TWI537404B - Oxide sintered body, oxide sputtering target, and method for producing conductive oxide film and oxide sintered body - Google Patents

Oxide sintered body, oxide sputtering target, and method for producing conductive oxide film and oxide sintered body Download PDF

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Description

氧化物燒結體、氧化物濺鍍靶及導電性氧化物薄膜與氧化物燒結體之製造方法
本發明係關於一種氧化物燒結體、氧化物濺鍍靶及導電性氧化物薄膜以及氧化物燒結體之製造方法，尤其是關於一種適於形成高透射率且高折射率之非晶導電性氧化物薄膜之氧化物燒結體濺鍍靶。
於在顯示器或觸控面板等各種光裝置利用可見光之情形，所使用之材料必須為透明，尤其宜在整個可見光區域內具有高透射率。又，於各種光裝置，有時會因所構成之膜材料或與基板之界面的折射率差而產生光損耗，作為改善此等光損耗之方法，具有導入用以調整折射率或光學膜厚之光學調整膜的方法。由光學調整膜所求出之折射率，由於會因各種裝置之構造而有所不同，故必須為寬廣範圍之折射率。又，有時亦會因所使用之場所，而需要導電性。
又，作為光學調整膜所需要之特性，以往主要為折射率或消光係數(高透射率)，但近年來，為了更進一步之高性能化，除了折射率或消光係數(高透射率)外，亦要求導電性或蝕刻性(可蝕刻)、耐水性、非晶質膜等複數特性之共存。為了使此種複數特性共存，單體之氧化物膜難以達成，必須為混合有複數種氧化物之複合氧化物膜。尤其有效為混合有三元系以上之氧化物的複合氧化物膜。
作為一般之透明且具有導電性之材料，已知有ITO(氧化銦-氧化錫)、IZO(氧化銦-氧化鋅)、GZO(氧化鎵-氧化鋅)、AZO(氧化鋁-氧化鋅)等。然而，此等之材料於波長550nm之折射率在1.95~2.05左右之範圍，而無法使用作為用以光學調整之高折射率材(n>2.05)。又，ITO為了提高透射率，必須於成膜時進行基板加熱，或於成膜後進行退火，故會有難以使用無法加熱之塑膠基板或使用於有機EL裝置用途等之問題。又，IZO由於在短波長側會有吸收，故會有成為帶黃色之膜的問題。
對於此種問題，本發明人以前成功使用組成經調整之氧化物燒結體濺鍍靶，形成高透射率且高折射率的導電性非晶薄膜(專利文獻1)。然而經不斷研究後，結果發現於組成範圍中含有所得之薄膜會成為結晶化膜的組成範圍，當作為撓性裝置使用之情形時或必須保護免於受到水分侵襲的情形時，此種結晶化膜有時會不適合。另，根據薄膜之用途，有時亦有結晶化膜為較佳之情形，於專利文獻2，於薄膜電晶體用之情形時，認為非晶質膜無法得到穩定之膜。又以往即使已知作為透明導電膜之寬廣的組成範圍(例如，專利文獻3)，亦未特別意識到膜之結晶質性。
專利文獻1：日本特願2013-220805
專利文獻2：國際公開WO2012/153507號
專利文獻3：日本特許第4994068號
專利文獻4：國際公開WO2010/058533號
本發明之課題在於提供一種燒結體，該燒結體可得到能夠實 現可見光之高透射率與高折射率之導電性薄膜。此薄膜由於透射率高且折射率高，故適用作為顯示器或觸控面板等光裝置用之薄膜，尤其是光學調整用之薄膜。又，本發明之課題在於提供一種濺鍍靶，該濺鍍靶之相對密度高，體積電阻率低，可進行DC濺鍍。本發明之目的在於提升光裝置之特性、降低設備成本、大幅改善成膜特性。
為了解決上述課題，本發明人等經潛心研究之結果，得到下述見解：藉由採用下述所出示之材料系統，而可得到高透射率且高折射率之導電性薄膜，可確保良好之光學特性，並且，可藉由DC濺鍍進行穩定的成膜，可改善使用該薄膜之光裝置的特性，提升生產性。
本發明人係根據此見解，提供下述發明。
1)一種氧化物燒結體，由銦(In)、鈦(Ti)、鋅(Zn)、錫(Sn)及氧(O)構成，滿足下述關係式：In相對於Ti之含量以原子數比計為3.0≦In/Ti≦5.0，Zn與Sn相對於In與Ti之含量以原子數比計為0.2≦(Zn+Sn)/(In+Ti)≦1.5，Zn相對於Sn之含量以原子數比計為0.5≦Zn/Sn≦7.0。
2)如上述1)記載之氧化物燒結體，其相對密度在90%以上。
3)如上述1)或2)記載之氧化物燒結體，其體積電阻率在10Ωcm以下。
4)一種膜，由銦(In)、鈦(Ti)、鋅(Zn)、錫(Sn)及氧(O)構成，滿足下述關係式：In相對於Ti之含量以原子數比計為3.0≦In/Ti≦5.0，Zn與Sn相對於In與Ti之含量以原子數比計為0.2≦(Zn+Sn)/(In+Ti)≦1.5，Zn相對於Sn之含量以原子數比計為0.5≦Zn/Sn≦7.0。
5)如上述4)記載之膜，其於波長550nm之折射率在2.05以上。
6)如上述4)或5)記載之膜，其於波長405nm之消光係數在0.05以下。
7)如上述4)~6)中任一項記載之膜，其體積電阻率在1MΩcm以下。
8)如上述4)~7)中任一項記載之膜，其為非晶質。
9)一種氧化物燒結體之製造方法，係製造上述1)~3)中任一項記載之氧化物燒結體的方法，於非活性氣體或真空環境下，以900℃以上1300℃以下對原料粉末進行加壓燒結，或對原料粉末進行加壓成形後，於非活性氣體或真空環境下，以1000℃以上1500℃以下對此成形體進行常壓燒結。
根據本發明，藉由採用上述所示之材料系統，可得到高透射率且高折射率的導電性膜(尤其是非晶質膜)，可確保想要的光學特性，且可確保良好之蝕刻性及耐高溫高濕性。又，本發明具有下述優異之效果：提升各種光裝置之特性、降低設備成本、因提升成膜速度而大幅改善生產性。
圖1係顯示本發明之濺鍍所形成之膜的X射線繞射光譜之圖。
本發明之氧化物燒結體其特徵在於：由銦(In)、鈦(Ti)、鋅(Zn)、錫(Sn)及氧(O)構成，滿足下述關係式：In相對於Ti之含量以原子數比計為3.0≦In/Ti≦5.0、Zn與Sn相對於In與Ti之含量以原子數比計為0.2≦(Zn+Sn)/(In+Ti)≦1.5，Zn相對於Sn之含量以原子數比計為0.5≦Zn/Sn≦7.0。
藉由使用由此氧化物燒結體構成之濺鍍靶，而可得到高透射率且高折射率之非晶質導電性氧化物膜。另，本發明之材料，係以銦(In)、鈦(Ti)、鋅(Zn)、錫(Sn)及氧(O)作為構成元素，但於該材料中亦包含不可避免之雜質。
In-Ti-Zn-O(氧化銦-氧化鈦-氧化鋅)之膜，具有下述之問題：具有良導電性之組成區域中會容易結晶化，又，於濺鍍時(會導入氧)成為高透射率化與低電阻化相反之特性，難以調整特性。係由於當ZnO之含量多的情形時，雖主要因ZnO之氧缺損而產生導電性，但此氧缺損顯現導電性(低電阻化)的同時，卻會發生光吸收(低透射率化)的緣故。然而，藉由將既定比例之錫(Sn)添加於此系統，雖欲形成IZTO的同系結構(結晶化)，但於如濺鍍之急冷成膜下不會結晶化，而可非晶化。又，此種添加錫由於可同時達成高透射率化與低電阻化，故會變得容易調整特性。此被認為是因為添加錫而使得上述之導電性機制發生變化。
並且，添加既定比例之錫，具有給予良好之蝕刻性或耐高溫高濕性之次要的作用效果。
於本發明中，使In相對於Ti之含量以原子數比計滿足3.0≦In/Ti≦5.0之關係式。若超過此範圍，則不能得到想要之光學特性及電特性，尤其是若原子數比In/Ti未達3.0，則會成為高電阻，另一方面，若原子數比In/Ti超過5.0，則會有下述之問題：光吸收會變大，且無法得到高折射率。惟，即使是超過上述範圍的情形時，若In相對於Ti之含量以原子數比計為2.5≦In/Ti≦7.0，則亦可得到相對較良好之光學特性及電特性。
又，於本發明中，使Zn與Sn之合計含量相對於In與Ti之 合計含量以原子數比計滿足0.1≦(Zn+Sn)/(In+Ti)≦3.0之關係式。若超過此範圍，則由於不能得到想要之光學特性及電特性，故不佳。尤其是若原子數比(Zn+Sn)/(In+Ti)未達0.1，則會有高電阻之問題，另一方面，若原子數比(Zn+Sn)/(In+Ti)超過3.0，則會有下述之問題：膜會結晶化，且光吸收會變大。惟，即使是超過上述範圍的情形時，若Zn與Sn之合計含量相對於In與Ti之合計含量以原子數比計為0.1≦(Zn+Sn)/(In+Ti)≦3.5，則亦可得到相對較良好之光學特性及電特性。
並且，於本發明中，使Zn相對於Sn之含量以原子數比計滿足0.5≦Zn/Sn≦7.0之關係式。若超過此範圍，則由於不能得到想要之光學特性及電特性，故不佳。尤其是若原子數比Zn/Sn未達0.5，則會成為高電阻，另一方面，若原子數比Zn/Sn超過7.0，則會有下述之問題：膜會結晶化，且光吸收會變大。惟，即使是超過上述範圍的情形時，若Zn相對於Sn之含量以原子數比計為0.1≦Zn/Sn≦10.0，則亦可得到相對較良好之光學特性及電特性。
本發明之燒結體，其特徵在於：銦(In)、鈦(Ti)、鋅(Zn)及錫(Sn)滿足上述原子數比，但各成分之含量較佳為In含量以In2O3換算為5~50mol%，Ti含量以TiO2換算為4~40mol%，Zn含量以ZnO換算為4~60mol%，Sn含量以SnO換算為5~40mol%。此種組成範圍之燒結體靶，對於得到優異之光學特性或電特性之導電性薄膜是有效的。另，上述係以氧化物換算來記載燒結體中之各金屬的含量，此係由於可方便地以氧化物來調整原料之摻合。又，於通常之分析裝置中，無法特定氧化物之含量，但可特定各金屬元素之含量(重量%)。因此，想要特定靶之各組成時，以 假定各氧化物然後經換算之量(mol%)來特定各金屬元素之含量即可。
本發明之燒結體，當使用作為濺鍍靶之情形時，較佳使相對密度在90%以上。提升密度具有下述之效果：可提高濺鍍膜之均一性，且可抑制濺鍍時產生顆粒(particle)。相對密度90%以上，可藉由後述之本發明之燒結體製造方法來實現。
又，本發明之燒結體，當使用作為濺鍍靶之情形時，較佳使體積電阻率在10Ωcm以下。藉由降低體積電阻率，而可藉由DC濺鍍來成膜。DC濺鍍相較於RF濺鍍，成膜速度快，濺鍍效率優異，並可提升產量。另，有時亦會根據製造條件，進行RF濺鍍，即使是該情形，亦會提升成膜速度。
藉由本發明之濺鍍所製作之薄膜，其特徵為非晶質。非晶質膜尤其適合作為撓性裝置用材料或低透水率(保護水分)之材料。又，本發明之薄膜，可達成於波長550nm之折射率在2.05以上。又，本發明之薄膜，可達成於波長405nm之消光係數在0.05以下。並且，本發明之薄膜，可達成體積電阻率在1MΩcm以下。此種高折射率且透射率高之導電性薄膜，作為光學調整用之薄膜，對於顯示器或觸控面板等之光裝置用有用。尤其本發明由於可得到於波長405nm之消光係數在0.05以下與於可見光之短波長區域中幾乎沒有吸收的高折射率膜，故可說是用以得到想要之光學特性非常適合的材料系統。
本發明之燒結體，宜於非活性氣體環境或真空環境下，以900℃以上1300℃以下對由各構成金屬之氧化物粉末構成的原料粉末進行加壓燒結，或者將原料粉末加壓成形後，於非活性氣體或真空環境下，以1000℃以上1500℃以下對此成形體進行常壓燒結。若於加壓燒結未達900 ℃，於常壓燒結未達1000℃，則無法得到高密度之燒結體，另一方面，若於加壓燒結超過1300℃，於常壓燒結超過1500℃，則由於會因材料之蒸發而導致組成偏離或密度降低，故不佳。又，若於超過1300℃進行加壓燒結，則亦可能會與碳製模具反應。加壓壓力較佳為150~500kgf/cm2。另，於專利文獻4，為了使固溶有Zn與Sn兩者之In2O3相析出，而進行2階段燒結，藉此，降低體積電阻率，但於本發明，由於會因氧缺損而賦予導電性，故不會進行此種2階段燒結。
為了進一步提升密度，秤量並混合原料粉末之後，對此混合粉末進行預燒(合成)，然後將其微粉碎，使用經該微粉碎而得者作為燒結用粉末是有效的。可藉由以此方式進行預先合成與微粉碎，而得到均一微細之原料粉末，可製作緻密之燒結體。關於微粉碎後之粒徑，係平均粒徑5μm以下，較佳為平均粒徑2μm以下。又，預燒溫度較佳為800℃以上1200℃以下。藉由設成此種範圍，可使燒結性變好，進一步地高密度化。
本發明(包含實施例、比較例)中之評價方法等如下。
(關於成分組成)
裝置：SII公司製造SPS3500DD
方法：ICP-OES(高頻感應耦合電漿發光分析法)
(關於密度測量)
寸法測量(卡尺)，重量測量
(關於相對密度)
使用下述之理論密度來算出。
相對密度(%)=寸法密度/理論密度×100
理論密度係從各金屬元素之氧化物換算摻合比來加以計算。
以In之In2O3換算重量為a(wt%)，以Ti之TiO2換算重量為b(wt%)
以Zn之ZnO換算重量為c(wt%)，以Sn之SnO2換算重量為d(wt%)時， 理論密度=100/(a/7.18+b/4.26+c/5.61+d/7.0)
又，各金屬元素之氧化物換算密度使用下述值。
In2O3：7.18g/cm3，TiO2：4.26g/cm3， ZnO：5.61g/cm3，SnO2：7.0g/cm3，
(關於體積電阻率、表面電阻率)
裝置：NPS公司製造 電阻率測量器Σ-5+
方法：直流4探針法
另，對膜測量表面電阻率，藉由下式算出體積電阻率。
體積電阻率(Ωcm)=表面電阻率(Ω/sq)×膜厚(cm)
(關於折射率、消光係數)
裝置：島津製作所公司製造 分光光度計UV-2450
方法：從透射率、表背面反射率來算出
(關於成膜方法、條件)
裝置：ANELVA SPL-500
基板： 4inch
基板溫度：室溫
(關於結晶性評價)
對在玻璃基板上成膜500~1000nm之樣品，藉由X射線繞射法(裝置： 理學公司製造UltimaIV、Cu-K α射線，管電壓：40kV，電流：30mA、2 θ-θ反射法，掃描速度：8.0°/min，抽樣間隔：0.02°)進行解析。以2 θ=10°~60°檢測出之最大波峰強度IMAX相對於背景強度IBG之比IMAX/IBG之值，來進行結晶性之評價。另，關於背景強度，使用IMAX之低角度側及高角度側的波峰沒有被觀察到之區域的平均強度(範圍：2 θ=1°~10°)。例如，以IBG={(10°~20°之平均強度)+(50°~60°之平均強度)}/2的方式來求出。作為非晶質膜之判定，係當IMAX/IBG≦10的情形時，判定為非晶質膜。
(關於蝕刻性)
對於成膜樣品，將可藉由蝕刻液(各種酸)進行蝕刻者判定成○，無法蝕刻或過度溶解者判定成×。
(關於耐高溫高濕性)
於溫度800℃、濕度80%條件下，在保存48小時後，實施光學常數及電阻測量，當特性差未達10%之情形時判定成○，當在10%以上之情形時則判定成×。
[實施例]
以下，根據實施例及比較例來說明。另，本實施例僅為一例示，並不受到此例示的任何限制。亦即，本發明僅受到申請專利範圍的限制，包含本發明所含之實施例以外的各種變形。
(實施例1)
準備In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉、SnO2粉，以記載於表1之摻合比調合此等粉末，並加以混合。接著，於大氣中，以溫度1050℃對此混合粉末進行預燒後，以濕式微粉碎(使用ZrO2珠粒)粉碎至平均粒徑2μm以下，於 乾燥後，以網眼150μm之篩進行篩選。然後，於氬環境下，以溫度1100℃、壓力250kgf/cm2之條件對此微粉碎粉進行熱壓燒結。然後，對此燒結體進行機械加工，精加工成靶形狀。另，分析濺鍍靶之成分組成的結果，確認與原料粉末之摻合比相同。
接著，使用上述經精加工之直徑6吋之靶，進行濺鍍。使濺鍍條件為DC濺鍍、濺鍍功率500W、含有2vol%之氧的Ar氣壓0.5Pa，成膜為膜厚5000Å。另，不進行濺鍍時之基板加熱及濺鍍後之退火。
將以上之結果示於表1。如表1所示，濺鍍靶之相對密度達到97.5%，體積電阻率成為6.3mΩcm，可進行穩定之DC濺鍍。然後，經濺鍍成膜之薄膜的折射率為2.11(波長550nm)，消光係數為0.03(波長405nm)，體積電阻率為4.9×10-1Ωcm，可得到高折射率且高透射率之導電性膜。又，結晶化評價之結果，如圖1所示，確認IMAX/IBG=4，為非晶質膜。
(實施例2)
準備In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉、SnO2粉，以記載於表1之摻合比調合此等粉末，並加以混合。接著，於大氣中，以溫度1050℃對此混合粉末進行預燒後，以濕式微粉碎(使用ZrO2珠粒)粉碎至平均粒徑2μm以下，於乾燥後，以網眼150μm之篩進行篩選。然後，於氬環境下，以溫度1150℃、壓力250kgf/cm2之條件對此微粉碎粉進行熱壓燒結。然後，對此燒結體進行機械加工，精加工成靶形狀。接著，使用上述經精加工之直徑6吋之靶，以與實施例1同樣之條件進行濺鍍。
將以上之結果示於表1。如表1所示，濺鍍靶之相對密度達到97.7%，體積電阻率成為4.4mΩcm，可進行穩定之DC濺鍍。然後，經濺鍍成膜之薄膜的折射率為2.11(波長550nm)，消光係數為0.02(波長405nm)，體積電阻率為9.8Ωcm，可得到高折射率且高透射率之導電性膜。又，結晶化評價之結果，如圖1所示，確認IMAX/IBG=4，為非晶質膜。
(實施例3)
準備In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉、SnO2粉，以記載於表1之摻合比調合此等粉末，並加以混合。接著，於大氣中，以溫度1050℃對此混合粉末進行預燒後，以濕式微粉碎(使用ZrO2珠粒)粉碎至平均粒徑2μm以下，於乾燥後，以網眼150μm之篩進行篩選。然後，於氬環境下，以溫度1150℃、壓力250kgf/cm2之條件對此微粉碎粉進行熱壓燒結。然後，對此燒結體進行機械加工，精加工成靶形狀。接著，使用上述經精加工之直徑6吋之靶，以與實施例1同樣之條件進行濺鍍。
將以上之結果示於表1。如表1所示，濺鍍靶之相對密度達到99.5%， 體積電阻率成為3.7mΩcm，可進行穩定之DC濺鍍。然後，經濺鍍成膜之薄膜的折射率為2.10(波長550nm)，消光係數為0.02(波長405nm)，體積電阻率為3.8×102Ωcm，可得到高折射率且高透射率之導電性膜。又，結晶化評價之結果，確認IMAX/IBG=4，為非晶質膜。
(實施例4)
準備In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉、SnO2粉，以記載於表1之摻合比調合此等粉末，並加以混合。接著，於大氣中，以溫度1050℃對此混合粉末進行預燒後，以濕式微粉碎(使用ZrO2珠粒)粉碎至平均粒徑2μm以下，於乾燥後，以網眼150μm之篩進行篩選。然後，於氬環境下，以溫度1150℃、壓力250kgf/cm2之條件對此微粉碎粉進行熱壓燒結。然後，對此燒結體進行機械加工，精加工成靶形狀。接著，使用上述經精加工之直徑6吋之靶，以與實施例1同樣之條件進行濺鍍。
將以上之結果示於表1。如表1所示，濺鍍靶之相對密度達到100.9%，體積電阻率成為1.5mΩcm，可進行穩定之DC濺鍍。然後，經濺鍍成膜之薄膜的折射率為2.11(波長550nm)，消光係數為0.02(波長405nm)，體積電阻率為1.6×103Ωcm，可得到高折射率且高透射率之導電性膜。又，結晶化評價之結果，確認IMAX/IBG=4，為非晶質膜。
(實施例5)
準備In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉、SnO2粉，以記載於表1之摻合比調合此等粉末，並加以混合。接著，於大氣中，以溫度1050℃對此混合粉末進行預燒後，以濕式微粉碎(使用ZrO2珠粒)粉碎至平均粒徑2μm以下，於乾燥後，以網眼150μm之篩進行篩選。然後，於氬環境下，以溫度1150 ℃、壓力250kgf/cm2之條件對此微粉碎粉進行熱壓燒結。然後，對此燒結體進行機械加工，精加工成靶形狀。接著，使用上述經精加工之直徑6吋之靶，以與實施例1同樣之條件進行濺鍍。
將以上之結果示於表1。如表1所示，濺鍍靶之相對密度達到100.3%，體積電阻率成為1.7mΩcm，可進行穩定之DC濺鍍。然後，經濺鍍成膜之薄膜的折射率為2.11(波長550nm)，消光係數為0.02(波長405nm)，體積電阻率為3.6×103Ωcm，可得到高折射率且高透射率之導電性膜。又，結晶化評價之結果，確認IMAX/IBG=4，為非晶質膜。
(比較例1)
準備In2O3粉、TiO2粉、SnO2粉，以記載於表1之摻合比調合此等粉末，並加以混合。另，並未添加ZnO粉。接著，於氬環境下，以溫度1050℃、壓力350kgf/cm2之條件對此混合粉進行熱壓燒結。然後，對此燒結體進行機械加工，精加工成靶形狀。
接著，使用上述經精加工之直徑6吋之靶，進行濺鍍。惟，比較例1之靶(燒結體)之體積電阻率高達超過500kΩcm，不能進行DC濺鍍。因此，使用RF濺鍍進行濺鍍。使功率等之條件與DC濺鍍同樣。其結果，經濺鍍成膜之薄膜的體積電阻率超過1MΩcm，為高電阻，未獲得到想要之導電性膜。
(比較例2)
準備In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉，以記載於表1之摻合比調合此等粉末，並加以混合。另，並未添加SnO2粉。接著，於氬環境下，以溫度1050℃、壓力350kgf/cm2之條件對此混合粉進行熱壓燒結。然後，對此燒結體進行 機械加工，精加工成靶形狀。接著，使用上述經精加工之直徑6吋之靶，以與實施例1同樣之條件進行濺鍍。其結果，經濺鍍成膜之薄膜，如圖1所示，IMAX/IBG=101，沒有成為非晶質膜，又，消光係數超過0.05(波長405nm)，於低波長區域中產生光吸收，未獲得到想要之高透射率膜。
(比較例3)
準備In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉，以記載於表1之摻合比調合此等粉末，並加以混合。另，並未添加SnO2粉。接著，於氬環境下，以溫度1150℃、壓力250kgf/cm2之條件對此混合粉進行熱壓燒結。然後，對此燒結體進行機械加工，精加工成靶形狀。接著，使用上述經精加工之直徑6吋之靶，以與實施例1同樣之條件進行濺鍍。其結果，經濺鍍成膜之薄膜的體積電阻率超過1MΩcm，為高電阻，未獲得到想要之導電性膜。又，結晶化評價之結果，確認為非晶質膜。
(比較例4)
準備In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉、SnO2粉，以記載於表1之摻合比調合此等粉末，並加以混合。另，摻合成In相對於Ti之含量較規定多。接著，於氬環境下，以溫度1050℃、壓力350kgf/cm2之條件對此混合粉進行熱壓燒結。然後，對此燒結體進行機械加工，精加工成靶形狀。接著，使用上述經精加工之直徑6吋之靶，以與實施例1同樣之條件進行濺鍍。其結果，經濺鍍成膜之薄膜的消光係數超過0.05(波長405nm)，未獲得到想要之透射率之膜。
(比較例5)
準備In2O3粉、TiO2粉、ZnO粉、SnO2粉，以記載於表1之摻合比調合 此等粉末，並加以混合。另，摻合成Zn與Sn相對於In與Ti之合計含量較規定多。接著，於氬環境下，以溫度1050℃、壓力350kgf/cm2之條件對此混合粉進行熱壓燒結。然後，對此燒結體進行機械加工，精加工成靶形狀。接著，使用上述經精加工之直徑6吋之靶，以與實施例1同樣之條件進行濺鍍。其結果，經濺鍍成膜之薄膜沒有成為非晶質膜，又，消光係數超過0.05(波長405nm)，於低波長區域中產生光吸收，未獲得到想要之高透射率膜。
[產業可利用性]
本發明藉由濺鍍所形成之薄膜，具有下述之效果：形成顯示器或觸控面板中之光學調整用的薄膜或光碟之結構的一部份，於透射率、折射率、導電性上，具有極優異之特性。
又，由本發明之燒結體構成的濺鍍靶，由於體積電阻率值低，為高密度，故可進行穩定之DC濺鍍。並且，具有下述顯著之效果：可使作為此DC濺鍍之特徵的濺鍍控制性變得容易，提升成膜速度，使濺鍍效率提升。又，當成膜時可降低濺鍍時所產生之顆粒，提升膜之品質。

Claims (11)

  1. 一種光學調整膜形成用氧化物燒結體，由銦(In)、鈦(Ti)、鋅(Zn)、錫(Sn)及氧(O)構成，滿足下述關係式：In相對於Ti之含量以原子數比計為3.0≦In/Ti≦5.0，Zn與Sn相對於In與Ti之含量以原子數比計為0.5≦(Zn+Sn)/(In+Ti)≦1.5，Zn相對於Sn之含量以原子數比計為0.5≦Zn/Sn≦7.0。
  2. 如申請專利範圍第1項之光學調整膜形成用氧化物燒結體，其相對密度在90%以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光學調整膜形成用氧化物燒結體，其體積電阻率在10Ωcm以下。
  4. 一種光學調整膜，由銦(In)、鈦(Ti)、鋅(Zn)、錫(Sn)及氧(O)構成，滿足下述關係式：In相對於Ti之含量以原子數比計為3.0≦In/Ti≦5.0，Zn與Sn相對於In與Ti之含量以原子數比計為0.5≦(Zn+Sn)/(In+Ti)≦1.5，Zn相對於Sn之含量以原子數比計為0.5≦Zn/Sn≦7.0。
  5. 如申請專利範圍第4項之光學調整膜，其於波長550nm之折射率在2.05以上。
  6. 如申請專利範圍第4項之光學調整膜，其於波長405nm之消光係數在0.05以下。
  7. 如申請專利範圍第5項之光學調整膜，其於波長405nm之消光係數在0.05以下。
  8. 如申請專利範圍第4至7項中任一項之光學調整膜，其體積電阻率在1MΩcm以下。
  9. 如申請專利範圍第4至7項中任一項之光學調整膜，其為非晶質。
  10. 如申請專利範圍第8項之光學調整膜，其為非晶質。
  11. 一種氧化物燒結體之製造方法，係製造申請專利範圍第1至3項中任一項之燒結體的方法，於非活性氣體或真空環境下，以900℃以上1300℃以下對原料粉末進行加壓燒結，或對原料粉末進行加壓成形後，於非活性氣體或真空環境下，以1000℃以上1500℃以下對此成形體進行常壓燒結。
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