CN104183722A - 白光有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种白光有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光单元、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光单元、第二电子传输层、电子注入层及阴极,阳极包括依次层叠的第一抗反射层、玻璃基板、第二抗反射层、折光层、透明导电层、第一短路减少层及第二短路减少层。该白光有机电致发光器件具有较小的工作电流。本发明还提供一种白光有机电致发光器件的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及电子器件领域,特别涉及一种白光有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)具有一些独特的优点:(1)OLED属于扩散型面光源,不需要像发光二极管(LED)一样通过额外的导光***来获得大面积的白光光源;(2)由于有机发光材料的多样性,OLED照明可根据需要设计所需颜色的光,目前无论是小分子OLED,还是聚合物有机发光二极管(PLED)都已获得了包含白光光谱在内的所有颜色的光;(3)OLED可在多种衬底如玻璃、陶瓷、金属、塑料等材料上制作,这使得设计照明光源时更加自由;(4)采用制作OLED显示的方式制作OLED照明面板,可在照明的同时显示信息;(5)OLED在照明***中还可被用作可控色,允许使用者根据个人需要调节灯光氛围。但是,传统的有机电致发光器件存在工作电流较大的问题。
发明内容
鉴于此,有必要提供一种工作电流较小的白光有机电致发光器件及其制备方法。
一种白光有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光单元、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光单元、第二电子传输层、电子注入层及阴极;所述阳极包括依次层叠的第一抗反射层、玻璃基板、第二抗反射层、折光层、透明导电层、第一短路减少层及第二短路减少层,所述第一抗反射层及所述第二抗反射层的材料为锗化硅;所述折光层靠近所述第二抗反射层的表面形成多个长条状的V型凸起,所述V型凸起的末端与所述第二反射层抵接且粘合在一起;所述透明导电层层叠于所述折光层远离所述V型凸起的一侧,所述第一短路减少层的材料为锗化硅,所述第二短路减少层的材料选自氧化铟、硫化锌、氧化锡及二氧化硅的至少一种;所述第一空穴注入层层叠于所述第二短路减少层上;所述第一发光单元包括依次层叠的红光发光层、第一绿光发光层及第一蓝光发光层,所述红光发光层层叠于所述第一空穴传输层上;所述第二发光单元包括第二绿光发光层及层叠于所述第二绿光发光层上的第二蓝光发光层,且所述第二绿光发光层层叠于所述第二空穴传输层上;所述第一蓝光发光层的材料包括第一蓝光主体材料、掺杂在所述第一蓝光主体材料中的第一蓝光客体材料及第一电荷产生材料,所述第一蓝光客体材料与所述第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.2:1,所述第一电荷产生材料与所述第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.1:1,所述第二蓝光发光层的材料包括第二蓝光主体材料、掺杂在所述第二蓝光主体材料中的第二蓝光客体材料及第二电荷产生材料,所述第二蓝光客体材料与所述第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.2:1,所述第二电荷产生材料与所述第二蓝光主体材料的质量比为0.05~0.1:1;所述第一蓝光主体材料及所述第二蓝光主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶及1,4--双(三苯基硅)苯中的至少一种;所述第一蓝光客体材料及所述第二蓝光客体材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱及双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱中的至少一种,所述第一电荷产生材料及所述第二电荷产生材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的至少一种;
所述电荷产生层的材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述折光层的材料为折射率为1.7~1.9的透明塑料膜;每个V型凸起的底部的宽度为5微米~20微米,高度为5微米~20微米,且相邻两个V型凸起之间的距离为5微米~20微米;所述第一抗反射层及第二抗反射层厚度均为10纳米~20纳米;所述透明导电层的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物,厚度为80~150纳米;所述第一短路减少层及所述第二短路减少层的厚度为2纳米~5纳米。
在其中一个实施例中,所述红光发光层的材料包括红光主体材料及掺杂于所述红光主体材料中的红光客体材料,所述红光客体材料与所述红光主体材料的质量比为0.005~0.02:1,所述红光主体材料选自4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷及9,10-双(1-萘基)蒽中的至少一种,所述红光客体材料选自二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、二[2-苯基喹啉基)-N,C2](乙酰丙酮)合铱(III)、二[N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合铱(III)、二[2-(2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N,C2](乙酰丙酮)合铱(III)、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合铱(III)及三(1-苯基-异喹啉)合铱中的至少一种;
所述第一绿光发光层的材料包括第一绿光主体材料及掺杂于所述第一绿光主体材料中的第一绿光客体材料,所述第一绿光客体材料与所述第一绿光主体材料的质量比为0.02~0.10:1;所述第二绿光发光层的材料包括第二绿光主体材料及掺杂于所述第二绿光主体材料中第二绿光客体材料,所述第二绿光客体材料与所述第二绿光主体材料的质量比为0.02~0.10:1;所述第一绿光主体材料及所述第二绿光主体材料选自4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷及9,10-双(1-萘基)蒽中的至少一种;所述第一绿光客体材料及所述第二绿光客体材料选自三(2-苯基吡啶)合铱、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱及三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述红光发光层的厚度为10纳米~30纳米;所述第一绿光发光层的厚度为10纳米~30纳米;所述第一蓝光发光层的厚度为5纳米~15纳米;所述第二绿光发光层的厚度为10纳米~30纳米;所述第二蓝光发光层的厚度为5纳米~15纳米。
在其中一个实施例中,所述第一空穴注入层的材料包括空穴传输材料及掺杂于所述空穴传输材料中的p型掺杂材料,且所述第一空穴注入层中所述p型掺杂材料与所述空穴传输材料的质量比为0.25~0.35:1;所述第二空穴注入层的材料包括空穴传输材料及掺杂于所述空穴传输材料中的p型掺杂材料,且所述第二空穴注入层中所述p型掺杂材料与所述空穴传输材料的质量比为0.25~0.35:1;所述空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的至少一种;所述p型掺杂材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的至少一种;
所述第一空穴传输层的材料及所述第二空穴传输层的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的至少一种;
所述第一电子传输层的材料及所述第二电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一种;
所述电子注入层的材料包括电子传输材料及掺杂于所述电子传输材料中的n型掺杂材料,所述n型掺杂材料与所述电子传输材料的质量比为0.25~0.35:1;所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一种;所述n型掺杂材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮化铯、碳酸锂、氟化锂及氧化锂中的至少一种;及
所述阴极的材料选自银、铝及金中的至少一种。
一种白光有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:
在玻璃基板两面分别溅射制备第一抗反射层与第二抗反射层;
将折光层压制到玻璃基板的第二抗反射层上,所述折光层靠近所述第二抗反射层的表面形成多个长条状的V型凸起,所述V型凸起的末端与所述第二抗反射层抵接且粘合在一起;
在所述折光层远离所述V型凸起的一侧表面沉积透明导电层;
在所述透明导电层上依次磁控溅射第一短路减少层及第二短路减少层,所述第一抗反射层、玻璃基板、第二抗反射层、折光层、透明导电层、第一短路减少层及第二短路减少层组成阳极;
在所述第二短路减少层上依次蒸镀制备第一空穴注入层及第一空穴传输层;
在所述第一空穴传输层上蒸镀第一发光单元,所述第一发光单元包括依次层叠的红光发光层、第一绿光发光层及第一蓝光发光层;其中,所述第一蓝光发光层的材料包括第一蓝光主体材料、掺杂在所述第一蓝光主体材料中的第一蓝光客体材料及第一电荷产生材料,所述第一蓝光客体材料与所述第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.2:1,所述第一电荷产生材料与所述第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.1:1,所述第一蓝光主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶及1,4--双(三苯基硅)苯中的至少一种,所述第一蓝光客体材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱及双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱中的至少一种,所述第一电荷产生材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的至少一种;
在所述第一蓝光发光层表面蒸镀制备第一电子传输层;
在所述第一电子传输层表面蒸镀制备电荷产生层,所述电荷产生层的材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的至少一种;
在所述电荷产生层表面蒸镀制备第二空穴注入层及第二空穴传输层;
在所述第二空穴传输层表面蒸镀制备第二发光单元,所述第二发光单元包括第二绿光发光层及第二蓝光发光层,所述第二蓝光发光层的材料包括第二蓝光主体材料、掺杂在所述第二蓝光主体材料中的第二蓝光客体材料及第二电荷产生材料,所述第二蓝光客体材料与所述第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.2:1,所述第二电荷产生材料与所述第二蓝光主体材料的质量比为0.05~0.1:1,所述第二蓝光主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶及1,4--双(三苯基硅)苯中的至少一种,所述第二蓝光客体材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱及双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱中的至少一种,所述第二电荷产生材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的至少一种;及
在所述第二蓝光发光层表面依次蒸镀制备第二电子传输层、电子注入层及阴极,得到白光有机电致发光器件。
在其中一个实施例中,将折光层压制到玻璃基板的第二抗反射层上之前还包括对所述玻璃基板进行清洗的步骤;所述清洗的步骤为:将玻璃基板依次采用洗洁精、去离子水、丙酮及乙醇超声清洗,然后干燥,再对洗净的玻璃基板进行表面活化处理。
在其中一个实施例中,所述第一短路减少层的材料为锗化硅,所述第二短路减少层的材料选自氧化铟、硫化锌、氧化锡及二氧化硅的至少一种,所述第一短路减少层及所述第二短路减少层的厚度为2纳米~5纳米。
在其中一个实施例中,在所述第二短路减少层上蒸镀形成所述第一空穴注入层之前先将所述阳极于60℃~80℃真空干燥15分钟~30分钟。
在其中一个实施例中,所述折光层的材料为折射率为1.7~1.9的透明塑料;每个V型凸起的底部的宽度为5微米~20微米,高度为5微米~20微米,且相邻两个V型凸起之间的距离为5微米~20微米;所述透明导电层的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物。
上述白光有机电致发光器件包括依次层叠的阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光单元、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光单元、第二电子传输层、电子注入层及阴极,采用的是PIN叠层结构,且阳极包括依次层叠的第一抗反射层、玻璃基板、第二抗反射层、折光层、透明导电层、第一短路减少层及第二短路减少层,所述折光层靠近所述第二抗反射层的表面形成多个长条状的V型凸起,所述V型凸起的末端与所述第二抗反射层抵接且粘合在一起;所述透明导电层层叠于所述折光层远离所述V型凸起的一侧;所述第一短路减少层的材料为锗化硅,所述第二短路减少层的材料选自氧化铟、硫化锌、氧化锡及二氧化硅的至少一种,通过新的出光方式,采用抗反射层,增加短路减少层,从而可以增强出光;第一发光单元包括依次层叠的红光发光层、第一绿光发光层及第一蓝光发光层,且第一蓝光发光层的材料包括第一蓝光主体材料及共同掺杂于第一蓝光主体材料中的第一蓝光客体材料与第一电荷产生材料,第二发光单元包括第二绿光发光层及层叠于第二绿光发光层上的第二蓝光发光层,使得上述白光有机电致发光器件具有较高的发光效率,流明效率可达23.4lm/W,层叠的结构可以有效降低工作电流,因此,上述白光有机电致发光器件具有较小的工作电流。
附图说明
图1为一实施方式的白光有机电致发光器件的结构示意图;
图2为一实施方式的白光有机电致发光器件的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法作进一步详细的说明。
如图1所示,一实施方式的有机电致发光器件100,包括依次层叠的阳极101、第一空穴注入层102、第一空穴传输层103、第一发光单元104、第一电子传输层105、电荷产生层106、第二空穴注入层107、第二空穴传输层108、第二发光单元109、第二电子传输层110、电子注入层111及阴极112。
阳极101包括依次层叠的第一抗反射层1011、玻璃基板1012、第二抗反射层1013、折光层1014、透明导电层1015、第一短路减少层1016及第二短路减少层1017。玻璃基板优选为无碱玻璃。无碱玻璃主要成分为SiO2、Al2O3、CaO、MgO与B2O3,其中碱金属总含量小于百分之一。玻璃基板1012的厚度为0.3mm~0.7mm。
第一抗反射层1011及第二抗反射层1013分别溅射在玻璃基板1012的两表面,优选的,第一抗反射层1011及第二抗反射层1013的材料为锗化硅,优选的,第一抗反射层1011及第二抗反射层1013的厚度为10纳米~20纳米。
折光层1014的材料为折射率为1.7~1.9的透明塑料,优选的,折光层1014的材料为聚氨酯塑料膜(PU)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺(PI)。折光层1014具有高的折光指数,能够增强出光。折光层1014靠近第二抗反射层1013的表面形成多个长条状的V型凸起,V型凸起的末端与第二抗反射层1013抵接且粘合在一起,使得折光层1014与第二抗反射层1013之间形成多个长条状三角形的空隙。空隙可以达到增强出光的作用。进一步的,多个凸起的延伸方向相互平行,且多个凸起等间距排布,优选的,每个V型凸起的底部的宽度为5微米~20微米,高度为5微米~20微米,且相邻两个V型凸起之间的距离为5微米~20微米。本实施方式中,V型凸起的末端与第二抗反射层1013通过折射率匹配液粘合在一起。
透明导电层1015形成于折光层1014远离V型凸起的一侧表面。透明导电层1015的材料为本领域常用的透明的具有导电性能的材料,优选为铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物(IZO)。透明导电层1015的厚度为80nm~150nm。
在透明导电层1015上依次磁控溅射制备第一短路减少层1016及第二短路减少层1017,,优选的,第一短路减少层1016的材料为锗化硅,第二短路减少层的材料选自氧化铟、硫化锌、氧化锡及二氧化硅的至少一种,优选的,第一短路减少层1016与第二短路减少层1017的厚度为2纳米~5纳米。
第一空穴注入层102形成于第二短路减少层1017表面。其中,第一空穴注入层102的材料包括空穴传输材料及掺杂于空穴传输材料中的p型掺杂材料。p型掺杂材料与空穴传输材料的质量比为0.25~0.35:1。空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)中的至少一种。p型掺杂材料选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)及三氧化铼(ReO3)中的至少一种。优选的,第一空穴注入层102的厚度为10纳米~15纳米。
第一空穴传输层103形成于第一空穴注入层102表面。第一空穴传输层103的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)中的至少一种。优选的,第一空穴传输层103的厚度为30纳米~50纳米。
第一发光单元104包括依次层叠的红光发光层1041、第一绿光发光层1042及第一蓝光发光层1043。
红光发光层1041形成于第一空穴传输层103表面。红光发光层1041的材料包括红光主体材料及掺杂于红光主体材料中的红光客体材料。红光客体材料与红光主体材料的质量比为0.005~0.02:1。优选的,红光主体材料选自4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)、1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)及9,10-双(1-萘基)蒽(ADN)中的至少一种。红光客体材料选自二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、二[2-苯基喹啉基)-N,C2](乙酰丙酮)合铱(III)(PQIr)、二[N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合铱(III)((fbi)2Ir(acac))、二[2-(2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N,C2](乙酰丙酮)合铱(III)((F-BT)2Ir(acac))、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合铱(III)(Ir(btp)2(acac))及三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)中的至少一种。优选的,红光发光层1041的厚度为10纳米~30纳米。
第一绿光发光层1042形成于红光发光层1041表面。第一绿光发光层1042的材料包括第一绿光主体材料及掺杂于第一绿光主体材料中的第一绿光客体材料。第一绿光客体材料与第一绿光主体材料的质量比为0.02~0.1:1。第一绿光主体材料选自4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)、1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)及9,10-双(1-萘基)蒽(ADN)中的至少一种。第一绿光客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))及三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)(Ir(mppy)3)中的至少一种。优选的,第一绿光发光层1042的厚度为10纳米~30纳米。
第一蓝光发光层1043形成于第一绿色发光层1042的表面。第一蓝光发光层1043的材料包括第一蓝光主体材料及共同掺杂于第一蓝光主体材料中的第一蓝光客体材料与第一电荷产生材料。第一蓝光客体材料与第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.2:1;第一电荷产生材料与第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.1:1。第一蓝光主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(35DCzPPY)及1,4--双(三苯基硅)苯(UGH2)中的至少一种。第一蓝光客体材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱(FCNIr)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱(FIrtaz)及双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱(FIrN4)中的至少一种。第一电荷产生材料选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)及三氧化铼(ReO3)中的至少一种。电荷产生材料属于双极性材料,既可以提供空穴又能提供电子。优选的,第一蓝光发光层106的厚度为5纳米~15纳米。
第一电子传输层105形成于第一蓝光发光层1043表面。第一电子传输层105的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ)及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一种。优选的,第一电子传输层105的厚度为10纳米~60纳米。
电荷产生层106形成于第一电子传输层105的表面。电荷产生层106的材料选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)及三氧化铼(ReO3)中的至少一种。这些材料为双极性的材料,使用这些材料的电荷产生层108也具有双极性。优选的,电荷产生层106的厚度为5纳米~30纳米。
第二空穴注入层107形成于电荷产生层106的表面。第二空穴注入层107的材料包括空穴传输材料及掺杂于空穴传输材料中的p型掺杂材料。p型掺杂材料与空穴传输材料的质量比为0.25~0.35:1。空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)中的至少一种。p型掺杂材料选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)及三氧化铼(ReO3)中的至少一种。第二空穴注入层107的厚度为10nm~15nm。
第二空穴传输层108形成于第二空穴注入层107的表面。第二空穴传输层108的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)中的至少一种。第二空穴传输层108的厚度为30nm~50nm。
第二发光单元109包括第二绿光发光层1091及层叠于第二绿光发光层1091上的第二蓝光发光层1092。
第二绿光发光层1091形成于第二空穴传输层108表面。第二绿光发光层1091的材料包括第二绿光主体材料及掺杂于第二绿光主体材料中第二绿光客体材料。第二绿光客体材料与第二绿光主体材料的质量比为0.02~0.1:1。第二绿光主体材料选自4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)、1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)及9,10-双(1-萘基)蒽(ADN)中的至少一种。第二绿光客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))及三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)(Ir(mppy)3)中的至少一种。优选的,第二绿光发光层1091的厚度为10纳米~30纳米。
第二蓝光发光层1092的材料包括第二蓝光主体材料及共同掺杂于第二蓝光主体材料中的第二蓝光客体材料与第二电荷产生材料。第二蓝光客体材料与第二蓝光主体材料的质量比为0.05~0.2:1;第二电荷产生材料与第二蓝光主体材料的质量比为0.05~0.1:1。第二蓝光主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(35DCzPPY)及1,4--双(三苯基硅)苯(UGH2)中的至少一种。第二蓝光客体材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱(FCNIr)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱(FIrtaz)及双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱(FIrN4)中的至少一种。第二电荷产生材料选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)及三氧化铼(ReO3)中的至少一种。电荷产生材料属于双极性材料,既可以提供空穴又能提供电子。优选的,第二蓝光发光层1092的厚度为5纳米~15纳米。
第二电子传输层110形成于第二蓝光发光层1092表面。第二电子传输层110的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ)及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一种。优选的,第二电子传输层110的厚度为10纳米~60纳米。
电子注入层111的材料包括电子传输材料及掺杂于电子传输材料中的n型掺杂材料。n型掺杂材料与电子传输材料的质量比为0.25~0.35:1。电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ)及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一种。n型掺杂材料选自碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮化铯(CsN3)、碳酸锂(Li2CO3)、氟化锂(LiF)及氧化锂(Li2O)中的至少一种。优选的,电子注入层111的厚度为20纳米~40纳米。
阴极112的材料为银(Ag)、铝(Al)及金(Au)中的至少一种。优选的,阴极112的厚度为50纳米~200纳米。
上述白光有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极101、第一空穴注入层102、第一空穴传输层103、第一发光单元104、第一电子传输层105、电荷产生层106、第二空穴注入层107、第二空穴传输层108、第二发光单元109、第二电子传输层110、电子注入层111及阴极112,采用的是PIN叠层结构,且阳极101包括依次层叠的第一抗反射层1011、玻璃基板1012、第二抗反射层1013、折光层1014、透明导电层1015、第一短路减少层1016及第二短路减少层1017,折光层1014与第二抗反射层1013相对的表面上设有多个长条状的V型凸起,使得折光层1014与第二抗反射层1013之间形成多个空隙,所述透明导电层1015层叠于所述折光层1014远离V型凸起的一侧,第一短路减少层1016的材料为锗化硅,第二短路减少层1017的材料选自氧化铟、硫化锌、氧化锡及二氧化硅的至少一种,通过新的出光方式,采用抗反射层,增加短路减少层,从而可以增强出光;第一发光单元104包括依次层叠的红光发光层1041、第二绿光发光层1042及第一蓝光发光层1043,且第一蓝光发光层1043的材料包括第一蓝光主体材料及共同掺杂于第一蓝光主体材料中的第一蓝光客体材料与第一电荷产生材料,第二发光单元109包括第二绿光发光层1091及层叠于第二绿光发光层1091上的第二蓝光发光层1092,整个白光有机电致发光器件器件光谱覆盖范围广,半波峰宽,这样显色指数高,在第一发光单元104及第二发光单元109之间设置电荷产生层106,使得上述白光有机电致发光器件100具有较高的发光效率,流明效率可达23.4lm/W,层叠的结构在同等的亮度下可以有效降低工作电流,因此,上述白光有机电致发光器件100具有较小的工作电流。
如图2所示,一实施方式的白光有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:
步骤S310、在玻璃基板1012两面分别溅射制备第一抗反射层1011与第二抗反射层1013。
玻璃基板1012优选为无碱玻璃。无碱玻璃主要成分为SiO2、Al2O3、CaO、MgO与B2O3,其中碱金属总含量小于百分之一。玻璃基板1012的厚度为0.3mm~0.7mm。
第一抗反射层与第二抗反射层采用溅射制作,优选的,第一抗反射层及第二抗反射层的材料为锗化硅,第一抗反射层与第二抗反射层的厚度均为10纳米~20纳米。
步骤S320、将折光层1014压制到玻璃基板1012的第二抗反射层1013上,折光层1014靠近第二抗反射层1013的表面形成多个长条状的V型凸起,V型凸起的末端与第二抗反射层1013抵接且粘合在一起。
具体在本实施方式中,通过在V型凸起的末端涂覆少量的折射率匹配液使V型凸起的末端与所述第二抗反射层抵接且粘合在一起。
优选的,将折光层压制到第二抗反射层一侧表面之前还包括对玻璃基板依次进行清洗及表面活化处理的步骤;清洗的步骤为:将玻璃基板依次采用洗洁精、去离子水、丙酮及乙醇超声清洗,然后干燥。在具体的实施例中,每次清洗5分钟,停止5分钟,分别重复3次,然后再用烘箱烘干。通过对清洗后的玻璃基板进行表面活化处理,可以增加玻璃基板表面的含氧量,提高玻璃基板表面的功函数。
折光层1014的材料为为折射率为1.7~1.9的透明塑料,优选的,折光层1014的材料为聚氨酯塑料膜(PU)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺(PI)。折光层1014具有高的折光指数,能够增强出光。折光层1014靠近第二抗反射层1013的表面上形成多个长条状的V型凸起,V型凸起的末端与第二抗反射层1013抵接且粘合在一起,使得折光层1014与第二抗反射层1013之间形成多个长条状的三角形空隙。空隙可以达到增强出光的作用。进一步的,多个凸起的延伸方向相互平行,且多个凸起等间距排布,优选的,每个V型凸起的底部的宽度为5微米~20微米,高度为5微米~20微米,且相邻两个V型凸起之间的距离为5微米~20微米。
本实施方式中,将折光层1014压制到第二抗反射层1013一侧表面的操作包括以下步骤:在第二抗反射层1013的一侧表面涂敷一层塑料胶水,厚度约为30nm,然后将折光层1014模压到第二抗反射层1013上。通过塑料胶水将折光层1014与第二抗反射层1013粘结在一起,由于塑料胶水的厚度相比折光层1014及第二抗反射层1013的厚度可以忽略,因此塑料胶水对光效不会产生影响。
步骤S330、在折光层1014远离V型凸起的一侧表面沉积透明导电层1015。
透明导电层1015形成于折光层1014远离V型凸起的一侧表面。透明导电层1015的材料为本领域常用的透明的具有导电性能的材料,优选为铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物(IZO)。透明导电层1015的厚度为80nm~150nm。
透明导电层1015由溅射制备。溅射时,本底真空度1×10-5Pa~1×10-3Pa,靶材为相应氧化物,300~800V,磁场约:50~200G,功率密度:1~40W/cm2。
步骤S340、在透明导电层1015上依次磁控溅射第一短路减少层1016及第二短路减少层1017,第一抗反射层1011、玻璃基板1012、第二抗反射层1013、折光层1014、透明导电层1015、第一短路减少层1016及第二短路减少层1017组成阳极101。
第一短路减少层1016及第二短路减少层1017依次形成于透明导电层1015的一侧表面。第一短路减少层1016的材料锗化硅,第二短路减少层1017的材料选自氧化铟、硫化锌、氧化锡及二氧化硅的至少一种,第一短路减少层1016及第二短路减少层1017的厚度为2纳米~5纳米。
本实施方式中,第一短路减少层1016及第二短路减少层1017均采用磁控溅射的方式制作。溅射时,本底真空度为1×10-3~1×10-5Pa。优选的,在透明导电层上真空蒸镀形成第一空穴注入层之前,还包括将阳极101于60℃~80℃真空干燥15~30分钟,从而减少剩余的水和气体。
步骤S350、在第二短路减少层1017表面依次蒸镀制备第一空穴注入层102及第一空穴传输层103。
第一空穴注入层102形成于第二短路减少层1017表面。其中,第一空穴注入层102的材料包括空穴传输材料及掺杂于空穴传输材料中的p型掺杂材料。p型掺杂材料与空穴传输材料的质量比为0.25~0.35:1。空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)中的至少一种。p型掺杂材料选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)及三氧化铼(ReO3)中的至少一种。优选的,第一空穴注入层102的厚度为10纳米~15纳米。优选的,真空蒸镀形成第一空穴注入层102的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,p型掺杂材料的蒸发速度为。
第一空穴传输层103形成于第一空穴注入层102表面。第一空穴传输层103的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)中的至少一种。优选的,第一空穴传输层130的厚度为30纳米~50纳米。优选的,真空蒸镀形成第一空穴传输层103的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,蒸发速度为
步骤S360、在第一空穴传输层103表面蒸镀制备第一发光单元104。
第一发光单元104包括依次层叠的红光发光层1041、第二绿光发光层1042及第一蓝光发光层1043。
红光发光层1041形成于第一空穴传输层103表面。红光发光层1041的材料包括红光主体材料及掺杂于红光主体材料中的红光客体材料。红光客体材料与红光主体材料的质量比为0.005~0.02:1。优选的,红光主体材料选自4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)、1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)及9,10-双(1-萘基)蒽(ADN)中的至少一种。红光客体材料选自二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、二[2-苯基喹啉基)-N,C2](乙酰丙酮)合铱(III)(PQIr)、二[N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合铱(III)((fbi)2Ir(acac))、二[2-(2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N,C2](乙酰丙酮)合铱(III)((F-BT)2Ir(acac))、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合铱(III)(Ir(btp)2(acac))及三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)中的至少一种。优选的,红光发光层1041的厚度为10纳米~30纳米。优选的,真空蒸镀形成红光发光层的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,采用混蒸的方式制作,即将红光主体材料及红光客体材料按设定的质量比掺杂好,放入一个坩埚中,蒸发速度为
第一绿光发光层1042形成于红光发光层1041表面。第一绿光发光层1042的材料包括第一绿光主体材料及掺杂于第一绿光主体材料中的第一绿光客体材料。第一绿光客体材料与第一绿光主体材料的质量比为0.02~0.1:1。第一绿光主体材料选自4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)、1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)及9,10-双(1-萘基)蒽(ADN)中的至少一种。第一绿光客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))及三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)(Ir(mppy)3)中的至少一种。优选的,第一绿光发光层1042的厚度为10纳米~30纳米。优选的,真空蒸镀形成第一绿光发光层的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,采用混蒸的方式制作,即将第一绿光主体材料及第一绿光客体材料按设定的质量比掺杂好,放入一个坩埚中,蒸发速度为0.1
第一蓝光发光层1043形成于第一绿色发光层1042的表面。第一蓝光发光层1043的材料包括第一蓝光主体材料及共同掺杂于第一蓝光主体材料中的第一蓝光客体材料与第一电荷产生材料。第一蓝光客体材料与第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.2:1;第一电荷产生材料与第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.1:1。第一蓝光主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(35DCzPPY)及1,4--双(三苯基硅)苯(UGH2)中的至少一种。第一蓝光客体材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱(FCNIr)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱(FIrtaz)及双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱(FIrN4)中的至少一种。第一电荷产生材料选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)及三氧化铼(ReO3)中的至少一种。优选的,第一蓝光发光层1043的厚度为5纳米~15纳米。优选的,真空蒸镀形成第一蓝光发光层的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,XX采用混蒸的方式制作,即将第一蓝光主体材料、第一蓝光客体材料及第一电荷产生材料按设定的质量比掺杂好,放入一个坩埚中,蒸发速度为
步骤S370、在第一蓝光发光层1043表面蒸镀制备第一电子传输层105。
第一电子传输层105形成于第一蓝光发光层1043表面。第一电子传输层105的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ)及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一种。优选的,第一电子传输层105的厚度为10纳米~60纳米。优选的,真空蒸镀形成第一电子传输层的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,蒸发速度为
步骤S380、在第一电子传输层105表面蒸镀制备电荷产生层106。
电荷产生层106形成于第一电子传输层105的表面。电荷产生层106的材料选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)及三氧化铼(ReO3)中的至少一种。这些材料为双极性的材料,使用这些材料的电荷产生层108也具有双极性。优选的,电荷产生层106的厚度为5纳米~30纳米。优选的,真空蒸镀形成电荷产生层的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,蒸发速度为
步骤S390、在电荷产生层106的表面蒸镀制备第二空穴注入层107及第二空穴传输层108。
第二空穴注入层107形成于电荷产生层106的表面。第二空穴注入层107的材料包括空穴传输材料及掺杂于空穴传输材料中的p型掺杂材料。p型掺杂材料与空穴传输材料的质量比为0.25~0.35:1。空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)中的至少一种。p型掺杂材料选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)及三氧化铼(ReO3)中的至少一种。第二空穴注入层107的厚度为10nm~15nm。优选的,真空蒸镀形成第二空穴注入层的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,XX蒸发速度为
第二空穴传输层108形成于第二空穴注入层107的表面。第二空穴传输层108的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)中的至少一种。第二空穴传输层108的厚度为30nm~50nm。优选的,真空蒸镀形成第二空穴传输层的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,蒸发速度为
步骤S400、在第二空穴传输层108上真空蒸镀第二发光单元109。
第二发光单元109包括第二绿光发光层1091及层叠于第二绿光发光层1091上的第二蓝光发光层1092。
第二绿光发光层1091形成于第二空穴传输层108表面。第二绿光发光层1091的材料包括第二绿光主体材料及掺杂于第二绿光主体材料中的第二绿光客体材料。第二绿光客体材料与第二绿光主体材料的质量比为0.02~0.1:1。第二绿光主体材料选自4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)、1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)及9,10-双(1-萘基)蒽(ADN)中的至少一种。第二绿光客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))及三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)(Ir(mppy)3)中的至少一种。优选的,第二绿光发光层1091的厚度为10纳米~30纳米。优选的,真空蒸镀形成所述第二绿光发光层的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,采用混蒸的方式制作,即将第二绿光主体材料及第二绿光客体材料按设定的质量比掺杂好,放入一个坩埚中,蒸发速度为
第二蓝光发光层1092的材料包括第二蓝光主体材料及共同掺杂于第二蓝光主体材料中的第二蓝光客体材料与第二电荷产生材料。第二蓝光客体材料与第二蓝光主体材料的质量比为0.05~0.2:1;第二电荷产生材料与第二蓝光主体材料的质量比为0.05~0.1:1。第二蓝光主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(35DCzPPY)及1,4--双(三苯基硅)苯(UGH2)中的至少一种。第二蓝光客体材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱(FCNIr)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱(FIrtaz)及双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱(FIrN4)中的至少一种。第二电荷产生材料选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)及三氧化铼(ReO3)中的至少一种。优选的,第二蓝光发光层1092的厚度为5纳米~15纳米。优选的,真空蒸镀形成所述第二蓝光发光层的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,采用混蒸的方式制作,即将第二蓝光主体材料、第二蓝光客体材料及第二电荷产生材料按设定的质量比掺杂好,放入一个坩埚中,蒸发速度为
步骤S410、在第二蓝光发光层1092上依次蒸镀制备第二电子传输层110、电子注入层111及阴极112,得到白光有机电致发光器件。
第二电子传输层110形成于第二蓝光发光层1092表面。第二电子传输层110的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ)及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一种。优选的,第二电子传输层110的厚度为10纳米~60纳米。优选的,真空蒸镀形成第二电子传输层的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,蒸发速度为
电子注入层111的材料包括电子传输材料及掺杂于电子传输材料中的n型掺杂材料。n型掺杂材料与电子传输材料的质量比为0.25~0.35:1。电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ)及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一种。n型掺杂材料选自碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮化铯(CsN3)、碳酸锂(Li2CO3)、氟化锂(LiF)及氧化锂(Li2O)中的至少一种。优选的,电子注入层111的厚度为20纳米~40纳米。优选的,真空蒸镀形成电子注入层的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,n型掺杂材料蒸发速度为
阴极112的材料为银(Ag)、铝(Al)及金(Au)中的至少一种。优选的,阴极112的厚度为50纳米~200纳米。优选的,真空蒸镀形成阴极的真空度为8×10-5Pa~3×10-4Pa,蒸发速度为
上述白光有机电致发光器件的制备方法简单,容易操作,且制备出的有机电致发光器件具有较高的显色指数及较小的工作电流,有利于产业化生产。
以下结合具体实施例对本发明提供的柔性白光有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为:高真空镀膜***(沈阳科学仪器研制中心有限公司)、美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱、美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能、日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
实施例1
本实施例的白光有机电致发光器件的结构为:SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/In2O3/NPB:MoO3/NPB/TCTA:Ir(MDQ)2(acac)/TCTA:Ir(ppy)3/CBP:Firpic:MoO3/Bphen/MoO3/NPB:MoO3/NPB/TCTA:Ir(ppy)3/CBP:Firpic:MoO3/Bphen/Bphen:Cs2CO3/Ag;其中,斜杆“/”表示层状结构,冒号“:”表示掺杂,下同。
该实施例的白光有机电致发光器件的制备如下:
(1)将厚度为0.5mm的玻璃基板依次采用洗洁精、去离子水、丙酮及乙醇超声清洗,每次清洗5分钟,停止5分钟,分别重复3次,然后用烘箱烘干,将烘干后的玻璃基板进行表面活化处理;在玻璃基板两面分别溅射制备第一抗反射层及第二抗反射层,膜层材料为锗化硅,第一抗反射层与第二抗反射层的厚度为20纳米;选取具有高折射率透明的聚氨酯薄膜作为折光层,折光层的一表面形成多个长条状的V型凸起,每个凸起的底部的宽度为5微米,高度为5微米,相邻两个V型凸起之间的距离为5微米;将折光层形成有凸起的表面与第二抗反射层压合,折光层与第二抗反射层之间形成多个空隙;然后在折光层的另一表面上沉积形成铟锡氧化物(ITO)透明导电层,透明导电层的厚度为100nm;采用磁控溅射的方式在透明导电层上依次制备第一短路减少层及第二短路减少层,第一短路减少层的材料为锗化硅,第二短路减少层的材料为氧化铟,第一短路减少层与第二短路减少层的厚度为5纳米,得到阳极,将阳极于80℃真空干燥15分钟;阳极的结构为:SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/In2O3。
(2)在第二短路减少层上依次真空蒸镀形成第一空穴注入层及第一空穴传输层:第一空穴注入层的材料为三氧化钼(MoO3)掺杂的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB),表示为:NPB:MoO3,其中,三氧化钼(MoO3)与N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)质量比为0.3:1,第一空穴注入层的厚度为12.5纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,MoO3蒸发速度为第一空穴传输层的材料为N,N'-(1-萘基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(NPB),厚度为40纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
(3)在第一空穴传输层上真空蒸镀第一发光单元,第一发光单元包括红光发光层、第一绿光发光层及第一蓝光发光层,在第一空穴传输层上依次真空蒸镀形成红光发光层、第一绿光发光层及第一蓝光发光层:红光发光层的材料为二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))掺杂的4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),表示为:TCTA:Ir(MDQ)2(acac),其中,二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))与4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的质量比为0.01:1,红光发光层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一绿光发光层的材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)掺杂的4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),表示为:TCTA:Ir(ppy)3,其中,三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)与4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的质量比为0.06:1,第一绿光发光层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一蓝光发光层的材料为双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)与三氧化钼(MoO3)共同掺杂的4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP),表示为CBP:Firpic:MoO3,其中,双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)与4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)的质量比为0.125:1,三氧化钼(MoO3)与4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)的质量比为0.075:1,第一蓝光发光层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一发光单元表示为:TCTA:Ir(MDQ)2(acac)/TCTA:Ir(ppy)3/CBP:Firpic:MoO3。
(4)在第一蓝光发光层上真空蒸镀形成第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴注入层及第二空穴传输层:第一电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen),厚度为35纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为电荷产生层的材料为三氧化钼(MoO3),厚度为17.5纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二空穴注入层的材料为三氧化钼(MoO3)掺杂的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB),表示为:NPB:MoO3,其中,三氧化钼(MoO3)与N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)的质量比为0.3:1,第二空穴注入层的厚度为12.5纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,MoO3蒸发速度为第二空穴传输层的材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB),厚度为40纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
(5)在第二空穴传输层上真空蒸镀第二发光单元,第二发光单元包括第二绿光发光层及第二蓝光发光层,在第二空穴传输层上依次真空蒸镀形成第二绿光发光层及第二蓝光发光层:第二绿光发光层的材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)掺杂的4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),表示为:TCTA:Ir(ppy)3,其中,三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)与4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的质量比为0.06:1,第二绿光发光层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二蓝光发光层的材料为双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)与三氧化钼(MoO3)共同掺杂的4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP),表示为CBP:Firpic:MoO3,其中,双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)与4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)的质量比为0.125:1,三氧化钼(MoO3)与4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)的质量比为0.075:1,第二蓝光发光层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为则第二发光单元表示为:TCTA:Ir(ppy)3/CBP:Firpic:MoO3。
(6)在第二蓝光发光层上依次真空蒸镀形成第二电子传输层、电子注入层及阴极,得到白光有机电致发光器件:第二电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen),厚度为35纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为电子注入层的材料为碳酸铯(Cs2CO3)掺杂的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen),表示为:Bphen:Cs2CO3,其中,碳酸铯(Cs2CO3)与4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)质量比为0.3:1,电子注入层的厚度为30纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为阴极的材料为银(Ag),厚度为125纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
得到本实施例的结构为SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITOSiGe/In2O3/NPB:MoO3/NPB/TCTA:Ir(MDQ)2(acac)/TCTA:Ir(ppy)3/CBP:Firpic:MoO3/Bphen/MoO3/NPB:MoO3/NPB/TCTA:Ir(ppy)3/CBP:Firpic:MoO3/Bphen/Bphen:Cs2CO3/Ag的白光有机电致发光器件。本实施例制备的白光有机电致发光器件的流明效率见表1。
实施例2
本实施例的白光有机电致发光器件的结构为:SiGe/玻璃SiGe/PEN/AZO/SiGe/ZnS/TCTA:WO3/TCTA/mCP:PQIr/mCP:Ir(ppy)2(acac)/mCP:FIr6:V2O5/BCP/V2O5/TCTA:WO3/TCTA/mCP:Ir(ppy)2(acac)/mCP:FIr6:V2O5/BCP/BCP:CsF/Al。
该实施例的白光有机电致发光器件的制备如下:
(1)将厚度为0.3mm的玻璃基板依次采用洗洁精、去离子水、丙酮及乙醇超声清洗,每次清洗5分钟,停止5分钟,分别重复3次,然后用烘箱烘干,将烘干后的玻璃基板进行表面活化处理;在玻璃基板两面分别溅射制备第一抗反射层及第二抗反射层,膜层材料为锗化硅;选取具有高折射率透明的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)作为折光层,折光层的一表面形成多个长条状的V型凸起,每个凸起的底部的宽度为10微米,高度为10微米,相邻两个V型凸起之间的距离为10微米;将折光层形成有凸起的表面与第二抗反射层压合,折光层与第二抗反射层之间形成多个空隙;然后在折光层的另一表面上沉积形成铝锌氧化物(AZO)透明导电层,透明导电层的厚度为150nm;采用磁控溅射的方式在透明导电层上依次制备第一短路减少层及第二短路减少层,第一短路减少层的材料锗化硅,第二短路减少层的材料为硫化锌,第一短路减少层与第二短路减少层的厚度为5纳米,得到阳极,将阳极于80℃真空干燥15分钟;阳极的结构为:SiGe/玻璃/SiGe/PEN/AZO/SiGe/ZnS。
(2)在第二短路减少层上依次真空蒸镀形成第一空穴注入层及第一空穴传输层:第一空穴注入层的材料为三氧化钨(WO3)掺杂的4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),表示为:TCTA:WO3,其中,三氧化钨(WO3)与4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)质量比为0.25:1,第一空穴注入层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,WO3蒸发速度为第一空穴传输层的材料为4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),厚度为30纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
(3)在第一空穴传输层上真空蒸镀第一发光单元,第一发光单元包括红光发光层、第一绿光发光层及第一蓝光发光层,在第一空穴传输层上依次真空蒸镀形成红光发光层、第一绿光发光层及第一蓝光发光层:红光发光层的材料为二[2-苯基喹啉基)-N,C2](乙酰丙酮)合铱(III)(PQIr)掺杂的9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP),表示为:mCP:PQIr,其中,二[2-苯基喹啉基)-N,C2](乙酰丙酮)合铱(III)(PQIr)与9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)的质量比为0.005:1,红光发光层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一绿光发光层的材料为乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))掺杂的9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP),表示为:mCP:Ir(ppy)2(acac),其中,乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))与9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)的质量比为0.02:1,第一绿光发光层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一蓝光发光层的材料为双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)与五氧化二钒(V2O5)共同掺杂的9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP),表示为mCP:FIr6:V2O5,其中,双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)与9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)的质量比为0.05:1,五氧化二钒(V2O5)与9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)的质量比为0.05:1,第一蓝光发光层的厚度为5纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为则第一发光单元表示为:mCP:PQIr/mCP:Ir(ppy)2(acac)/mCP:FIr6:V2O5。
(4)在第一蓝光发光层上真空蒸镀形成第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴注入层及第二空穴传输层:第一电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP),厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为电荷产生层的材料为五氧化二钒(V2O5),厚度为5纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二空穴注入层的材料为三氧化钨(WO3)掺杂的4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),表示为:TCTA:WO3,其中,三氧化钨(WO3)与4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的质量比为0.25:1,第二空穴注入层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二空穴传输层的材料为4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),厚度为30纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
(5)在第二空穴传输层上真空蒸镀第二发光单元,第二发光单元包括第二绿光发光层及第二蓝光发光层,在第二空穴传输层上依次真空蒸镀形成第二绿光发光层及第二蓝光发光层:第二绿光发光层的材料为乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))掺杂的9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP),表示为:mCP:Ir(ppy)2(acac),其中,乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))与9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)的质量比为002:1,第二绿光发光层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二蓝光发光层的材料为双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)与五氧化二钒(V2O5)共同掺杂的9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP),表示为mCP:FIr6:V2O5,其中,双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)与9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)的质量比为0.05:1,五氧化二钒(V2O5)与9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)的质量比为0.05:1,第二蓝光发光层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为则第二发光单元表示为:mCP:Ir(ppy)2(acac)/mCP:FIr6:V2O5。
(6)在第二蓝光发光层上依次真空蒸镀形成第二电子传输层、电子注入层及阴极,得到有机电致发光器件:第二电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP),厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为电子注入层的材料为氟化铯(CsF)掺杂的4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP),表示为:BCP:CsF,其中,氟化铯(CsF)与4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)质量比为0.25:1,电子注入层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,CsF蒸发速度为阴极的材料为铝(Al),厚度为50纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
得到本实施例的结构为SiGe/玻璃/SiGe/PEN/AZO/SiGe/ZnS/TCTA:WO3/TCTA/mCP:PQIr/mCP:Ir(ppy)2(acac)/mCP:FIr6:V2O5/BCP/V2O5/TCTA:WO3/TCTA/mCP:Ir(ppy)2(acac)/mCP:FIr6:V2O5/BCP/BCP:CsF/Al的白光有机电致发光器件。本实施例制备的有白光机电致发光器件的流明效率见表1。
实施例3
本实施例的白光有机电致发光器件的结构为:SiGe/玻璃/SiGe/PI/IZO/SiGe/SnO2/CBP:V2O5/CBP/CBP:(fbi)2Ir(acac)/CBP:Ir(mppy)3/CzSi:FCNIr:WO3/BAlq/WO3/CBP:V2O5/CBP/CBP:Ir(mppy)3/CzSi:FCNIr:WO3/BAlq/BAlq:CsN3/Au。
该实施例的白光有机电致发光器件的制备如下:
(1)将厚度为0.7mm的玻璃基板依次采用洗洁精、去离子水、丙酮及乙醇超声清洗,每次清洗5分钟,停止5分钟,分别重复3次,然后用烘箱烘干,将烘干后的玻璃基板进行表面活化处理;在玻璃基板两面分别溅射制备第一抗反射层及第二抗反射层,膜层材料为锗化硅,第一抗反射层与第二抗反射层厚度为20纳米;选取具有高折射率透明的聚酰亚胺(PI)作为折光层,折光层的一表面形成多个长条状的V型凸起,每个凸起的底部的宽度为15微米,高度为15微米,相邻两个V型凸起之间的距离为15微米;将折光层形成有凸起的表面与第二抗反射层压合,折光层与第二抗反射层之间形成多个空隙;然后在折光层的另一表面上沉积形成铟锌氧化物(IZO)透明导电层,透明导电层的厚度为80nm;采用磁控溅射的方式在透明导电层上依次制备第一短路减少层及第二短路减少层,第一短路减少层的材料为锗化硅,第二短路减少层的材料为氧化锡,第一短路减少层与第二短路减少层的厚度为5纳米,得到阳极,将阳极于80℃真空干燥15分钟;阳极的结构为:SiGe/玻璃/SiGe/PI/IZO/SiGe/SnO2。
(2)在第二短路减少层上依次真空蒸镀形成第一空穴注入层及第一空穴传输层:第一空穴注入层的材料为五氧化二钒(V2O5)掺杂的4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP),表示为:CBP:V2O5,其中,五氧化二钒(V2O5)与4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)质量比为0.35:1,第一空穴注入层的厚度为15纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,V2O5蒸发速度为第一空穴传输层的材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP),厚度为50纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
(3)在第一空穴传输层上真空蒸镀第一发光单元,第一发光单元包括红光发光层、第一绿光发光层及第一蓝光发光层,红光发光层的材料为二[N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合铱(III)((fbi)2Ir(acac))掺杂的4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP),表示为:CBP:(fbi)2Ir(acac),其中,二[N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合铱(III)((fbi)2Ir(acac))与4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)的质量比为002:1,红光发光层的厚度为30纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一绿光发光层的材料为三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)(Ir(mppy)3)掺杂的4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP),表示为:CBP:Ir(mppy)3,其中,三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)(Ir(mppy)3)与4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)的质量比为0.1:1,第一绿光发光层的厚度为30纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一蓝光发光层的材料为三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱(FCNIr)与三氧化钨(WO3)共同掺杂的9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi),表示为CzSi:FCNIr:WO3,其中,三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱(FCNIr)与9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)的质量比为0.2:1,三氧化钨(WO3)与9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)的质量比为0.1:1,第一蓝光发光层的厚度为15纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为则第一发光单元表示为:CBP:(fbi)2Ir(acac)/CBP:Ir(mppy)3/CzSi:FCNIr:WO3。
(4)在第一蓝光发光层上真空蒸镀第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴注入层及第二空穴传输层:第一电子传输层的材料为4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq),厚度为60纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为电荷产生层的材料为三氧化钨(WO3),厚度为30纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二空穴注入层的材料为五氧化二钒(V2O5)掺杂的4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP),表示为:CBP:V2O5,其中,五氧化二钒(V2O5)与4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)的质量比为0.35:1,第二空穴注入层的厚度为15纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二空穴传输层的材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP),厚度为50纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
(5)在第二空穴传输层上真空蒸镀第二发光单元,第二发光单元包括第二绿光发光层及第二蓝光发光层,第二绿光发光层的材料为三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)(Ir(mppy)3)掺杂的4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP),表示为:CBP:Ir(mppy)3,其中,三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)(Ir(mppy)3)与4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)的质量比为0.1:1,第二绿光发光层的厚度为30纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二蓝光发光层的材料为三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱(FCNIr)与三氧化钨(WO3)共同掺杂的9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi),表示为CzSi:FCNIr:WO3,其中,三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱(FCNIr)与9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)的质量比为0.2:1,三氧化钨(WO3)与9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)的质量比为0.1:1,第二蓝光发光层的厚度为15纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为则第二发光单元表示为:CBP:Ir(mppy)3/CzSi:FCNIr:WO3。
(6)在第二蓝光发光层上依次真空蒸镀形成第二电子传输层、电子注入层及阴极,得到有机电致发光器件:第二电子传输层的材料为4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq),厚度为60纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为电子注入层的材料为叠氮化铯(CsN3)掺杂的4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq),表示为:BAlq:CsN3,其中,叠氮化铯(CsN3)与4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq)的质量比为0.35:1,电子注入层的厚度为40纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,CsN3蒸发速度为阴极的材料为金(Au),厚度为200纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
得到本实施例的结构为SiGe/玻璃/SiGe/PI/IZO/SiGe/SnO2/CBP:V2O5/CBP/CBP:(fbi)2Ir(acac)/CBP:Ir(mppy)3/CzSi:FCNIr:WO3/BAlq/WO3/CBP:V2O5/CBP/CBP:Ir(mppy)3/CzSi:FCNIr:WO3/BAlq/BAlq:CsN3/Au的白光有机电致发光器件。本实施例制备的白光有机电致发光器件的流明效率见表1。
实施例4
本实施例的白光有机电致发光器件的结构为:SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/SiO2/TPD:ReO3/TPD/TPD:(F-BT)2Ir(acac)/TPD:Ir(ppy)3/26DCzPPY:FIrtaz:ReO3/Alq3/ReO3/TPD:ReO3/TPD/TPD:Ir(ppy)3/26DCzPPY:FIrtaz:ReO3/Alq3/Alq3:Li2CO3/Ag。
该实施例的白光有机电致发光器件的制备如下:
(1)将厚度为0.4mm的玻璃基板依次采用洗洁精、去离子水、丙酮及乙醇超声清洗,每次清洗5分钟,停止5分钟,分别重复3次,然后用烘箱烘干,将烘干后的玻璃基板进行表面活化处理;在玻璃基板两面分别溅射制备第一抗反射层及第二抗反射层,膜层材料为SiGe,第一抗反射层与第二抗反射层的厚度为15纳米;选取具有高折射率透明的聚氨酯(PU)薄膜作为折光层,折光层的一表面形成多个长条状的V型凸起,每个凸起的底部的宽度为20微米,高度为20微米,相邻两个V型凸起之间的距离为20微米;将折光层形成有凸起的表面与第二抗反射层压合,折光层与第二抗反射层之间形成多个空隙;然后在折光层的另一表面上沉积形成ITO透明导电层,透明导电层的厚度为100nm;采用磁控溅射的方式在透明导电层上依次制备第一短路减少层及第二短路减少层,第一短路减少层的材料为锗化硅,第二短路减少层的材料为二氧化硅,第一短路减少层与第二短路减少层的厚度为3纳米,得到阳极,将阳极于80℃真空干燥15分钟;阳极的结构为:SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/SiO2。
(2)在第二短路减少层上依次真空蒸镀形成第一空穴注入层及第一空穴传输层:第一空穴注入层的材料为三氧化铼(ReO3)掺杂的N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD),表示为:TPD:ReO3,其中,三氧化铼(ReO3)与N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)质量比为0.3:1,第一空穴注入层的厚度为13纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,ReO3蒸发速度为第一空穴传输层的材料为N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD),厚度为40纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
(3)在第一空穴传输层上真空蒸镀第一发光单元,第一发光单元包括红光发光层、第一绿光发光层及第一蓝光发光层,红光发光层的材料为二[2-(2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N,C2](乙酰丙酮)合铱(III)((F-BT)2Ir(acac))掺杂的N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD),表示为:TPD:(F-BT)2Ir(acac),其中,二[2-(2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N,C2](乙酰丙酮)合铱(III)((F-BT)2Ir(acac))与N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)的质量比为0.01:1,红光发光层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一绿光发光层的材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)掺杂的N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD),表示为:TPD:Ir(ppy)3,其中,三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)与N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)的质量比为0.05:1,第一绿光发光层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一蓝光发光层的材料为双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱(FIrtaz)与三氧化铼(ReO3)共同掺杂的2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY),表示为26DCzPPY:Firtaz:ReO3,其中,双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱(FIrtaz)与2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)的质量比为0.12:1,三氧化铼(ReO3)与2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)的质量比为0.07:1,第一蓝光发光层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为则第一发光单元表示为:TPD:(F-BT)2Ir(acac)/TPD:Ir(ppy)3/26DCzPPY:FIrtaz:ReO3。
(4)在第一蓝光发光层上真空蒸镀形成第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴注入层及第二空穴传输层:第一电子传输层的材料为8-羟基喹啉铝(Alq3),厚度为40纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为电荷产生层的材料为三氧化铼(ReO3),厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二空穴注入层的材料为三氧化铼(ReO3)掺杂的N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD),表示为:TPD:ReO3,其中,三氧化铼(ReO3)与N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)的质量比为03:1,第二空穴注入层的厚度为12纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二空穴传输层的材料为N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD),厚度为40纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
(5)在第二空穴传输层上真空蒸镀第二发光单元,第二发光单元包括第二绿光发光层及第二蓝光发光层,第二绿光发光层的材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)掺杂的N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD),表示为:TPD:Ir(ppy)3,其中,三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)与N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(TPD)的质量比为0.05:1,第二绿光发光层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二蓝光发光层的材料为双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱(FIrtaz)与三氧化铼(ReO3)共同掺杂的2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY),表示为26DCzPPY:Firtaz:ReO3,其中,双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱(FIrtaz)与2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)的质量比为0.12:1,三氧化铼(ReO3)与2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)的质量比为0.07:1,第二蓝光发光层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为则第二发光单元表示为:TPD:Ir(ppy)3/26DCzPPY:FIrtaz:ReO3。
(6)在第二蓝光发光层上依次真空蒸镀形成第二电子传输层、电子注入层及阴极,得到有机电致发光器件:第二电子传输层的材料为8-羟基喹啉铝(Alq3),厚度为30纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为电子注入层的材料为碳酸锂(Li2CO3)掺杂的8-羟基喹啉铝(Alq3),表示为:Alq3:Li2CO3,其中,碳酸锂(Li2CO3)与8-羟基喹啉铝(Alq3)的质量比为0.3:1,电子注入层的厚度为30纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,Li2CO3蒸发速度为阴极的材料为银(Ag),厚度为100纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
得到本实施例的结构为SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/SiO2/TPD:ReO3/TPD/TPD:(F-BT)2Ir(acac)/TPD:Ir(ppy)3/26DCzPPY:FIrtaz:ReO3/Alq3/ReO3/TPD:ReO3/TPD/TPD:Ir(ppy)3/26DCzPPY:FIrtaz:ReO3/Alq3/Alq3:Li2CO3/Ag的白光有机电致发光器件。本实施例制备的白光有机电致发光器件的流明效率见表1。
实施例5
本实施例的白光有机电致发光器件的结构为:SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/In2O3/TAPC:MoO3/TAPC/TAPC:Ir(btp)2(acac)/TAPC:Ir(ppy)2(acac)/35DCzPPY:FIrN4:MoO3/TAZ/MoO3/TAPC:MoO3/TAPC/TAPC:Ir(ppy)2(acac)/35DCzPPY:FIrN4:MoO3/TAZ/TAZ:LiF/Al。
该实施例的白光有机电致发光器件的制备如下:
(1)将厚度为0.6mm的玻璃基板依次采用洗洁精、去离子水、丙酮及乙醇超声清洗,每次清洗5分钟,停止5分钟,分别重复3次,然后用烘箱烘干,将烘干后的玻璃基板进行表面活化处理;在玻璃基板两面分别溅射制备第一抗反射层及第二抗反射层,膜层材料为锗化硅,第一抗反射层与第二抗反射层的厚度为15纳米;选取具有高折射率透明的聚氨酯薄膜作为折光层,折光层的一表面形成多个长条状的V型凸起,每个凸起的底部的宽度为11微米,高度为11微米,相邻两个V型凸起之间的距离为11微米;将折光层形成有凸起的表面与第二抗反射层压合,折光层与第二抗反射层之间形成多个空隙;然后在折光层的另一表面上沉积形成ITO透明导电层,透明导电层的厚度为100nm;采用磁控溅射的方式在透明导电层上依次制备第一短路减少层及第二短路减少层,第一短路减少层的材料为锗化硅,第二短路减少层的材料为氧化铟,第一短路减少层与第二短路减少层的厚度为3纳米,得到阳极,将阳极于80℃真空干燥15分钟;阳极的结构为:SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/In2O3。
(2)在第二短路减少层上依次真空蒸镀形成第一空穴注入层及第一空穴传输层:第一空穴注入层的材料为三氧化钼(MoO3)掺杂的1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC),表示为:TAPC:MoO3,其中,三氧化钼(MoO3)与1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)的质量比为0.25:1,第一空穴注入层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,MoO3蒸发速度为第一空穴传输层的材料为1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC),厚度为40纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
(3)在第一空穴传输层上真空蒸镀第一发光单元,第一发光单元包括红光发光层、第一绿光发光层及第一蓝光发光层,红光发光层的材料为二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合铱(III)(Ir(btp)2(acac))掺杂的41,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC),表示为:TAPC:Ir(btp)2(acac),其中,二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合铱(III)(Ir(btp)2(acac))与1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)的质量比为0.01:1,红光发光层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一绿光发光层的材料为(Ir(ppy)2(acac))掺杂的1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC),表示为:TAPC:Ir(ppy)2(acac),其中,(Ir(ppy)2(acac))与1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)的质量比为0.07:1,第一绿光发光层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一蓝光发光层的材料为双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱(FIrN4)与三氧化钼(MoO3)共同掺杂的3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(35DCzPPY),表示为35DCzPPY:FIrN4:MoO3,其中,双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱(FIrN4)与3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(35DCzPPY)的质量比为0.12:1,三氧化钼(MoO3)与3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(35DCzPPY)的质量比为0.07:1,第一蓝光发光层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为则第一发光单元表示为:TAPC:Ir(btp)2(acac)/TAPC:Ir(ppy)2(acac)/35DCzPPY:FIrN4:MoO3。
(4)在第一蓝光发光层上真空蒸镀形成第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴注入层及第二空穴传输层:第一电子传输层的材料为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ),厚度为40纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为电荷产生层的材料为三氧化钼(MoO3),厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二空穴注入层的材料为三氧化钼(MoO3)掺杂的1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC),表示为:TAPC:MoO3,其中,三氧化钼(MoO3)与1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)的质量比为0.28:1,第二空穴注入层的厚度为13纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二空穴传输层的材料为1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC),厚度为40纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
(5)在第二空穴传输层上真空蒸镀第二发光单元,第二发光单元包括第二绿光发光层及第二蓝光发光层,第二绿光发光层的材料为(Ir(ppy)2(acac))掺杂的1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC),表示为:TAPC:Ir(ppy)2(acac),其中,(Ir(ppy)2(acac))与1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)的质量比为0.07:1,第二绿光发光层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二蓝光发光层的材料为双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱(FIrN4)与三氧化钼(MoO3)共同掺杂的3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(35DCzPPY),表示为35DCzPPY:FIrN4:MoO3,其中,双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱(FIrN4)与3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(35DCzPPY)的质量比为0.12:1,三氧化钼(MoO3)与3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(35DCzPPY)的质量比为0.07:1,第二蓝光发光层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为则第二发光单元表示为:TAPC:Ir(ppy)2(acac)/35DCzPPY:FIrN4:MoO3。
(6)在第二蓝光发光层上依次真空蒸镀形成第二电子传输层、电子注入层及阴极,得到有机电致发光器件:第二电子传输层的材料为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ),厚度为50纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为电子注入层的材料为氟化锂(LiF)掺杂的3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ),表示为:TAZ:LiF,其中,氟化锂(LiF)与3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ)的质量比为0.3:1,电子注入层的厚度为30纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,LiF蒸发速度为阴极的材料为铝(Al),厚度为100纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
得到本实施例的结构为SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/In2O3/TAPC:MoO3/TAPC/TAPC:Ir(btp)2(acac)/TAPC:Ir(ppy)2(acac)/35DCzPPY:FIrN4:MoO3/TAZ/MoO3/TAPC:MoO3/TAPC/TAPC:Ir(ppy)2(acac)/35DCzPPY:FIrN4:MoO3/TAZ/TAZ:LiF/Al的白光有机电致发光器件。本实施例制备的白光有机电致发光器件在1000cd/m2下的流明效率见表1。
实施例6
本实施例的白光有机电致发光器件的结构为:SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/ZnS/NPB:WO3/NPB/ADN:Ir(piq)3/ADN:Ir(mppy)3/UGH2:Firpic:V2O5/TPBI/V2O5/NPB:WO3/NPB/ADN:Ir(mppy)3/UGH2:Firpic:V2O5/TPBI/TPBI:Li2O/Al。
该实施例的白光有机电致发光器件的制备如下:
(1)将厚度为0.5mm的玻璃基板依次采用洗洁精、去离子水、丙酮及乙醇超声清洗,每次清洗5分钟,停止5分钟,分别重复3次,然后用烘箱烘干,将烘干后的玻璃基板进行表面活化处理;在玻璃基板两面分别溅射制备第一抗反射层及第二抗反射层,膜层材料为锗化硅,第一抗反射层与第二抗反射层的厚度为10纳米;选取具有高折射率透明的聚氨酯薄膜作为折光层,折光层的一表面形成多个长条状的V型凸起,每个凸起的底部的宽度为18微米,高度为18微米,相邻两个V型凸起之间的距离为18微米;将折光层形成有凸起的表面与第二抗反射层压合,折光层与第二抗反射层之间形成多个空隙;然后在折光层的另一表面上沉积形成ITO透明导电层,透明导电层的厚度为100nm;采用磁控溅射的方式在透明导电层上依次制备第一短路减少层及第二短路减少层,第一短路减少层的材料为锗化硅,第二短路减少层的材料为硫化锌,第一短路减少层与第二短路减少层的厚度为2纳米,得到阳极,将阳极于80℃真空干燥15分钟;阳极的结构为:SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/ZnS。
(2)在第二短路减少层上依次真空蒸镀形成第一空穴注入层及第一空穴传输层:第一空穴注入层的材料为三氧化钨(WO3)掺杂的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB),表示为:NPB:WO3,其中,三氧化钨(WO3)与N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)质量比为0.3:1,第一空穴注入层的厚度为12纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,WO3蒸发速度为第一空穴传输层的材料为N,N'-(1-萘基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺(NPB),厚度为40纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
(3)在第一空穴传输层上真空蒸镀第一发光单元,第一发光单元包括红光发光层、第二绿光发光层及第一蓝光发光层,在第一空穴传输层上依次真空蒸镀形成红光发光层、第二绿光发光层及第一蓝光发光层:红光发光层的材料为三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)掺杂的9,10-双(1-萘基)蒽(ADN),表示为:ADN:Ir(piq)3,其中,三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)与9,10-双(1-萘基)蒽(ADN)的质量比为0.01:1,红光发光层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一绿光发光层的材料为三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)(Ir(mppy)3)掺杂的9,10-双(1-萘基)蒽(ADN),表示为:ADN:Ir(mppy)3,其中,三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)(Ir(mppy)3)与9,10-双(1-萘基)蒽(ADN)的质量比为0.06:1,第一绿光发光层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第一蓝光发光层的材料为双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)与五氧化二钒(V2O5)共同掺杂的1,4--双(三苯基硅)苯(UGH2),表示为UGH2:FIrpic:V2O5,其中,双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)与1,4--双(三苯基硅)苯(UGH2)的质量比为0.12:1,五氧化二钒(V2O5)与1,4--双(三苯基硅)苯(UGH2)的质量比为0.07:1,第一蓝光发光层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为则第一发光单元表示为:ADN:Ir(piq)3/ADN:Ir(mppy)3/UGH2:Firpic:V2O5。
(4)在第一蓝光发光层上真空蒸镀第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴注入层及第二空穴传输层:第一电子传输层的材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI),厚度为40纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为电荷产生层的材料为五氧化二钒(V2O5),厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二空穴注入层的材料为三氧化钨(WO3)掺杂的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB),表示为:NPB:WO3,其中,三氧化钨(WO3)与N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)的质量比为0.3:1,第二空穴注入层的厚度为12纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二空穴传输层的材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB),厚度为40纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
(5)在第二空穴传输层上真空蒸镀第二发光单元,第二发光单元包括第二绿光发光层及第二蓝光发光层,在第二空穴传输层上依次真空蒸镀形成第二绿光发光层及第二蓝光发光层:第二绿光发光层的材料为三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)(Ir(mppy)3)掺杂的9,10-双(1-萘基)蒽(ADN),表示为:ADN:Ir(mppy)3,其中,三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)(Ir(mppy)3)与9,10-双(1-萘基)蒽(ADN)的质量比为0.06:1,第二绿光发光层的厚度为20纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为第二蓝光发光层的材料为双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)与五氧化二钒(V2O5)共同掺杂的1,4--双(三苯基硅)苯(UGH2),表示为UGH2:Firpic:V2O5,其中,双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)与1,4--双(三苯基硅)苯(UGH2)的质量比为0.12:1,五氧化二钒(V2O5)与1,4--双(三苯基硅)苯(UGH2)的质量比为0.07:1,第二蓝光发光层的厚度为10纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为则第二发光单元表示为:ADN:Ir(mppy)3/UGH2:Firpic:V2O5。
(6)在第二蓝光发光层上依次真空蒸镀形成第二电子传输层、电子注入层及阴极,得到有机电致发光器件:第二电子传输层的材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI),厚度为30纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为电子注入层的材料为氧化锂(Li2O)掺杂的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI),表示为:TPBI:Li2O,其中,氧化锂(Li2O)与1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)质量比为0.3:1,电子注入层的厚度为30纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,Li2O蒸发速度为阴极的材料为铝(Al)厚度为100纳米真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa蒸发速度为2为铝(Al),厚度为100纳米,真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa,蒸发速度为
得到本实施例的结构为SiGe/玻璃SiGe/PU/ITO/SiGe/ZnS/NPB:WO3/NPB/ADN:Ir(piq)3/ADN:Ir(mppy)3/UGH2:Firpic:V2O5/TPBI/V2O5/NPB:WO3/NPB/ADN:Ir(mppy)3/UGH2:Firpic:V2O5/TPBI/TPBI:Li2O/Al的白光有机电致发光器件。本实施例制备的白光有机电致发光器件在1000cd/m2下的流明效率见表1。
表1表示的是实施例1~实施例6制备的有机电致发光器件在1000cd/m2下的流明效率数据。
表1
从表1中可以得知,实施例1~实施例6制备的有机电致发光器件在1000cd/m2下的流明效率至少为18.5lm/W,且实施例4制备的有机电致发光器件在1000cd/m2下的流明效率最大可达23.4lm/W,而传统的有机电致发光器件(结构为:ITO/NPB:WO3/NPB/ADN:Ir(piq)3/ADN:Ir(mppy)3/UGH2:Firpic/TPBI/V2O5/NPB:WO3/NPB/ADN:Ir(mppy)3/UGH2:Firpic/TPBI/TPBI:Li2O/Al)在1000cd/m2下的流明效率最大仅为10lm/W,即说明实施例1~实施例6制备的有机电致发光器件具有较小的工作电流。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种白光有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光单元、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光单元、第二电子传输层、电子注入层及阴极;所述阳极包括依次层叠的第一抗反射层、玻璃基板、第二抗反射层、折光层、透明导电层、第一短路减少层及第二短路减少层,所述第一抗反射层及所述第二抗反射层的材料为锗化硅;所述折光层靠近所述第二抗反射层的表面形成多个长条状的V型凸起,所述V型凸起的末端与所述第二抗反射层抵接且粘合在一起;所述透明导电层层叠于所述折光层远离所述V型凸起的一侧,所述第一短路减少层的材料为锗化硅,所述第二短路减少层的材料选自氧化铟、硫化锌、氧化锡及二氧化硅的至少一种;所述第一空穴注入层层叠于所述第二短路减少层上;所述第一发光单元包括依次层叠的红光发光层、第一绿光发光层及第一蓝光发光层,所述红光发光层层叠于所述第一空穴传输层上;所述第二发光单元包括第二绿光发光层及层叠于所述第二绿光发光层上的第二蓝光发光层,且所述第二绿光发光层层叠于所述第二空穴传输层上;所述第一蓝光发光层的材料包括第一蓝光主体材料、掺杂在所述第一蓝光主体材料中的第一蓝光客体材料及第一电荷产生材料,所述第一蓝光客体材料与所述第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.2:1,所述第一电荷产生材料与所述第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.1:1,所述第二蓝光发光层的材料包括第二蓝光主体材料、掺杂在所述第二蓝光主体材料中的第二蓝光客体材料及第二电荷产生材料,所述第二蓝光客体材料与所述第二蓝光主体材料的质量比为0.05~0.2:1,所述第二电荷产生材料与所述第二蓝光主体材料的质量比为0.05~0.1:1;所述第一蓝光主体材料及所述第二蓝光主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶及1,4--双(三苯基硅)苯中的至少一种;所述第一蓝光客体材料及所述第二蓝光客体材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱及双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱中的至少一种,所述第一电荷产生材料及所述第二电荷产生材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的至少一种;
所述电荷产生层的材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件,其特征在于,所述折光层的材料为折射率为1.7~1.9的透明塑料膜;每个V型凸起的底部的宽度为5微米~20微米,高度为5微米~20微米,且相邻两个V型凸起之间的距离为5微米~20微米;所述第一抗反射层及第二抗反射层的厚度均为10纳米~20纳米;所述透明导电层的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物,厚度为80~150纳米;所述第一短路减少层及所述第二短路减少层的厚度为2纳米~5纳米。
3.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件,其特征在于,所述红光发光层的材料包括红光主体材料及掺杂于所述红光主体材料中的红光客体材料,所述红光客体材料与所述红光主体材料的质量比为0.005~0.02:1,所述红光主体材料选自4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷及9,10-双(1-萘基)蒽中的至少一种,所述红光客体材料选自二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、二[2-苯基喹啉基)-N,C2](乙酰丙酮)合铱(III)、二[N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合铱(III)、二[2-(2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N,C2](乙酰丙酮)合铱(III)、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合铱(III)及三(1-苯基-异喹啉)合铱中的至少一种;
所述第一绿光发光层的材料包括第一绿光主体材料及掺杂于所述第一绿光主体材料中的第一绿光客体材料,所述第一绿光客体材料与所述第一绿光主体材料的质量比为0.02~0.10:1;所述第二绿光发光层的材料包括第二绿光主体材料及掺杂于所述第二绿光主体材料中第二绿光客体材料,所述第二绿光客体材料与所述第二绿光主体材料的质量比为0.02~0.10:1;所述第一绿光主体材料及所述第二绿光主体材料选自4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷及9,10-双(1-萘基)蒽中的至少一种;所述第一绿光客体材料及所述第二绿光客体材料选自三(2-苯基吡啶)合铱、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱及三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件,其特征在于,所述红光发光层的厚度为10纳米~30纳米;所述第一绿光发光层的厚度为10纳米~30纳米;所述第一蓝光发光层的厚度为5纳米~15纳米;所述第二绿光发光层的厚度为10纳米~30纳米;所述第二蓝光发光层的厚度为5纳米~15纳米。
5.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件,其特征在于,所述第一空穴注入层的材料包括空穴传输材料及掺杂于所述空穴传输材料中的p型掺杂材料,且所述第一空穴注入层中所述p型掺杂材料与所述空穴传输材料的质量比为0.25~0.35:1;所述第二空穴注入层的材料包括空穴传输材料及掺杂于所述空穴传输材料中的p型掺杂材料,且所述第二空穴注入层中所述p型掺杂材料与所述空穴传输材料的质量比为0.25~0.35:1;所述空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的至少一种;所述p型掺杂材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的至少一种;
所述第一空穴传输层的材料及所述第二空穴传输层的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的至少一种;
所述第一电子传输层的材料及所述第二电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一种;
所述电子注入层的材料包括电子传输材料及掺杂于所述电子传输材料中的n型掺杂材料,所述n型掺杂材料与所述电子传输材料的质量比为0.25~0.35:1;所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一种;所述n型掺杂材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮化铯、碳酸锂、氟化锂及氧化锂中的至少一种;及
所述阴极的材料选自银、铝及金中的至少一种。
6.一种白光有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
在玻璃基板两面分别溅射制备第一抗反射层与第二抗反射层;
将折光层压制到玻璃基板的第二抗反射层上,所述折光层靠近所述第二抗反射层的表面形成多个长条状的V型凸起,所述V型凸起的末端与所述第二抗反射层抵接且粘合在一起;
在所述折光层远离所述V型凸起的一侧表面沉积透明导电层;
在所述透明导电层上依次磁控溅射制备第一短路减少层及第二短路减少层,所述第一抗反射层、玻璃基板、第二抗反射层、折光层、透明导电层、第一短路减少层及第二短路减少层组成阳极;
在所述第二短路减少层上依次蒸镀制备第一空穴注入层及第一空穴传输层;
在所述第一空穴传输层上蒸镀第一发光单元,所述第一发光单元包括依次层叠的红光发光层、第一绿光发光层及第一蓝光发光层;其中,所述第一蓝光发光层的材料包括第一蓝光主体材料、掺杂在所述第一蓝光主体材料中的第一蓝光客体材料及第一电荷产生材料,所述第一蓝光客体材料与所述第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.2:1,所述第一电荷产生材料与所述第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.1:1,所述第一蓝光主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶及1,4--双(三苯基硅)苯中的至少一种,所述第一蓝光客体材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱及双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱中的至少一种,所述第一电荷产生材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的至少一种;
在所述第一蓝光发光层表面蒸镀制备第一电子传输层;
在所述第一电子传输层表面蒸镀制备电荷产生层,所述电荷产生层的材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的至少一种;
在所述电荷产生层表面蒸镀制备第二空穴注入层及第二空穴传输层;
在所述第二空穴传输层表面蒸镀制备第二发光单元,所述第二发光单元包括第二绿光发光层及第二蓝光发光层,所述第二蓝光发光层的材料包括第二蓝光主体材料、掺杂在所述第二蓝光主体材料中的第二蓝光客体材料及第二电荷产生材料,所述第二蓝光客体材料与所述第一蓝光主体材料的质量比为0.05~0.2:1,所述第二电荷产生材料与所述第二蓝光主体材料的质量比为0.05~0.1:1,所述第二蓝光主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-双(三苯基硅)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶及1,4--双(三苯基硅)苯中的至少一种,所述第二蓝光客体材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、三(2-(4',6'-二氟-5'-氰基)苯基吡啶-N,C2')合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***)合铱及双(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合铱中的至少一种,所述第二电荷产生材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的至少一种;及
在所述第二蓝光发光层表面依次蒸镀制备第二电子传输层、电子注入层及阴极,得到白光有机电致发光器件。
7.根据权利要求6所述的白光有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,将折光层压制到玻璃基板的第二抗反射层上之前还包括对所述玻璃基板进行清洗的步骤;所述清洗的步骤为:将玻璃基板依次采用洗洁精、去离子水、丙酮及乙醇超声清洗,然后干燥,再对洗净的玻璃基板进行表面活化处理。
8.根据权利要求6所述的白光有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述第一短路减少层的材料为锗化硅,所述第二短路减少层的材料选自氧化铟、硫化锌、氧化锡及二氧化硅的至少一种,所述第一短路减少层及所述第二短路减少层的厚度为2纳米~5纳米。
9.根据权利要求6所述的白光有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,在所述第二短路减少层上蒸镀形成所述第一空穴注入层之前先将所述阳极于60℃~80℃真空干燥15分钟~30分钟。
10.根据权利要求6所述的白光有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述折光层的材料为折射率为1.7~1.9的透明塑料;每个V型凸起的底部的宽度为5微米~20微米,高度为5微米~20微米,且相邻两个V型凸起之间的距离为5微米~20微米;所述透明导电层的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物,所述透明导电层的厚度为80~150纳米。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108321312A (zh) * | 2018-03-19 | 2018-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
CN109494309A (zh) * | 2017-09-13 | 2019-03-19 | 创王光电股份有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
CN113031427A (zh) * | 2019-12-25 | 2021-06-25 | 西铁城时计株式会社 | 钟表和钟表的风挡的制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1947277A (zh) * | 2004-04-22 | 2007-04-11 | 肖特股份公司 | 有增大的提取效率的有机电光元件 |
US20080252208A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-16 | Winters Dustin L | Oled device with short reduction |
CN101682001A (zh) * | 2007-05-10 | 2010-03-24 | 伊斯曼柯达公司 | 具有改进光输出的电致发光器件 |
CN102655219A (zh) * | 2012-02-23 | 2012-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 多色oled、多色oled单元及显示器件 |
-
2013
- 2013-05-22 CN CN201310193605.2A patent/CN104183722A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1947277A (zh) * | 2004-04-22 | 2007-04-11 | 肖特股份公司 | 有增大的提取效率的有机电光元件 |
US20080252208A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-16 | Winters Dustin L | Oled device with short reduction |
CN101682001A (zh) * | 2007-05-10 | 2010-03-24 | 伊斯曼柯达公司 | 具有改进光输出的电致发光器件 |
CN102655219A (zh) * | 2012-02-23 | 2012-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 多色oled、多色oled单元及显示器件 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109494309A (zh) * | 2017-09-13 | 2019-03-19 | 创王光电股份有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
CN108321312A (zh) * | 2018-03-19 | 2018-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
US11205762B2 (en) | 2018-03-19 | 2021-12-21 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate with microprism structure and manufacturing method therefor |
CN113031427A (zh) * | 2019-12-25 | 2021-06-25 | 西铁城时计株式会社 | 钟表和钟表的风挡的制造方法 |
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