CN104797525A - 石墨烯合成装置 - Google Patents
石墨烯合成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104797525A CN104797525A CN201380060353.4A CN201380060353A CN104797525A CN 104797525 A CN104797525 A CN 104797525A CN 201380060353 A CN201380060353 A CN 201380060353A CN 104797525 A CN104797525 A CN 104797525A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- raw material
- metal film
- catalyst metal
- graphene
- heater portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 91
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 81
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 15
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 title abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 90
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 140
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 84
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 16
- -1 graphite alkene Chemical class 0.000 claims description 16
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 claims description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 abstract 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 17
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 10
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 238000001289 rapid thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-2-ene Chemical group CC=C(C)C BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000276425 Xiphophorus maculatus Species 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/184—Preparation
- C01B32/186—Preparation by chemical vapour deposition [CVD]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0004—Apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of nanostructural devices or systems or methods for manufacturing the same
Abstract
本发明公开一种石墨烯合成装置，包括：加热器部，将热量施加于连续性的催化剂金属薄膜上；承受器部，布置于所述催化剂金属薄膜与所述加热器部之间，从而将所述加热器部的热量均匀地提供给所述催化剂金属薄膜；原料物质供应部，将原料物质提供到所述催化剂金属薄膜的侧面。
Description
技术领域
本发明涉及一种合成装置，尤其涉及一种石墨烯合成装置。
背景技术
目前，作为基于碳的材料，碳纳米管(carbon nanotube)、金刚石(diamond)、石墨(graphite)、石墨烯(graphene)等在多样的领域中得到研究。其中，碳纳米管从1990年代以后起受到青睐，然而最近却是板状结构的石墨烯备受瞩目。石墨烯为碳原子以二维方式排列的数纳米(nm)厚度的薄膜物质，由于电荷在其内部作为零有效质量粒子(zero effective mass particle)发挥作用，因此具有很高的导电率，且具有高导热率、高弹性等。
因此，自从石墨烯得到研究以后，关于石墨烯的大量特性研究正在进行，且旨在应用于多样的领域的研究也在进行。这样的石墨烯因具有较高的导电率和弹性特性，适合应用于透明而柔韧(flexible)的元件。
发明内容
技术问题
作为用于合成石墨烯的方法使用化学气相沉积法(chemical vapordeposition-CVD)。化学气相沉积法是一种如下的方法：将由铜或铂等催化剂金属构成的催化剂金属薄膜安置于石墨烯合成腔室的内部空间，并将甲烷或乙烷等烃注入到石墨烯合成腔室的内部空间，然后高温加热石墨烯合成腔室的内部空间，从而在催化剂金属薄膜的表面合成石墨烯。
如上所述，石墨烯具有非常有用的性质，然而在为了合成石墨烯而设定高温环境的环节上需要较长的时间，因此难以通过经济的方式量产大面积的石墨烯片。
这样的石墨烯合成装置具体公开于韩国公开专利公报第2012-0088524号(发明名称：石墨烯合成装置及合成方法；申请人：三星泰科威株式会社、成均馆大学产学协力团)。
技术方案
本发明的实施例的目的在于提供一种可迅速而连续地合成石墨烯的石墨烯合成装置。
根据本发明的一个方面，提供一种石墨烯合成装置，包括：加热器部，将热量施加于连续性的催化剂金属薄膜上；承受器部，布置于所述催化剂金属薄膜与所述加热器部之间，从而将所述加热器部的热量均匀地提供给所述催化剂金属薄膜；原料物质供应部，将原料物质提供到所述催化剂金属薄膜的侧面。
有益效果
根据本发明的实施例，当连续合成石墨烯时，可将由加热器部施加的热量均匀地提供，因此能够迅速而连续地合成石墨烯。而且，根据本发明的实施例，可对合成面积供应均匀的热量，因此能够合成均匀的石墨烯膜。
附图说明
图1为表示根据本发明的一个实施例的石墨烯合成装置的示意图。
图2为表示根据本发明的另一实施例的石墨烯合成装置的示意图。
具体实施方式
最优实施形态
根据本发明的一个方面，可提供一种石墨烯合成装置，包括：加热器部，将热量施加于连续性的催化剂金属薄膜上；承受器部，布置于所述催化剂金属薄膜与所述加热器部之间，从而将所述加热器部的热量均匀地提供给所述催化剂金属薄膜；原料物质供应部，将原料物质提供到所述催化剂金属薄膜的侧面。
并且，所述加热器部可具有：第一加热器部，布置于所述催化剂金属薄膜的第一侧面；第二加热器部，以与所述第一加热器部对向的方式布置于所述催化剂金属薄膜的第二面。
而且，所述承受器部可具有多个，可将多个所述承受器部以多层方式布置，所述催化剂金属薄膜可从多个所述承受器部之间通过。
并且，所述石墨烯合成装置还可以包括：原料物质吸入部，以与所述原料物质供应部对向的方式设置于所述催化剂金属薄膜的另一侧面，从而吸入所述原料物质。
而且，所述石墨烯合成装置还可以包括：张力维持辊，移送所述催化剂金属薄膜，并维持所述催化剂金属薄膜的张力。
并且，所述石墨烯合成装置还可以包括：腔室，形成外观，内部设置有所述加热器部、所述承受器部、以及所述原料物质供应部的一部分。
而且，所述石墨烯合成装置还可以包括：真空泵，设置于所述腔室而调节所述腔室内部的压力。
并且，所述原料物质供应部可具有：原料物质贮存部，设置于所述腔室的外部而贮存所述原料物质；原料物质供应管，与所述原料物质贮存部连接，并设置为贯穿所述腔室而使所述原料物质流动；原料物质喷射嘴，连接于所述原料物质供应管而将所述原料物质喷射到所述催化剂金属薄膜。
具体实施形态
参考与附图相结合而详细阐述的实施例就会明确了解本发明。然而本发明并不局限于以下公开的实施例而可实现为互不相同的多种形态，实施例只是为了完整地公开本发明并将本发明的范围完整地说明给本发明所属的技术领域中具有普通知识的人员而提供的，本发明只由权利要求书的范围定义。另外，本说明书中使用的术语用于说明实施例而并非用于限定本发明。在本说明书中，如果没有在语句中特别说明，则单数型也包括复数型。说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“包含有(comprising)”不排除所述的构成要素、步骤、操作和/或元件以外还存在或附加有一个以上的其他构成要素、步骤、操作和/或元件的情形。第一、第二等术语用于说明多样的构成要素，然而构成要素并不被术语所限定。术语只是出于将一个构成要素与其他构成要素区分的目的而使用。
图1为表示根据本发明的一个实施例的石墨烯合成装置100的示意图。
参考图1，石墨烯合成装置100可包括形成外观的腔室110。在此，腔室110可形成为将全部构成要素均设置于内部，而且也可以形成为将一部分构成要素设置于内部。
另外，石墨烯合成装置100可包括设置于腔室110的内部的加热器部120a、120b。在此，加热器部120a、120b可将热量施加于连续性的催化剂金属薄膜C上。尤其，可将催化剂金属薄膜C以连续性的片形态供应。
并且，加热器部120a、120b可包括卤素灯或远红外线加热装置，以用于连续地合成石墨烯。在此，包含远红外线加热装置的加热器部120a、120b可在内部包含供热源121a、121b以供应热量，还可以包括形成为包覆供热源121a、121b的外观壳体122a、122b。
在此，供热源121a、121b可设置于外观壳体122a、122b的内部，供热源121a、121b可包括能够生成热量的所有装置及材料。例如，供热源121a、121b可由加热器棒(heater bar)或热丝等形成。
而且，外观壳体122a、122b可由多样的材料形成。例如，外观壳体122a、122b可由金属材料形成，且可由含碳的材料形成。
如上所述的加热器部120a、120b可包括：第一加热器部120a，布置于催化剂金属薄膜C的第一侧面；第二加热器部120b，设置为与第一加热器部120a对向。在此，第二加热器部120b布置于催化剂金属薄膜C的第二面而可将热量施加于催化剂金属薄膜C。
另外，石墨烯合成装置100可包括：承受器部130，布置于催化剂金属薄膜C与加热器部120a、120b之间而将加热器部120a、120b的热量均匀地提供给催化剂金属薄膜C。在此，承受器部130可以以板形态形成。并且，承受器部130可由石墨材料形成，或者以碳化硅(SiC)涂覆于石墨材料的状态形成。承受器部130的材料不限于此，可包括能够从加热器部120a、120b获得热量而均匀地提供给催化剂金属薄膜C的所有材料。
这样的承受器部130可具有多个。此时，多个承受器部130可形成为多层，且各个承受器部130可布置为相互分隔预定间距。尤其，可布置为催化剂金属薄膜C可从多个承受器部130之间通过。
并且，多个承受器部130可相对于地面多样地布置。例如，多个承受器部130可相对于地面平行布置，且还可以相对于地面垂直布置。只是为了便于说明，以下将以承受器部130相对于地面平行布置的情形为中心而详细说明。
另外，石墨烯合成装置100可包括设置于催化剂金属薄膜C的侧面的原料物质供应部140。在此，原料物质供应部140可设置为一部分布置于腔室110的内部。
原料物质供应部140可包括设置于腔室110的外部而贮存原料物质的原料物质贮存部143。在此，原料物质贮存部143可形成为罐体(Tank)形态而贮存原料物质。而且，原料物质贮存部143可配备多个而贮存互不相同的原料物质。此时，多个原料物质贮存部143也可以贮存相同的原料物质。
原料物质供应部140可包括：原料物质供应管142，与原料物质贮存部143连接而使原料物质移动。在此，原料物质供应管142可设置为贯穿腔室110。
而且，原料物质供应部140可包括：原料物质喷嘴141，连接于原料物质供应管142而将原料物质喷射到催化剂金属薄膜C。在此，原料物质喷嘴141可布置于催化剂金属薄膜C的侧面。尤其，原料物质喷嘴141可布置为将原料物质喷射到多个承受器部130之间。
原料物质喷嘴141可具有多个。此时，多个原料物质喷嘴141可布置为相互分隔预定间距。具体而言，多个原料物质喷嘴141可分别设置于多个承受器部130之间。于是，当催化剂金属薄膜C移动于多个承受器部130中时，原料物质喷嘴141可将原料物质供应到催化剂金属薄膜C。
原料物质供应部140可包括：第一切断阀171，设置于原料物质贮存部143和原料物质供应管142中的至少一个中而控制原料物质的供应。在此，第一切断阀171可对外部控制信号做出反应而将原料物质贮存部143和原料物质供应管142中的至少一个进行开闭，从而控制原料物质的供应。
另外，石墨烯合成装置100可包括：真空泵160，设置于腔室110而调节腔室110内部的压力。在此，真空泵160类似于普通的真空泵160，故省略详细说明。
石墨烯合成装置100可包括：原料物质吸入部150，一部分设置于腔室110的内部。在此，原料物质吸入部150可设置为与原料物质供应部140对向。
具体而言，原料物质吸入部150可包括：原料物质吸嘴151，用于吸入原料物质。在此，原料物质吸嘴151可布置为与原料物质喷嘴141对向。
原料物质吸入部150可包括：原料物质排出管152，用于使由原料物质吸嘴151吸入的原料物质移动。在此，原料物质排出管152可与原料物质吸嘴151连接。
原料物质吸入部150可包括：排出泵(未图示)，用于将流动于原料物质排出管152的原料物质排出到外部。在此，所述排出泵可以与如上所述的真空泵160相独立地形成，或者可以使真空泵160执行所述排出泵的作用。以下为了便于说明，以真空泵160与所述排出泵相同的情形为中心而详细说明。如上所述，在真空泵160与所述排出泵相同的情况下，原料物质排出管152可与真空泵160连接。
另外，石墨烯合成装置100可包括：第二切断阀172，设置于真空泵160而控制真空泵160所吸入的流体的量。并且，石墨烯合成装置100可包括：第三切断阀173，设置于原料物质吸入部150而控制被吸入的原料物质的量。在此，第三切断阀173可设置于原料物质排出管152。
如上所述的第二切断阀172和第三切断阀173可彼此相似地形成。具体而言，第二切断阀172和第三切断阀173可运行为维持预定的压力。
例如，第二切断阀172可控制流入到真空泵160的流体的量，以使腔室110内部的压力维持设定的压力。而且，第三切断阀173可控制流动于原料物质排出管152的原料物质的量，以使原料物质排出管152的压力维持在预定水平。
另外，石墨烯合成装置100可包括：张力维持辊181、182，用于移送催化剂金属薄膜C并维持催化剂金属薄膜C的张力。在此，张力维持辊181、182可具有多个。具体而言，张力维持辊181、182可包括：第一张力维持辊181，设置于催化剂金属薄膜C被引入到腔室110内部的部分。并且，张力维持辊181、182可包括：第二张力维持辊182，设置于催化剂金属薄膜C被引出到腔室110外部的部分。
在此，第一张力维持辊181和第二张力维持辊182可防止催化剂金属薄膜C因催化剂金属薄膜C的重量而下垂。尤其，第一张力维持辊181和第二张力维持辊182可防止布置于承受器部130之间的催化剂金属薄膜C部分因重量而下垂的情况。
另外，对于如上所述地设置的第一张力维持辊181和第二张力维持辊182而言，第一张力维持辊181和第二张力维持辊182可布置于多样的位置。例如，如图1所示，第一张力维持辊181和第二张力维持辊182可被设置于腔室110的内部。此时，第一张力维持辊181和第二张力维持辊182可分别设置有第一辊冷却部(未图示)和第二辊冷却部(未图示)，以防止第一张力维持辊181和第二张力维持辊182被加热。尤其，所述第一辊冷却部和所述第二辊冷却部可形成为通过使冷却水或制冷剂等循环而分别冷却第一张力维持辊181和第二张力维持辊182。在此，所述第一辊冷却部和所述第二辊冷却部不限于此而分别可以包括用于冷却第一张力维持辊181和第二张力维持辊182的所有装置。
并且，第一张力维持辊181和第二张力维持辊182可设置于腔室110的外部。尤其，当第一张力维持辊181和第二张力维持辊182布置于腔室110的外侧时，腔室110可配备多个而以互相连接的形态形成。即，可设置其他腔室以使其连接于设置有承受器部130的腔室110，且第一张力维持辊181和第二张力维持辊182可配备于未设置承受器部130的腔室。
以下，为了便于说明，以第一张力维持辊181和第二张力维持辊182配备于设置有承受器部130的腔室110的外部的情形为中心而详细说明。
另外，石墨烯合成装置100可包括：温度测定部190，设置于腔室110，可确认腔室110的内部温度。在此，温度测定部190可确认腔室110的内部温度而传送给外部的控制部(未图示)。并且，所述控制部可将温度测定部190的温度作为依据而控制加热器部120a、120b及真空泵160等的运行。
而且，石墨烯合成装置100可包括：腔室冷却部(未图示)，可控制腔室110内部的温度。在此，所述腔室冷却部可以使冷却水或制冷剂等沿着腔室110的外表面循环，从而控制腔室110的温度。尤其，所述腔室冷却部可基于通过温度测定部190测定的温度而根据由所述控制部传送的控制信号控制腔室110的温度。
具体而言，当由温度测定部190测定的温度为设定温度以上时，所述控制部可运行所述腔室冷却部而冷却腔室110。并且，当由温度测定部190测定的温度为设定温度以下时，所述控制部可中断所述腔室冷却部的运行，从而防止腔室110被冷却。
另外，以下详细说明石墨烯合成装置100的运行。
当石墨烯合成装置100运行时，第一张力维持辊181和第二张力维持辊182运行而使催化剂金属薄膜C得以在腔室100的内部中移动。在此，形成催化剂金属薄膜C的金属可包括从由镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铂(Pt)、金(Au)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、镁(Mg)、锰(Mn)、钼(Mo)、铑(Rh)、硅(Si)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)等构成的组中选择的至少一种。然而，以下为了便于说明，将形成催化剂金属薄膜C的金属为铜的情形作为中心而详细说明。
当以如上所述的方式供应催化剂金属薄膜C时，催化剂金属薄膜C可在承受器部130之间移动。在此，原料物质供应部140可将原料物质供应到催化剂金属薄膜C的表面。
具体而言，如上所述的原料物质通常可采用从含碳的一氧化碳、甲烷、乙烷、乙烯、乙醇、乙炔、丙烷、丙烯、丁烷、丁二烯、戊烷、戊烯、环戊二烯、己烷、环己烷、苯、甲苯等包含碳原子的组中选择的一种以上的物质。只是为了便于说明，以原料物质包含甲烷的情形为中心而详细说明。
例如，作为气态供碳源的甲烷气体(CH4)随着腔室的内部温度上升而被分解为碳原子和氢原子，且分离的碳原子被吸收于催化剂金属的表面。分离的碳原子扩散于催化剂金属的表面。
原料物质中除了上述供应碳的物质以外还可以包括氢气。在此，氢气可执行除去催化剂金属薄膜C表面的异物并传递加热器部120a、120b的热量的作用。
在以如上所述的方式供应原料物质的时段内，加热器部120a、120b运行而可将热量供应到催化剂金属薄膜C的表面。此时，从加热器部120a、120b产生的热量传递至承受器部130，承受器部130得到加热，从而可以由承受器部130将热量施加于催化剂金属薄膜C的表面。尤其，借助于通过加热器部120a、120b传递的热量，承受器部130的温度上升，且腔室110内部的温度可维持900度～1080度的高温。
当如上所述地由承受器部130施加热量时，在催化剂金属薄膜C的表面上可合成石墨烯。在此，合成石墨烯的方法可按照化学气相沉积法执行。例如，可采用热化学气相沉积法(T-CVD，Thermal Chemical Vapor Deposition)、快速热化学气相沉积法(RT-CVD，Rapid Thermal Chemical VaporDeposition)、感应耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD，Inductive CoupledPlasma Chemical Vapor Deposition)、等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition)。
另外，在如上所述地将原料物质供应到催化剂金属薄膜C的时段内，原料物质吸入部150可在原料物质供应部140的相反侧吸入原料物质。尤其，可由原料物质吸嘴151吸入原料物质并通过原料物质排出管152排出原料物质。而且，在如上所述的作业进行的时段内，真空泵160运行而可将腔室110内部的压力维持在预定水平。
当以如上所述的方式通过原料物质供应部140供应原料物质的同时运行原料物质吸入部150时，承受器部130之间的原料物质的浓度可维持在预定水平。并且，在如上所述的情况下，原料物质的流动顺利，从而使承受器部130之间的原料物质的浓度可维持均匀状态。
于是，催化剂金属薄膜C的表面维持均匀的原料物质浓度，从而可以顺利执行石墨烯的合成。
另外，如上所述地形成于催化剂金属薄膜C的表面的石墨烯可在以后根据需要而如下处理：在石墨烯上层叠载体部件(未图示)，并通过蚀刻等方法除去催化剂金属薄膜C。载体部件例如可使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)。
除去催化剂金属薄膜C的石墨烯被载体部件所搬运，并可转移到靶基板(未图示)。靶基板例如可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET；Polyethyleneterephthalate)。
因此，石墨烯合成装置100在连续合成石墨烯时，可将由加热器部120a、120b施加的热量均匀地提供，因此可迅速而连续地合成石墨烯。并且，石墨烯合成装置100可对合成面积供应均匀的热量，因此可合成均匀的石墨烯膜。
尤其，对于为了形成如上所述的石墨烯而以往使用的化学气相沉积法而言，为了合成石墨烯，在900℃至1080℃之间的高温下实现合成，因此升温或降温可能不自由。尤其，当使用如上所述的以往方法时，可能为了升温或降温而耗用大量的时间。
然而，根据本发明的实施例的石墨烯合成装置100却可以通过承受器部130而将加热器部120a、120b的热量有效地均匀供应。
图2为表示根据本发明的另一实施例的石墨烯合成装置200的示意图。
参考图2，石墨烯合成装置200可包括：腔室210；加热器部220a、220b；承受器部230；原料物质供应部240；原料物质吸入部250；真空泵260；第一切断阀271；第二切断阀272；第三切断阀273；温度测定部290；腔室冷却部(未图示)。在此，腔室210、加热器部220a和220b、承受器部230、原料物质供应部240、原料物质吸入部250、真空泵260、第一切断阀271、第二切断阀272、第三切断阀273、温度测定部290以及所述腔室冷却部可以与所述图1中说明的腔室110、加热器部120a和120b、承受器部130、原料物质供应部140、原料物质吸入部150、真空泵160、第一切断阀171、第二切断阀172、第三切断阀173、温度测定部290及所述腔室冷却部相似地形成。
具体而言，加热器部220a、220b可包括第一加热器部220a和第二加热器部220b，原料物质供应部240可包括原料物质喷嘴241、原料物质供应管242、原料物质贮存部243。而且，原料物质吸入部250可包括原料物质吸嘴251和原料物质排出管252。
第一加热器部220a、第二加热器部220b、承受器部230可相对于地面垂直布置。在此，多个承受器部230可布置为相互分隔预定间距而使催化剂金属薄膜C在承受器部230之间移动。尤其，催化剂金属薄膜C可沿与地面垂直的方向移动于承受器部230之间。
另外，观察石墨烯合成装置200的运行，可以与前述方式类似地合成石墨烯。
具体而言，当催化剂金属薄膜C以垂直于地面的状态得到移送时，原料物质供应部240可将原料物质供应到催化剂金属薄膜C的侧面。此时，原料物质喷嘴241可从所述图2的上方朝催化剂金属薄膜C的侧面喷射原料物质。
当如上所述地喷射原料物质时，原料物质吸入部250可吸入原料物质。尤其，原料物质可被原料物质吸嘴251所吸入而通过原料物质排出管252排出到腔室210的外部。此时，由加热器部220a、220b供应的热量可通过承受器部230而对催化剂金属薄膜C的表面施加热量。
当如上所述地在催化剂金属薄膜C的表面施加热量时，催化剂金属薄膜C可能变形。尤其，催化剂金属薄膜C可能因热量而伸展。在此，由于催化剂金属薄膜C以竖立为垂直于地面的状态移动，因此在重量的作用下不会向承受器部230侧移动。
另外，当催化剂金属薄膜C以如上所述的方式移动时，原料物质得到供应，从而可以合成石墨烯。在此，合成石墨烯的方法以在前面详细说明，故省略重复说明。
并且，在如上所述的工艺进行的时段内，真空泵260可将腔室210内部的压力维持在预定水平。此时，第二切断阀272和第三切断阀273可根据设定的压力值而开闭，从而可以控制原料物质的排出和腔室210内部的压力。
另外，如上所述地制造的石墨烯可搬出到外部。在此，为了搬出到外部而除去催化剂金属薄膜C的方法、搬出到外部而使用的方法均与前述方法类似，故省略详细说明。
因此，石墨烯合成装置200在连续合成石墨烯时，可将由加热器部220a、220b施加的热量均匀地提供，因此可迅速而连续地合成石墨烯。而且，石墨烯合成装置200可对合成面积供应均匀的热量，因此可合成均匀的石墨烯膜。
虽然已结合所述的优选实施例而说明本发明，然而可在不脱离本发明的要旨和范围的前提下实施多样的修改或变形。因此，权利要求书的范围包括属于本发明要旨的这些修改或变形。
产业上的可利用性
根据本发明的一个实施例，提供一种用于制造电气特性提高的石墨烯的石墨烯制造方法，从而可以实现大面积石墨烯的商用化，并可在包含石墨烯的透明电极、活性层、具有此的显示元件、电子元件、光电元件、电池、太阳能电池等中应用本发明的实施例。
Claims (14)
1.一种石墨烯合成装置，包括：
加热器部，将热量施加于连续性的催化剂金属薄膜上；
承受器部，布置于所述催化剂金属薄膜与所述加热器部之间，从而将所述加热器部的热量均匀地提供给所述催化剂金属薄膜；以及
原料物质供应部，将原料物质提供到所述催化剂金属薄膜的侧面。
2.如权利要求1所述的石墨烯合成装置，其中，所述加热器部具有：
第一加热器部，布置于所述催化剂金属薄膜的第一侧面；以及
第二加热器部，以与所述第一加热器部对向的方式布置于所述催化剂金属薄膜的第二面。
3.如权利要求1所述的石墨烯合成装置，其中，所述承受器部具有多个，多个所述承受器部以多层方式布置，所述催化剂金属薄膜从多个所述承受器部之间通过。
4.如权利要求1所述的石墨烯合成装置，其中，还包括：
原料物质吸入部，以与所述原料物质供应部对向的方式设置于所述催化剂金属薄膜的另一侧面，从而吸入所述原料物质。
5.如权利要求1所述的石墨烯合成装置，其中，还包括：
张力维持辊，移送所述催化剂金属薄膜，并维持所述催化剂金属薄膜的张力。
6.如权利要求1所述的石墨烯合成装置，其中，还包括：
腔室，形成外观，内部设置有所述加热器部、所述承受器部、以及所述原料物质供应部的一部分。
7.如权利要求6所述的石墨烯合成装置，其中，还包括：
真空泵，设置于所述腔室而调节所述腔室内部的压力。
8.如权利要求6所述的石墨烯合成装置，其中，所述原料物质供应部具有：
原料物质贮存部，设置于所述腔室的外部而贮存所述原料物质；
原料物质供应管，与所述原料物质贮存部连接，并设置为贯穿所述腔室而使所述原料物质流动；以及
原料物质喷嘴，连接于所述原料物质供应管而将所述原料物质喷射到所述催化剂金属薄膜。
9.一种石墨烯合成方法，包括如下步骤：
加热器部释放热量而加热承受器部；
通过所述承受器部而将所述加热器部的热量均匀地提供到连续供应的催化剂金属薄膜；以及
将原料物质提供到所述催化剂金属薄膜的侧面而合成石墨烯。
10.如权利要求9所述的石墨烯合成方法，其中，所述加热器部在所述催化剂金属薄膜的两面释放热量。
11.如权利要求9所述的石墨烯合成方法，其中，所述承受器部具有多个并以多层方式布置，所述催化剂金属薄膜从多个所述承受器部之间连续通过。
12.如权利要求9所述的石墨烯合成方法，其中，还包括如下步骤：
在所述原料物质的供应侧的相反侧吸入所述原料物质。
13.如权利要求9所述的石墨烯合成装置，其中，所述催化剂金属薄膜是在维持张力的状态下被移送。
14.如权利要求9所述的石墨烯合成装置，其中，所述石墨烯在真空环境中被合成。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2012-0131108 | 2012-11-19 | ||
| KR1020120131108A KR102025365B1 (ko) | 2012-11-19 | 2012-11-19 | 그래핀 합성장치 및 그래핀 합성방법 |
| PCT/KR2013/008815 WO2014077507A1 (ko) | 2012-11-19 | 2013-10-02 | 그래핀 합성장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104797525A true CN104797525A (zh) | 2015-07-22 |
| CN104797525B CN104797525B (zh) | 2018-02-02 |
Family
ID=50731384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201380060353.4A Active CN104797525B (zh) | 2012-11-19 | 2013-10-02 | 石墨烯合成装置及石墨烯合成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150307358A1 (zh) |
| KR (1) | KR102025365B1 (zh) |
| CN (1) | CN104797525B (zh) |
| WO (1) | WO2014077507A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111892042A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-11-06 | 河南墨特石墨烯科技有限公司 | 一种生产石墨烯的装置及利用该装置生产石墨烯的方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104692371B (zh) * | 2015-02-25 | 2016-11-09 | 王干 | 一种微正压连续生产石墨烯膜的方法及装置 |
| KR101860019B1 (ko) * | 2015-07-30 | 2018-05-23 | 한국과학기술연구원 | 그래핀 습식 전사를 위한 장치 및 방법 |
| US10533264B1 (en) * | 2015-12-02 | 2020-01-14 | General Graphene Corp. | Apparatus for producing graphene and other 2D materials |
| WO2018045237A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | Eriez Manufacturing Co. | Sparger status sensor system |
| CN107164739B (zh) * | 2017-06-12 | 2023-03-10 | 中国科学技术大学 | Cvd生长多层异质结的方法和装置 |
| CN107720733B (zh) * | 2017-11-09 | 2018-12-07 | 绍兴蓝能光伏科技有限公司 | 一种具有搅拌和调节温度功能的石墨烯生产设备 |
| GB2571573A (en) * | 2018-03-02 | 2019-09-04 | Donal Oflynn | Graphene and carbon nanostructure production |
| JP7090811B2 (ja) | 2018-12-21 | 2022-06-24 | パフォーマンス ナノカーボン、インコーポレイテッド | 気液物質移動による炭素材料のその場製造および機能化ならびのその使用 |
| CN110668432B (zh) * | 2019-09-27 | 2021-05-14 | 北京碳垣新材料科技有限公司 | 以金属粉末液相为基底生长石墨烯的装置 |
| GB2621077A (en) * | 2021-05-20 | 2024-01-31 | Nabors Energy Transition Solutions Llc | Graphene synthesis unit |
| US20230192495A1 (en) * | 2021-12-22 | 2023-06-22 | Nabors Energy Transition Solutions Llc | Carbon-based nanomaterial composition and methods of forming the same from a gas mixture that includes acetylene and methane gas |
| US11718526B2 (en) | 2021-12-22 | 2023-08-08 | General Graphene Corporation | Systems and methods for high yield and high throughput production of graphene |
| US20230192493A1 (en) * | 2021-12-22 | 2023-06-22 | Nabors Energy Transition Solutions Llc | Carbon-based nanomaterial composition and methods of forming the same from a gas mixture that includes hydrogen gas and oxygen gas |
| WO2023122660A1 (en) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | Nabors Energy Transition Solutions Llc | Carbon-based nanomaterial composition and method of forming the same from a gas mixture that includes acetylene gas and methane gas |
| WO2023122658A1 (en) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | Nabors Energy Transition Solutions Llc | Carbon-based nanomaterial composition and methods of forming the same from a gas mixture that includes acetylene gas |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110195207A1 (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration | Graphene roll-to-roll coating apparatus and graphene roll-to-roll coating method using the same |
| CN102220566A (zh) * | 2011-06-09 | 2011-10-19 | 无锡第六元素高科技发展有限公司 | 一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法 |
| CN102344131A (zh) * | 2011-07-06 | 2012-02-08 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法 |
| US20120234240A1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Nps Corporation | Graphene synthesis chamber and method of synthesizing graphene by using the same |
| KR101190603B1 (ko) * | 2012-03-20 | 2012-10-12 | 남원식 | 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040065255A1 (en) * | 2002-10-02 | 2004-04-08 | Applied Materials, Inc. | Cyclical layer deposition system |
| US20120180725A1 (en) * | 2011-01-17 | 2012-07-19 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Cvd apparatus |
| KR101912798B1 (ko) | 2011-01-31 | 2018-10-30 | 한화에어로스페이스 주식회사 | 그래핀 합성장치 및 합성방법 |
| KR101828530B1 (ko) * | 2011-03-17 | 2018-02-12 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀 합성 장치 |
| KR101828529B1 (ko) * | 2011-03-25 | 2018-02-12 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀 제조 장치 |
| WO2013103886A1 (en) * | 2012-01-06 | 2013-07-11 | Ut-Battelle, Llc | High quality large scale single and multilayer graphene production by chemical vapor deposition |
| KR20130098663A (ko) * | 2012-02-28 | 2013-09-05 | (주)앤피에스 | 박막 제조 장치 및 그 제조 방법 |
-
2012
- 2012-11-19 KR KR1020120131108A patent/KR102025365B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-10-02 US US14/443,905 patent/US20150307358A1/en not_active Abandoned
- 2013-10-02 CN CN201380060353.4A patent/CN104797525B/zh active Active
- 2013-10-02 WO PCT/KR2013/008815 patent/WO2014077507A1/ko active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110195207A1 (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration | Graphene roll-to-roll coating apparatus and graphene roll-to-roll coating method using the same |
| US20120234240A1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Nps Corporation | Graphene synthesis chamber and method of synthesizing graphene by using the same |
| CN102220566A (zh) * | 2011-06-09 | 2011-10-19 | 无锡第六元素高科技发展有限公司 | 一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法 |
| CN102344131A (zh) * | 2011-07-06 | 2012-02-08 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法 |
| KR101190603B1 (ko) * | 2012-03-20 | 2012-10-12 | 남원식 | 기판 처리 장치 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111892042A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-11-06 | 河南墨特石墨烯科技有限公司 | 一种生产石墨烯的装置及利用该装置生产石墨烯的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104797525B (zh) | 2018-02-02 |
| WO2014077507A1 (ko) | 2014-05-22 |
| KR20140064132A (ko) | 2014-05-28 |
| US20150307358A1 (en) | 2015-10-29 |
| KR102025365B1 (ko) | 2019-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104797525A (zh) | 石墨烯合成装置 | |
| JP4811690B2 (ja) | カーボンナノチューブ成膜方法及び成膜装置 | |
| CN101213321B (zh) | 纳米结构体的制造方法和设备 | |
| CN102958832B (zh) | 石墨烯制造设备及方法 | |
| TWI374857B (en) | Method for manufacturing single-walled carbon nanotube | |
| US7824649B2 (en) | Apparatus and method for synthesizing a single-wall carbon nanotube array | |
| CN103459316A (zh) | 用于制造石墨烯的方法和设备 | |
| US20080226536A1 (en) | Method and apparatus for producing single-wall carbon nanotubes | |
| US20160102402A1 (en) | Systems and methods for production of graphene by plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
| CN103502507A (zh) | 使用连续热处理化学气相沉积法制造高质量石墨烯的方法 | |
| US11053123B2 (en) | Method of producing carbon nanotubes in fluidized bed reactor | |
| US20130189432A1 (en) | Carbon nanotube producing apparatus and carbon nanotube producing method | |
| JP6606547B2 (ja) | 複数の液体または固体の原材料からｃｖｄまたはｐｖｄ装置のために蒸気を生成する蒸気発生装置および蒸気発生方法 | |
| TW200909605A (en) | Method and apparatus for generating a carbon nanotube | |
| JP2011219316A (ja) | カーボンナノチューブ配向集合体の製造装置 | |
| Shudin et al. | The role of solid, liquid and gaseous hydrocarbon precursors on chemical vapor deposition grown carbon nanomaterials' growth temperature | |
| CN108004522A (zh) | 一种等离子体增强原子层沉积碳化镍薄膜的设备及方法 | |
| KR20020026663A (ko) | 탄소나노튜브 또는 탄소나노섬유 합성용 기상합성 장치 및이를 사용한 합성방법 | |
| CN104797524B (zh) | 制备石墨烯的方法及所述石墨烯、使用所述石墨烯的电子设备 | |
| Misaki et al. | Effect of growth temperature and ethanol flow rate on synthesis of single-walled carbon nanotube by alcohol catalytic chemical vapor deposition using Ir catalyst in hot-wall reactor | |
| Samandari-Masouleh et al. | Kinetic modeling of carbon nanotube production and minimization of amorphous carbon overlayer deposition in floating catalyst method | |
| Yu et al. | A combined CFD modeling and experimental study of pyrolytic carbon deposition | |
| KR100976198B1 (ko) | 탄소나노튜브 제조장치 및 그 방법 | |
| CN105314625A (zh) | 一种石墨烯生长设备及其制备石墨烯的方法 | |
| JP2002180252A (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: Gyeongnam Changwon City, South Korea Applicant after: SAMSUNG TECHWIN CO., LTD. Address before: Gyeongnam Changwon City, South Korea Applicant before: Samsung Techwin Co., Ltd. |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: SAMSUNG TAI KEWEI CO., LTD. TO: HANWHA TECHWIN CO., LTD. Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: |
|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Gyeongnam Changwon City, South Korea Patentee after: South Korea and China Aerospace Corporation Address before: Gyeongnam Changwon City, South Korea Patentee before: HANWHA TECHWIN CO., LTD. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210301 Address after: Gloucestershire Patentee after: Vosarun Ltd. Address before: Gyeongnam Changwon City, South Korea Patentee before: HANWHA AEROSPACE Co.,Ltd. |