KR100976198B1 - 탄소나노튜브 제조장치 및 그 방법 - Google Patents

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Abstract

탄소나노튜브 제조장치는 금속촉매와 소스가스가 주입되는 반응기 및 반응기 내에 구비되어 소스가스를 분산시키는 분산판을 구비한다. 반응기는 하부폭은 감소되고, 상부폭은 증가된다. 이에 따라, 반응기의 상부 영역과 하부 영역간의 소스가스 속력차가 증가하므로, 작은 크기의 금속촉매 입자가 배기구를 통해 배출되지 않고, 반응기의 상부영역에서 부유한다. 따라서, 탄소나노튜브 제조장치는 금속촉매의 유실을 감소시키고, 제조 원가를 절감하며, 생산성을 향상시킬 수 있다.

Description

탄소나노튜브 제조장치 및 그 방법{APPARATUS AND METHOD OF PRODUCING CARBON NANO TUBE}
본 발명은 탄소나노튜브 제조장치 및 그 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 촉매 입자를 유동시켜 탄소나노튜브를 생성하기 위한 탄소나노튜브 제조장치 및 그 방법에 관한 것이다.
탄소나노튜브(Carbon Nanotubes : CNTs)는, 서로 이웃하는 세 개의 탄소 원자가 육각형의 벌집 무늬로 결합되어 탄소 평면을 이루고 탄소 평면이 원통형으로 말려서 튜브 형상으로 이루어진 것을 말한다.
탄소나노튜브는 그 구조에 따라 금속적인 도전성 또는 반도체적인 도전성을 나타내며, 여러 기술 분야에 폭넓게 응용될 수 있어 미래의 신소재로 각광을 받고 있다. 예컨대, 탄소나노튜브는 이차 전지, 연료 전지 또는 수퍼 커패시터와 같은 전기 화학적 저장 장치의 전극, 전자파 차폐, 전계 방출 디스플레이, 또는 가스 센서 등에 적용 가능하다.
탄소나노튜브는 고온의 반응기 안에 금속 촉매 입자와 탄화수소 계열의 소스 가스를 분산 및 반응시켜서 생성된다. 즉, 금속 촉매는 소스 가스에 의해 반응기 안을 부유하면서 소스 가스와 반응하여 탄소나노튜브를 성장시킨다. 탄소나노튜브를 생성하는 동안, 소스 가스는 지속적으로 반응기에 주입되고, 반응기 안의 가스는 소스 가스의 원활한 흐름을 위해서 반응기 상면에 형성된 배기홀을 통해 배기장치로 배출된다.
그러나, 금속 촉매 입자들 중 그 크기가 작은 입자들은 소스 가스와 반응하기도 전에 배기홀을 통해 배기장치에 흡입되므로, 금속 촉매가 유실된다.
본 발명의 목적은 금속 촉매의 유실을 감소시킬 수 있는 탄소나노튜브 제조장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 탄소나노튜브 제조장치를 이용하여 탄소나노튜브를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 탄소나노 튜브 제조장치는, 반응기 및 분산판으로 이루어진다.
반응기는 금속촉매와 소스가스가 서로 반응하여 탄소나노튜브가 생성되는 반응공간을 제공하고, 분산판은 상기 반응공간에 구비되어 상기 소스가스를 분산시킨다. 상기 반응공간은 상기 분산판이 구비된 제1 반응공간과 상기 제1 반응공간의 상부에 위치하는 제2 반응공간으로 구획되며, 상기 반응기는 상기 제1 반응공간에 대응하는 폭이 상기 분산판으로부터 상측으로 갈수록 점차 넓어진다.
또한, 상기 반응기는 상기 제2 반응공간에 대응하는 폭이 상기 제1 반응공간에 대응하는 최대폭보다 크거나 같다.
한편, 상기 배기구는 상기 상면의 단부에 위치한다.
탄소나노튜브 제조장치는 상기 반응기의 외측벽에 인접하게 구비되고, 상기 반응기를 가열하는 히팅부를 더 포함한다. 상기 히팅부는 상기 제1 반응공간에 대응하는 제1 영역과 상기 제2 반응공간에 대응하는 제2 영역이 서로 다른 온도를 갖 고, 상기 제1 영역의 온도가 상기 제2 영역의 온도보다 높다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 탄소나노 튜브 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 반응기 내부에 금속촉매와 소스가스를 제공한다. 상기 반응기의 하부영역과 상부영역 간의 소스가스 속력차를 증가시켜 상기 금속촉매를 입자 크기에 따라 분리하여 서로 다른 영역에서 부유시킨다.상기 소스가스와 상기 금속촉매가 반응하여 탄소나노튜브를 생성한다.
상기 금속촉매를 부유시키는 과정은, 상기 반응기의 폭을 하단부로부터 상단부로 갈수록 폭을 증가시켜 상대적으로 크기가 큰 금속촉매 입자들은 상기 소스가스의 상기 반응기의 하부 영역에서 부유시키고, 크기가 작은 금속촉매 입자들은 상기 반응기의 상부 영역에서 부유시킨다.
이러한 본 발명에 따른 탄소나노튜브 제조장치 및 그 방법에 의하면, 반응기 의 하부폭은 축소시키고, 상부폭은 확대시켜 상기 반응기의 상부영역과 하부영역 간의 소스가스 속력차를 증가시킨다. 이에 따라, 반응기의 하부영역에서는 상대적으로 입자 크기가 큰 금속촉매 입자가 부유되고, 상부영역에서는 상대적으로 입자 크기가 작은 금속촉매 입자가 부유된다. 따라서, 탄소나노튜브 제조장치는 작은 크기의 금속촉매 입자가 배기구를 통해 배출되는 것을 감소시키므로, 금속촉매의 유실을 감소시키고, 제조 원가를 절감하며, 생산성을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하 게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브 제조장치를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 탄소나노튜브(Carbon Nanotubes : CNTs) 제조장치(100)는 반응기(110), 촉매 공급노즐(120), 소스가스 라인(130), 분산판(140), 제1 및 제2 히팅부(151, 152), 및 회수라인(160)을 포함한다.
구체적으로, 상기 반응기(110)는 바디부(111) 및 커버부(112)로 이루어진다. 상기 바디부(111)는 상면이 개구된 원통 형상을 갖고, 열에 강한 재질, 예컨대, 스테인레스로 이루어진다. 상기 바디부(111)는 소스가스(SG)가 예열되는 예열공간(PHS) 및 탄소나노튜브(CNT)의 제조 공정이 이루어지는 반응 공간(RS)을 제공하고, 상기 반응 공간(RS)은 제1 반응 공간(RS1) 및 상기 제1 반응 공간(RS1)의 상부에 위치하는 제2 반응 공간(RS2)으로 구획된다.
상기 바디부(111)의 상부에는 상기 커버부(112)가 구비된다. 상기 커버부(112)는 상기 바디부(111)와 결합하여 상기 바디부(111)를 밀폐시킨다. 상기 커버부(112)에는 금속촉매(MC)와 소스가스(SG)의 반응에 의해 형성된 배기가스(EG)를 외부로 배출하는 배기구(112a)가 형성된다. 상기 배기구(112a)는 배기장치(미도시)에 연결되어 상기 배기가스(EG)를 상기 배기 장치에 제공한다.
상기 배기구(112a)는 상기 커버부(112) 상면의 단부에 형성되어 상기 금속촉매(MC)가 상기 배기구(112a)를 통해 유실되는 것을 최소화한다. 즉, 상기 반응공간(RS)에 유입된 상기 소스가스(SG)의 유속은 상기 반응공간(RS)의 중앙부로부터 상기 반응기(110)의 측벽으로 갈수록 점차 감소한다. 따라서, 상기 커버부(112)의 중앙부보다 단부측의 유속이 상대적으로 작으므로, 상기 금속촉매(MC)의 유실을 감소시키고, 상기 배기가스(EG)를 효율적으로 배출할 수 있다.
상기 바디부(111)는 상기 금속촉매(MC)를 제공하는 상기 촉매 공급노즐(120)과 연결된다. 상기 촉매 공급노즐(120)의 출력단은 상기 바디부(111)의 측벽을 관통하여 상기 제1 반응공간(RS1)에 구비되고, 상기 금속촉매(MC)를 상기 제1 반응공간(RS1)에 제공한다. 여기서, 상기 금속촉매(MC)로는 자성체를 갖는 유기금속 화합물, 예컨대, 철(Fe), 코발트, 니켈 등이 이용된다.
한편, 상기 소스가스 라인(130)은 상기 바디부(111)의 하부에 구비된다. 이 실시예에 있어서, 상기 탄소나노튜브 제조장치(100)는 하나의 소스가스 라인(130)을 구비하나, 상기 소스가스 라인(130)의 개수는 상기 반응기(110)의 크기에 따라 증가할 수도 있다.
상기 소스가스 라인(130)은 상기 바디부(111)의 바닥면에 결합되고, 상기 소스가스(SG)를 상기 바디부(111)로 제공한다. 여기서, 상기 소스가스(SG)로는 탄화수소 계열 가스, 예컨대, 아세틸렌, 에틸렌, 메탄 가스 등이 이용된다. 상기 바디부(111)의 바닥면에는 상기 소스가스 라인(130)과 일대일 대응하여 소스가스 공급홀(111a)이 형성된다. 상기 소스가스(SG)는 상기 소스가스 라인(130)으로부터 상기 소스가스 공급홀(111a)을 통해 상기 예열공간(PHS)으로 유입된다.
한편, 상기 분산판(140)은 상기 제1 반응공간(RS1)과 상기 예열공간(PHS)의 경계부에 구비된다. 상기 분산판(140)은 상기 바디부(111)의 바닥면으로부터 이격되어 상기 바닥면과 마주하고, 상기 촉매 공급노즐(120)의 아래에 배치된다. 상기 분산판(140)은 상기 소스가스(SG)를 균일하게 분산시키는 다수의 분산홀(141)을 갖는다. 즉, 상기 소스가스(SG)는 상기 소스가스 라인(130)으로부터 상기 예열공간(PHS)으로 유입되고, 상기 예열공간(PHS)에 유입된 소스가스(SG)는 상기 분산홀들(141)을 통해 상기 제1 반응공간(RS1)에 분산된다.
상기 분산판(140)의 상부로 유입된 상기 금속촉매(MC)는 상기 분산홀들(141)을 통해 유입된 소스가스(SG)에 의해 상기 반응공간(RS)을 부유하면서 상기 소스가스(SG)와 반응한다. 이에 따라, 상기 금속촉매(MC)에 상기 탄소나노튜브(CNT)가 성장된다.
이와 같이, 상기 탄소나노튜브(CNT)는 상기 금속촉매(MC)가 상기 반응공간(RS)을 부유하면서 생성되기 때문에, 상기 금속촉매(MC)의 부유가 활성화될수록 상기 탄소나노튜브(CNT)의 성장이 활성화된다.
상기 금속촉매(MC)의 부유 정도는 상기 소스가스(SG)의 압력에 따라 조절되며, 상기 소스가스(SG)의 압력은 상기 금속촉매(MC)의 입자 크기에 따라 결정된다. 일반적으로, 상기 금속촉매(MC)의 입자 크기는 약 0.6㎛ 내지 약 300㎛로서, 입자 분포도가 넓다. 따라서, 상기 소스가스(SG)는 중간 크기의 금속촉매 입자를 기준으로 그 압력이 결정된다. 이로 인해, 상대적으로 작은 크기의 금속촉매 입자들은 기 설정된 소스 가스(SG)의 압력이 자신의 크기에 적합한 적정 압력보다 크므로, 상기 반응 공간(RS) 내에서 정상적으로 부유되지 못하고 상기 배기구(112a)를 통해 외부로 배출될 가능성이 높다.
상기 반응기(110)는 상대적으로 작은 크기의 금속촉매 입자들이 상기 배기구(112a)를 통해 유실되는 것을 최소화하기 위해, 상기 금속촉매(MC)의 입자 크기에 따라 영역을 분리하여 상기 금속촉매(MC)를 부유시킨다.
구체적으로, 상기 바디부(111)는 상기 제1 반응공간(RS1)에 대응하는 폭(W1)이 상기 분산판(140)으로부터 상측으로 갈수록 점차 증가한다. 즉, 상기 바디부(111)는 상기 제1 반응공간(RS1)을 정의하는 측벽이 지면에 대해 소정 각도(θ)로 기울어지게 형성되므로, 상기 제1 반응공간(RS1)의 폭이 하부로부터 상부로 갈수록 점차 증가한다. 본 발명의 일례로, 상기 제1 반응공간(RS1)을 정의하는 측벽의 기울기(θ)는 상기 지면에 대해 약 30도 내지 약 40도이다.
또한, 상기 바디부(111)는 상기 제2 반응공간(RS2)에 대응하는 폭(W2)이 균일하게 형성되고, 상기 제1 반응공간(RS1)에 대응하는 최대폭과 동일한 폭을 갖는다.
이와 같이, 상기 반응공간(RS)은 상부로 갈수록 그 폭이 확장되므로, 하부영역과 상부영역 간의 압력차가 커진다. 즉, 베르누이의 정리(Bernoulli's theorem)에 의하면, 유체는 좁은 통로를 흐를 때 속력이 증가하고, 넓은 통로를 흐를 때 속력이 감소한다. 또한, 유체의 속력이 증가하면 압력이 낮아지고, 반대로 감소하면 압력이 높아진다.
이러한 베르누이의 정리에 따라, 상기 제1 반응공간(RS1)의 하부로 갈수록 상기 소스가스(SG)의 속력이 증가하여 압력이 낮아지고, 상기 제2 반응공간(RS2)은 상기 제1 반응공간(RS1)보다 상기 소스가스(SG)의 속력이 감소하여 소스가스(SG)의 압력이 높아진다. 이에 따라, 상기 금속촉매(MC) 중 크기가 큰 금속촉매 입자들은 상기 제1 반응공간(RS1)에서 부유하고, 크기가 작은 금속촉매 입자들은 상기 제2 반응공간(RS2)에서 부유한다.
이와 같이, 상기 반응기(110)는 상기 금속촉매 입자들의 크기에 따라 분리하여 서로 다른 속력의 소스가스(SG)로 부유시키므로, 작은 크기의 금속촉매 입자가 상기 배기구(112a)를 통해 배출되는 것을 감소시킨다.
이에 따라, 상기 반응기(110)는 상기 탄소나노튜브(CNT)의 성장을 활성화시키고, 생산성을 향상시키며, 제조 원가를 절감한다.
또한, 상기 제1 반응공간(RS1)의 하부폭이 종래보다 감소하므로, 상기 분산판(140)의 직경(DD)이 종래보다 감소한다. 이에 따라, 상기 금속촉매(MC)를 종래와 동일한 양으로 공급하더라도, 상기 분산판(140)에 적재되는 금속촉매층의 높이가 증가하므로, 금속촉매층의 팽창률이 상승하고, 가스 활용률이 상승하며, 상기 탄소나노튜브(CNT)의 순도가 향상된다.
한편, 상기 바디부(111)의 외측벽에는 상기 제1 및 제2 히팅부(151, 152)가 구비된다. 상기 제1 및 제2 히팅부(151, 152)는 상기 바디부(111)를 가열하여 상기 제1 반응 공간(RS1)의 온도를 적정 온도로 유지시킨다. 구체적으로, 상기 제1 히팅부(151)는 상기 예열공간(PHS)과 대응하는 영역에 구비되고, 상기 예열공간(PHS)의 온도를 적정 온도로 상승시킨다. 이에 따라, 상기 예열공간(PHS)으로 유입된 소스가스(SG)가 가열된다.
상기 제2 히팅부(152)는 상기 반응공간(RS)과 대응하는 영역에 구비되고, 상 기 반응공간(RS)의 온도를 상기 탄소나노튜브(CNT)의 성장을 활성화하기 위한 적정 온도로 유지시킨다. 여기서, 상기 바디부(111)는 상기 제1 반응공간(RS1)의 측벽이 소정각도로 기울어지므로, 하부로 갈수록 상기 제2 히팅부(152)와의 이격 거리가 증가하고, 상기 제2 히팅부(152)로부터의 열 전도율이 감소된다.
이를 감안하여, 상기 제2 히팅부(152)는 상기 제1 반응공간(RS1)에 대응하는 제1 영역(A1)의 온도와 상기 제2 반응공간(RS2)에 대응하는 제2 영역(A2)의 온도를 서로 다르게 조절된다. 즉, 상기 제2 히팅부(152)는 상기 제1 영역(A1)의 온도를 상기 제2 영역(A2)의 온도보다 높게 설정하여 상기 제1 반응공간(RS1)와 상기 제2 반응공간(RS2) 간의 온도를 동일하게 형성한다.
한편, 상기 반응 공간(RS)에 형성된 상기 탄소나노튜브(CNT)는 상기 회수 라인(160)을 통해 외부로 배출된다. 즉, 상기 회수 라인(160)은 상기 바디부(111) 측벽에 연결되고, 상기 탄소나노튜브(CNT)가 흡입되는 입력단이 상기 제1 반응 공간(RS1)에 구비되어 상기 분산판(140)의 상부에 배치된다. 상기 회수 라인(160)은 상기 탄소나노튜브(CNT)가 성장된 금속촉매를 상기 반응기(110)로부터 제공받아 외부의 탄소나노튜브 포집 장치(미도시)에 제공한다.
이하, 도면을 참조하여 상기 탄소나노튜브 제조장치(100)에서 상기 탄소나노튜브(CNT)가 생성되는 과정을 구체적으로 설명한다.
도 2 및 도3은 도 1에 도시된 탄소나노튜브 제조장치에서 탄소나노튜브를 제조하는 공정 과정을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 먼저, 상기 제1 및 제2 히팅부(151, 152)는 상기 반응기(110)를 가열하여 상기 제1 반응 공간(RS1)의 온도를 적정 온도, 예컨대, 약 섭씨 600도 이상으로 상승 및 유지시킨다.
상기 촉매 공급노즐(120)은 상기 금속 촉매(MC)를 상기 바디부(111)에 제공하고, 이에 따라, 상기 분산판(140)의 상면에 금속촉매층(MCL)이 형성된다. 여기서, 상기 바디부(111)는 상기 분산판(140)이 위치하는 부분의 폭이 종래보다 감소하므로, 상기 금속촉매층(MCL)의 두께가 상승한다. 따라서, 상기 금속촉매층(MCL)의 팽창율을 상승시키고, 상기 탄소나노튜브(CNT)의 순도를 향상시키며, 가스 활용율을 향상시킨다.
도 3을 참조하면, 상기 소스가스 라인(130)은 상기 소스 가스(SG)를 상기 바디부(111)에 제공한다. 상기 소스 가스(SG)는 상기 소스가스 공급홀(111a)을 통해 상기 예열공간(PHS)으로 유입되고, 상기 분산판(140)의 분산홀들(141)을 통해 상기 반응공간(RS)으로 유입된다. 여기서, 상기 소스 가스(SG)는 상기 분산판(140) -> 상기 반응공간(RS)의 상부영역 -> 상기 바디부(111)의 측벽 -> 상기 반응공간(RS)의 하부영역 순으로 이동하면서 순환한다.
상기 분산판(140)의 상면에 증착된 금속촉매(MC)는 상기 분산홀들(141)을 통과한 소스가스(SG)에 의해 상기 제1 반응공간(RS1)과 상기 제2 반응공간(RS2)을 부유하면서 상기 소스가스(SG)와 반응하여 상기 탄소나노튜브(CNT)를 성장시킨다.
구체적으로, 상기 금속촉매(MC) 중 크기가 큰 입자들(MCP1)은 상기 제2 반응 공간(RS2)에 비해 상대적으로 상기 소스가스(SG)의 속력이 높은 상기 제1 반응공간(RS1)에서 부유한다. 반면, 크기가 작은 입자들(MCP2)은 상기 제1 반응공간(RS1) 보다 상기 소스가스(SG)의 속력이 낮은 상기 제2 반응공간(RS2)에서 부유한다.
이와 같이, 상기 금속촉매(MC)는 입자들의 크기에 따라 분리되어 서로 다른속력의 소스가스에 의해 부유되므로, 상기 반응기(110)는 상기 작은 크기의 입자들(MCP2)이 상기 배기구(112a)를 통해 배출되는 것을 최소화한다. 이에 따라, 상기 탄소나노튜브 제조장치(100)는 상기 금속촉매(MC)의 손실을 감소시키고, 생산성을 향상시키며, 제조 원가를 절감할 수 있다.
한편, 상기 탄소나노튜브(CNT)를 생성하는 동안, 상기 반응공간(RS)에 생성된 상기 배기가스(EG)는 상기 반응기(110) 상면의 상기 배기구(112a)를 통해 상기 배기 장치로 흡입된다.
상기 탄소나노튜브(CNT)의 생성이 완료되면, 상기 탄소나노튜브가 성장된 금속촉매는 상기 회수라인(160)을 통해 상기 탄소나노튜브 포집장치로 유입된다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브 제조장치를 나타낸 도면이다.
도 2 및 도3은 도 1에 도시된 탄소나노튜브 제조장치에서 탄소나노튜브를 제조하는 공정 과정을 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 : 탄소나노튜브 제조장치 110 : 반응기
120 : 촉매 공급노즐 130 : 소스가스 라인
140 : 분산판 151, 152 : 히팅부
160 : 회수라인

Claims (9)

  1. 금속촉매가 부유하면서 상기 금속촉매와 소스가스가 서로 반응하여 탄소나노튜브가 생성되는 반응공간을 제공하고, 상기 탄소나노튜브를 생성하는 과정에서 상기 반응공간 내에 생성된 배기 가스를 외부로 배출하는 배기구가 상면의 단부에 형성된 반응기;
    상기 반응공간에 구비되어 상기 소스가스를 분산시키는 분산판; 및
    상기 반응기의 측벽에 연결되어 상기 반응공간 내에서 생성된 탄소나노튜브를 회수하며, 상기 반응공간 내의 탄소나노튜브를 흡입하는 입력단이 상기 분산판의 상부에 설치된 회수라인을 포함하고,
    상기 반응공간은 상기 분산판과 상기 회수라인의 입력단이 위치하는 제1 반응공간과 상기 제1 반응공간의 상부에 위치하는 제2 반응공간으로 구획되며,
    상기 반응기는 상기 제1 반응공간에 대응하는 폭이 상기 분산판으로부터 상측으로 갈수록 점차 넓어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반응기는 상기 제2 반응공간에 대응하는 폭이 상기 제1 반응공간에 대응하는 최대폭보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반응기의 측벽은 상기 제1 반응공간을 정의하는 부분이 지면에 대해 30도 내지 40도 기울어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 반응기 내부에 금속촉매와 소스가스를 제공하는 단계;
    상기 반응기의 하부영역과 상부영역 간의 소스가스 속력차를 증가시켜 상기 금속촉매를 입자 크기에 따라 분리하여 서로 다른 영역에서 부유시키는 단계;
    상기 소스가스와 상기 금속촉매가 반응하여 탄소나노튜브를 생성하는 단계; 및
    상기 반응기 내에서 생성된 탄소나노튜브를 상기 반응기 측벽에 연결된 회수라인을 통해 회수하는 단계를 포함하고,
    상기 금속촉매를 부유시키는 단계는, 상기 반응기의 폭이 하단부로부터 상단부로 갈수록 증가되도록 제공함으로써, 상대적으로 크기가 큰 금속촉매 입자들은 상기 소스가스의 상기 반응기의 하부 영역에서 부유시키고, 크기가 작은 금속촉매 입자들은 상기 반응기의 상부 영역에서 부유시키며,
    상기 탄소나노튜브를 생성하는 동안 상기 반응기 내에서 생성된 배기 가스를 상기 반응기 상면의 단부에 제공된 배기구를 통해 배기시키는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법.
  9. 삭제
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