CN104603332A - 镀铝装置以及使用该装置制造铝膜的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种镀铝装置，即使在表面上具有绝缘的或导电性较差的金属氧化膜等的基体表面上，该镀铝装置也能够很好地形成铝镀层。本发明提供了一种通过在镀槽中传送基体从而将铝电沉积至基体上的镀铝装置，其中：自所述基体的传送方向上的上游侧起，所述镀槽被分隔板依次分隔为第一电解室和第二电解室；设置于所述第一电解室中的负极与所述基体之间电连接，从而使得所述基体在第一电解室中充当正极；并且设置于所述第二电解室中的正极与所述基体之间电连接，从而使得所述基体在第二电解室中充当负极。

Description

镀铝装置以及使用该装置制造铝膜的方法

技术领域

本发明涉及用于对基体表面电镀铝的镀铝装置，以及利用前述装置制造铝膜的方法。

背景技术

铝会在其钝化表面上形成致密氧化膜，因而表现出优异的耐腐蚀性。据此，在钢带等的表面上进行镀铝以提高其耐腐蚀性。

为了在钢带的表面上进行镀铝，首先，通过导电棍在镀槽中连续传送钢带。该钢带在浸没在位于镀槽内的镀液中的正极中行进。此时，钢带以充当负极的方式电连接，从而在正极和作为负极的钢带之间发生电解。由此，铝电沉积于钢带的表面并形成铝镀层。此时，在镀液中行进的钢带通过转向辊(turn roll)而发生方向改变，从而转为向上行进。此时，同样在钢带与正极之间进行镀覆。其上形成有铝镀层的钢带离开镀槽，通过另一导电棍，并将其从该体系中取出(已公布日本专利申请特开平05-222599(专利文献1))。

作为具有三维网状结构的金属多孔体，由铝构成的多孔体有望成为能够提高锂离子电池的正极容量的材料。目前，通过利用铝的导电性、耐腐蚀性、轻量性及其他优异特征，可将通过用诸如锂钴氧化物之类的活性材料涂布铝箔表面而制得的材料用作锂离子电池的正极。当通过使用由铝构成的多孔体来形成正极时，可增加其表面积，并且甚至可将活性材料填充至铝的内部。由此，即使当电极厚度增加时，也可避免活性材料的利用率降低。因此，单位面积的活性材料利用率增加，从而可提高正极的容量。

作为上述铝多孔体的制造方法，本申请人提出了利用铝对具有三维网状结构的树脂成形体进行电镀的方法(已公布日本专利申请特开2012-007233(专利文献2))。常规的铝熔融盐浴须加热至高温。因此，当树脂成形体的表面被铝电镀时，这种情况下的一个问题是：树脂无法抵抗高温从而会熔融。然而，根据专利文献2中所述的方法，1-乙基-3-甲基氯化咪唑鎓(EMIC)或1-丁基氯化吡啶鎓(BPC)之类的有机氯化物盐与氯化铝(AlCl₃)混合所形成的铝浴在室温下为液体，从而使得能够用铝对树脂成形体进行电镀。特别地，EMIC-AlCl₃体系具有良好的液体特性，因此其可用作铝镀液。

在上述镀铝钢带和具有三维网状结构的铝多孔体中，为了获得具有优异光泽性的表面并增加铝镀层的厚度，需要进一步对具有铝表面的基体进行镀铝。

然而，如上所述，铝表面上形成有氧化膜。因此，即使欲将铝电沉积至铝表面上，也无法向该表面均匀供电。因此，会出现镀覆形状呈岛状的问题。

引用列表

专利文献

专利文献1：已公布日本专利申请特开平05-222599号公报

专利文献2：已公布日本专利申请特开2012-007233号公报

发明内容

技术问题

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种镀铝装置，即使在表面上形成有绝缘的或导电性较差的金属氧化膜等的基体表面上，该镀铝装置也能够很好地形成铝镀层。

解决问题的手段

本发明人为了解决上述问题进行了深入研究，结果发现有效的是：在镀槽中以电解的方式除去形成于金属表面的氧化膜，然后进行镀铝。由此完成了本发明。更具体而言，本发明具有如下构成。

(1)一种镀铝装置，其用于通过在镀槽中传送基体从而将铝电沉积至所述基体上。所述装置具有如下特征：

自上述基体的传送方向上的上游侧起，上述镀槽被分隔板依次分隔为第一电解室和第二电解室；

在设置有负极的上述第一电解室中，该负极以使上述基体充当正极的方式与上述基体电连接；并且

在设置有正极的上述第二电解室中，该正极以使上述基体充当负极的方式与上述基体电连接。

上述(1)中所述的镀铝装置在第一电解室中进行了反向电解。因此，即使在基体表面上形成有绝缘的或导电性差的金属氧化膜，也可通过电解的方式将其去除，由此在随后的第二电解室内能够很好地电沉积铝。

(2)根据(1)中所述的镀铝装置，所述装置包括位于上述第一电解室的入口的上游侧的第一供电辊，该第一供电辊向上述基体施加电位并同时传送所述基体。

上述(2)中所述的发明能够在传送基体的同时，向靠近第一电解室的基体施加电位。

(3)上述(1)或(2)中所述的镀铝装置，所述装置包括位于上述第二电解室的出口的下游侧的第二供电辊，该第二供电辊向上述基体施加电位并同时传送所述基体。

上述(3)中所述的发明能够在传送基体的同时，向靠近第二电解室的基体施加电位。

(4)上述(1)至(3)中任意一项所述的镀铝装置，其中上述镀槽容纳有主要由氯化铝构成的熔融盐浴。

上述(4)中所述的发明使得能够使用主要由氯化铝构成的常规熔融盐，从而能够获得良好质量的铝膜。

(5)上述(1)至(4)中任意一项所述的镀铝装置，其中上述基材为由经过导电处理且具有三维网状结构的树脂成形体构成的片材。

上述(5)中所述的发明能够连续制造这样的树脂结构体，该树脂结构体在具有三维网状结构的树脂成形体的表面上具有铝膜。

(6)一种镀铝装置，包括两个或多个均根据上述(1)至(5)中任意一项所述的镀铝装置；

这些所述装置沿上述基体的传送方向以串联方式放置。

上述(6)中所述的发明能够仅设置一套附带设备(如用于基体的供给机构和卷取机构)，因而可大幅降低对设备的投入资金。

(7)一种镀铝装置，包括这样的镀铝装置：

该镀铝装置位于根据上述(1)至(6)中任意一项所述的镀铝装置的前方位置，该前方位置为所述基体的传送方向上的最上游位置；

该镀铝装置通过使上述基体在镀槽中传送，从而将铝电沉积于上述基体上；并且

该镀铝装置的特征在于，在设置有正极的所述镀槽中，该正极以使上述基体充当负极的方式与上述基体电连接。

在装置利用表面上未形成绝缘的或导电性差的金属氧化膜等的基体时，上述(7)中所述的发明能够在基体传送方向上的最上游侧利用常规镀铝装置。此外，仅需设置一套附带设备(如用于基体的供给机构和卷取机构)，因而大幅降低了对设备的投入资金。

(8)一种制造铝膜的方法，该方法通过利用根据上述(1)至(7)中任意一项所述的镀铝装置从而将铝电沉积至基体上。

即使当基体的表面上形成有绝缘的或导电性差的金属氧化膜等时，上述(8)中所述的制造铝膜的方法也能够在该基体的表面上形成高质量的铝膜。

发明效果

本发明可提供一种镀铝装置，该镀铝装置即使在这样的基体表面上也能够很好地形成铝镀层，其中该基体的表面上形成有绝缘的或导电性较差的金属氧化膜等。

附图说明

图1为示出本发明镀铝装置的实例的图。

图2为示出本发明镀铝装置的另一实例的图。

具体实施方式

本发明的镀铝装置为用于通过在镀槽中传送基体从而将铝电沉积至该基体上的镀铝装置。该装置具有如下特征：

自上述基体的传送方向上的上游侧起，上述镀槽被分隔板依次分隔为第一电解室和第二电解室；

在设置有负极的上述第一电解室中，该负极以使上述基体充当正极的方式与上述基体电连接；并且

在设置有正极的上述第二电解室中，该正极以使上述基体充当负极的方式与上述基体电连接。

对上述基体没有特别的限制。然而，在基体为常规镀铝装置无法在其上很好地电沉积铝的情况中(例如，表面上具有金属氧化膜(钝化膜)的金属)，表现出了优异的效果。前述基体的类型包括钢带(钢板)、具有三维网状结构的铝多孔体、SUS板、Cu或Cu合金板、Zn或Zn合金板。

上述镀槽容纳有镀液。对镀液没有特别的限制，只要该镀液具有能够进行铝电镀的组成即可。铝对氧的亲和力高，并且其电位低于氢的电位。因此，难以在水溶液系的镀浴中进行电镀，因此使用了熔融盐浴。可有利地使用主要由氯化铝构成的熔融盐浴。

关于熔融盐，可以使用由有机卤化物和卤化铝构成的共晶盐形式的有机熔融盐，以及由碱金属卤化物和卤化铝构成的共晶盐形式的无机熔融盐。当使用在相对较低温度下熔融的有机熔融盐浴时，可进行镀覆而不会使用作基体的树脂成形体分解，这是有利的。关于有机卤化物，可使用咪唑鎓盐、吡啶鎓盐等。更具体而言，优选的是1-乙基-3-甲基氯化咪唑鎓(EMIC)和丁基氯化吡啶鎓(BPC)。

当水分或氧侵入熔融盐中时，熔融盐会劣化。因此，有利的是不仅在氮气、氩气或其他惰性气体气氛中、并且还在封闭环境中进行镀覆。

关于熔融盐浴，含有氮的熔融盐是有利的。当使用具有三维网状结构的树脂成形体作为上述基体时，如果使用在高温下熔融的盐作为熔融盐，则树脂在熔融盐中的溶解或分解速度比镀层的生长速度更快。因此，无法在树脂成形体的表面上形成镀层。在这种情况中，可有利地使用咪唑鎓盐浴。即使在相对较低的温度下也可使用咪唑鎓盐浴，而不会对树脂造成影响。

作为咪唑鎓盐，可有利地使用含有在1和3位置处具有烷基的咪唑鎓阳离子的盐。尤其是，最优选使用的是氯化铝—1-乙基-3-甲基氯化咪唑鎓(AlCl₃-EMIC)系熔融盐，这是因为该盐稳定性高，因此较不易于分解。可在聚氨酯树脂泡沫、三聚氰胺树脂泡沫等上进行镀覆。熔融盐浴的温度为10℃至100℃，优选为25℃至45℃。随着所述温度降至低温，能够进行镀覆的电流密度范围变窄，因此难以在树脂成形体的全部表面上进行镀覆。超过100℃的高温趋向于产生损坏用作基体的树脂的形状的问题。

当使用具有高熔点的基体(如钢带)时，还可使用无机盐浴作为熔融盐。无机盐浴通常为AlCl₃–XCl(X：碱金属)的双组分或多组分体系的盐。前述无机盐浴的熔融温度通常高于有机盐浴(如咪唑鎓盐浴)，但是环境条件(如湿度和氧)的限制较少，因此使得整体上的实际应用成本较低。

为了提高形成于基体表面上的铝镀膜的平滑性和光泽性，可添加添加剂，如二甲苯、苯、甲苯、和1,10-菲咯啉。

特别是，可有利地使用1,10-菲咯啉。优选的是，上述添加剂的添加量为0.25g/L至7g/L。当添加量为0.25g/L以上时，可获得足够平滑的铝镀膜。当添加量为7g/L以下时，可抑制镀覆效率的降低。

下面，将适当地参照附图对本发明进行更为详细的阐述。

图1为示出本发明镀铝装置的结构实例。如图1所示，在本发明的镀铝装置中，通过分隔板103将含有镀液的镀槽102分隔为第一电解室104和第二电解室105。连续地将基体101由第一电解室104传送至第二电解室105。

设置分隔板103以将第一电解室104和第二电解室105电分离。可有利地使用绝缘的分隔板。例如，可使用Teflon(注册商标)、陶瓷、玻璃、超级工程塑料如聚醚醚酮(PEEK)、以及耐热性氯乙烯树脂。

分隔板103设有基体的通过口(passing aperture)。有利的是，该通过口具有仅能使基体通过的最小可能尺寸。例如，有利的是，基体的通过口为狭缝状。

基体101首先被传送至第一电解室104，该第一电解室104设有负极107，其以使基体101充当第一电解室104中的正极的方式电连接。这种构成在负极107和基体101之间产生电解。因此，形成于基体101表面上的金属氧化膜被电解除去，从而使形成基体101的金属的表面暴露出来。

对负极107没有特别的限制。例如，可有利地使用铝、钛和铜。

作为一个实例，图1示出设置有两个负极107的情况：一个负极107位于基体101上方，另一负极107位于基体101下方。然而，对负极107的个数没有特别的限制。可采用一个电极、三个电极或更多个电极。对设置有负极107的位置没有特别的限制。然而，有利的是，将负极107设置于距离基体101尽可能近的位置处，以能够有效地进行电解。

为了使基体101在第一电解室104中充当正极，将与负极107相连的电源正极端子与基体101连接。在这种情况下，为了有效进行电解，有利的是，基体101在靠近第一电解室104入口附近的上游侧与正极相连。

图1示出了这样的情况：其中，在第一电解室104的入口处的上游侧设置有第一供电辊106，并且该第一供电辊106与电源的正极相连。通过采用这种构成，在通过第一供电辊106和第一传送辊110连续地传送基体101的同时，通过第一供电辊106向基体101施加电压，从而使基体101在第一电解室104中充当正极。在图1所示出的情况中，第一传送辊110设置于第一供电辊106的对侧。然而，可设置与正极相连的供电辊以取代第一传送辊110。

可根据形成于基体101上的氧化膜的量来适当地调节在第一电解室104中所要电解去除的金属氧化膜的量。例如，在基体由铝制成的情况中，可基于如下等式来调节铝的沉积量或溶解量：

铝的沉积量/铝的溶解量[g]＝0.3352×I[A]×t[Hr]    (等式)

在上述等式中，“I“表示电流值，“t”表示时间。常数0.3352为铝所特有的常数，并且当基体由其他金属制成时，可将该常数改为该金属的特有常数以进行计算。

接下来，将如上所述已除去金属氧化膜的基体101通过形成于分隔板103中的狭缝传送至第二电解室105。第二电解室105设置有正极109，其以使基体101在第二电解室105中充当负极的方式电连接。这种构成在正极109和基体101之间产生电解。其结果是，铝电沉积于基体101的表面上。

如上所述，在第一电解室104中，除去了基体101表面上所形成的金属氧化膜。因而，在第二电解室105中，可在基体101的表面上形成均匀的铝镀层。

对正极109没有特别的限制。例如，可有利地使用铝、钛和铜。

与负极107的情况一样，作为一个实例，图1示出了设置有两个正极109的情况：一个正极109设置于基体101的上方，另一正极109设置于基体101的下方。然而，对正极109的个数没有特别的限制。可采用一个电极、三个电极或更多个电极。对设置有正极109的位置没有特别的限制。然而，有利的是，将正极109设置于距离基体101尽可能近的位置处，以能够有效地进行电解。

为了使基体101在第二电解室105中充当负极，将与正极109相连的电源的负极端子与基体101连接。在这种情况下，为了有效进行电解，有利的是，基体101在靠近第二电解室105出口处的下游侧与负极相连。

图1示出了第二供电辊108设置于第二电解室105的出口下游侧且与电源负极相连的情况。通过采用这种构成，在通过第二供电辊108和第二传送辊111来连续地传送基体101的同时，通过第二供电辊108向基体101施加电压，由此基体101在第二电解室105中充当负极。图1示出了第二传送辊111设置于第二供电辊108的对侧的情况。然而，可设置与负极相连的供电辊以取代第二传送辊111。

可通过使用上述等式来计算第二电解室105中的铝沉积量。因此，可这样调节电流值和时间，以使得所需量的铝被电沉积于基体101的表面上。可通过改变基体101的传送速度来调节时间。

如上所述，通过使用本发明的镀铝装置，即使在基体表面上形成有绝缘性或导电性差的金属氧化膜等时，也可在该基体的表面上很好地形成铝镀层。

在于钢带和由具有三维网状结构的树脂成形体构成的片材等长的基体上进行镀铝时，使用本发明的镀铝装置能够通过提高线速度从而有效地生产产品。

在配有一个镀槽的常规镀铝装置的情况下，当试图通过提高线速度从而提升生产能力时，可考虑增加正极的长度。例如，当垂直进行镀覆时，将镀槽加深；而当水平地进行镀覆时，则将镀槽加长。然而，实际上，能够进行有效镀覆的正极长度有限。更具体而言，尽管在靠近导电辊的位置处以高电流密度进行镀覆，但是在远离导电棍的位置处未进行镀覆。因此，在配有一个镀槽的装置中，线速度的增加有限，因此无法提升生产能力。

基于这一原因，可考虑通过构造具有两个或多个槽的镀槽从而提高线速度。然而，即使以串联的方式安装两个或多个常规镀覆装置以进行连续操作时，在表面上易于形成氧化膜的金属(如铝)的情况中，则存在这样的问题，即：不能很好地对在之前位置处的镀槽中形成的膜进行镀铝。更具体而言，在镀槽之间的空间处会在铝的表面上形成氧化膜。当形成氧化膜时，铝以岛状沉积。换言之，无法很好地进行镀覆。即使当镀槽之间的空间充满N₂或其他惰性气氛时，也无法完全除去氧，氧会以ppm的量级残留。即使当铝暴露于上述微小量的氧时，也会在铝表面上形成氧化膜(钝化膜)。

为了避免产生上述问题，本发明的镀铝装置能够在第一电解室中除去形成于铝表面上的氧化膜。因此，当沿着基体的传送方向以串联的方式设置两个或多个镀铝装置时，第二个以及随后的镀槽也可形成平滑的高质量铝镀层。通过使用这样的镀铝装置，可提高基体的线速度，从而提高产品的生产效率，其中在所述镀铝装置中，沿基体的传送方向以串联的方式设置两个或多个上述镀铝装置。由于前述镀铝装置通过使用多个镀铝装置连续进行镀铝，因此仅需要一套附带设备(如用于基体的供给机构和卷取机构)，因而大幅降低了对设备的投入资金。

对以串联方式设置的铝装置的数量没有特别的限制。可根据目的(例如，所要形成的铝镀层的厚度)适当选择其数量。例如，当使用具有三维网状结构的树脂成形体作为基体时，设置2至20个左右的镀铝装置能够有效地制造铝多孔体。

当将经过(例如)碳涂布导电处理的具有三维网状结构的树脂成形体用作基体时，可在本发明上述镀铝装置的前方位置处设置常规镀铝装置，所述前方位置为基体传送方向上的最上游位置。关于该常规镀铝装置，可有利地使用下述镀铝装置。如图2中所示，镀铝装置通过使基体101通过镀槽202从而将铝电沉积至基体，该镀铝装置的特征在于：在镀槽202中，设置于镀槽202中的正极209以使上述基体101充当负极的方式与上述基体101电连接。

换言之，本发明的镀铝装置具有下述镀铝装置：

该镀铝装置位于上述镀铝装置的前方位置，所述前方位置为上述基体传送方向上的最上游位置；

该镀铝装置通过在镀槽中传送上述基体，从而将铝电沉积至上述基体上；并且

该镀铝装置的特征在于，在设置有正极的镀槽中，该正极以使上述基体充当负极的方式与上述基体电连接。

通过将本发明的上述镀铝装置(其设置有进行反向电解的第一电解室)与第二个或随后的镀铝装置以串联方式设置于如上所述的串联布置的镀铝装置中并进行镀铝，可有效地在基体上形成均匀且高质量的铝镀层。此外，如上所述，本发明的镀铝装置能够仅设置一套附带设备(如用于基体的供给机构和卷取机构)，因而大幅降低了对设备的投入。

实施例

在下文中，将基于实施例对本发明进行进一步的详细阐述。这些实施例是示意性的，并不对本发明的镀铝装置等构成限制。本发明的范围由权利要求书的范围示出，其涵盖了与权利要求书范围相当的含义和该范围内所包括的全部变更和改变。

实施例1

将十个图1中示出的本发明的铝装置以串联方式布置，以在基体上形成铝镀膜。

基体

作为所述基体，使用了具有三维网状结构的树脂成形体，其中该树脂成形体的表面上已通过溅射法形成有铝膜。

作为所述具有三维网状结构的树脂成形体，使用了这样的发泡聚氨酯树脂成形体，其孔隙率为95％，每英寸的孔隙数(小室数目)为约50，孔径为约550μm，宽度为500mm，厚度为1mm。通过溅射法在该发泡聚氨酯树脂成形体上形成覆层重量为10g/m²的铝膜，从而进行导电处理。

经证实，在树脂成形体表面上的铝膜中，形成了30nm的氧化铝膜。

镀铝装置

准备10个图1中示出的本发明的铝装置，并将其以串联方式布置。镀铝装置之间的空间充满氮气，以形成惰性气氛。调节辊的旋转速度，使得所传送的基体的线速度达到0.1m/min至1.0m/min。下面将描述单个铝装置的结构。

熔融盐浴

通过将EMIC和AlCl₃在氮气气氛中混合，以制备组成为33摩尔％EMIC-67摩尔％AlCl₃的熔融盐浴。此外，加入1,10-菲咯啉，使其浓度为0.5g/L。

此外，将氮气引入镀液中，以防止在电沉积铝的过程中形成氧化膜。

分隔板

在镀槽中放置由Teflon(注册商标)制成的分隔板，以将镀槽分隔为第一电解室和第二电解室。分隔板设有用作基体的通过口的狭缝，该狭缝宽560mm、高5mm。

第一供电辊

使用了由铝制成的第一供电辊，该辊的中心与电源的正极端子相连。

负极

在第一电解室内设有由铝制成的负极。如图1中所示，在如下两个位置处设置负极：一个负极置于基体上方，另一负极置于基体下方。

第一电解室

为了在第一电解室中在基体与负极之间进行电解，将电流密度设为10A/dm²。

第二供电辊

使用铝制的第二供电辊，辊中心与电源的负极端子相连。

正极

将铝制的正极置于第二电解室内。如图1中所示，在如下两个位置处设置正极：一个正极置于基体上方，另一正极置于基体下方。

第二电解室

为了在第二电解室中在基体与正极之间进行电解，将电流密度设为5A/dm²。

将上述经过导电处理的基体连续传送至十个均具有上述结构的铝装置中，以在基体表面上形成铝镀膜。该操作在基体表面上形成了10μm的铝膜。所形成的镀膜为均匀且高质量的膜。

如上所述，经证实，即使当该操作使用了表面上形成有氧化铝膜的基体时，使用本发明的镀铝装置仍能够形成高质量的铝镀膜。

实施例2

如图2所示，将常规的镀铝装置放置在基体传送方向上的最上游侧。将9个实施例1中使用的本发明铝装置以串联方式放置在上述常规镀铝装置的下游侧，从而在基体上形成铝镀膜。

基体

使用了与实施例1中相同的具有三维网状结构的树脂成形体。

通过将作为导电性涂料的碳涂料涂布于树脂多孔体的表面上，从而进行树脂成形体的导电性处理。该碳涂料含有25％的碳颗粒、树脂粘结剂、减张剂和消泡剂。炭黑的粒径为0.5μm。

镀铝装置

所述常规镀铝装置(其置于基体传送方向上的最上游侧)具有与实施例1中所用镀铝装置中的第二电解室相同的结构。更具体而言，镀液、供电辊和正极分别具有与实施例1中所用的镀液、第二供电辊和正极相同的结构。

第二个镀铝装置以及随后的镀铝装置与实施例1中所用镀铝装置的结构相同。上述九个装置以串联方式布置。

对表面上形成有铝镀膜的基体进行观察，结果表明在基体表面上形成了10μm的铝膜，并且所形成的镀膜为均匀且高质量的膜。

比较例1

通过与实施例1中所用工序相同的工序，在基体表面上形成铝镀膜，不同之处在于：作为镀铝装置，使用了10个以串联方式放置的常规镀铝装置。作为所述常规镀铝装置，使用了实施例2中置于最上游侧的镀铝装置。与实施例1中相同的是，镀铝装置之间的空间充满氮气，以形成惰性气氛。

观察形成于基体表面上的铝镀膜，结果表明，该沉积形成了岛状，并且膜质量劣于通过使用实施例1的装置而形成的膜质量。

比较例2

通过与实施例2中所用工序相同的工序，在基体表面上形成铝镀膜，不同之处在于：作为镀铝装置，使用了10个以串联方式放置的常规镀铝装置。作为所述常规镀铝装置，使用了实施例2中置于最上游侧的镀铝装置。与实施例2中相同的是，镀铝装置之间的空间充满氮气，以形成惰性气氛。

观察形成于基体表面上的铝镀膜，结果表明，该沉积形成了岛状，并且膜质量劣于通过使用实施例2的装置而形成的膜质量。

符号列表

101：基体

102：镀槽

103：分隔板

104：第一电解室

105：第二电解室

106：第一供电辊

107：负极

108：第二供电辊

109：正极

110：第二传送辊

111：第二传送辊

202：镀槽

208：供电辊

209：正极

Claims (8)

1.一种镀铝装置，其用于通过在镀槽中传送基体从而将铝电沉积至所述基体上，所述装置的特征在于：

自所述基体的传送方向上的上游侧起，所述镀槽被分隔板依次分隔为第一电解室和第二电解室；

在设置有负极的所述第一电解室中，该负极以使所述基体充当正极的方式与所述基体电连接；并且

在设置有正极的所述第二电解室中，该正极以使所述基体充当负极的方式与所述基体电连接。

2.根据权利要求1所述的镀铝装置，所述装置包括位于所述第一电解室的入口的上游侧的第一供电辊，该第一供电辊向所述基体施加电位并同时传送所述基体。

3.根据权利要求1或2所述的镀铝装置，所述装置包括位于所述第二电解室的出口的下游侧的第二供电辊，该第二供电辊向所述基体施加电位并同时传送所述基体。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的镀铝装置，其中所述镀槽容纳有主要由氯化铝构成的熔融盐浴。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的镀铝装置，其中所述基体为由经过导电处理且具有三维网状结构的树脂成形体构成的片材。

6.一种镀铝装置，包括两个或多个均根据权利要求1至5中任意一项所述的镀铝装置；

这些所述装置沿所述基体的传送方向以串联方式放置。

7.一种镀铝装置，包括这样的镀铝装置：

该镀铝装置位于权利要求1至6中任意一项所述的镀铝装置的前方位置，该前方位置为所述基体的传送方向上的最上游位置；

该镀铝装置通过使所述基体在镀槽中传送，从而将铝电沉积于所述基体上；并且

该镀铝装置的特征在于，在设置有正极的所述镀槽中，该正极以使所述基体充当负极的方式与所述基体电连接。

8.一种制造铝膜的方法，该方法利用权利要求1至7中任意一项所述的镀铝装置将铝电沉积至基体上。