CN104637445B - Amoled像素驱动电路及像素驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法。该AMOLED像素驱动电路包括：第一、第二、第三、第四、第五薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)。第一与第二薄膜晶体管(T1、T2)对称设置且阈值电压相等，能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压；第五薄膜晶体管(T5)设置在电源电压(Vdd)与第一薄膜晶体管(T1)即驱动晶体管之间，并通过第三扫描控制信号(S3)按照时序控制第五薄膜晶体管(T5)仅在驱动阶段(3)打开，从而控制有机发光二极管(D1)仅在驱动阶段(3)发光，能够避免有机发光二极管(D1)的不必要发光，降低耗电量，改善画面的显示效果。

Description

AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED是电流驱动器件，当有电流流经有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流经有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务，且由于驱动薄膜晶体管的阈值电压会随着时间漂移，造成有机发光二极管发光不稳定，影响显示效果，AMOLED像素驱动电路还需要具备补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的功能。
如图1所示，现有的一种具有补偿功能的AMOLED像素驱动电路，所述AMOLED像素驱动电路为4T1C结构，即四个薄膜晶体管加一个电容的结构，包括：第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、第三薄膜晶体管T30、第四薄膜晶体管T40、及电容C10；其中，第一薄膜晶体管T10的栅极经由第一节点A0电性连接于第二薄膜晶体管T20的栅极，漏极电性连接于电源电压Vdd，源极电性连接于有机发光二级管D10的阳极；第二薄膜晶体管T20的栅极经由第一节点A0电性连接于第一薄膜晶体管T10的栅极，漏极电性连接于第三薄膜晶体管T30的漏极及第一节点A0，源极电性连接于第四薄膜晶体管T40的漏极；第三薄膜晶体管T30的栅极电性连接于第一扫描控制信号S10，源极电性连接于电源电压Vdd，漏极电性连接于第二薄膜晶体管T20的漏极及第一节点A0；第四薄膜晶体管T40的栅极电性连接于第二扫描控制信号S20，源极电性连接于数据信号Data，漏极电性连接于第二薄膜晶体管T20的源极；电容C10的一端电性连接于第一节点A0，另一端接地；有机发光二极管D10的阳极电性连接于第一薄膜晶体管T10的源极，阴极接地。
图2所示为对应于图1电路的时序图，该电路的工作过程按照时序依次分为三个阶段：预调阶段10、电流调整阶段20、及驱动阶段30。结合图2、图3，在预调阶段10，第一扫描控制信号S10提供高电位，第三薄膜晶体管T30打开，第二扫描控制信号S20及数据信号Data提供低电位，第四薄膜晶体管T40关闭，电容C10充电至电源电压Vdd，第一薄膜晶体管T10的栅极电压Vg被抬升至电源电压Vdd，第一薄膜晶体管T10打开，且第一薄膜晶体管T10的漏极电压Vd等于电源电压Vdd，有机发光二极管D10发光，值得注意的是，在该预调阶段10内，由于第一薄膜晶体管T10的栅极电压Vg较高，流经有机发光二极管D10的电流较大；结合图2、图4，在电流调整阶段20，第一扫描控制信号S10提供低电位，第三薄膜晶体管T30关闭，第二扫描控制信号S20及数据信号Data提供高电位，第四薄膜晶体管T40打开，电容C10放电至VData+VTh20，第一薄膜晶体管T10的栅极电压Vg相应转变为VData+VTh20，其中VData为数据信号Data提供的电压，VTh20为第二薄膜晶体管T20的阈值电压，第一薄膜晶体管T10打开，且第一薄膜晶体管T10的漏极电压Vd等于电源电压Vdd，有机发光二级管D10发光；结合图2、图5，在驱动阶段30，第一扫描控制信号S10、第二扫描控制信号S20、及数据信号Data均提供低电位，第三、第四薄膜晶体管T30、T40均关闭，但在电容C10的作用下，第一薄膜晶体管T10仍然打开，且第一薄膜晶体管T10的漏极电压Vd等于电源电压Vdd，有机发光二级管D10发光。
由于第一、第二薄膜晶体管T10、T20相互对称设置，采用镜像结构，故有VTh10＝VTh20，其中VTh10为第一薄膜晶体管T10的阈值电压。在驱动阶段30内，第一薄膜晶体管T10的栅极电压Vg为：Vg＝VData+VTh20，第一薄膜晶体管T10的源极电压Vs为：Vs＝VOLED，其中VOLED为有机发光二极管D10的阈值电压，根据现有技术中薄膜晶体管的电流特性公式，流经有机发光二极管D10的电流IOLED为：
IOLED＝K(Vg—Vs—VTh10)2
＝K(VData+VTh20—VOLED—VTh10)2
＝K(VData—VOLED)2
其中K为薄膜晶体管的结构参数，对于相同结构的薄膜晶体管，K值相对稳定。由该式可知，流经有机发光二极管D10的电流IOLED与第一薄膜晶体管T10的阈值电压VTh10无关，补偿成功。该现有的AMOLED像素驱动电路虽然实现了补偿阈值电压，但在预调整阶段10、电流调整阶段20、驱动阶段内均发光，其中在预调整阶段10、电流调整阶段20内的发光是不必要发光，尤其是在预调整阶段10内，流经有机发光二极管D10的电流比较大，如图6所示，高达几十微安，耗电且影响画面的显示效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，既能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，又能够避免有机发光二极管的不必要发光，降低耗电量，改善画面的显示效果。
本发明的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，在补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压的同时，解决有机发光二极管产生不必要发光，耗电且影响画面显示效果的问题。
为实现上述目的，本发明首先提供一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管；
所述第一薄膜晶体管的栅极经由第一节点电性连接于第二薄膜晶体管的栅极，漏极电性连接于第五薄膜晶体的漏极，源极电性连接于有机发光二级管的阳极；
所述第二薄膜晶体管的栅极经由第一节点电性连接于第一薄膜晶体管的栅极，漏极电性连接于第三薄膜晶体管的漏极及第一节点，源极电性连接于第四薄膜晶体管的漏极；
所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号，源极电性连接于电源电压，漏极电性连接于第二薄膜晶体管的漏极及第一节点；
所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号，源极电性连接于数据信号，漏极电性连接于第二薄膜晶体管的源极；
所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号，源极电性连接于电源电压，漏极电性连接于第一薄膜晶体管的漏极；
所述电容的一端电性连接于第一节点，另一端接地；
所述有机发光二极管的阳极电性连接于第一薄膜晶体管的源极，阴极接地；
所述第一薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，其与第二薄膜晶体管的阈值电压相等；
所述第三扫描控制信号按照时序提供高、低交替电位，控制所述有机发光二极管是否发光。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
所述第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管对称设置，且二者的沟道宽度相近。
所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、与第三扫描控制信号均通过外部时序控制器提供。
所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第三扫描控制信号、及数据信号相组合，先后对应于一预调整阶段、一电流调整阶段、及一驱动阶段；
所述第三扫描控制信号在预调整阶段、及电流调整阶段均提供低电位，控制所述有机发光二极管不发光；在驱动阶段提供高电位，控制所述有机发光二极管发光。
在所述预调整阶段，所述第一扫描控制信号提供高电位，第二扫描控制信号、第三扫描控制信号、及数据信号均提供低电位；
在所述电流调整阶段，所述第一扫描控制信号及第三扫描控制信号均提供低电位，第二扫描控制信号及数据信号均提供高电位；
在所述驱动阶段，所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、及数据信号均提供低电位，第三扫描控制信号提供高电位。
本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；
所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管；
所述第一薄膜晶体管的栅极经由第一节点电性连接于第二薄膜晶体管的栅极，漏极电性连接于第五薄膜晶体的漏极，源极电性连接于有机发光二级管的阳极；
所述第二薄膜晶体管的栅极经由第一节点电性连接于第一薄膜晶体管的栅极，漏极电性连接于第三薄膜晶体管的漏极及第一节点，源极电性连接于第四薄膜晶体管的漏极；
所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号，源极电性连接于电源电压，漏极电性连接于第二薄膜晶体管的漏极及第一节点；
所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号，源极电性连接于数据信号，漏极电性连接于第二薄膜晶体管的源极；
所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号，源极电性连接于电源电压，漏极电性连接于第一薄膜晶体管的漏极；
所述电容的一端电性连接于第一节点，另一端接地；
所述有机发光二极管的阳极电性连接于第一薄膜晶体管的源极，阴极接地；
所述第一薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，其与第二薄膜晶体管的阈值电压相等；
步骤2、进入预调整阶段；
所述第一扫描控制信号提供高电位，第二扫描控制信号及数据信号均提供低电位，电容充电至电源电压，第一薄膜晶体管的栅极电压被抬升至电源电压，第一薄膜晶体管打开，第三扫描控制信号提供低电位，第五薄膜晶体管关闭，控制有机发光二极管不发光；
步骤3、进入电流调整阶段；
所述第一扫描控制信号提供低电位，第二扫描控制信号及数据信号均提供高电位，电容放电至VData+VTh2，第一薄膜晶体管的栅极电压相应转变为VData+VTh2，其中VData为数据信号Data提供的电压，VTh2为第二薄膜晶体管的阈值电压，第一薄膜晶体管打开，第三扫描控制信号提供低电位，第五薄膜晶体管关闭，控制有机发光二极管不发光；
步骤4、进入驱动阶段；
所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、及数据信号均提供低电位，第一薄膜晶体管的栅极电压仍为VData+VTh2，第一薄膜晶体管打开，第三扫描控制信号提供高电位，第五薄膜晶体管打开，控制有机发光二极管发光，且第二薄膜晶体管的阈值电压补偿第一薄膜晶体管的阈值电压，使得流经所述有机发光二极管的电流与第一薄膜晶体管的阈值电压无关。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、与第三扫描控制信号均通过外部时序控制器提供。
所述第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管对称设置，且二者的沟道宽度相近。
本发明的有益效果：本发明提供的一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法，通过对称设置阈值电压相等的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管来实现补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压的功能，使得流经有机发光二极管的电流与第一薄膜晶体管即驱动晶体管的阈值电压无关；通过在电源电压与第一薄膜晶体管即驱动晶体管之间设置第五薄膜晶体管，并通过第三扫描控制信号按照时序控制第五薄膜晶体管仅在驱动阶段打开，从而控制有机发光二极管仅在驱动阶段发光，能够避免有机发光二极管的不必要发光，降低耗电量，改善画面的显示效果。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为一种现有的AMOLED像素驱动电路的电路图；
图2为图1所示AMOLED像素驱动电路的时序图；
图3为图1所示AMOLED像素驱动电路在预调整阶段的电路图；
图4为图1所示AMOLED像素驱动电路在电流调整阶段的电路图；
图5为图1所示AMOLED像素驱动电路在驱动阶段的电路图；
图6为图1所示AMOLED像素驱动电路中在不同的栅极电压下流经有机发光二极管的电流的模拟图；
图7为本发明的AMOLED像素驱动电路的电路图；
图8为图7所示AMOLED像素驱动电路的时序图；
图9为图7所示AMOLED像素驱动电路在预调整阶段的电路图暨本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤2的电路图；
图10为图7所示AMOLED像素驱动电路在电流调整阶段的电路图暨本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤3的电路图；
图11为图7所示AMOLED像素驱动电路在驱动阶段的电路图暨本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤4的电路图；
图12为图7所示AMOLED像素驱动电路中在不同的栅极电压下流经有机发光二极管的电流的模拟图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图7，本发明提供一种AMOLED像素驱动电路，该AMOLED像素驱动电路为5T1C结构，包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、电容C1、及有机发光二极管D1。所述第一薄膜晶体管T1的栅极经由第一节点A电性连接于第二薄膜晶体管T2的栅极，漏极电性连接于第五薄膜晶体T5的漏极，源极电性连接于有机发光二级管D1的阳极；所述第二薄膜晶体管T2的栅极经由第一节点A电性连接于第一薄膜晶体管T1的栅极，漏极电性连接于第三薄膜晶体管T3的漏极及第一节点A，源极电性连接于第四薄膜晶体管T4的漏极；所述第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接于第一扫描控制信号S1，源极电性连接于电源电压Vdd，漏极电性连接于第二薄膜晶体管T2的漏极及第一节点A；所述第四薄膜晶体管T4的栅极电性连接于第二扫描控制信号S2，源极电性连接于数据信号Data，漏极电性连接于第二薄膜晶体管T2的源极；所述第五薄膜晶体管T5的栅极电性连接于第三扫描控制信号S3，源极电性连接于电源电压Vdd，漏极电性连接于第一薄膜晶体管T1的漏极；所述电容C1的一端电性连接于第一节点A，另一端接地；所述有机发光二极管D1的阳极电性连接于第一薄膜晶体管T1的源极，阴极接地。
具体地，所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。其中，所述第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2对称设置，且二者的沟道宽度相近，从而第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2的阈值电压接近相等，第二薄膜晶体管T2的阈值电压能够补偿第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的阈值电压，使得流经所述有机发光二极管D1的电流与第一薄膜晶体管T1的阈值电压无关。所述第一薄膜晶体管T1为驱动薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管T2为镜像薄膜晶体管。所述第五薄膜晶体管T5设置于电源电压Vdd与第一薄膜晶体管T1之间，只有当第五、第一薄膜晶体管T5、T1同时打开时，有机发光二极管D1才能被驱动发光。进一步地，所述第五薄膜晶体管T5受第三扫描控制信号S3的控制，所述第三扫描控制信号S3按照时序提供高、低交替电位，控制所述第五薄膜晶体T5的打开或关闭，进而控制有机发光二极管D1是否发光。
所述第一扫描控制信号S1、第二扫描控制信号S2、与第三扫描控制信号S3均通过外部时序控制器提供。如图8所示，所述第一扫描控制信号S1、第二扫描控制信号S2、第三扫描控制信号S3、及数据信号Data相组合，先后对应于一预调整阶段1、一电流调整阶段2、及一驱动阶段3。具体地，在所述预调整阶段1，所述第一扫描控制信号S1提供高电位，第二扫描控制信号S2、第三扫描控制信号S3、及数据信号Data均提供低电位；在所述电流调整阶段2，所述第一扫描控制信号S1及第三扫描控制信号S3均提供低电位，第二扫描控制信号S2及数据信号Data均提供高电位；在所述驱动阶段3，所述第一扫描控制信号S1、第二扫描控制信号S2、及数据信号Data均提供低电位，第三扫描控制信号S3提供高电位。
结合图9至图11，由于所述第三扫描控制信号S3在预调整阶段1、及电流调整阶段2均提供低电位，所述第五薄膜晶体管T5关闭，仅有第一薄膜晶体管T1打开，所述有机发光二极管D1不发光。由于所述第三扫描控制信号S3在驱动阶段3提供高电位，所述第五薄膜晶体管T5与第一薄膜晶体管T1均打开，所述有机发光二极管D1发光。如图12所示，在预调整阶段1、及电流调整阶段2，所述有机发光二极管D1内无电流流经；在驱动阶段3，所述有机发光二极管D1内有正常电流流经，避免了所述有机发光二极管D1的不必要发光，降低了耗电量，改善了画面的显示效果。
请参阅图9至图11，结合图7、图8，本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一上述如图7所示的采用5T1C结构的AMOLED像素驱动电路，此处不再对该电路进行重复描述。
该AMOLED像素驱动电路中的第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。其中，所述第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2对称设置，且二者的沟道宽度相近，从而第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2的阈值电压接近相等。所述第一薄膜晶体管T1为驱动薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管T2为镜像薄膜晶体管。所述第五薄膜晶体管T5设置于电源电压Vdd与第一薄膜晶体管T1之间，只有当第五、第一薄膜晶体管T5、T1同时打开时，有机发光二极管D1才能被驱动发光。
该AMOLED像素驱动电路中的第一扫描控制信号S1、第二扫描控制信号S2、与第三扫描控制信号S3均通过外部时序控制器提供。
步骤2、请同时参阅图8、图9，进入预调整阶段1。
所述第一扫描控制信号S1提供高电位，第三薄膜晶体管T3打开；第二扫描控制信号S2及数据信号Data均提供低电位，第四薄膜晶体管T4关闭；电容C1充电至电源电压Vdd，第一薄膜晶体管T1的栅极电压Vg被抬升至电源电压Vdd，第一薄膜晶体管T1打开；第三扫描控制信号S3提供低电位，第五薄膜晶体管T5关闭，阻断了第一薄膜晶体管T1与电源电压Vdd的连接，使第一薄膜晶体管T1的漏极电压Vd为0，控制有机发光二极管D1不发光，避免了有机发光二极管D1的不必要发光，降低了电耗。
步骤3、请同时参阅图8、图10，进入电流调整阶段2。
所述第一扫描控制信号S1提供低电位，第三薄膜晶体管T3关闭；第二扫描控制信号S2及数据信号Data均提供高电位，第四薄膜晶体管T4打开；电容C1放电至VData+VTh2，第一薄膜晶体管T1的栅极电压Vg相应转变为VData+VTh2，其中VData为数据信号Data提供的电压，VTh2为第二薄膜晶体管T2的阈值电压，第一薄膜晶体管T1打开；第三扫描控制信号S3提供低电位，第五薄膜晶体管T5关闭，阻断了第一薄膜晶体管T1与电源电压Vdd的连接，使第一薄膜晶体管T1的漏极电压Vd为0，控制有机发光二极管D1不发光，避免了有机发光二极管D1的不必要发光，降低了电耗。
步骤4、请同时参阅图8、图11，进入驱动阶段3。
所述第一扫描控制信号S1、第二扫描控制信号S2、及数据信号Data均提供低电位，第三、第四薄膜晶体管T3、T4均关闭；但在电容C1的作用下，第一薄膜晶体管T1的栅极电压Vg仍为VData+VTh2，第一薄膜晶体管T1打开；第三扫描控制信号S3提供高电位，第五薄膜晶体管T5打开，导通了第一薄膜晶体管T1与电源电压Vdd的连接，使第一薄膜晶体管T1的漏极电压Vd为Vdd，控制有机发光二极管D1正常发光。
由于所述第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2对称设置，且二者的沟道宽度相近，第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2的阈值电压接近相等，故有VTh1＝VTh2，其中VTh1为第一薄膜晶体管T1的阈值电压。在所述驱动阶段3内，第一薄膜晶体管T1的栅极电压Vg为：Vg＝VData+VTh2，第一薄膜晶体管T1的源极电压Vs为：Vs＝VOLED，其中VOLED为有机发光二极管D1的阈值电压，根据现有技术中薄膜晶体管的电流特性公式，流经有机发光二极管D1的电流IOLED为：
IOLED＝K(Vg—Vs—VTh1)2
＝K(VData+VTh2—VOLED—VTh1)2
＝K(VData—VOLED)2
其中K为薄膜晶体管的结构参数，对于相同结构的薄膜晶体管，K值相对稳定。
由该式可知，第二薄膜晶体管T2的阈值电压补偿了第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的阈值电压，使得流经所述有机发光二极管D1的电流与第一薄膜晶体管T1的阈值电压无关。
请参阅图12，在预调整阶段1、及电流调整阶段2，所述有机发光二极管D1内无电流流经；在驱动阶段3，所述有机发光二极管D1内有正常电流流经，避免了所述有机发光二极管D1的不必要发光，降低了耗电量，改善了画面的显示效果。
综上所述，本发明的AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法，通过对称设置阈值电压相等的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管来实现补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压的功能，使得流经有机发光二极管的电流与第一薄膜晶体管即驱动晶体管的阈值电压无关；通过在电源电压与第一薄膜晶体管即驱动晶体管之间设置第五薄膜晶体管，并通过第三扫描控制信号按照时序控制第五薄膜晶体管仅在驱动阶段打开，从而控制有机发光二极管仅在驱动阶段发光，能够避免有机发光二极管的不必要发光，降低耗电量，改善画面的显示效果。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极经由第一节点(A)电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的栅极，漏极电性连接于第五薄膜晶体(T5)的漏极，源极电性连接于有机发光二级管(D1)的阳极；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极经由第一节点(A)电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的栅极，漏极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的漏极及第一节点(A)，源极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的漏极；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第一扫描控制信号(S1)，源极电性连接于电源电压(Vdd)，漏极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的漏极及第一节点(A)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第二扫描控制信号(S2)，源极电性连接于数据信号(Data)，漏极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的源极；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接于电源电压(Vdd)，漏极电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的漏极；
所述电容(C1)的一端电性连接于第一节点(A)，另一端接地；
所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的源极，阴极接地；
所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管，其与第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压相等；
所述第三扫描控制信号(S3)按照时序提供高、低交替电位，控制所述有机发光二极管(D1)是否发光；
所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、第三扫描控制信号(S3)、及数据信号(Data)相组合，先后对应于一预调整阶段(1)、一电流调整阶段(2)、及一驱动阶段(3)；
所述第三扫描控制信号(S3)在预调整阶段(1)、及电流调整阶段(2)均提供低电位，控制所述有机发光二极管(D1)不发光；在驱动阶段(3)提供高电位，控制所述有机发光二极管(D1)发光。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)与第二薄膜晶体管(T2)对称设置，且二者的沟道宽度相近。
4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、与第三扫描控制信号(S3)均通过外部时序控制器提供。
5.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，
在所述预调整阶段(1)，所述第一扫描控制信号(S1)提供高电位，第二扫描控制信号(S2)、第三扫描控制信号(S3)、及数据信号(Data)均提供低电位；
在所述电流调整阶段(2)，所述第一扫描控制信号(S1)及第三扫描控制信号(S3)均提供低电位，第二扫描控制信号(S2)及数据信号(Data)均提供高电位；
在所述驱动阶段(3)，所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、及数据信号(Data)均提供低电位，第三扫描控制信号(S3)提供高电位。
6.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；
所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极经由第一节点(A)电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的栅极，漏极电性连接于第五薄膜晶体(T5)的漏极，源极电性连接于有机发光二级管(D1)的阳极；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极经由第一节点(A)电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的栅极，漏极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的漏极及第一节点(A)，源极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的漏极；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第一扫描控制信号(S1)，源极电性连接于电源电压(Vdd)，漏极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的漏极及第一节点(A)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第二扫描控制信号(S2)，源极电性连接于数据信号(Data)，漏极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的源极；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接于电源电压(Vdd)，漏极电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的漏极；
所述电容(C1)的一端电性连接于第一节点(A)，另一端接地；
所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的源极，阴极接地；
所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管，其与第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压相等；
步骤2、进入预调整阶段(1)；
所述第一扫描控制信号(S1)提供高电位，第二扫描控制信号(S2)及数据信号(Data)均提供低电位，电容(C1)充电至电源电压(Vdd)，第一薄膜晶体管(T1)的栅极电压(Vg)被抬升至电源电压(Vdd)，第一薄膜晶体管(T1)打开，第三扫描控制信号(S3)提供低电位，第五薄膜晶体管(T5)关闭，控制有机发光二极管(D1)不发光；
步骤3、进入电流调整阶段(2)；
所述第一扫描控制信号(S1)提供低电位，第二扫描控制信号(S2)及数据信号(Data)均提供高电位，电容(C1)放电至VData+VTh2，第一薄膜晶体管(T1)的栅极电压(Vg)相应转变为VData+VTh2，其中VData为数据信号(Data)提供的电压，VTh2为第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压，第一薄膜晶体管(T1)打开，第三扫描控制信号(S3)提供低电位，第五薄膜晶体管(T5)关闭，控制有机发光二极管(D1)不发光；
步骤4、进入驱动阶段(3)；
所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、及数据信号(Data)均提供低电位，第一薄膜晶体管(T1)的栅极电压(Vg)仍为VData+VTh2，第一薄膜晶体管(T1)打开，第三扫描控制信号(S3)提供高电位，第五薄膜晶体管(T5)打开，控制有机发光二极管(D1)发光，且第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压补偿第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压，使得流经所述有机发光二极管(D1)的电流与第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压无关。
7.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
8.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、与第三扫描控制信号(S3)均通过外部时序控制器提供。
9.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)与第二薄膜晶体管(T2)对称设置。
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