CN104218173A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种有机电致发光器件,包括基板和依次层叠设置在基板上的阳极、发光功能层和阴极,阴极表面依次设置有光匹配层和光提取层,光提取层的材质包括纳米微球和聚合物材料,纳米微球为粒径为50~1500nm的陶瓷或高分子材料颗粒,聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,光提取层的厚度为10~100μm,光匹配层的材质为金属与有机材料形成的混合材料,金属为银、铝或镁,有机材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺,酞菁铜或8-羟基喹啉铝。该有机电致发光器件的阴极的出光效率高,从而提高了器件发光效率。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件,具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emission Diode),以下简称OLED,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性,同时拥有高清晰、广视角,以及响应速度快等优势,是一种极具潜力的显示技术和光源,符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势,以及绿色照明技术的要求,是目前国内外众多研究者的关注重点。
在传统的顶发射的OLED发光器件中,通常采用了半透光的金属薄膜作为透光电极,由于金属电极本身透光性较差,使光线的透过率差,并且还有相当一部分的光纤从阴极进入空气的界面时,由于折射率差别的原因,相当大一部分的光纤被限制在发光结构内,不能出射到外部,因此使顶发射器件的发光效率较低。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷,本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。通过在阴极表面制备光匹配层和光提取层,提高了有机电致发光器件的发光效率。
一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括基板和依次层叠设置在基板上的阳极、发光功能层和阴极,所述阴极表面依次层叠设置有光匹配层和光提取层,所述光匹配层的材质为金属与有机材料形成的混合材料,所述金属与有机材料的质量比为10~50:100,所述金属为银、铝或镁,所述有机材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺,酞菁铜或8-羟基喹啉铝;所述光提取层的材质包括纳米微球和聚合物材料,所述纳米微球为粒径为50~1500nm的陶瓷或高分子材料颗粒,所述聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,所述光提取层的厚度为10~100μm;所述阳极的材质为导电金属薄膜;所述阴极的材质为银、铝、镁单质或其任意组合形成的合金,所述发光功能层至少包括依次层叠的空穴传输层、发光层和电子传输层。
优选地,所述热固化的聚合物材料为热固化环氧树脂,所述光固化的聚合物材料为光固化丙烯酸树脂。
优选地,所述陶瓷材料颗粒为二氧化硅或二氧化钛,所述高分子材料颗粒为聚苯乙烯微球。
优选地,所述纳米微球与聚合物材料的质量比为10~50:100。
优选地,所述光匹配层的厚度为5~20nm。
在光提取层与金属电极之间,由于光提取层与金属电极的折射率差异较大,如果光线直接从金属电极向光提取层传输,因为折射率的严重不匹配,导致光线在光提取层与金属电极之间发生严重的散射,激源波,耗散等现象,因此需要在这个界面设置一个光匹配层,即折射率匹配层,这样才能保证光线从金属电极向光提取层之间的传输比较顺利,从而实现光线透过金属电极,然后到达光提取层,最后出射到OLED结构之外。
所述阳极的材质为导电金属薄膜。
优选地,所述导电金属薄膜为金属金(Au)、银(Ag)、铝(Al)或铂(Pt)薄膜,厚度为70~200nm。
所述基板可为透光材料,如透明玻璃或透明聚合物薄膜,也可为不透光材料,如金属片或硅片。
阴极的材质为银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)单质或其任意组合形成的合金,厚度为18~30nm。
所述发光功能层至少包括依次层叠设置的空穴传输层、发光层和电子传输层。为了提高器件的发光效率,可进一步设置空穴注入层和电子注入层。
空穴传输层、电子传输层和发光层的材质不作具体限定,本领域现有材料均适用于本发明。
优选地,空穴传输层的材质为4,4′,4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA),N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB),4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA),N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(TPD)或4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),厚度为20~60nm。
优选地,发光层的材料为主体材料掺杂客体材料形成的混合材料,所述主体材料为4,4′-二(9-咔唑)联苯(CBP),8-羟基喹啉铝(Alq3),1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB);所述客体材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6),二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)和三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种,客体材料与主体材料的质量比为1~20:100。
优选地,所述发光层的材料为荧光材料,所述荧光材料为4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi),4,4′-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)或二甲基喹吖啶酮(DMQA)。
优选地,所述发光层的厚度为10~30nm。
优选地,电子传输层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-***衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP),厚度为30~100nm。
优选地,空穴注入层的材料为酞菁铜(CuPc),酞菁锌(ZnPc),酞菁氧钒(VOPc),酞菁氧钛(TiOPc)或酞菁铂(PtPc),厚度为10~30nm。
优选地,电子注入层的材料为碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF);厚度为0.5~10nm。
另一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
将洁净的基板置于真空度为1×10-3~1×10-5Pa的真空镀膜室中,依次制备阳极、发光功能层和阴极;所述阳极的材质为导电金属薄膜;所述阳极采用真空热阻蒸发或电子束蒸发的方式制备,蒸发速率为0.2~2nm/s;所述发光功能层至少包括依次层叠的空穴传输层、发光层和电子传输层;所述阴极的材质为银、铝、镁单质或其任意组合形成的合金;所述空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极均采用真空热阻蒸发的方式制备;
采用真空共蒸发的方式在所述阴极上制备光匹配层,所述光匹配层的材质为金属与有机材料形成的混合材料,所述金属与有机材料的质量比为10~50:100,所述金属为银、铝或镁,所述有机材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺,酞菁铜或8-羟基喹啉铝;所述光匹配层的材料蒸发速度为0.1~2nm/s,所述金属与有机材料的蒸发速度比为10~50:100;
最后采用丝网印刷的方式在所述光匹配层上制备光提取层,得到有机电致发光器件;所述光提取层的材质包括纳米微球和聚合物材料,所述纳米微球为陶瓷或高分子材料颗粒,粒径为50~1500nm,所述聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,所述光提取层的厚度为10~100μm。
优选地,所述热固化的聚合物材料为热固化环氧树脂,所述光固化的聚合物材料为光固化丙烯酸树脂。
优选地,所述陶瓷材料颗粒为二氧化硅或二氧化钛,所述高分子材料颗粒为聚苯乙烯微球。
优选地,所述纳米微球与聚合物材料的质量比为10~50:100。
优选地,所述丝网印刷的丝网目数为200~1000目。
优选地,所述光匹配层的厚度为5~20nm。
所述阳极的材质为导电金属薄膜。
优选地,所述导电金属薄膜为金属金、银、铝或铂薄膜,厚度为70~200nm。
所述基板可为透光材料,如透明玻璃或透明聚合物薄膜,也可为不透光材料,如金属片或硅片。
阴极的材质为银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)单质或其任意组合形成的合金,厚度为18~30nm。
所述发光功能层至少包括依次层叠设置的空穴传输层、发光层和电子传输层。为了提高器件的发光效率,可进一步设置空穴注入层和电子注入层。
空穴传输层、电子传输层和发光层的材质不作具体限定,本领域现有材料均适用于本发明。
优选地,空穴传输层的材质为4,4′,4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA),N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB),4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA),N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(TPD)或4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),厚度为20~60nm。
优选地,发光层的材料为主体材料掺杂客体材料形成的混合材料,所述主体材料为4,4′-二(9-咔唑)联苯(CBP),8-羟基喹啉铝(Alq3),1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB);所述客体材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6),二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)和三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种,客体材料与主体材料的质量比为1~20:100。
优选地,所述发光层的材料为荧光材料,所述荧光材料为4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi),4,4′-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)或二甲基喹吖啶酮(DMQA)。
优选地,所述发光层的厚度为10~30nm。
优选地,电子传输层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-***衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP),厚度为30~100nm。
优选地,空穴注入层的材料为酞菁铜(CuPc),酞菁锌(ZnPc),酞菁氧钒(VOPc),酞菁氧钛(TiOPc)或酞菁铂(PtPc),厚度为10~30nm。
优选地,电子注入层的材料为碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF);厚度为0.5~10nm。
本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果:
(1)本发明提供的有机电致发光器件,在出光位置即阴极表面设置了光匹配层和光提取层,所述光提取层为加入了陶瓷或高分子材料的纳米微球的聚合物薄膜,由于纳米微球具有光散射作用,可使空气与光匹配层之间的折射率比较匹配,并且能够改变入射光的出射方向,增大了提取层的折射率,从而增大出射光的临界角,增加出光效率;在光提取层与金属阴极之间设置光匹配层,这样才能保证光线从金属电极向光提取层之间的传输比较顺利,从而实现光线透过金属电极,然后到达光提取层,最后出射到OLED结构之外;因此,本发明提供的有机电致发光器件具有出光效率高,发光效率较优的特点;
(2)本发明有机电致发光器件的制备工艺简单,易大面积制备,适于工业化大规模使用。
附图说明
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将透明玻璃基板置于1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用真空蒸发的方式在基板表面制备一层厚度为100nm的金属Ag薄膜作为阳极;
(2)采用真空蒸发的方式在阳极表面制备发光功能层,依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
其中,空穴注入层层采用CuPc,厚度为20nm;空穴传输层采用NPB,厚度为30nm;发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中形成的混合材料,其中Ir(ppy)3与CBP的质量比为10:100,厚度为15nm;电子传输层采用TPBi,厚度为30nm;电子注入层采用LiF,厚度为1nm;
(3)采用真空蒸发的方式在电子注入层表面制备阴极,阴极的材质为金属Ag,厚度为18nm;
(4)采用真空共蒸发的方式在阴极表面制备一层厚度为20nm的光匹配层,光匹配层由金属Ag和Alq3共蒸发制备,金属Ag和Alq3的质量比为10:100,金属Ag的蒸发速度为0.1nm/s,Alq3的蒸发速度为1nm/s;
(5)采用丝网印刷工艺在光匹配层的表面上形成厚度为100μm的光提取层,得到有机电致发光器件;光提取层的材质包括质量比为50:100的二氧化钛纳米微球和光固化丙烯酸树脂,二氧化钛纳米微球的粒径为50nm,丝网印刷过程采用目数为400目的丝网印刷成膜。
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示,本实施例有机电致发光器件,依次包括透明玻璃基板10、阳极11、发光功能层12、阴极13、光匹配层14和光提取层15。光提取层15中包含二氧化钛纳米微球150。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于,光提取层的材质包括质量比为20:100的二氧化钛纳米微球和光固化丙烯酸树脂,二氧化钛纳米微球的粒径为100nm,丝网印刷过程采用目数为1000目的丝网印刷成膜,光提取层的厚度为80μm。
实施例3
本实施例与实施例1的区别在于,光提取层的材质包括质量比为20:100的二氧化钛纳米微球和光固化丙烯酸树脂,二氧化钛纳米微球的粒径为250nm,丝网印刷过程采用目数为800目的丝网印刷成膜,光提取层的厚度为20μm。
实施例4
本实施例与实施例1的区别在于,光提取层的材质包括质量比为10:100的二氧化钛纳米微球和光固化丙烯酸树脂,二氧化钛纳米微球的粒径为500nm,丝网印刷过程采用目数为800目的丝网印刷成膜,光提取层的厚度为10μm。
实施例5
本实施例与实施例1的区别在于,光提取层的材质包括质量比为10:100的二氧化钛纳米微球和光固化丙烯酸树脂,二氧化钛纳米微球的粒径为1000nm,丝网印刷过程采用目数为1000目的丝网印刷成膜,光提取层的厚度为50μm。
实施例6
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将透明玻璃基板置于1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用真空蒸发的方式在基板表面制备一层厚度为200nm的金属Au薄膜作为阳极;
(2)采用真空蒸发的方式在阳极表面制备发光功能层,依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
其中,空穴注入层层采用CuPc,厚度为20nm;空穴传输层采用NPB,厚度为30nm;发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中形成的混合材料,其中Ir(ppy)3与CBP的质量比为10:100,厚度为15nm;电子传输层采用TPBi,厚度为30nm;电子注入层采用LiF,厚度为1nm;
(3)采用真空蒸发的方式在电子注入层表面制备阴极,阴极的材质为金属Al-Mg合金,厚度为30nm;
(4)采用真空共蒸发的方式在阴极表面制备一层厚度为5nm的光匹配层,光匹配层由金属Mg和NPB共蒸发制备,金属Mg和NPB的质量比为50:100;金属Mg的蒸发速度为0.5nm/s,NPB的蒸发速度为1nm/s;
(5)采用丝网印刷工艺在光匹配层的表面上形成厚度为10μm的光提取层,得到有机电致发光器件;光提取层的材质包括质量比为50:100的聚苯乙烯纳米微球和光固化丙烯酸树脂,聚苯乙烯纳米微球的粒径为200nm,丝网印刷过程采用目数为400目的丝网印刷成膜。
实施例7
本实施例与实施例6的区别在于,光提取层的材质包括质量比为20:100的聚苯乙烯纳米微球和光固化丙烯酸树脂,聚苯乙烯纳米微球的粒径为400nm,丝网印刷过程采用目数为1000目的丝网印刷成膜,光提取层的厚度为60μm。
实施例8
本实施例与实施例6的区别在于,光提取层的材质包括质量比为20:100的聚苯乙烯纳米微球和光固化丙烯酸树脂,聚苯乙烯纳米微球的粒径为800nm,丝网印刷过程采用目数为600目的丝网印刷成膜,光提取层的厚度为15μm。
实施例9
本实施例与实施例6的区别在于,光提取层的材质包括质量比为10:100的聚苯乙烯纳米微球和光固化丙烯酸树脂,聚苯乙烯纳米微球的粒径为1000nm,丝网印刷过程采用目数为800目的丝网印刷成膜,光提取层的厚度为20μm。
实施例10
本实施例与实施例6的区别在于,光提取层的材质包括质量比为10:100的聚苯乙烯纳米微球和光固化丙烯酸树脂,聚苯乙烯纳米微球的粒径为1500nm,丝网印刷过程采用目数为1000目的丝网印刷成膜,光提取层的厚度为100μm。
实施例11
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将透明玻璃基板置于1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用真空蒸发的方式在基板表面制备一层厚度为100nm的金属Pt薄膜作为阳极;
(2)采用真空蒸发的方式在阳极表面制备发光功能层,依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
其中,空穴注入层层采用CuPc,厚度为20nm;空穴传输层采用NPB,厚度为30nm;发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中形成的混合材料,其中Ir(ppy)3与CBP的质量比为10:100,厚度为15nm;电子传输层采用TPBi,厚度为30nm;电子注入层采用LiF,厚度为1nm;
(3)采用真空蒸发的方式在电子注入层表面制备阴极,阴极的材质为金属Ag-Mg合金,厚度为25nm;
(4)采用真空共蒸发的方式在阴极表面制备一层厚度为15nm的光匹配层,光匹配层由金属Mg和CuPc共蒸发制备,金属Mg和CuPc的质量比为20:100;金属Mg的蒸发速度为0.4nm/s,NPB的蒸发速度为2nm/s;
(5)采用丝网印刷工艺在光匹配层的表面上形成厚度为100μm的光提取层,得到有机电致发光器件;光提取层的材质包括质量比为20:100的二氧化硅纳米微球和热固化环氧树脂,二氧化硅纳米微球的粒径为50nm,丝网印刷过程采用目数为600目的丝网印刷成膜。
实施例12
本实施例与实施例11的区别在于,光提取层的材质包括质量比为50:100的二氧化硅纳米微球和热固化环氧树脂,二氧化硅纳米微球的粒径为100nm,丝网印刷过程采用目数为400目的丝网印刷成膜,光提取层的厚度为60μm。
实施例13
本实施例与实施例11的区别在于,光提取层的材质包括质量比为15:100的二氧化硅纳米微球和热固化环氧树脂,二氧化硅纳米微球的粒径为250nm,丝网印刷过程采用目数为200目的丝网印刷成膜,光提取层的厚度为20μm。
实施例14
本实施例与实施例11的区别在于,光提取层的材质包括质量比为10:100的二氧化硅纳米微球和热固化环氧树脂,二氧化硅纳米微球的粒径为400nm,丝网印刷过程采用目数为200目的丝网印刷成膜,光提取层的厚度为60μm。
对比例1
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将透明玻璃基板置于1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用真空蒸发的方式在基板表面制备一层厚度为100nm的金属Ag薄膜作为阳极;
(2)采用真空蒸发的方式在阳极表面制备发光功能层,依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
其中,空穴注入层层采用CuPc,厚度为20nm;空穴传输层采用NPB,厚度为30nm;发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中形成的混合材料,其中Ir(ppy)3与CBP的质量比为10:100,厚度为15nm;电子传输层采用TPBi,厚度为30nm;电子注入层采用LiF,厚度为1nm;
(3)采用真空蒸发的方式在电子注入层表面制备阴极,得到有机电致发光器件,阴极的材质为金属Ag,厚度为18nm。
对比例2
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将透明玻璃基板置于1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用真空蒸发的方式在基板表面制备一层厚度为200nm的金属Au薄膜作为阳极;
(2)采用真空蒸发的方式在阳极表面制备发光功能层,依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
其中,空穴注入层层采用CuPc,厚度为20nm;空穴传输层采用NPB,厚度为30nm;发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中形成的混合材料,其中Ir(ppy)3与CBP的质量比为10:100,厚度为15nm;电子传输层采用TPBi,厚度为30nm;电子注入层采用LiF,厚度为1nm;
(3)采用真空蒸发的方式在电子注入层表面制备阴极,得到有机电致发光器件,阴极的材质为金属Al-Mg合金,厚度为30nm。
对比例3
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将透明玻璃基板置于1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用真空蒸发的方式在基板表面制备一层厚度为100nm的金属Pt薄膜作为阳极;
(2)采用真空蒸发的方式在阳极表面制备发光功能层,依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
其中,空穴注入层层采用CuPc,厚度为20nm;空穴传输层采用NPB,厚度为30nm;发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中形成的混合材料,其中Ir(ppy)3与CBP的质量比为10:100,厚度为15nm;电子传输层采用TPBi,厚度为30nm;电子注入层采用LiF,厚度为1nm;
(3)采用真空蒸发的方式在电子注入层表面制备阴极,得到有机电致发光器件,阴极的材质为金属Ag-Mg合金,厚度为25nm。
效果实施例
本发明测试与制备设备为高真空镀膜***(沈阳科学仪器研制中心有限公司),美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱,美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能,日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
将本发明实施例1~5和对比例1所制得的有机电致发光器件在6V驱动电压下进行发光效率测试,测试结果如表1所示:
表1
由表1的数据可以看出,本发明的提供的有机电致发光器件,通过在阴极表面设置光匹配层和光提取层,发光效率从对比例的11.2lm/W提高到了20.9lm/W以上。这是由于光提取层包含有纳米微球,而纳米微球具有光散射作用,可使空气与光匹配层之间的折射率比较匹配,并且能够改变入射光的出射方向,从而增大出射光的临界角,从而增加出光效率,最终提高器件的发光效率。
将本发明实施例6~10和对比例2所制得的有机电致发光器件在6V驱动电压下进行发光效率测试,测试结果如表2所示:
表2
从表2的数据可以看出,本发明的提供的有机电致发光器件,通过在阴极表面设置光匹配层和光提取层,发光效率从对比例2的10.2lm/W提高到了19.1lm/W以上。
将本发明实施例11~14和对比例3所制得的有机电致发光器件在6V驱动电压下进行发光效率测试,测试结果如表3所示:
表3
从表3的数据可以看出,本发明的提供的有机电致发光器件,通过在阴极表面设置光匹配层和光提取层,发光效率从对比例3的12.1lm/W提高到了21.4lm/W以上。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件,包括基板和依次层叠设置在基板上的阳极、发光功能层和阴极,其特征在于,所述阴极表面依次层叠设置有光匹配层和光提取层,所述光匹配层的材质为金属与有机材料形成的混合材料,所述金属与有机材料的质量比为10~50:100,所述金属为银、铝或镁,所述有机材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺,酞菁铜或8-羟基喹啉铝;所述光提取层的材质包括纳米微球和聚合物材料,所述纳米微球为粒径为50~1500nm的陶瓷或高分子材料颗粒,所述聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,所述光提取层的厚度为10~100μm;所述阳极的材质为导电金属薄膜;所述阴极的材质为银、铝、镁单质或其任意组合形成的合金,所述发光功能层至少包括依次层叠的空穴传输层、发光层和电子传输层。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述热固化的聚合物材料为热固化环氧树脂,所述光固化的聚合物材料为光固化丙烯酸树脂。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述陶瓷材料颗粒为二氧化硅或二氧化钛,所述高分子材料颗粒为聚苯乙烯微球。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述纳米微球与聚合物材料的质量比为10~50:100。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述光匹配层的厚度为5~20nm。
6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将洁净的基板置于真空度为1×10-3~1×10-5Pa的真空镀膜室中,依次制备阳极、发光功能层和阴极;所述阳极的材质为导电金属薄膜;所述阳极采用真空热阻蒸发或电子束蒸发的方式制备,蒸发速率为0.2~2nm/s;所述发光功能层至少包括依次层叠的空穴传输层、发光层和电子传输层;所述阴极的材质为银、铝、镁单质或其任意组合形成的合金;所述空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极均采用真空热阻蒸发的方式制备;
采用真空共蒸发的方式在所述阴极上制备光匹配层,所述光匹配层的材质为金属与有机材料形成的混合材料,所述金属与有机材料的质量比为10~50:100,所述金属为银、铝或镁,所述有机材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺,酞菁铜或8-羟基喹啉铝;所述光匹配层的材料蒸发速度为0.1~2nm/s,所述金属与有机材料的蒸发速度比为10~50:100;
最后采用丝网印刷的方式在所述光匹配层上制备光提取层,得到有机电致发光器件;所述光提取层的材质包括纳米微球和聚合物材料,所述纳米微球为陶瓷或高分子材料颗粒,粒径为50~1500nm,所述聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,所述光提取层的厚度为10~100μm。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述热固化的聚合物材料为热固化环氧树脂,所述光固化的聚合物材料为光固化丙烯酸树脂;所述陶瓷材料颗粒为二氧化硅或二氧化钛,所述高分子材料颗粒为聚苯乙烯微球。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述纳米微球与聚合物材料的质量比为10~50:100。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述丝网印刷的丝网目数为200~1000目。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述光匹配层的厚度为5~20nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310209538.9A CN104218173A (zh) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310209538.9A CN104218173A (zh) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104218173A true CN104218173A (zh) | 2014-12-17 |
Family
ID=52099472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310209538.9A Pending CN104218173A (zh) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104218173A (zh) |
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