CN104736497B - 氧化物烧结体、氧化物溅射靶和高折射率的导电性氧化物薄膜、以及氧化物烧结体的制造方法 - Google Patents

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和高折射率的导电性氧化物薄膜、以及氧化物烧结体的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种烧结体，其特征在于，包含铟(In)、以及钛(Ti)或铬(Cr)、以及锌(Zn)或锡(Sn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～65摩尔％In，分别以TiO2换算或Cr2O3换算含有2～65摩尔％Ti或Cr；将In的原子比设为A(原子％)、将Ti或Cr的原子比设为B(原子％)、将Zn或Sn的原子比设为C(原子％)时，0.5≤A/B≤5，0＜C/(A+B)＜10。该烧结体的体电阻低，能够DC溅射，并且能够形成透明且高折射率的薄膜。

Description

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和高折射率的导电性氧化物薄 膜、以及氧化物烧结体的制造方法
技术领域
本发明涉及一种氧化物烧结体、氧化物溅射靶和高折射率的导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法，尤其是涉及体电阻低、能够DC溅射的烧结体溅射靶以及使用该溅射靶制作的高折射率膜。
背景技术
在显示器、触控面板等各种光学器件中，在利用可见光的情况下，需要所使用的材料是透明的，特别是在可见光区域的整个区域内期望具有高透射率。另外，在各种光学器件中，有时会发生由构成的膜材料与基板的界面处的折射率差引起的光损失，作为改善这些光损失的方法，有引入用于调节折射率、光学膜厚的光学调节膜的方法。光学调节膜所要求的折射率根据各种器件的结构而不同，因此需要具有宽范围的折射率。另外，根据使用场合，有时也要求导电性。
通常作为透明且具有导电性的材料，已知ITO(氧化铟-氧化锡)、IZO(氧化铟-氧化锌)、GZO(氧化镓-氧化锌)、AZO(氧化铝-氧化锌)等(专利文献1～3)。但是，这些材料在波长550nm下的折射率在约1.95～约2.05的范围内，不能作为用于光学调节的高折射率材料(n＞2.05)和低折射率材料(n＜1.95)使用。另外，对于ITO而言存在的问题是，为了提高透射率，在成膜时加热基板，或者在成膜后需要退火，难以用于不能加热的塑料基板、有机EL器件用途等。另外，对于IZO而言存在的问题是，在短波长侧具有吸收，因此会变成带有黄色的膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-008780号公报
专利文献2：日本特开2009-184876号公报
专利文献3：日本特开2007-238375号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的课题在于提供一种能够得到能够实现可见光的高透射率和高折射率的导电性薄膜的烧结体。该薄膜的透射率高且折射率高，因此作为显示器、触摸面板等光学器件用薄膜、尤其是光学调节用薄膜是有用的。另外，本发明的课题在于提供一种相对密度高、体电阻低、能够DC溅射的溅射靶。本发明的目的在于提高光学器件的特性、降低设备成本、大幅改善成膜特性。
用于解决问题的手段
为了解决上述的问题，本发明人等进行了深入研究，结果发现，通过采用下述提出的材料体系，能够得到高透射率且高折射率的导电性薄膜，能够确保良好的光学特性，进而能够通过DC溅射稳定地成膜，能够改善使用该薄膜的光学器件的特性，并且能够提高生产率。
本发明基于该发现，提供下述的发明。
本发明提供：
1)一种烧结体，其特征在于，包含铟(In)、以及钛(Ti)或铬(Cr)、以及锌(Zn)或锡(Sn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～65摩尔％In，分别以TiO2换算或Cr2O3换算含有2～65摩尔％Ti或Cr；将In的原子比设为A(原子％)、将Ti或Cr的原子比设为B(原子％)、将Zn或Sn的原子比设为C(原子％)时，0.5≤A/B≤5，0＜C/(A+B)＜10。
2)如上述1)所述的烧结体，其特征在于，以In2O3换算含有2～30摩尔％In，分别以TiO2换算或Cr2O3换算含有3～30摩尔％Ti或Cr，分别以ZnO换算或SnO2换算含有40摩尔％以上的Zn或Sn。
3)如上述1)或2)所述的烧结体，其特征在于，0＜C/(A+B)＜5。
4)如上述1)～3)中任一项所述的烧结体，其特征在于，相对密度为90％以上。
5)如上述1)～4)中任一项所述的烧结体，其特征在于，体电阻为10Ω·cm以下。
6)一种薄膜，其特征在于，包含铟(In)、以及钛(Ti)或铬(Cr)、以及锌(Zn)或锡(Sn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～65摩尔％In，分别以TiO2换算或Cr2O3换算含有2～65摩尔％Ti或Cr；将In的原子比设为A(原子％)、将Ti或Cr的原子比设为B(原子％)、将Zn或Sn的原子比设为C(原子％)时，0.5≤A/B≤5，0＜C/(A+B)＜10。
7)如上述6)所述的薄膜，其特征在于，波长550nm下的折射率为2.05以上。
8)如上述6)或7)所述的薄膜，其特征在于，波长450nm下的消光系数为0.05以下。
9)如上述6)～8)中任一项所述的薄膜，其特征在于，比电阻为1MΩ·cm以下。
10)一种烧结体的制造方法，其为制造上述1)～5)中任一项所述的烧结体的方法，其特征在于，将原料粉末在惰性气体或真空环境下、在900℃以上且1500℃以下加压烧结，或者将原料粉末压制成形，然后将该成形体在惰性气体或真空环境下、在1000℃以上且1500℃以下常压烧结。
发明效果
根据本发明，通过采用上述所示的材料体系，能够得到高透射率且高折射率的导电性膜，并且能够确保所期望的光学特性。另外，本发明具有以下优良效果：提高各种光学器件的特性、降低设备成本、通过提高成膜速度而大幅改善生产率。
具体实施方式
本发明的特征在于，包含铟(In)、以及钛(Ti)或铬(Cr)、以及锌(Zn)或锡(Sn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～65摩尔％In，分别以TiO2换算或Cr2O3换算含有2～65摩尔％Ti或Cr；将In的原子比设为A(原子％)、将Ti或Cr的原子比设为B(原子％)、将Zn或Sn的原子比设为C(原子％)时，0.5≤A/B≤5，0＜C/(A+B)＜10。由此能够得到具有高透射率且高折射率的导电性膜。
另外，本发明的材料以铟(In)、钛(Ti)或铬(Cr)、锌(Zn)或锡(Sn)、以及氧(O)为构成元素，但是在该材料中还可以含有不可避免的杂质。
本发明的材料体系包含由式：M1M2O3(M3O)m(M1：第一成分、M2：第二成分、M3：第三成分、m：1以上的自然数)表示的同系化合物，是能够成为同系物结构的材料，并且作为高折射率材料，可以列举：第一成分中的In或Fe，第二成分中的Ti、Cr、In、Fe或Sn，第三成分中的Zn、Sn、Cu、Mn、Fe或Co。但是，Fe、Cu、Mn、Co的带隙小，在可见光区域产生吸收，因此不优选。
因此，作为第一成分决定采用In。另外，第三成分决定采用Zn或Sn。此外，为了提高折射率，作为第二成分不能使用In和Sn，因此作为第二成分决定采用Ti或Cr。
在本发明中，In的含量以In2O3换算为2～65摩尔％。进一步优选为2～30摩尔％。另外，Ti或Cr的含量分别以TiO2换算或Cr2O3换算为3～65摩尔％。进一步优选为3～30摩尔％。作为第三成分的Zn或Sn的含量可以从In和Ti或Cr的含量以及上述规定的C/(A+B)的原子比导出，优选地，以ZnO或SnO换算为40摩尔％以上。由此可以实现具有期望的高透射率且高折射率的导电性膜。
在本发明中，设定A/B原子比为0.5≤A/B≤5。超过该范围时，得不到所期望的光学特性，因而不优选。特别是，A/B为5以上时，高折射率材料(Ti或Cr)的含量减少，存在折射率降低的问题。另外，在本发明中，设定C/(A+B)原子比为0＜C/(A+B)＜10，更优选为0＜C/(A+B)＜5。超出该范围时，与上述同样地高折射率材料的含量减少，存在不能得到所期望的高折射率的问题。
本发明的烧结体在作为溅射靶使用的情况下，优选相对密度为90％以上。密度的提高具有以下效果，能够提高溅射膜的均匀性，而且抑制溅射时产生粉粒。相对密度为90％以上可以通过后述的本发明的烧结体的制造方法实现。
另外，本发明的烧结体在作为溅射靶使用的情况下，体电阻优选为10Ω·cm以下。由于体电阻降低，因而能够通过DC溅射成膜。DC溅射与RF溅射相比，成膜速度更快，溅射效率更优良，能够提高生产量。另外，根据制造条件，也有进行RF溅射的情况，即使在这种情况下，成膜速度也得到提高。
本发明的通过溅射制作的薄膜在波长550nm下的折射率能够达到2.05以上。另外，本发明的薄膜在波长450nm下的消光系数能够达到0.05以下。此外，本发明的薄膜的比电阻能够达到1MΩ·cm以下。这样高折射率并且透射率高的导电性薄膜，作为光学调节用薄膜在显示器、触控面板等光学器件用途中是有用的。特别是，本发明能够得到在波长450nm下的消光系数为0.01以下且在短波长区域中几乎不发生吸收的高折射率的膜，因此，可以说是用于得到所期望的光学特性的优良的材料。
本发明的薄膜，在上述组成范围内，存在结晶膜和非晶膜。另外，也存在两者共存的部分结晶膜。在本发明中，关于这样的膜的结晶性没有特别限制，可以根据所期望的结晶性而进行组成调节。另外，膜的结晶性(结晶膜、非晶膜或者部分结晶膜)可以通过X射线衍射法利用衍射峰的有无进行评价。
本发明的烧结体可以通过将包含各构成金属的氧化物的原料粉末在惰性气体或真空环境下加压烧结(热压)，或者将原料粉末压制成形，然后将该成形体常压烧结而制造。此时，烧结温度优选为900℃以上且1500℃以下。低于900℃时，得不到高密度的烧结体；另一方面，超过1500℃时，由于材料的蒸发而产生组成偏差、密度降低，因此不优选。
实施例
下面基于实施例和比较例进行说明。需要说明的是，本实施例仅为一个例子，本发明不受该例子任何限制。即，本发明仅受权利要求书限制，包括本发明中所包含的实施例以外的各种变形。
实施例、比较例中的评价方法等如下所述。
(关于成分组成)
装置：SII公司制造的SPS3500DD
方法：ICP-OES(高频电感耦合等离子体发光分析法)
(关于相对密度)
烧结体密度通过用游标卡尺测量烧结体的尺寸，并由其体积和测定重量计算。
理论密度如下所示通过将原料氧化物的单体密度分别乘以混合质量比，并将得到的值加和而求出。另外，相对密度通过氧化物烧结体的密度除以理论密度，并乘以100而求出。
理论密度＝∑{(各氧化物的单体密度×混合质量比)+(各氧化物的单体密度×混合重量比)+……}
相对密度＝{(烧结体的密度)/(理论密度)}×100
(关于体电阻[比电阻、薄层电阻])
装置：NPS公司制造的电阻率测定器∑-5+
方法：直流4探针法
(关于折射率、消光系数)
装置：SHIMADZU公司制造的分光光度计UV-2450
方法：从透射率、表面背面反射率计算
(关于成膜方法、条件)
装置：ANELVA SPL-500
基板：φ4英寸
基板温度：室温
(实施例1)
准备In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉，并将这些粉末以表1中记载的配合比进行调配、混合。接下来，将该混合粉在氩气气氛下、温度1150℃、压力250kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。
接下来，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，进行溅射。溅射条件设定为，DC溅射、溅射功率500W、含有0～2体积％氧气的氩气气压0.5Pa，成膜为膜厚另外，进行溅射时的基板加热、溅射后的退火。
将结果示于表1。如表1所示，溅射靶的相对密度达到98.9％，体电阻为2.9×10-3Ω·cm，能够进行稳定的DC溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2.10(波长550nm)、消光系数为0.01(波长450nm)、电阻值为2.3×10-2Ω·cm以上，得到了高折射率且高透射率的导电性膜。另外，关于电阻值，根据溅射时的氧量有些变动，氧量增多时，电阻值有上升的倾向。因此，记载了其下限值。
(实施例2)
准备In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉，并将这些粉末以表1中记载的配合比进行调配、混合。接下来，将该混合粉在氩气气氛下、温度1150℃、压力250kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接下来，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在与实施例1同样的条件下进行溅射。其结果是，溅射靶的相对密度达到100.3％，体电阻为8.7×10-3Ω·cm，能够进行稳定的DC溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2.15(波长550nm)、消光系数小于0.01(波长450nm)、电阻值为1.8×10+2Ω·cm以上，得到了高折射率且高透射率的导电性膜。
(实施例3)
准备In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉，并将这些粉末以表1中记载的配合比进行调配、混合。接下来，将该混合粉在氩气气氛下、温度1100℃、压力250kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接下来，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在与实施例1同样的条件下进行溅射。其结果是，溅射靶的相对密度达到99.5％，体电阻为3.5×10-3Ω·cm，能够进行稳定的DC溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2.22(波长550nm)、消光系数小于0.01(波长450nm)、电阻值为1.2×10+2Ω·cm以上，得到了高折射率且高透射率的导电性膜。
(实施例4)
准备In2O3粉、Cr2O3粉、ZnO粉，并将这些粉末以表1中记载的配合比进行调配、混合。接下来，将该混合粉在氩气气氛下、温度1100℃、压力350kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接下来，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在与实施例1同样的条件下进行溅射。其结果是，溅射靶的相对密度达到100.2％，体电阻为8.0×10-4Ω·cm，能够进行稳定的DC溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2.10(波长550nm)、消光系数为0.02(波长450nm)、电阻值为2.8×10-2Ω·cm以上，得到了高折射率且高透射率的导电性膜。
(实施例5)
准备In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉，并将这些粉末以表1中记载的配合比进行调配、混合。接下来，将该混合粉在氩气气氛下、温度1150℃、压力250kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接下来，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在与实施例1同样的条件下进行溅射。其结果是，溅射靶的相对密度达到100.1％，体电阻为9.6×10-4Ω·cm，能够进行稳定的DC溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2.12(波长550nm)、消光系数小于0.01(波长450nm)、电阻值为8.7×10-3Ω·cm以上，得到了高折射率且高透射率的导电性膜。
(实施例6)
准备In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉，并将这些粉末以表1中记载的配合比进行调配、混合。接下来，将该混合粉在氩气气氛下、温度1100℃、压力250kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接下来，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在与实施例1同样的条件下进行溅射。其结果是，溅射靶的相对密度达到99.8％，体电阻为8.4×10-4Ω·cm，能够进行稳定的DC溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2.05(波长550nm)、消光系数小于0.01(波长450nm)、电阻值为9.3×10-3Ω·cm以上，得到了高折射率且高透射率的导电性膜。
(实施例7)
准备In2O3粉、Cr2O3粉、ZnO粉，并将这些粉末以表1中记载的配合比进行调配、混合。接下来，将该混合粉在氩气气氛下、温度1150℃、压力350kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接下来，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在与实施例1同样的条件下进行溅射。其结果是，溅射靶的相对密度达到98.2％，体电阻为5.2×10-3Ω·cm，能够进行稳定的DC溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2.07(波长550nm)、消光系数为0.03(波长450nm)、电阻值为3.6×10-2Ω·cm以上，得到了高折射率且高透射率的导电性膜。
(实施例8)
准备In2O3粉、TiO2粉、SnO2粉，并将这些粉末以表1中记载的配合比进行调配、混合。接下来，将该混合粉压制成形，然后将成形体在氩气环境下、温度1300℃的条件下常压烧结。然后，对该烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接下来，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在与实施例1同样的条件下进行溅射。其结果是，溅射靶的相对密度达到97.8％，体电阻为8.7×10-2Ω·cm，能够进行稳定的DC溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2.08(波长550nm)、消光系数为0.01(波长450nm)、电阻值为3.1×101Ω·cm以上，得到了高折射率且高透射率的导电性膜。
(比较例1)
准备In2O3粉、Fe2O3粉、ZnO粉，并将这些粉末以表1中记载的配合比进行调配、混合。接下来，将该混合粉在氩气气氛下、温度1050℃、压力350kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接下来，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在与实施例1同样的条件下进行溅射。其结果是，溅射成膜得到的薄膜的消光系数为0.16(波长450nm)、在短波长区域产生光吸收，未得到所期望的高透射率膜。
(比较例2)
准备In2O3粉、TiO2粉、CuO粉，并将这些粉末以表1中记载的配合比进行调配、混合。接下来，将该混合粉在氩气气氛下、温度1050℃、压力350kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接下来，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在与实施例1同样的条件下进行溅射。其结果是，溅射成膜得到的薄膜的消光系数为0.2以上(波长450nm)、在短波长区域产生光吸收，未得到所期望的高透射率膜。
(比较例3)
准备In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉，并将这些粉末以表1中记载的配合比进行调配、混合。此时，In/Ti的原子比大至8.0。接下来，将该混合粉在氩气气氛下、温度1150℃、压力250kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接下来，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在与实施例1同样的条件下进行溅射。其结果是，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2.01(波长550nm)、折射率低，未得到所期望的高折射率膜。
(比较例4)
准备In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉，并将这些粉末以表1中记载的配合比进行调配、混合。此时，Zn/(In+Ti)的原子比大至15。接下来，将该混合粉在氩气气氛下、温度1050℃、压力250kgf/cm2的条件下热压烧结。然后，对该烧结体进行机械加工并精加工成靶形状。接下来，使用上述精加工得到的直径6英寸的靶，在与实施例1同样的条件下进行溅射。其结果是，溅射成膜得到的薄膜的折射率为2.02(波长550nm)、折射率低，未得到所期望的高折射率膜。
产业实用性
本发明的通过溅射形成的薄膜，形成显示器、触控面板中的光学调节用薄膜、光学器件的结构的一部分，具有以下效果：在透射率、折射率、导电性方面具有极其优良的特性。
另外，包含本发明的烧结体的溅射靶的体电阻值低、密度高，因此能够进行稳定的DC溅射。而且，具有以下显著效果：能够使得作为该DC溅射的特征的溅射的控制性更加容易，提高成膜速度，提高溅射效率。另外，能够减少成膜时在溅射时产生的粉粒，提高膜的品质。

Claims (18)

1.一种烧结体，其特征在于，包含铟(In)、钛(Ti)、锌(Zn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～20摩尔％In，以TiO2换算含有2～15.4摩尔％Ti，以ZnO换算含有60摩尔％以上Zn；将In的原子比设为A原子％、将Ti的原子比设为B原子％、将Zn的原子比设为C原子％时，0.5≤A/B≤5且0＜C/(A+B)＜10；所述烧结体的体电阻为8.7mΩ·cm以下。
2.一种烧结体，其特征在于，包含铟(In)、钛(Ti)、锡(Sn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～20摩尔％In，以TiO2换算含有2～15.4摩尔％Ti，以SnO2换算含有80摩尔％以上Sn；将In的原子比设为A原子％、将Ti的原子比设为B原子％、将Sn的原子比设为C原子％时，0.5≤A/B≤5且0＜C/(A+B)＜10；所述烧结体的体电阻为87mΩ·cm以下。
3.如权利要求1或2所述的烧结体，其特征在于，以TiO2换算含有3～15.4摩尔％Ti。
4.如权利要求1或2所述的烧结体，其特征在于，0＜C/(A+B)＜5。
5.如权利要求1或2所述的烧结体，其特征在于，相对密度为90％以上。
6.一种光学调节用薄膜，其特征在于，包含铟(In)、钛(Ti)、锌(Zn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～20摩尔％In，以TiO2换算含有2～15.4摩尔％Ti，以ZnO换算含有60摩尔％以上Zn；将In的原子比设为A原子％、将Ti的原子比设为B原子％、将Zn的原子比设为C原子％时，0.5≤A/B≤5且0＜C/(A+B)＜10；所述薄膜的波长550nm下的折射率为2.05以上、且波长450nm下的消光系数为0.05以下。
7.一种光学调节用薄膜，其特征在于，包含铟(In)、钛(Ti)、锡(Sn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～20摩尔％In，以TiO2换算含有2～15.4摩尔％Ti，以SnO2换算含有80摩尔％以上Sn；将In的原子比设为A原子％、将Ti的原子比设为B原子％、将Sn的原子比设为C原子％时，0.5≤A/B≤5且0＜C/(A+B)＜10；所述薄膜的波长550nm下的折射率为2.05以上、且波长450nm下的消光系数为0.05以下。
8.一种烧结体的制造方法，其为制造权利要求1～5中任一项所述的烧结体的方法，其特征在于，将原料粉末在惰性气体或真空环境下、在900℃以上且1500℃以下加压烧结，或者将原料粉末压制成形，然后将该成形体在惰性气体或真空环境下、在1000℃以上且1500℃以下常压烧结。
9.一种烧结体，其特征在于，包含铟(In)、铬(Cr)、以及锌(Zn)或锡(Sn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～65摩尔％In，以Cr2O3换算含有2～65摩尔％Cr，其中不包括以相对于除了不可避免的杂质以外的全部金属成分量的原子比计Cr：11.0原子％、Zn：81.0原子％、In：8.0原子％的情况；将In的原子比设为A原子％、将Cr的原子比设为B原子％、将Zn或Sn的原子比设为C原子％时，0.5≤A/B≤5，0＜C/(A+B)＜10。
10.如权利要求9所述的烧结体，其特征在于，以In2O3换算含有2～30摩尔％In，以Cr2O3换算含有3～30摩尔％Cr，其中不包括以相对于除了不可避免的杂质以外的全部金属成分量的原子比计Cr：11.0原子％、Zn：81.0原子％、In：8.0原子％的情况，分别以ZnO换算或SnO2换算含有40摩尔％以上的Zn或Sn。
11.如权利要求9或10所述的烧结体，其特征在于，0＜C/(A+B)＜5。
12.如权利要求9或10所述的烧结体，其特征在于，相对密度为90％以上。
13.如权利要求9或10所述的烧结体，其特征在于，体电阻为10Ω·cm以下。
14.一种光学调节用薄膜，其特征在于，包含铟(In)、铬(Cr)、以及锌(Zn)或锡(Sn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～65摩尔％In，以Cr2O3换算含有2～65摩尔％Cr，其中不包括以相对于除了不可避免的杂质以外的全部金属成分量的原子比计Cr：11.0原子％、Zn：81.0原子％、In：8.0原子％的情况；将In的原子比设为A原子％、将Cr的原子比设为B原子％、将Zn或Sn的原子比设为C原子％时，0.5≤A/B≤5，0＜C/(A+B)＜10。
15.如权利要求14所述的薄膜，其特征在于，波长550nm下的折射率为2.05以上。
16.如权利要求14或15所述的薄膜，其特征在于，波长450nm下的消光系数为0.05以下。
17.根据权利要求14或15所述的薄膜，其特征在于，比电阻为1MΩ·cm以下。
18.一种烧结体的制造方法，其为制造权利要求9～13中任一项所述的烧结体的方法，其特征在于，将原料粉末在惰性气体或真空环境下、在900℃以上且1500℃以下加压烧结，或者将原料粉末压制成形，然后将该成形体在惰性气体或真空环境下、在1000℃以上且1500℃以下常压烧结。
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