CN104347382A - 基板处理设备 - Google Patents

Abstract

提供一种基板处理设备。该基板处理设备包括处理容器，所述处理容器具有开口的上部；基板加热单元，所述基板加热单元在支撑基板时，加热设置在所述处理容器中的所述基板；以及处理溶液供应单元，所述处理溶液供应单元将处理溶液供应到设置在所述基板加热单元上的所述基板上。所述基板加热单元包括：可旋转的卡盘台，在所述卡盘台上放置所述基板；具有中空形状的旋转部件，所述旋转部件被耦合到所述卡盘台以旋转所述卡盘台；以及热产生部件，所述热产生部件设置在所述卡盘台中。

Description

基板处理设备

技术领域

在此公开的本发明涉及基板处理设备，尤其涉及用于在加热基板时处理基板表面的基板处理设备。

背景技术

通常，处理玻璃基板或晶片(wafer)具有各种生产工艺，例如光刻胶涂层工艺、产生工艺(developing process)、蚀刻工艺、灰化工艺等用于制造平板显示装置或半导体器件的工艺。

在各工艺中，使用化学溶液或去离子水的湿法清洗工艺和干燥残留在基板表面上的化学溶液或去离子水的干燥工艺，从而去除附着在基板的各种污染物。

目前，蚀刻工艺被执行，在该工艺中有使用在高温下的化学水溶液例如硫酸或磷酸用来选择地去除氮化硅(silicon nitride)和二氧化硅(siliconoxide)。

在使用具有的高温化学水溶液的基板处理设备中，应用和使用基板加热装置，用以加热基板从而提高蚀刻速度和均匀性(uniformity)。

然而，在现有的基板加热装置中，用于感应加热器温度的温度传感器采用不锈钢制造。因此，如果设定值低，基板的温度不会达到目标温度(例如大约200℃的温度)。而且，如果在第一工艺之后在温度传感器受热且没有被充分冷却的状态下执行第二工艺，由于温度传感器受热，因此基板的温度快速达到设定值(预设测量温度)，从而基板不会达到目标温度。另一方面，如果温度传感器的设定值高，传感器可能引起感应失败和故障。

发明内容

本发明提供一种基板处理设备，该设备能够均匀地加热基板。

本发明还提供一种基板处理设备，该设备能够最小化加热单元的污染物。

本发明还提供一种基板处理设备，该设备能够提高加热单元的效率。

本发明还提供一种基板处理设备，该设备能够加热基板到目标温度且不会使温度传感器过载。

本发明还提供一种基板处理设备，该设备除了能够阻断从热产生单元传递到温度传感器的热，还能阻断从***结构传递到温度传感器的传导热(conductive heat)。

本发明还提供一种基板处理设备，该设备能够快速地降低温度传感器的温度。

本发明的特征不限于前文所述，本领域技术人员通过以下说明将清楚地理解在此没有描述的其它特征。

本发明实施例提供的基板处理设备，包括：处理容器，该处理容器具有开口的上部；基板加热单元，该基板加热单元在支撑基板时加热设置在所述处理容器中的基板；以及处理溶液供应单元，该处理溶液供应单元将处理溶液提供到设置在基板加热单元上的基板上，其中基板加热单元包括：可旋转的卡盘台(rotatable chuck stage)，在其上放置基板；旋转部件，其具有中空形状，该旋转部件被耦合到卡盘台以旋转该卡盘台；以及热产生部件，其设置在卡盘台中。

在一些实施例中，热产生部件可包括多个灯具，所述灯具灯被同心地布置在相对于所述卡盘台的中央具有彼此不同半径的环形中。

在其它实施例中，基板加热单元可进一步包括设置在热产生部件和卡盘台之间的反射板(reflection plate)，以将从热产生部件发出的热能反射到基板。

在其它实施例中，热产生部件可包括多个灯具，所述灯具被同心地布置在相对于所述卡盘台的中央具有彼此不同半径的环形中，以及基板加热单元可包括温度传感器组件，温度传感器组件设置在反射板上，以测量每个灯具的温度。

在其它实施例中，基板加热单元可进一步包括石英窗，用于保护在热产生部件上的灯具，其中所述石英窗具有由所述卡盘台支撑的边缘。

在其它实施例中，所述石英窗可以是透明的并可与所述卡盘台一起旋转。

在进一步实施例中，温度传感器组件包括：固定块，其中螺栓连接孔被限定(defined)为将温度传感器组件固定到反射板；薄的(slim)支撑板，其在一个方向上从固定块延伸，薄的支撑板与反射板空间分离；以及温度传感器元件，其中信号引线被连接到该温度传感器元件，该温度传感器元件设置在支撑板的下表面上。

在进一步实施例中，每个温度传感器组件可进一步包括薄的盖板，该薄的盖板被配置为围绕温度传感器元件并具有焊接的边缘，且固定到支撑板的下表面。

在进一步实施例中，每个温度传感器组件可进一步包括绝缘垫片，该绝缘垫片设置在固定块和反射板之间，以阻断从反射板传递的热。

在进一步实施例中，在每个温度传感器组件中，固定块、支撑板、以及盖板的每一个可包括镀金层(gold-plated layer)。

在更进一步实施例中，基板加热设备可进一步包括后喷嘴单元，该后喷嘴(back nozzle)单元设置在卡盘台上部的中央以通过旋转部件。该后喷嘴单元将处理溶液喷射到基板的后表面。其中，后喷嘴单元可包括喷嘴体，所述喷嘴体轴向地设置为通过所述旋转部件。且喷嘴体可包括喷射口(spray port)，该喷射口用于在所述温度传感器组件被布置的方向上将冷却气体喷射到反射板的下表面。

附图说明

附图被包括以提供对本发明进一步的理解，而且被并入并构成本说明书的一部分。附图示出本发明的示例性实施例，以及与本说明书共同用来解释本发明的原理。在附图中：

图1为根据本发明一个实施例的基板处理设备的示意性(schematic)平面图；

图2为图1中的基板处理设备的平面图；

图3为根据本发明的基板处理设备的一侧剖视图；

图4为基板加热单元的剖视图；

图5为示出图4的基板加热单元的主要部分的视图；以及

图6A和6B为示出设置在反射板上的温度传感器组件的视图。

具体实施方式

本发明的优选实施例将根据附图在下面进行更详细地描述。然而，本发明可以以不同的形式体现且不应该被构造为限制于本文陈述的实施例。更确切些，对本领域的技术人员而言，这些实施例被提供使得该公开是彻底且完整的，并充分地表达本发明的范围。

参照图1，根据本发明的基板处理***1000包括索引(index)单元10，缓冲单元20，以及处理单元50。

索引单元10，缓冲单元20，以及处理单元50可设置在一条线上。在下文中，索引单元10、缓冲单元20以及处理单元50被布置的方向称为第一方向。而且，当从上面观察时，垂直于第一方向的方向称为第二方向，且垂直于包括第一和第二方向的平面的方向称为第三方向。

索引单元10在第一方向上被设置在基板处理***1000的前侧。索引单元10包括四个负载端口(ports)12和一个索引机器人(index robot)13。

四个负载端口12在第一方向上被设置在索引单元10的前侧。负载端口12被提供为多个。该多个负载端口12被布置在第二方向上。负载端口12的数量可根据基板处理***1000的处理效率和污染(foot print)情况增加或减少。载体(如卡匣(cassette)或前开式统一盒(Front OpeningUnified Pod(FOUP))位于每个负载端口12上，在载体16中容纳将要处理的基板W和处理后的基板W。在基板被平行于地面设置的状态下，在载体16中限定多个用于容纳基板的槽。

索引机器人13在第一方向上被设置为与负载端口12相邻。索引机器人13被设置在负载端口12和缓冲单元20之间。索引机器人13将等候在缓冲单元20上层上的基板W传送到载体16中，或将等候在载体16中的基板W传送到缓冲单元20的下层中。

缓冲单元20被设置在索引单元10和处理单元50之间。缓冲单元20提供一个空间，由索引机器人13传送的基板W或由主传送机器人30传送的处理后的基板W被暂时容纳在该空间中或在该空间中等待。

主传送机器人30设置在移动路径40上以传送在每个基板处理设备1和缓冲单元20之间的基板W。主传送机器人30将在缓冲单元20中等候的将要处理的基板W传送到每个基板处理设备1中，或者将在每个基板处理设备1中处理后的基板W传送到缓冲单元20中。

移动路径40沿第一方向设置在处理单元50中，以提供主传送机器人30移动通过的路径。基板处理设备1沿第一方向被相对设置在移动路径40的两侧上。移动轨道(moving rail)被设置在移动路径40中，主传送机器人30通过所述移动轨道在第一方向上移动，并且可升降到每个基板处理设备1的上层和下层以及缓冲单元20的上层和下层。

基板处理设备1设置在移动路径40的两侧，其中主传送机器人30被设置成彼此面对。基板处理***1000包括多个较高和较低的基板处理设备1。然而，基板处理设备1的数量可根据基板处理***1000的处理效率和污染情况增加或减少。每个基板处理设备1可提供作为一个独立的壳体(housing)。因此，处理基板的工艺可在每个基板处理设备1中分别执行。

在下面实施例中，通过使用如高温磷酸、碱性化学溶液(包括臭氧水)、酸性化学溶液、提浸溶液(rising solution)、干燥性气体(包括IPA(Iso Propyle Alcohol，异丙醇)的气体)的处理流体来清洁基板的设备可作为一个例子描述。然而，本发明的技术特征不限于此。例如，本发明的技术特征可应用到在旋转基板时执行如蚀刻工艺的各种设备。

图2为图1的基板处理设备的平面图，图3为根据本发明的基板处理设备的一侧剖视图；

在当前实施例中，尽管半导体基板可被举例和描述为由基板处理设备1处理的基板，但本发明不限于此。例如，基板处理设备1可被应用到各种基板，例如用于液晶显示(liquid crystal display)装置的基板，用于等离子体显示器(plasma display)的基板，用于场发射显示器(fieldemission display)的基板，用于光盘的基板，用于磁盘的基板，用于光-磁(optical-magnetic)盘的基板，用于光掩模(photo mask)的基板，陶瓷基板，以及用于太阳能电池的基板。

参照图2和图3，根据本发明的基板处理设备1可为用于通过使用各种处理流体去除残留在加热后的基板表面上的外来物质和膜(membrane)的设备。基板处理设备1包括腔室800、处理容器100、基板加热单元200、化学溶液供应组件300，固定喷嘴900以及处理废气单元500。

室800提供密封的内部空间，以及风机过滤单元810设置在其上部。风机过滤单元810在室800中产生垂直气流。

过滤器和供气扇被模块化为一个单元以构成风机过滤单元810。风机过滤单元810可为一个用于过滤高湿度空气以向腔室800中提供该空气的单元。高湿度空气可通过风机过滤单元810并被供应到腔室800中以产生垂直气流。垂直气流可在基板上提供均匀气流。因此，在由处理流体处理基板表面时产生的污染物(烟尘)和通过处理容器100的吸管的空气一起排放到处理废气单元500并因此被去除以保持处理容器100的高纯度。

如图3所示，腔室800可通过水平分隔壁814划分为处理区域816和修复区域(repairing region)818。尽管区域只有部分在图中示出，但修复区域818提供一个空间，在其中设置有排出线141、143和145和排气线510、升降单元的驱动单元、连接化学溶液供应组件300的第一喷嘴310的驱动单元、以及供应线，其中排出线141、143和145和排气线510连接到处理容器100，且修复区域818独立于处理区域，在所述处理区域中基板被处理。

处理容器100具有一个有开口上部的圆筒形状以提供用于处理基板W的工艺空间。处理容器100的开口的上部充当用于加载或卸载基板W的路径。基板加热单元200设置在工艺空间中。基板加热单元200在基板W在工艺期间被支撑且旋转的状态下加热基板W。

处理容器100提供下部空间，其中排气管190连接到该下部空间的下端上以强行排气。每个都具有环形以引进和吸入从旋转基板散下的化学溶液和气体的第一、二和三吸管110、120和130，以多级形式(inmulti-stages)设置在处理容器100中。

每个具有环形的第一、二和三吸管110、120和130具有排气孔H，这些排气孔H与一个共同的环形空间(相当于容器的下部空间)连通。连接到排气组件400的排气管190设置在下部空间中。

具体地，第一到第三吸管110、120和130的每一个包括具有环孔形状的下表面和从下表面延伸并具有圆筒形状的侧壁。第二吸管120围绕第一吸管110且与第一吸管110空间分离。第三吸管130围绕第二吸管120且与第二吸管120空间分离。

第一到第三吸管110、120和130提供第一到第三回收空间RS1、RS2和RS3，其中从基板W散下的处理溶液和含有烟尘的气流分别通过第一、二和三回收空间RS1、RS2和RS3被引入。第一回收空间RS1由第一吸管110限定，第二回收空间RS2由第一吸管110和第二吸管120之间隔开的空间限定，第三回收空间RS3由第二吸管120和第三吸管130之间隔开的空间限定。

第一到第三吸管110、120和130每一个的上表面包括开口的中央部和斜面，其中斜面从连接的侧壁向其开口逐渐远离对应的下表面。因此，从基板W散下的处理溶液可沿第一到第三吸管110、120和130的上表面流入回收空间RS1、RS2和RS3。

被引入到第一回收空间RS1的第一处理溶液通过第一回收管线141被排到外面。被引入到第二回收空间RS2的第二处理溶液通过第二回收管线143被排到外面。被引入到第三回收空间RS3的第三处理溶液通过第三回收管线145被排到外面。

处理废气部件500排出在处理容器100中的空气。例如，处理废气部件500在工艺期间为回收处理溶液的第一到第三吸管的每个吸管提供排气压力(吸入压力)。处理废气部件500包括连接到排气管190和气流调节器(damper)520的排气管线510。排气管线510接收来自排气泵(未示出)的排气压力，且连接到埋在半导体生产管线(semiconductorproduction line)(FAB)的底部空间中的主排气管线。

处理容器100耦合到升降单元600用来改变处理容器100的垂直位置。升降单元600在竖直方向上笔直地移动处理容器100。随着工艺容器100垂直移动，处理容器100对于基板加热单元200的相对高度可改变。

升降单元600包括托架612、移动轴614和驱动616。托架612被固定到处理容器100的外壁。由驱动616垂直移动的移动轴614被固定地耦合到托架612。当基板W被加载到旋转头210或从旋转头210卸载时，处理容器100下降以便旋转头从处理容器100向上伸出。此外，当执行工艺时，处理容器100可在高度上被调整，以便根据供应到基板W上的处理溶液的种类，处理溶液被分别引入到吸管110、120和130。因此，在处理容器100和基板W之间的相对垂直位置可改变。因此，在处理容器100中，不同的处理溶液和气体可分别被回收到回收空间RS1、RS2和RS3。

在当前实施例中，基板处理设备1垂直地移动处理容器100以改变处理容器100和基板加热单元200之间的相对垂直位置。可选的，基板处理设备1可垂直地移动基板加热单元200以改变处理容器100和基板加热单元200之间的相对垂直位置。

固定喷嘴900设置在处理容器100的上端。每个固定喷嘴900将处理流体喷射到放置在旋转头210上的基板W上。根据要处理的基板的位置，可调整固定喷嘴900的喷射角度。

化学溶液供应组件300排出高温化学物质用于蚀刻基板W的表面。这里，化学物质可为硫酸、磷酸、或硫酸和磷酸的混合溶液。

化学溶液喷嘴组件310包括喷嘴311、喷嘴臂313、支撑杆315和喷嘴驱动317。喷嘴311通过供应部件320接收磷酸。喷嘴311将磷酸排出到基板的表面上。喷嘴臂313可为在一方向上长度延伸的臂。喷嘴311被安装在喷嘴臂313的前端。喷嘴臂313支撑喷嘴311。支撑杆315被安装在喷嘴臂313的后端。支撑杆315设置在喷嘴臂313下方且垂直于喷嘴臂313设置。喷嘴驱动317设置在支撑杆315的下端。喷嘴驱动317相对于(with respect to)支撑杆315的轴线在轴向方向上旋转支撑杆315。支撑杆315被旋转以相对于支撑杆315摆动喷嘴臂313和喷嘴311。喷嘴311可在处理容器100的外部和内部之间摆动。而且，喷嘴311可当在基板W的中央和边缘之间摆动时排出磷酸。

尽管没有示出，除了化学溶液供应组件300之外，单晶片型处理设备1可包括用于将各种处理流体喷射到基板上的供应组件。

图4为基板加热单元的剖视图，图5为示出图4中的基板加热单元的主要部分的视图。

参照图2-5，基板加热单元200设置在处理容器100内部。当执行工艺时基板加热单元200加热基板。当执行工艺时基板加热单元200可支撑基板W。而且，当执行工艺时可通过驱动240使基板加热单元200旋转，其中驱动240将在稍后描述。

基板加热单元200包括卡盘台210、石英窗220、旋转部件230、后喷嘴部件240、热产生部件250、反射板260和温度传感器组件270。

卡盘台210具有环形上表面且被耦合到旋转部件230以旋转。卡盘销212设置在卡盘台210的边缘上。卡盘销212通过石英窗220以从石英窗220向上伸出。卡盘销212对准基板以便由多个支撑销214支撑的基板W被放置在适当的位置。当执行工艺时，卡盘销212接触基板W的侧部，以防止基板W从所述适当的位置出来。

旋转部件230具有中空形状并耦合到卡盘台210以旋转卡盘台210。

用于在大约150℃到大约250℃的温度加热基板的热产生部件250设置在卡盘台210的上部。热产生部件250具有彼此不同的直径且彼此空间分离。热产生部件250的每一个都具有多个红外(IR，Infrared Radiation)灯252，其中每个红外灯具有环形。每个红外灯252包括温度传感器组件270用以分别控制红外灯252。

热产生部件250可划分为多个同心区域。用于分别加热各区域的红外灯252设置在各区域中。红外灯252相对于卡盘台210的中央以不同的径向距离同心地布置成环形。尽管在当前的实施例中提供了六个红外灯252，但这仅仅为一个示例。根据控制的所需的温度红外灯在数量上可不同。如上所述，由于热产生部件250控制每个单个区域的温度，因此，根据工艺期间基板的半径，基板W的温度可逐渐控制(即，温度持续地升高或降低)。由此，用于分别检测红外灯252的温度的温度传感器组件270被设置在反射板260上。

例如，在红外灯252与卡盘台210一起旋转的结构中，滑环(slip ring)可被用于将功率供应到热产生部件250的方法中。

反射板260可设置在热产生部件250和卡盘台210之间以向上传递(朝向基板)从红外灯252产生的热。反射板260可由通过旋转部件230的中央空间的喷嘴体支撑。此外，反射板260包括从其内端向下延伸的支撑端268，而且通过轴承232由旋转部件230支撑，以便反射板260被稳固地支撑。这里，可提供不与卡盘台210一起旋转的嵌合型(fitted-type)反射板260。

尽管没有示出，在反射板260上可设置散热片(cooling fin)以释放热量。另外，冷却气体可流过反射板260的下表面从而抑制热量产生。例如，喷嘴体242包括喷射口248，喷射口248用于在温度传感器组件被布置的方向上将冷却气体喷射到反射板的下表面上。

用于保护红外灯252的石英窗220可被设置在热产生部件250和基板W之间。石英窗220可以是透明的且与卡盘台210一起旋转。石英窗220包括支撑销224。支撑销224被布置为在石英窗220上表面的边缘上彼此空间分离。而且，支撑销224从石英窗220向上伸出。支撑销224支撑基板W的下表面以便基板W在向上与石英窗220隔开的状态下支撑基板W。

后喷嘴部240被配置为将化学溶液喷射到基板的后表面。后喷嘴部240包括喷嘴体242和化学溶液喷射组件244。化学溶液喷射组件244设置在卡盘台210和石英窗220的中央部分。喷嘴体242轴向地设置以穿过具有中空形状的旋转部件230。尽管没有示出，化学溶液移动管线、气体供应管线和净化气体供应管线可设置在喷嘴体242中。通过化学溶液移动管线将用于蚀刻基板W后表面的蚀刻液供应到化学溶液喷射组件244中，通过气体供应管线将用于调整蚀刻均匀性的氮气(nitrogen gas)供应到基板W后表面，通过净化气体供应管线供应氮净化气(nitrogenpurge gas)以防止蚀刻溶液在石英窗220和喷嘴体242之间被渗透。

温度传感器组件270在反射板260上被布置成一线以测量每个红外灯252的温度。

图6A和6B为示出设置在反射板上的温度传感器组件的视图。

温度传感器组件270包括固定块271、支撑板272、温度传感器元件273、盖板274和绝缘垫片278。为了测量和控制红外灯的温度，温度传感器组件270可具有这样的结构：在该结构中薄的温度传感器组件被安装在反射板260上，其中反射板260设置在红外灯的附近以精确测量红外灯的温度。换言之，温度传感器组件具有适合小空间的结构。

固定块271包括螺栓连接孔271a，用以将温度传感器组件270固定到反射板260。支撑板272具有薄的形状并在固定块271的一侧延伸。支撑板272与反射板260上表面空间分离。通孔269被限定于反射板260的一部分，其中通孔269面对支撑板272。因此，沿反射板下表面流动的冷却气体可通过通孔269冷却温度传感器组件270。信号引线273a连接到温度传感器元件273。温度传感器元件273设置在支撑板272下表面上。温度传感器元件273被盖板274围绕和支撑，其中盖板274的边缘被焊接并固定到支撑板272的下表面。也就是说，温度传感器元件273不是直接固定到支撑板272，而是在温度传感器元件273由盖板274支撑的状态下被固定。

绝缘垫片278设置在固定块271的下表面上。也就是说，绝缘垫片278被***在固定块271和反射板260之间，以阻断从反射板260向到温度传感器组件270传递的传导热。

根据本发明，基板处理设备可均匀地加热基板。

根据本发明，基板处理设备可最小化加热组件的污染物。

根据本发明，基板处理设备可提高加热组件的效率。

根据本发明，温度传感器组件可最小化从反射板传递的热以仅测量红外灯的热量，并由此可设定温度传感器的设定值为低值，从而在目标温度下加热基板而不会过载；并且可在工艺中平衡温度传感器的温度，从而减少工艺中的误差。

根据本发明，由于温度传感器组件的固定块、支撑板和盖板是镀金的，因此从反射板传递的热被过滤从而减少温度传感器的设定值，由此保证温度传感器的非压力(non-stressful)操作。

根据本发明，由于其上安装温度传感器元件的支撑板被设置为与限定在第一反射板中的通孔邻近，因此支撑板可由冷却气体冷却。因此，第一工艺之后受热的温度传感器的温度可在一段短时间内减少以执行第二工艺，从而可减少工艺时间和基板加热时间的偏差。

上述公开的主题被认为是说明性的，而不是限制性的，所附权利要求旨在涵盖所有这些修改、增强和其它实施例，这些都落在本发明的实质精神和范围内。因此，在法律允许的最大范围内，本发明的范围是由以下的权利要求及其等同物的最宽的可允许的解释来确定，并且不应受限于或被前面的详细说明限制。

Claims (11)

1.一种基板处理设备，其特征在于，包括：

处理容器，所述处理容器具有开口的上部；

基板加热单元，所述基板加热单元在支撑基板的同时，加热设置在所述处理容器中的所述基板；以及

处理溶液供应单元，所述处理溶液供应单元将处理溶液供应到设置在所述基板加热单元上的所述基板上，

其中所述基板加热单元包括：

可旋转的卡盘台，在所述卡盘台上放置所述基板；

旋转部件，所述旋转部件具有中空形状，所述旋转部件被耦合到所述卡盘台以旋转所述卡盘台；以及

热产生部件，所述热产生部件设置在所述卡盘台中。

2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，所述热产生部件包括灯具，所述灯具被相对于所述卡盘台的中央、同心地布置在具有彼此不同的半径的环形中。

3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，所述基板加热单元进一步包括反射板，所述反射板设置在所述热产生部件和所述卡盘台之间，以将从所述热产生部件发出的热能反射到所述基板。

4.根据权利要求3所述的基板处理设备，其特征在于，所述热产生部件包括灯具，所述灯具被相对于所述卡盘台的中央、同心地布置在具有彼此不同的半径的环形中，以及

所述基板加热单元包括温度传感器组件，所述温度传感器组件设置在所述反射板上，以测量每个所述灯具的温度。

5.根据权利要求2所述的基板处理设备，其特征在于，所述基板加热单元进一步包括石英窗，所述石英窗用于保护在所述热产生部件上的所述灯，

其中所述石英窗具有由所述卡盘台支撑的边缘。

6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其特征在于，所述石英窗是透明的且与所述卡盘台一起旋转。

7.根据权利要求4所述的基板处理设备，其特征在于，所述温度组件包括：

固定块，在所述固定块中限定螺栓连接孔以将所述温度传感器组件固定到所述反射板；

薄的支撑板，所述薄的支撑板在一个方向上从所述固定块延伸，所述薄的支撑板与所述反射板空间分离；以及

温度传感器元件，信号引线被连接到所述温度传感器元件，所述温度传感器元件设置在所述支撑板的下表面上。

8.根据权利要求7所述的基板处理设备，其特征在于，每个所述温度传感器组件进一步包括薄的盖板，所述薄的盖板被配置为围绕所述温度传感器元件并具有被焊接且固定到所述支撑板的下表面上的边缘。

9.根据权利要求7或8所述的基板处理设备，其特征在于，每个所述温度传感器组件进一步包括绝缘垫片，所述绝缘垫片设置在所述固定块和所述反射板之间，以阻断从所述反射板传递的热。

10.根据权利要求7所述的基板处理设备，其特征在于，在每个所述温度传感器组件中，每个所述固定块、所述支撑板和所述盖板包括镀金层。

11.根据权利要求4所述的基板处理设备，其特征在于，进一步包括：后喷嘴单元，所述后喷嘴单元设置在所述卡盘台的上部的中央，以通过所述旋转部件，所述后喷嘴单元将所述处理溶液喷射到所述基板的后表面上，

其中，所述后喷嘴单元包括喷嘴体，所述喷嘴体轴向设置为通过所述旋转部件，以及

所述喷嘴体包括喷射口，所述喷射口用于在所述温度传感器组件被布置的方向上将冷却气体喷射到所述反射板的下表面上。