內的螢光材料141提供了照明光線更為良好的反射效果。
「第3A圖」為本發明第三實施例之剖面側視圖。如圖所示，本發明第三實施例之發光二極體封裝結構100包括有一基板110、至少一第一發光二極體120、至少一第二發光二極體130、及一樹脂材料140。基板110的材質可選自金屬材料、陶瓷材料、鑽石材料、類鑽碳材料、或印刷電路板之其中一種材料，但並不以此為限。基板110的頂表面突設有相鄰的二圍欄111，並於基板110的表面上分別包圍形成相互分離的二配置區域112。本發明之圍欄111的材質為透明材料(transparent material)，且熟悉此項技術者，可依據實際使用需求而將配置區域112設計為各種幾何形狀。
另外，「第3A圖」所示之第三實施例的圍欄111為一矩形板狀結構，並且圍欄111與基板110之間呈相互垂直的關係。然而，本發明之圍欄111亦可設計成如「第3D圖」所示之以一傾斜角度設置於基板110上的型態，或者是如「第3E圖」所示之圍欄111為類似梯形的結構，其目的皆是為了達到光線反射的最適化。因此，熟悉此項技術者，可依據實際使用需求而將本發明所述的圍欄111更衍生設計為各種幾何形狀及不同擺放角度的形式，並不以本發明所揭露之各實施例為限。
請繼續參閱「第3A圖」，第一發光二極體120係設置於其中一配置區域112內，而第二發光二極體130係設置於另一配置區域112內，意即二發光二極體120、130皆係位於圍欄111的內部。第一發光二極體120與第二發光二極體130分別電性連接至一電壓，並且第一發光二極體120與第二發光二極體130藉由此一電壓的驅動而分別發出具有第一波長的第一光線與具有第二波長的第二光線。
須注意的是，第一發光二極體120之第一波長的波長範圍可與第二發光二極體130之第二波長的波長範圍為相同，即第一發光二極體120與第二發光二極體130所發出的光線為相同顏色。因此，第一光線與第二光線所混合而成的照明光線為與第一光線及第二光線相同的顏色，例如獲得冷白光、暖白光、仿日光白光等各種光色，而此一照明光線具有高色彩演色性的特性，二發光二極體120、130所發出之光線的波長範圍可為360奈米(nm)至550奈米(nm)之間的短波長光，或是位於580奈米(nm)至640奈米(nm)的長波長光；或者是第一發光二極體120之第一波長的波長範圍可與第二發光二極體130之第二波長的波長範圍為相異，即第一發光二極體120與第二發光二極體130所發出的光線為不同顏色。因此，第一光線與第二光線所混合而成的照明光線係根據第一光線及第二光線之實際顏色而對應呈色，例如獲得冷白光、暖白光、仿日光白光等各種光色，而此一照明光線具有高色彩演色性的特性，其中二發光二極體120、130之一所發出之光線的波長範圍可為360奈米(nm)至550奈米(nm)之間的短波長光，而另一發光二極體120、130所發出之光線的波長範圍可為位於580奈米(nm)至640奈米(nm)的長波長光。本發明之照明光線藉由圍欄111而具備垂直反射與水平反射的全反射效果，避免照明光線於折射過程中產生過多的光損耗。
其中，本實施例的第一發光二極體120與第二發光二極體130的配置數量可依據實際使用需求而對應增減其數量，只要同一配置區域112內的發光二極體之波長範圍相同即可。
本發明之樹脂材料140的材質可為環氧樹脂(epoxy)或是矽膠(silicone)等高分子材料，但並不以此為限。樹脂材料140係填裝於二配置區域112內，並完全覆蓋住第一發光二極體120與第二發光二極體130，以構成完整的發光二極體封裝結構100。
「第3B圖」所示為本發明第三實施例之不同態樣的剖面側視圖，發光二極體封裝結構100包括有一基板110、至少一第一發光二極體120、至少一第二發光二極體130、及一樹脂材料140。其中，基板110更凹設有一容置槽113，而二圍欄111係設置於容置槽113內，第一發光二極體120與第二發光二極體130皆設置於圍欄111內，因此第一發光二極體120與第二發光二極體130亦電性設置於容置槽113內。樹脂材料140係填裝於二配置區域112內，並完全覆蓋住第一發光二極體120與第二發光二極體130，以構成完整的發光二極體封裝結構100。當照明光線反射至容置槽113的壁面上，容置槽113提供了更為良好的反射光線之用。
「第3C圖」為本發明第三實施例之不同態樣的剖面側視圖。如圖所示，發光二極體封裝結構100包括有一基板110、至少一第一發光二極體120、至少一第二發光二極體130、及一樹脂材料140。其中，基板110的頂表面突設有相鄰的二圍欄111，以於基板110的表面上分別包圍形成相互分離的二配置區域112，而圍欄111係以透明材料製成。第一發光二極體120與第二發光二極體130分別設置於二配置區域112內，即二發光二極體120、130係位於圍欄111的內部。第一發光二極體120與第二發光二極體130藉由電壓的驅動，而分別發出具有第一波長的第一光線與具有第二波長的第二光線。
樹脂材料140係填裝於二配置區域112內，並完全覆蓋住第一發光二極體120與第二發光二極體130，以構成完整的發光二極體封裝結構100。其中，樹脂材料140內更可添加粉體型態的螢光材料141，而螢光材料141係選自Sr1-x-y Bax Cay SiO4 :Eu2+ F、(Sr1-x-y Eux Mny )P2+z O7 :Eu2 +F、(Ba,Sr,Ca)Al2 O4 :Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2 O7 :Eu、SrGa2 S4 :Eu、((Ba,Sr,Ca)1-x Eux )(Mg,Zn)1-x Mnx ))Al10 O17 、Ca8 Mg(SiO4 )4 Cl2 :Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-x Eux )2 SiO4 、Ca2 MgSi2 O7 :Cl、SrSi3 O8 2SrCl2 :Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、Sr4 Al14 O25 :Eu、YBO3 :Ce,Tb、BaMgAl10 O17 :Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2 S4 :Eu、Ca2 MgSi2 O7 :Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10 (PO4 )6 Cl2 :Eu ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(Aly Ga1-y )5 O12 :Ce、(Sr1-x-y-z Bax CayEuz )2 SiO4 、及(Sr1-a-b Cab Bac )Six Ny Oz :Eua Sr5 (PO4 )3 Cl:Eua 之其中之一或上述所組成之混合材質，但螢光材料141的材質選用並不以此為限，且螢光材料141的型態亦不以本實施例所揭露的粉體為限，熟悉此項技術者，可依據實際製作需求而對應採用各種型態添加至樹脂材料140內，例如以膠體貼覆於樹脂材料140的頂表面。當照明光線穿透過樹脂材料140時，混合於樹脂材料140內的螢光材料141提供了照明光線更為良好的反射效果。
藉由本發明之圍欄而於基板上構成至少一配置區域，至少二發光二極體係設置於配置區域內，且發光二極體所發出的光線相互混光後而可獲得冷白光、暖白光、仿日光白光或是其他各種色光等所需光色的照明光線。
另外，本發明係透過具有透光特性的圍欄圈圍住發光二極體的技術手段，使得本發明之發光二極體封裝結構相當簡單，因而大幅簡化製作步驟及降低製造成本，同時提高了發光二極體封裝結構的整體發光效率。
雖然本發明之實施例揭露如上所述，然並非用以限定本發明，任何熟習相關技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，舉凡依本發明申請範圍所述之形狀、構造、特徵及精神當可做些許之變更，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．發光二極體封裝結構
110．．．基板
111．．．圍欄
112‧‧‧配置區域
113‧‧‧容置槽
114‧‧‧分隔牆
120‧‧‧第一發光二極體
130‧‧‧第二發光二極體
140‧‧‧樹脂材料
141‧‧‧螢光材料
第1A圖為本發明第一實施例之剖面側視圖；
第1B圖為本發明第一實施例之不同態樣的剖面側視圖；
第1C圖為本發明第一實施例之不同態樣的剖面側視圖；
第1D圖為本發明第一實施例之不同態樣的剖面側視圖；
第1E圖為本發明第一實施例之不同態樣的剖面側視圖；
第2A圖為本發明第二實施例之剖面側視圖；
第2B圖為本發明第二實施例之不同態樣的剖面側視圖；
第2C圖為本發明第二實施例之不同態樣的剖面側視圖；
第2D圖為本發明第二實施例之不同態樣的剖面側視圖；
第2E圖為本發明第二實施例之不同態樣的剖面側視圖；
第3A圖為本發明第三實施例之剖面側視圖；
第3B圖為本發明第三實施例之不同態樣的剖面側視圖；
第3C圖為本發明第三實施例之不同態樣的剖面側視圖；
第3D圖為本發明第三實施例之不同態樣的剖面側視圖；以及
第3E圖為本發明第三實施例之不同態樣的剖面側視圖。
100．．．發光二極體封裝結構
110．．．基板
111．．．圍欄
112．．．配置區域
120．．．第一發光二極體
130．．．第二發光二極體
140．．．樹脂材料

Claims (21)

  1. 一種發光二極體封裝結構，包括有：一基板，凹設有一容置槽，該基板的一表面上設有一圍欄，設置於該容置槽內，該圍欄之高度實質上等於該容置槽之深度，該圍欄於該基板上包圍形成一配置區域，該配置區域的形狀為矩形，該圍欄之材質係為透明材料；一第一發光二極體，設置於該配置區域內，該第一發光二極體發出具有一第一波長之一第一光線；一第二發光二極體，設置於該配置區域內並鄰近於該第一發光二極體，該第二發光二極體發出具有一第二波長之一第二光線，並與該第一光線混合成為一照明光線；以及一樹脂材料，係設置於該配置區域內，該樹脂材料係覆蓋住該第一發光二極體與該第二發光二極體。
  2. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中該樹脂材料內更含有一螢光材料。
  3. 如請求項2所述之發光二極體封裝結構，其中該螢光材料係選自Sr1-x-y Bax Cay SiO4 ：Eu2+ F、(Sr1-x-y Eux Mny )P2+z O7 ：Eu2+ F、(Ba,Sr,Ca)Al2 O4 ：Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2 O7 ：Eu、SrGa2 S4 ：Eu、((Ba,Sr,Ca)1-x Eux )(Mg,Zn)1-x Mnx ))Al10 O17 、Ca8 Mg(SiO4 )4 Cl2 ：Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-x Eux )2 SiO4 、Ca2 MgSi2 O7 ：Cl、SrSi3 O8 2SrCl2 ：Eu、BAM：Eu、Sr-Aluminate：Eu、Thiogallate：Eu、Chlorosilicate：Eu、Borate：Ce,Tb、Sr4 Al14 O25 ：Eu、 YBO3 ：Ce,Tb、BaMgAl10 O17 ：Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2 S4 ：Eu、Ca2 MgSi2 O7 ：Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu ZnS：Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(Aly Ga1-y )5 O12 ：Ce、(Sr1-x-y-z Bax Cay Euz )2 SiO4 、及(Sr1-a-b Cab Bac )Six Ny Oz ：Eua Sr5 (PO4 )3 Cl：Eua 之其中之一或上述所組成之混合材質。
  4. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中該第一波長的波長範圍與該第二波長的波長範圍係為相同。
  5. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中該第一波長的波長範圍與該第二波長的波長範圍係為相異。
  6. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中該基板之材質係選自金屬材料、陶瓷材料、鑽石材料、類鑽碳材料、或印刷電路板其中之一。
  7. 如請求項1所述之發光二極體封裝結構，其中該樹脂材料之材質為環氧樹脂或是矽膠。
  8. 一種發光二極體封裝結構，包括有：一基板，凹設有一容置槽，該基板的一表面上設有一圍欄及一分隔牆，該圍欄與該分隔牆係設置於該容置槽內，該圍欄與該分隔牆之高度實質上等於該容置槽之深度，該分隔牆係設置於該圍欄內，以於該基板上包圍形成二配置區域，該二配置區域的形狀分別為矩形，該圍欄之材質係為透明材料；至少一第一發光二極體，設置於其中一該配置區域內，該第一發光二極體發出具有一第一波長之一第一光線； 至少一第二發光二極體，設置於另一該配置區域內，該第二發光二極體發出具有一第二波長之一第二光線，並與該第一光線混合成為一照明光線；以及一樹脂材料，係設置於該二配置區域內，該樹脂材料係覆蓋住該第一發光二極體與該第二發光二極體。
  9. 如請求項8所述之發光二極體封裝結構，其中該樹脂材料內更含有一螢光材料。
  10. 如請求項9所述之發光二極體封裝結構，其中該螢光材料係選自Sr1-x-y Bax Cay SiO4 ：Eu2+ F、(Sr1-x-y Eux Mny )P2+z O7 ：Eu2+ F、(Ba,Sr,Ca)Al2 O4 ：Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2 O7 ：Eu、SrGa2 S4 ：Eu、((Ba,Sr,Ca)1-x Eux )(Mg,Zn)1-x Mnx ))Al10 O17 、Ca8 Mg(SiO4 )4 Cl2 ：Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-x Eux )2 SiO4 、Ca2 MgSi2 O7 ：Cl、SrSi3 O8 2SrCl2 ：Eu、BAM：Eu、Sr-Aluminate：Eu、Thiogallate：Eu、Chlorosilicate：Eu、Borate：Ce,Tb、Sr4 Al14 O25 ：Eu、YBO3 ：Ce,Tb、BaMgAl10 O17 ：Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2 S4 ：Eu、Ca2 MgSi2 O7 ：Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu ZnS：Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(Aly Ga1-y )5 O12 ：Ce、(Sr1-x-y-z Bax Cay Euz )2 SiO4 、及(Sr1-a-b Cab Bac )Six Ny Oz ：Eua Sr5 (PO4 )3 Cl：Eua 之其中之一或上述所組成之混合材質。
  11. 如請求項8所述之發光二極體封裝結構，其中該第一波長的波長範圍與該第二波長的波長範圍係為相同。
  12. 如請求項8所述之發光二極體封裝結構，其中該第一波長的波長範圍與該第二波長的波長範圍係為相異。
  13. 如請求項8所述之發光二極體封裝結構，其中該基板之材質係選自金屬材料、陶瓷材料、鑽石材料、類鑽碳材料、或印刷電路板其中之一。
  14. 如請求項8所述之發光二極體封裝結構，其中該樹脂材料之材質為環氧樹脂或是矽膠。
  15. 一種發光二極體封裝結構，包括有：一基板，凹設有一容置槽，該基板的一表面上設有相鄰的二圍欄，設置於該容置槽內，該圍欄之高度實質上等於該容置槽之深度，該二圍欄於該基板上分別包圍形成二配置區域，該配置區域的形狀為矩形，該二圍欄之材質係為透明材料；至少一第一發光二極體，設置於其中一該配置區域內，該第一發光二極體發出具有一第一波長之一第一光線；至少一第二發光二極體，設置於另一該配置區域內，該第二發光二極體發出具有一第二波長之一第二光線，並與該第一光線混合成為一照明光線；以及一樹脂材料，係設置於該二配置區域內，該樹脂材料係覆蓋住該第一發光二極體與該第二發光二極體。
  16. 如請求項15所述之發光二極體封裝結構，其中該樹脂材料內更含有一螢光材料。
  17. 如請求項16所述之發光二極體封裝結構，其中該螢光材料係 選自Sr1-x-y Bax Cay SiO4 ：Eu2+ F、(Sr1-x-y Eux Mny )P2+z O7 ：Eu2+ F、(Ba,Sr,Ca)Al2 O4 ：Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2 O7 ：Eu、SrGa2 S4 ：Eu、((Ba,Sr,Ca)1-x Eux )(Mg,Zn)1-x Mnx ))Al10 O17 、Ca8 Mg(SiO4 )4 Cl2 ：Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-x Eux )2 SiO4 、Ca2 MgSi2 O7 ：Cl、SrSi3 O8 2SrCl2 ：Eu、BAM：Eu、Sr-Aluminate：Eu、Thiogallate：Eu、Chlorosilicate：Eu、Borate：Ce,Tb、Sr4 Al14 O25 ：Eu、YBO3 ：Ce,Tb、BaMgAl10 O17 ：Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2 S4 ：Eu、Ca2 MgSi2 O7 ：Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu ZnS：Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(Aly Ga1-y )5 O12 ：Ce、(Sr1-x-y-z Bax Cay Euz )2 SiO4 、及(Sr1-a-b Cab Bac )Six Ny Oz ：Eua Sr5 (PO4 )3 Cl：Eua之其中之一或上述所組成之混合材質。
  18. 如請求項15所述之發光二極體封裝結構，其中該第一波長的波長範圍與該第二波長的波長範圍係為相同。
  19. 如請求項15所述之發光二極體封裝結構，其中該第一波長的波長範圍與該第二波長的波長範圍係為相異。
  20. 如請求項15所述之發光二極體封裝結構，其中該基板之材質係選自金屬材料、陶瓷材料、鑽石材料、類鑽碳材料、或印刷電路板其中之一。
  21. 如請求項15所述之發光二極體封裝結構，其中該樹脂材料之材質為環氧樹脂或是矽膠。
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