CN104425720A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104425720A
CN104425720A CN201310369679.7A CN201310369679A CN104425720A CN 104425720 A CN104425720 A CN 104425720A CN 201310369679 A CN201310369679 A CN 201310369679A CN 104425720 A CN104425720 A CN 104425720A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light
coating
thickness
electroluminescence device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310369679.7A
Other languages
English (en)
Inventor
周明杰
冯小明
张娟娟
王平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201310369679.7A priority Critical patent/CN104425720A/zh
Publication of CN104425720A publication Critical patent/CN104425720A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件，包括透光基底和依次层叠设置在透光基底上的光提取层、阳极、有机发光功能层和阴极，光提取层包括多个并列间隔设置在透光基底表面的氧化物层，以及覆盖在透光基底和氧化物层表面的硫化物层，以及覆盖于硫化物层表面的透明聚合物薄膜，所述氧化物层呈长条状，氧化物为二氧化钛、二氧化硅和二氧化锆中的一种或多种，氧化物层的厚度为5～10μm，硫化物层为一连续薄膜层，具有波浪型曲面结构。该有机电致发光器件通过设置光提取层，增大了透光基底界面的全反射临界角，从而增加了透光基底与阳极之间的出光效率，提高了器件发光效率。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emission Diode)，以下简称OLED，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
现有技术的OLED发光装置中，由于阳极材料与玻璃基板之间的折射率不匹配，比如ITO折射率可达到2.1，而普通的玻璃基板只有1.6左右，导致光线在ITO与玻璃基板的界面产生全反射的临界角非常小，从而使光线从ITO向玻璃基板的传输效率较低，这也是导致现有技术OLED发光装置出光效率低的一个重要原因。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。通过在透光基底与阳极之间设置一个光提取层，增大了在透光基底界面的全反射临界角，从而增加了透光基底与阳极之间的出光效率，提高了有机电致发光器件的发光效率。
一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括透光基底和依次层叠设置在透光基底上的光提取层、阳极、有机发光功能层和阴极，所述有机发光功能层包括依次层叠的空穴传输层，发光层和电子传输层，所述光提取层包括多个并列间隔设置在所述透光基底表面的氧化物层，以及覆盖在所述透光基底和所述氧化物层表面的硫化物层，以及覆盖于所述硫化物层表面的透明聚合物薄膜，所述氧化物层呈长条状，所述氧化物为二氧化钛、二氧化硅和二氧化锆中的一种或多种，所述氧化物层的厚度为5～10μm，所述硫化物层为一连续薄膜层，所述硫化物层具有波浪型曲面结构。
优选地，相邻两个所述氧化物层之间的间隔为5～20μm。
优选地，所述氧化物层的宽度为5～20μm。
优选地，所述硫化物层的材质为硫化锌和硒化锌中的一种或两种，所述硫化物层的厚度为100～500nm。
优选地，所述透明聚合物薄膜为光固化的透明UV胶，所述透明聚合物薄膜的厚度为20～50μm。
优选地，所述透明聚合物薄膜为掺杂纳米微球的光固化的透明UV胶，所述纳米微球为陶瓷材料或高分子材料，所述纳米微球与所述光固化的透明UV胶的质量比为2～20:100。
优选地，所述纳米微球为二氧化硅粒子、二氧化钛粒子或聚苯乙烯微球，所述纳米微球的直径为20～100nm。
所述透明聚合物薄膜可使得具有曲面型结构的硫化物层变得平整化，从而利于后续各功能层的制备。同时，透明聚合物薄膜内含有的纳米粒子具有光散射作用，能进一步增强出光效率。
优选地，所述光提取层进一步包括设置在所述透明聚合物薄膜表面的缓冲层，所述缓冲层的材质为一氧化硅，厚度为2～10μm。
缓冲层的设置，可保护先设置的透明聚合物薄膜等不被后续溅射操作破坏。
优选地，所述阳极的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物和镓锌氧化物中的一种或多种，所述阳极的厚度为70～200nm；所述阴极为氟化铯或氟化锂层与金属层组成的叠层电极，所述氟化铯或氟化锂层的厚度为0.5～2nm，所述金属层的厚度为70～200nm，所述金属层为银、铝、银镁合金或铝镁合金，所述氟化铯或氟化锂层靠近所述电子传输层。
所述透光基底为透明玻璃或透明聚合物薄膜。
空穴传输层、电子传输层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。
优选地，空穴传输层的材质为4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)，N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，厚度为20～60nm。
优选地，发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6），二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）和三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种发光材料与主体材料掺杂而成的混合材料。所述主体材料可选用4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP），8-羟基喹啉铝（Alq3），TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，发光材料在主体材料中的质量比为2～20:100。
又优选地，发光层的材质为荧光材料4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi），4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）和二甲基喹吖啶酮（DMQA）中的至少一种。
优选地，发光层的厚度为5～20nm。
优选地，电子传输层的材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、N-芳基苯并咪唑（TPBI）或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)，厚度为20～60nm。
另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供一透光基底及一掩膜板，所述掩膜板贴合于所述透光基底表面；
采用磁控溅射法在所述透光基底贴合有掩膜板的一面制备多个并列间隔排布的氧化物层，溅射速度为0.5～5nm/s；所述氧化物层呈长条状，所述氧化物为二氧化钛、二氧化硅和二氧化锆中的一种或多种，所述氧化物层的厚度为5～10μm；
取下所述掩膜板，在所述透光基底表面和所述氧化物层表面，采用真空热镀膜法制备硫化物层，蒸镀速度为0.2～2nm/s；所述硫化物层为一连续薄膜层，所述硫化物层具有波浪型曲面结构；
采用丝网印刷的方式将透明UV胶印刷在所述硫化物层表面，通过紫外固化形成透明聚合物薄膜；
采用磁控溅射法在所述透明聚合物薄膜表面制备阳极，再采用真空热镀膜法，在所述阳极表面依次制备有机发光功能层和阴极，从而制备得到所述有机电致发光器件，所述有机发光功能层包括依次层叠的空穴传输层，发光层和电子传输层。
优选地，相邻两个所述氧化物层之间的间隔为5～20μm。
优选地，所述氧化物层的宽度为5～20μm。
优选地，所述硫化物层的材质为硫化锌和硒化锌中的一种或两种，所述硫化物层的厚度为100～500nm。
优选地，所述透明聚合物薄膜为光固化的透明UV胶，所述透明聚合物薄膜的厚度为20～50μm。
优选地，所述透明聚合物薄膜为掺杂纳米微球的光固化的透明UV胶，所述纳米微球为陶瓷材料或高分子材料，所述纳米微球与所述光固化的透明UV胶的质量比为2～20:100。
优选地，所述纳米微球为二氧化硅粒子、二氧化钛粒子或聚苯乙烯微球，所述纳米微球的直径为20～100nm。
优选地，丝网印刷的丝网目数为100～1000目。
所述透明聚合物薄膜可使得具有曲面型结构的硫化物层变得平整化，从而利于后续各功能层的制备。同时，透明聚合物薄膜内含有的纳米粒子具有光散射作用，能进一步增强出光效率。
优选地，所述光提取层进一步包括设置在所述透明聚合物薄膜表面的缓冲层，所述缓冲层的材质为一氧化硅，厚度为2～10μm。
缓冲层的设置，可保护先设置的透明聚合物薄膜等不被后续溅射操作破坏。
优选地，所述磁控溅射法和真空镀膜法的过程中，真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
优选地，所述阳极的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物和镓锌氧化物中的一种或多种，所述阳极的厚度为70～200nm；所述阴极为氟化铯或氟化锂层与金属层组成的叠层电极，所述氟化铯或氟化锂层的厚度为0.5～2nm，所述金属层的厚度为70～200nm，所述金属层为银、铝、银镁合金或铝镁合金，所述氟化铯或氟化锂层靠近所述电子传输层。
所述透光基底为透明玻璃或透明聚合物薄膜。
优选地，所述阳极的溅射速率为0.2～2nm/s；所述阴极的氟化铯或氟化锂层的蒸发速度为0.01～0.1nm/s，金属层的蒸发速度为0.2～2nm/s。
空穴传输层、电子传输层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。
优选地，空穴传输层的材质为4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)，N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，厚度为20～60nm。优选地，所述空穴传输层的蒸发速度为0.1～1nm/s。
优选地，发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6），二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）和三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种发光材料与主体材料掺杂而成的混合材料。所述主体材料可选用4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP），8-羟基喹啉铝（Alq3），TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，发光材料在主体材料中的质量比为2～20:100。
又优选地，发光层的材质为荧光材料4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi），4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）和二甲基喹吖啶酮（DMQA）中的至少一种。
优选地，发光层的厚度为5～20nm。优选地，所述发光层的蒸发速度为0.01～1nm/s。
优选地，电子传输层的材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、N-芳基苯并咪唑（TPBI）或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)，厚度为20～60nm。优选地，所述电子传输层的蒸发速度为0.1～1nm/s。
本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：
（1）本发明提供的有机电致发光器件，在透光基底与阳极之间设置光提取层，该光提取层包括多个并列间隔排布的氧化物层，以及覆盖在氧化物层上的硫化物层，和覆盖在硫化物层上的透明聚合物薄膜层，硫化物层通过成膜形成连续薄膜，具有高低起伏的波浪型曲面结构，由于硫化物与氧化物的折射率不同，因此在两者的接触界面，光线会反生折射现象，从而实现在曲面上的折射，导致在该曲面结构具有更大的全反射临界角，光线在透光基底与该光提取层界面之间的损失将大大降低，提高了透光基底与阳极之间的出光效率；此外，透明聚合物薄膜层包含有纳米微球颗粒，纳米微球也具有光散射作用，从而进一步提高了出光效率；因此，本发明提供的有机电致发光器件具有出光效率高，发光效率较优的特点；
（2）本发明有机电致发光器件的制备工艺简单，易大面积制备，适于工业化大规模使用。
附图说明
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例1的氧化物层11a在玻璃基底10上的排布示意图；
图3是本发明实施例1的排布在玻璃基底10上的氧化物层11a的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）提供一透明玻璃基底及一掩膜板，所述掩膜板贴合于所述玻璃基底表面；将玻璃基底置于1×10-5Pa的真空镀膜室中，采用磁控溅射法在玻璃基底贴合有掩膜板的一面制备7个并列间隔排布的氧化物层，材质为二氧化钛，溅射速度为0.5nm/s；氧化物层呈长条状，厚度为5μm，宽度为5μm，相邻两氧化物层之间的间隔为5μm；
（2）取下掩膜板，在玻璃基底表面和氧化物层表面，采用真空热镀膜法制备硫化物层，材质为硫化锌，蒸镀速度为0.2nm/s；硫化物层为一连续薄膜层，具有波浪型曲面结构，厚度为100nm；
（3）采用丝网印刷的方式将预先混合纳米微球的透明UV胶印刷在硫化物层表面，通过紫外固化形成透明聚合物薄膜，厚度为20μm；纳米微球的材质为TiO2，粒径为20nm，TiO2与UV胶的质量比为20:100，丝网印刷的目数为1000目；
（4）在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜***中，采用蒸发技术在透明聚合物薄膜上蒸发厚度为2μm的一氧化硅薄膜作为缓冲层，蒸发速度为1nm/s;
（5）在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜***中，采用磁控溅射法在缓冲层表面制备阳极，材料为ITO，厚度为70nm，溅射速度为0.2nm/s；再采用真空热镀膜法，在阳极表面制备有机发光功能层和阴极，从而制备得到有机电致发光器件；
其中，有机发光功能层依次包括空穴传输层、发光层和电子传输层；空穴传输层采用NPB，厚度为20nm，蒸发速度为0.1nm/s；发光层材料为TPBi掺杂Ir(ppy)3形成的混合材料，Ir(ppy)3与TPBi的质量比为10:100，发光层厚度为15nm，其中TPBi的蒸发速度为0.1nm/s，Ir(ppy)3的蒸发速度为0.01nm/s；电子传输层材质为TPBi，厚度为20nm，蒸发速度为0.1nm/s；阴极为LiF-Ag叠层阴极，首先在电子传输层上制备LiF层，厚度为0.5nm，蒸发速度为0.01nm/s，然后制备金属Ag层，厚度为70nm，蒸发速度为0.2nm/s。
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，本实施例有机电致发光器件，依次包括透明玻璃基底10、光提取层11、阳极12、空穴传输层13、发光层14、电子传输层15和阴极16。所述光提取层11包括并列间隔设置在透明玻璃基底10上的氧化物层11a，以及覆盖在透明玻璃基底10和氧化物层11a表面的硫化物层11b，以及覆盖于硫化物层11b表面的透明聚合物薄膜11c和覆盖于透明聚合物薄膜11c表面的缓冲层11d，硫化物层11b为一连续薄膜层，具有波浪型曲面结构。该波浪型曲面结构能改变在该曲面结构上的折射光线，使入射角增大，因而导致在该曲面结构具有更大的全反射临界角，光线在透明玻璃基底10与硫化物层11b界面之间的损失将大大降低，从而提高了器件的出光效率。此外，透明聚合物薄膜11c中掺杂有纳米颗粒20，纳米颗粒20也具有光散射作用，从而可进一步提高器件的出光效率。
图2是本发明实施例1的氧化物层11a在玻璃基底10上的排布示意图。图3是本发明实施例1的排布在玻璃基底10上的氧化物层11a的结构示意图。从图2和图3中可以看出，氧化物层11a呈长条状，氧化物层具有一定厚度，本实施例中氧化物层厚度为20μm，在本实施例中，多个氧化物层的宽度和相互之间的间隔均相同，均为20μm。在其他实施例中，多个氧化物层的宽度和相互之间的间隔也可设置不同的尺寸。在本实施例中，氧化层设置数量为7个，在其他实施例中，也可根据具体需要设置其他数量。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）提供一透明玻璃基底及一掩膜板，所述掩膜板贴合于所述玻璃基底表面；将玻璃基底置于1×10-3Pa的真空镀膜室中，采用磁控溅射法在玻璃基底贴合有掩膜板的一面制备7个并列间隔排布的氧化物层，材质为二氧化硅，溅射速度为5nm/s；氧化物层呈长条状，厚度为20μm，宽度为20μm，相邻两氧化物层之间的间隔为20μm；
（2）取下掩膜板，在玻璃基底表面和氧化物层表面，采用真空热镀膜法制备硫化物层，材质为硒化锌，蒸镀速度为2nm/s；硫化物层为一连续薄膜层，具有波浪型曲面结构，厚度为500nm；
（3）采用丝网印刷的方式将预先混合纳米微球的透明UV胶印刷在硫化物层表面，通过紫外固化形成透明聚合物薄膜，厚度为50μm；纳米微球的材质为SiO2，粒径为80nm，SiO2与UV胶的质量比为2:100，丝网印刷的目数为200目；
（4）在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜***中，采用蒸发技术在透明聚合物薄膜上蒸发厚度为10μm的一氧化硅薄膜作为缓冲层，蒸发速度为10nm/s;
（5）在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜***中，采用磁控溅射法在缓冲层表面制备阳极，材料为IZO，厚度为200nm，溅射速度为2nm/s；再采用真空热镀膜法，在阳极表面制备有机发光功能层和阴极，从而制备得到有机电致发光器件；
其中，有机发光功能层依次包括空穴传输层、发光层和电子传输层；空穴传输层采用2-TNATA，厚度为60nm，蒸发速度为1nm/s；发光层材料为NPB掺杂Ir(MDQ)2(acac)形成的混合材料，Ir(MDQ)2(acac)与NPB的质量比为20:100，发光层厚度为20nm，其中NPB的蒸发速度为1nm/s,Ir(MDQ)2(acac)蒸发速度为0.2nm/s.；电子传输层材质为Bphen，厚度为60nm，蒸发速度为1nm/s；阴极为CsF-Al叠层阴极，首先在电子传输层上制备CsF层，厚度为2nm，蒸发速度为1nm/s，然后制备金属Al层，厚度为200nm，蒸发速度为2nm/s。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）提供一透明玻璃基底及一掩膜板，所述掩膜板贴合于所述玻璃基底表面；将玻璃基底置于1×10-4Pa的真空镀膜室中，采用磁控溅射法在玻璃基底贴合有掩膜板的一面制备7个并列间隔排布的氧化物层，材质为二氧化锆，溅射速度为2nm/s；氧化物层呈长条状，厚度为10μm，宽度为10μm，相邻两氧化物层之间的间隔为10μm；
（2）取下掩膜板，在玻璃基底表面和氧化物层表面，采用真空热镀膜法制备硫化物层，材质为硫化锌，蒸镀速度为1nm/s；硫化物层为一连续薄膜层，具有波浪型曲面结构，厚度为200nm；
（3）采用丝网印刷的方式将预先混合纳米微球的透明UV胶印刷在硫化物层表面，通过紫外固化形成透明聚合物薄膜，厚度为30μm；纳米微球的材质为聚苯乙烯微球（PS），粒径为100nm，PS与UV胶的质量比为10:100，丝网印刷的目数为100目；
（4）在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜***中，采用蒸发技术在透明聚合物薄膜上蒸发厚度为5μm的一氧化硅薄膜作为缓冲层，蒸发速度为1nm/s;
（5）在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜***中，采用磁控溅射法在缓冲层表面制备阳极，材料为AZO，厚度为100nm，溅射速度为1nm/s；再采用真空热镀膜法，在阳极表面制备有机发光功能层和阴极，从而制备得到有机电致发光器件；
其中，有机发光功能层依次包括空穴传输层、发光层和电子传输层；空穴传输层采用m-MTDATA，厚度为30nm，蒸发速度为0.5nm/s；发光层材料为Alq3掺杂DCJTB形成的混合材料，DCJTB与Alq3的质量比为2:100，发光层厚度为5nm，其中Alq3的蒸发速度为1nm/s,DCJTB蒸发速度为0.02nm/s.；电子传输层材质为BCP，厚度为40nm，蒸发速度为0.5nm/s；阴极为CsF-Mg-Al叠层阴极，首先在电子传输层上制备CsF层，厚度为1nm，蒸发速度为0.1nm/s，然后制备金属Mg-Al合金层，厚度为100nm，蒸发速度为1nm/s。
对比例1
对比例1与实施例1的区别在于，在阳极与玻璃基底之间不设置光提取层。对比例2
对比例2与实施例2的区别在于，在阳极与玻璃基底之间不设置光提取层。对比例3
对比例3与实施例3的区别在于，在阳极与玻璃基底之间不设置光提取层。效果实施例
本发明测试与制备设备为高真空镀膜***（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
将本发明实施例1～3和对比例1～3所制得的有机电致发光器件进行发光亮度的测试，以及在6V驱动电压下进行发光效率测试，测试结果如表1所示：
表1
发光亮度（cd/m2） 发光效率（lm/W）
实施例1 6521 25.0
对比例1 3765 14.7
实施例2 5947 21.8
对比例2 3643 13.1
实施例3 6054 22.9
对比例3 3120 12.3
由表1的数据可以看出，本发明提供的有机电致发光器件，通过在透光基底与阳极之间设置光提取层，且将硫化层设置成波浪型曲面结构，由于硫化物与氧化物的折射率不同，因此在硫化物层与氧化物层接触的界面，光线会发生折射现象，从而实现在曲面上的折射，使光线在透光基底与光提取层界面之间的损失大大降低，因而提高了透光基底与阳极之间的出光效率，导致器件的发光亮度和发光效率都提高了。如表1中所示，相对于对比例1，实施例1有机电致发光器件的发光亮度提高了73%，发光效率提高了70%；相对于对比例2，实施例2有机电致发光器件的发光亮度提高了63%，发光效率提高了66%；相对于对比例3，实施例3有机电致发光器件的发光亮度提高了94%，发光效率提高了86%。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括透光基底和依次层叠设置在透光基底上的光提取层、阳极、有机发光功能层和阴极，所述有机发光功能层包括依次层叠的空穴传输层，发光层和电子传输层，其特征在于，所述光提取层包括多个并列间隔设置在所述透光基底表面的氧化物层，以及覆盖在所述透光基底和所述氧化物层表面的硫化物层，以及覆盖于所述硫化物层表面的透明聚合物薄膜，所述氧化物层呈长条状，所述氧化物为二氧化钛、二氧化硅和二氧化锆中的一种或多种，所述氧化物层的厚度为5～10μm，所述硫化物层为一连续薄膜层，所述硫化物层具有波浪型曲面结构。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，相邻两个所述氧化物层之间的间隔为5～20μm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化物层的宽度为5～20μm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述硫化物层的材质为硫化锌和硒化锌中的一种或两种，所述硫化物层的厚度为100～500nm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述透明聚合物薄膜为光固化的透明UV胶，所述透明聚合物薄膜的厚度为20～50μm。
6.如权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述透明聚合物薄膜为掺杂纳米微球的光固化的透明UV胶，所述纳米微球为陶瓷材料或高分子材料，所述纳米微球与所述光固化的透明UV胶的质量比为2～20:100。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述纳米微球为二氧化硅粒子、二氧化钛粒子或聚苯乙烯微球，所述纳米微球的直径为20～100nm。
8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述光提取层进一步包括设置在所述透明聚合物薄膜表面的缓冲层，所述缓冲层的材质为一氧化硅，厚度为2～10μm。
9.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物和镓锌氧化物中的一种或多种，所述阳极的厚度为70～200nm；所述阴极为氟化铯或氟化锂层与金属层组成的叠层电极，所述氟化铯或氟化锂层的厚度为0.5～2nm，所述金属层的厚度为70～200nm，所述金属层为银、铝、银镁合金或铝镁合金，所述氟化铯或氟化锂层靠近所述电子传输层。
10.一种如权利要求1～9任一项所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：
提供一透光基底及一掩膜板，所述掩膜板贴合于所述透光基底表面，
采用磁控溅射法在所述透光基底贴合有掩膜板的一面制备多个并列间隔排布的氧化物层，溅射速度为0.5～5nm/s；所述氧化物层呈长条状，所述氧化物为二氧化钛、二氧化硅和二氧化锆中的一种或多种，所述氧化物层的厚度为5～10μm；
取下所述掩膜板，在所述透光基底表面和所述氧化物层表面，采用真空热镀膜法制备硫化物层，蒸镀速度为0.2～2nm/s；所述硫化物层为一连续薄膜层，所述硫化物层具有波浪型曲面结构；
采用丝网印刷的方式将透明UV胶印刷在所述硫化物层表面，通过紫外固化形成透明聚合物薄膜；
采用磁控溅射法在所述透明聚合物薄膜表面制备阳极，再采用真空热镀膜法，在所述阳极表面依次制备有机发光功能层和阴极，从而制备得到所述有机电致发光器件，所述有机发光功能层包括依次层叠的空穴传输层，发光层和电子传输层。
CN201310369679.7A 2013-08-22 2013-08-22 一种有机电致发光器件及其制备方法 Pending CN104425720A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310369679.7A CN104425720A (zh) 2013-08-22 2013-08-22 一种有机电致发光器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310369679.7A CN104425720A (zh) 2013-08-22 2013-08-22 一种有机电致发光器件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104425720A true CN104425720A (zh) 2015-03-18

Family

ID=52974148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310369679.7A Pending CN104425720A (zh) 2013-08-22 2013-08-22 一种有机电致发光器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104425720A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016165364A1 (zh) * 2015-04-14 2016-10-20 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示器件及其制作方法
CN106601931A (zh) * 2016-12-19 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
CN107787173A (zh) * 2016-08-29 2018-03-09 深圳光启尖端技术有限责任公司 吸波贴片及其制造方法
CN108321225A (zh) * 2016-12-23 2018-07-24 太阳世界工业有限公司 光伏模块和制造光伏模块的方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016165364A1 (zh) * 2015-04-14 2016-10-20 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示器件及其制作方法
US9905808B2 (en) 2015-04-14 2018-02-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device and its manufacturing method
CN107787173A (zh) * 2016-08-29 2018-03-09 深圳光启尖端技术有限责任公司 吸波贴片及其制造方法
CN107787173B (zh) * 2016-08-29 2020-03-24 深圳光启尖端技术有限责任公司 吸波贴片及其制造方法
CN106601931A (zh) * 2016-12-19 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
CN108321225A (zh) * 2016-12-23 2018-07-24 太阳世界工业有限公司 光伏模块和制造光伏模块的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103137881B (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN104218154A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103219471A (zh) 基于半透明复合阴极的顶发射有机电致发光器件及其制备方法
CN106373989B (zh) 一种有机发光显示面板、电子设备以及制作方法
CN104518117A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104425720A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104465995A (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN104979491A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104425721A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104466010A (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN104183746A (zh) 一种白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104218173A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103730579A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183722A (zh) 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104218180A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104681726A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104425767A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104183770A (zh) 一种白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104218156A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104218171A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104681739A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104518116A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104218155A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104183733A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104218178A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150318