JP4037291B2 - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法および製造装置に関し、半導体装置の製造工程において全般に用いるウェット処理装置、特に半導体基板の洗浄装置等に係るものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の微細化および高集積化に伴い、素子パターンの微細化は高まる一方である。また、半導体基板の大径化も進んでいる。したがって、半導体製造装置において、枚葉式処理装置が増加している(例えば、特許文献1と2を参照)。このような枚葉式の例えば洗浄装置においては、ウェットエッチング・洗浄(コンタミネーション除去、パーティクル除去)を短時間で終了させるため、高温薬液処理するために処理半導体基板および処理薬液の温度、処理雰囲気が正確に制御でき、洗浄を安定して行えることが求められている。特に、温度制御は、エッチングレートの変化やウェハの処理後の平坦度などに関るエッチング特性に非常に敏感であり、重要な制御が必要とされている。
【0003】
【特許文献1】
特開平5−121388号公報(第1図)
【特許文献2】
特開2002−231674号公報(第1図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の洗浄方法において、半導体基板を枚様式で高温薬液処理した場合、基板を高速自回転させても、面内で薬液温度のばらつきが発生する。つまり、薬液と基板が初めに接触する部分とそれ以外の部分とで温度分布が基板上で異なってしまい、先に述べた基板上での薬液の処理温度の制御を安定して行う事が困難であった。このように、半導体基板上の面内で処理薬液の温度分布が生じてしまい、基板へのエッチングレートが異なるなどのエッチングの面内均一性等、基板面内での薬液に対する反応均一性を低下させてしまうという問題があった。
【0005】
本発明の目的は、半導体基板上の面内で処理薬液の温度差をなくし、基板面内での反応均一性を向上させて高温薬液処理できる半導体装置の製造方法および製造装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に記載の半導体装置の製造方法は、内部に半導体基板を載置した処理チャンバー内に純水ミストを充満させる第1工程と、純水ミストにマイクロウェーブを照射して純水ミストを常温より高い所定の処理温度まで上昇させることにより、半導体基板を所定の処理温度まで上昇させる第2工程と、第2工程の後、純水ミストを処理チャンバー外へ排出する第3工程と、所定の処理温度まで上昇した半導体基板の表面に、所定の処理温度の薬液を供給することにより半導体基板を薬液処理する第4工程と備えたことを特徴とする。
【0007】
本発明の請求項2に記載の半導体装置の製造方法は、請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、第1工程の前に、予め前記処理チャンバー内を減圧しておくことを特徴とする。
【0008】
また、請求項3に記載の半導体装置の製造方法は、請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、第3工程において、処理チャンバー内を減圧することを特徴とする。
【0009】
本発明の請求項4に記載の半導体装置の製造方法は、内部に半導体基板を載置した前処理チャンバー内雰囲気を加熱して常温より高い所定の処理温度まで上昇させることにより、半導体基板を所定の処理温度まで上昇させる第1工程と、所定の処理温度まで上昇した半導体基板を処理チャンバー内に移動させる第2工程と、処理チャンバー内において、所定の処理温度まで上昇した半導体基板の表面に、所定の処理温度の薬液を供給することにより半導体基板を薬液処理する第3工程と備えたことを特徴とする。
【0010】
また、請求項5に記載の半導体装置の製造方法は、請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、第1工程では、前処理チャンバーの外周に設置したヒーターまたはランプによって、前処理チャンバー内雰囲気を加熱することを特徴とする。
【0011】
また、請求項6に記載の半導体装置の製造方法は、請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、第1工程では、前処理チャンバー内に純水ミストを充満させた後、純水ミストにマイクロウェーブを照射して純水ミストを常温より高い所定の処理温度まで上昇させることによって、前処理チャンバー内雰囲気を加熱することを特徴とする。
【0012】
また、請求項7に記載の半導体装置の製造装置は、薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、処理チャンバー内に載置した半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、薬液処理する直前に半導体基板を処理温度に昇温させる基板昇温手段とを備え、基板昇温手段は、処理チャンバーの外周に配置したマイクロウェーブ発生装置であって、薬液処理前に処理チャンバー内に純水ミストを充満させ、該純水ミストをマイクロウェーブ発生装置で加熱することにより、半導体基板を昇温させることを特徴とする。
【0013】
また、請求項8に記載の半導体装置の製造装置は、請求項7に記載の半導体装置の製造装置において、処理チャンバーを純水ミストで充満させる前または純水ミストで充満させた後に、処理チャンバー内の雰囲気を減圧する排気手段を設けたことを特徴とする。
【0014】
また、請求項9に記載の半導体装置の製造装置は、薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、処理チャンバー内に載置した半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、薬液処理する直前に半導体基板を処理温度に昇温させる基板昇温手段と、半導体基板を処理チャンバー内に載置する直前に半導体基板を載置する前処理チャンバーとを備え、基板昇温手段は、前処理チャンバーの外周に配置したヒーターまたはランプであって、前処理チャンバー内の雰囲気を加熱することにより、半導体基板を昇温させることを特徴とする。
【0015】
また、請求項10に記載の半導体装置の製造装置は、薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、処理チャンバー内に載置した半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、薬液処理する直前に半導体基板を処理温度に昇温させる基板昇温手段と、半導体基板を処理チャンバー内に載置する直前に半導体基板を載置する前処理チャンバーとを備え、基板昇温手段は、前処理チャンバーの外周に配置したマイクロウェーブ発生装置であって、前処理チャンバー内に純水ミストを充満させ、該純水ミストをマイクロウェーブ発生装置で加熱することにより、半導体基板を昇温させることを特徴とする。
【0016】
また、請求項11に記載の半導体装置の製造装置は、請求項10に記載の半導体装置の製造装置において、前処理チャンバーを純水ミストで充満させる前または純水ミストで充満させた後に、前処理チャンバー内の雰囲気を減圧する排気手段を設けたことを特徴とする。
【0024】
上記の請求項1〜11の発明によれば、薬液処理する直前に半導体基板全体を薬液処理温度に昇温させることで、薬液処理時の半導体基板上の薬液温度低下を抑制し、基板面内の薬液温度のばらつきをなくし、薬液との基板面内での反応均一性を向上させることができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施形態に係る半導体装置の製造装置について、図面を参照して説明する。なお、各実施形態では、枚葉式洗浄装置を例に挙げて説明する。
【0027】
以下の各実施形態では、半導体基板(ウェハ)の処理面に、TEOS(テトラエトキシシラン)から形成したシリコン酸化膜が成膜されているものとする。この半導体基板を500rpm以上で自回転させながら、その処理面にクリーンルーム内の温度より高い50℃のHF薬液を塗布する(薬液処理)。
【0028】
本発明の第1の実施形態について図1を参照しながら、説明する。この枚葉式洗浄装置は、半導体基板1を基板支持アーム2上に保持し、基板支持アーム2がモーター6により回転することで半導体基板1を自回転できる(以下の各実施形態でも同様)。第1の実施形態では、処理チャンバー3の外周に抵抗加熱方式のヒーター9を配置し、処理チャンバー3内の雰囲気を熱し、半導体基板1全体を薬液温度(HF:50℃)と同じ50℃相当にまで上昇させる。この後、自回転(500rpm以上)する半導体基板1上に薬液ノズル4から薬液(HF:50℃)を塗布すると、図2のようにエッチングレートの面内均一性を2.29%に向上させ得ることが出来る。なお、図2において、横軸のウェハ位置(Wafer Position)は基板1の直径方向の中心(0)から端部までの距離を示し、縦軸のエッチングレート(Etching Rate)は基板1処理面に成膜されているシリコン酸化膜のエッチングレートである。均一性の%値はその数値が小さいほどエッチングレートの面内均一性が高いことを示すものである。
【0029】
この図2での均一性は以下のようにして算出している。ウェハ(基板)面内各17点それぞれのエッチング量をEn(n=1,2,3,・・・,17)とし、17点中最大のエッチング量をEmax、最小のエッチング量をEmin、平均値をEaveとし、均一性をUni.としたとき、
Uni.[%]=[(Emax−Emin)/(2・Eave)]×100
ただし、Eave=(E1+E2+E3+・・・+E17)/17である。
【0030】
ここで比較例として、図1の方法(第1の実施形態)において、ヒーター9を設けず半導体基板1を加熱しなかった場合で、それ以外は第1の実施形態と同じ条件とした方法で、同じ半導体基板1を同じ薬液(HF:50℃)で処理した場合の基板面内のエッチングレートの分布は図24(図2と同様に表示)のようになり、半導体基板のセンター部・エッジ部など各所で基板上の薬液の温度が異なるため、エッチングレートが異なってしまう(均一性:10.27%)。本実施形態では、半導体基板1全体を予め薬液温度相当に昇温させておくことで半導体基板1面内の薬液の温度に差を生じないようにし、このような不均一性を改善できる。
【0031】
本発明の第2の実施形態について図3を参照しながら、説明する。処理チャンバー3の側面にマイクロウェーブ発生装置11を配置する。薬液処理前、純水ミストノズル12から純水ミストを処理チャンバー3に充満させる。この充満させたミストにマイクロウェーブ発生装置11から周波数2450MHzのマイクロウェーブを照射し、処理チャンバー3の雰囲気を加熱させ、基板1温度を薬液温度(HF:50℃)相当まで上昇させる。この際、チャンバー内の温度分布は、ヒーター加熱で行った場合に比べ、温度分布が均一になる効果を持つ。図4(a)はこの第2の実施形態のマイクロウェーブ発生装置11を用いて加熱した場合の処理チャンバー3内の温度分布を現した図であり、図4(b)は第1の実施形態でのヒーター9を用いて加熱した場合の処理チャンバー3内の温度分布を現した図(この場合、第1の実施形態であるので処理チャンバー3内に純水ミストを充満させていない)であり、第2の実施形態での効果を確認できる。
【0032】
その後、薬液処理前に、純水ミストはドレイン10で処理チャンバー3から追い出し、自回転(500rpm以上)する半導体基板1上に薬液ノズル4から薬液(HF:50℃)を塗布する。薬液処理する前に、薬液温度相当まで半導体基板1の温度を上昇させるので、処理時の自回転する基板1上のエッチングレートの面内均一性を図5(図2と同様に表示)のように1.15%に向上させ得ることが出来る。また、純水ミストを効率的に処理チャンバー3に充満させるために、あらかじめ処理チャンバー3を減圧させておくこともできる。また、処理チャンバー3を純水ミストで充満させた後に、チャンバー3を減圧させるようにしてもよい。この場合チャンバー3内の純水ミストを減圧させることにより、早くチャンバー3内から追い出すことと、チャンバー3側壁及び、半導体基板1に着いた純水を揮発させやすくすることができる。
【0033】
本発明の第3の実施形態について図6を参照しながら、説明する。前処理チャンバー14の外周に抵抗加熱方式のヒーター9を配置し、チャンバー14内の雰囲気を熱し、半導体基板1全体を薬液温度50℃相当にまで上昇させる。その後、基板1を前処理チャンバー14から処理チャンバー3に移し、薬液処理を行う。この薬液処理で、自回転(500rpm以上)する半導体基板1上に薬液ノズル4から薬液(HF:50℃)を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図7(図2と同様に表示)のように1.80%に向上させ得ることが出来る。
【0034】
本発明の第4の実施形態について図8を参照しながら、説明する。前処理チャンバー14の外周にハロゲンランプ15を配置し、チャンバー14内の雰囲気を熱し、半導体基板1全体を薬液温度50℃相当にまで上昇させる。その後、半導体基板1を前処理チャンバー14から処理チャンバー3に移し、薬液処理を行う。この薬液処理で、回転する基板1上に薬液ノズル4から薬液(HF:50℃)を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図9(図2と同様に表示)のように2.36%に向上させ得ることが出来る。
【0035】
本発明の第5の実施形態について図10を参照しながら、説明する。前処理チャンバー14の側面にマイクロウェーブ発生装置11を配置する。純水ミストノズル12から純水ミストをチャンバー14に充満させる。この充満させたミストにマイクロウェーブ発生装置11から周波数2450MHzのマイクロウェーブを照射し、チャンバー14の雰囲気を加熱させ、基板1温度を薬液処理温度50℃相当まで上昇させる。その後、基板1を前処理チャンバー14から処理チャンバー3に移し、薬液処理を行う。この薬液処理で、自回転(500rpm以上)する半導体基板1上に薬液ノズル4から薬液(HF:50℃)を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図11(図2と同様に表示)のように2.91%に向上させ得ることが出来る。また、純水ミストを効率的にチャンバー14に充満させるために、あらかじめチャンバー14を減圧させておくこともできる。また、前処理チャンバー14を純水ミストで充満させた後に、チャンバー14を減圧させるようにしてもよい。この場合、前処理チャンバー14内の純水ミストを減圧させることにより、早く前処理チャンバー14内から追い出すことと、チャンバー側壁及び、半導体基板1上に着いた純水を揮発させやすくすることができる。
【0036】
本発明の第6の実施形態について図12を参照しながら、説明する。前処理チャンバー14内の純水槽16に入っている純水温度は、薬液温度(HF:50℃)に対して、50±5℃の範囲に設定してある。この前処理チャンバー14内の純水槽16に半導体基板1を挿入し、基板1全体を薬液温度50℃相当にまで上昇させる。その後、基板1をチャンバー14から処理チャンバー3に移し、薬液処理を行う。この薬液処理で、自回転(500rpm以上)する半導体基板1上に薬液ノズル4から薬液(HF:50℃)を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図13(図2と同様に表示)のように3.48%に向上させ得ることが出来る。
【0037】
以上の第3〜第6の実施形態では、前処理チャンバー14を用いて半導体基板1を昇温させておくことで、処理チャンバー3内で薬液処理前に半導体基板1を昇温させる必要がないため、時間短縮を図ることができる。
【0038】
本発明の第7の実施形態について図14を参照しながら、説明する。基板支持アーム2の直下に抵抗加熱方式のヒーター9を配置することにより、半導体基板1裏面から直接温度制御しやすくし、基板1全体を薬液温度50℃相当にまで上昇させる。この後、自回転(500rpm以上)する半導体基板1上に薬液ノズル4から薬液(HF:50℃)を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図15(図2と同様に表示)のように1.66%に向上させ得ることが出来る。
【0039】
本発明の第8の実施形態について図16を参照しながら、説明する。基板支持アーム2の直下にハロゲンランプ15を配置することにより、半導体基板1裏面から直接温度制御しやすくし、基板1全体を薬液温度50℃相当にまで上昇させる。この後、自回転(500rpm以上)する半導体基板1上に薬液ノズル4から薬液(HF:50℃)を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図17(図2と同様に表示)のように1.10%に向上させ得ることが出来る。
【0040】
本発明の第9の実施形態について図18を参照しながら、説明する。基板支持アーム2は半導体基板1と水平な平板型であり、基板支持アーム2の中央から高温純水を吐出する純水ノズル21を設けている。純水ノズル21から吐出される純水温度は、薬液温度(HF:50℃)に対して、50±5℃の範囲に設定されている。この純水ノズル21から吐出された高温純水で、そのアーム2と基板1の間の空間を埋めて、基板1裏面から直接温度制御しやすくし、基板1全体を薬液温度50℃相当にまで上昇させる。この後、自回転(500rpm以上)する半導体基板1上に薬液ノズル4から薬液(HF:50℃)を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図19(図2と同様に表示)のように2.81%に向上させ得ることが出来る。
【0041】
本発明の第10の実施形態について図20を参照しながら、説明する。基板支持アーム2は半導体基板1と水平な平板型であり、基板支持アーム2の中央から高温のN2 ガスを吐出するN2 ノズル22を設けている。N2 ノズル22から吐出されるN2 ガスの温度は、薬液温度(HF:50℃)に対して、50±5℃の範囲に設定されている。このN2 ノズル22から吐出された高温N2 で、そのアーム2と基板1の間の空間を埋めて、基板1裏面から直接温度制御しやすくし、基板1全体を薬液温度50℃相当にまで上昇させる。この後、自回転(500rpm以上)する半導体基板1上に薬液ノズル4から薬液(HF:50℃)を塗布すると、エッチングレートの面内均一性を図21(図2と同様に表示)のように3.35%に向上させ得ることが出来る。
【0042】
なお、以上の第1〜第10の実施形態では、処理チャンバー3の外部の加熱手段(図示せず)によって高温に加熱されている薬液(HF:50℃)が、薬液処理の際には薬液ノズル4から半導体基板1の中央部に向けて吐出されるようになっている。
【0043】
また、図18、図20の場合、基板1が浮いたように示されているが、ウェハベベル部に点接触する(チャック)ピンでウェハ(基板1)を固定させている。このピンは基板支持アーム2上に3本以上存在している(図示せず)。
【0044】
本発明の第11の実施形態について図22を参照しながら、説明する。図22(b)は、図22(a)の薬液ノズル支持アーム18の上方から見た図である。薬液ノズル支持アーム18は半導体基板1の直径相当のアーム長を持ち、アーム18の下面に複数の薬液ノズル4が配置されている。この薬液ノズル支持アーム18が、自回転(500rpm以上)する半導体基板1上で、基板1の中央部の位置を回転軸として、基板1および基板支持アーム2の回転方向20とは逆方向19に自回転しながら薬液ノズル4から薬液(HF:50℃)を塗布することで、基板1面内上で薬液温度に差が生じず、エッチングレートの面内均一性を図23(図2と同様に表示)のように1.73%に向上させ得ることが出来る。
【0045】
なお、この第11の実施形態では、処理チャンバー3の外部の加熱手段(図示せず)によって高温に加熱されている薬液(HF:50℃)が、薬液処理の際には薬液ライン17を介して複数の薬液ノズル4から半導体基板1上に吐出されるようになっている。
【0046】
また、第11の実施形態のように、薬液ノズル支持アーム18を回転させる方がエッチングレートの面内均一性をより向上させることができるが、薬液ノズル支持アーム18を回転させなくても従来よりは向上させることができる。また、回転させずに、図22(b)のように直線状の薬液ノズル支持アーム18ではなく、直線状の複数の薬液ノズル支持アーム18を基板1の回転軸上で交差させたような薬液ノズル支持アームを用いてもよい。例えば2本の直線状の薬液ノズル支持アーム18を十字状に交差させたようなもので回転しないものでもよい。
【0047】
なお、各実施形態において、基板の自回転数、薬液の種類・温度、及び基板の膜質・温度、マイクロウェーブの周波数、ヒーター・ランプの種類は上記のものに限らないことはいうまでもない。
【0048】
【発明の効果】
本発明によれば、薬液処理する直前に半導体基板全体を薬液処理温度に昇温させることで、薬液処理時の半導体基板上の薬液温度低下を抑制し、基板面内の薬液温度のばらつきをなくし、薬液との基板面内での反応均一性を向上させることができる。
【0049】
また、回転する半導体基板の表面であって半導体基板の直径方向に異なる複数の位置に同時に高温の薬液を供給することにより、基板面内の薬液温度のばらつきをなくし、薬液との基板面内での反応均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図2】本発明の第1の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図3】本発明の第2の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図4】本発明の第2の実施形態のマイクロウェーブ加熱による効果を示す図
【図5】本発明の第2の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図6】本発明の第3の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図7】本発明の第3の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図8】本発明の第4の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図9】本発明の第4の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図10】本発明の第5の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図11】本発明の第5の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図12】本発明の第6の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図13】本発明の第6の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図14】本発明の第7の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図15】本発明の第7の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図16】本発明の第8の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図17】本発明の第8の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図18】本発明の第9の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図19】本発明の第9の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図20】本発明の第10の実施形態の洗浄装置を示す断面図
【図21】本発明の第10の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図22】(a)は本発明の第11の実施形態の洗浄装置を示す断面図、(b)はその薬液ノズル支持アームを示す平面図
【図23】本発明の第11の実施形態のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【図24】比較例のウェハ面内のエッチングレートを示す分布図
【符号の説明】
1・・・半導体基板
2・・・基板支持アーム
3・・・処理チャンバー
4・・・薬液ノズル
5・・・回転軸
6・・・モーター
7・・・N2 ノズル
8・・・純水ノズル
9・・・ヒーター
10・・・ドレイン
11・・・マイクロウェーブ発生装置
12・・・純水ミストノズル
13・・・温度帯表記
14・・・前処理チャンバー
15・・・ランプ
16・・・純水槽
17・・・薬液ライン
18・・・薬液ノズル支持アーム
19・・・アーム18の回転方向
20・・・アーム2の回転方向
21・・・純水ノズル
22・・・N2 ガスノズル
Claims (11)
- 内部に半導体基板を載置した処理チャンバー内に純水ミストを充満させる第1工程と、
前記純水ミストにマイクロウェーブを照射して前記純水ミストを常温より高い所定の処理温度まで上昇させることにより、前記半導体基板を前記所定の処理温度まで上昇させる第2工程と、
前記第2工程の後、前記純水ミストを前記処理チャンバー外へ排出する第3工程と、
前記所定の処理温度まで上昇した前記半導体基板の表面に、前記所定の処理温度の薬液を供給することにより前記半導体基板を薬液処理する第4工程と備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1工程の前に、予め前記処理チャンバー内を減圧しておくことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3工程において、前記処理チャンバー内を減圧することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 内部に半導体基板を載置した前処理チャンバー内雰囲気を加熱して常温より高い所定の処理温度まで上昇させることにより、前記半導体基板を前記所定の処理温度まで上昇させる第1工程と、
前記所定の処理温度まで上昇した前記半導体基板を処理チャンバー内に移動させる第2工程と、
前記処理チャンバー内において、前記所定の処理温度まで上昇した前記半導体基板の表面に、前記所定の処理温度の薬液を供給することにより前記半導体基板を薬液処理する第3工程と備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1工程では、前記前処理チャンバーの外周に設置したヒーターまたはランプによって、前記前処理チャンバー内雰囲気を加熱することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1工程では、前記前処理チャンバー内に純水ミストを充満させた後、前記純水ミストにマイクロウェーブを照射して前記純水ミストを常温より高い所定の処理温度まで上昇させることによって、前記前処理チャンバー内雰囲気を加熱することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に載置した前記半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、
前記薬液処理する直前に前記半導体基板を前記処理温度に昇温させる基板昇温手段とを備え、
前記基板昇温手段は、処理チャンバーの外周に配置したマイクロウェーブ発生装置であって、
薬液処理前に前記処理チャンバー内に純水ミストを充満させ、該純水ミストを前記マイクロウェーブ発生装置で加熱することにより、前記半導体基板を昇温させることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記処理チャンバーを前記純水ミストで充満させる前または前記純水ミストで充満させた後に、前記処理チャンバー内の雰囲気を減圧する排気手段を設けたことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造装置。
- 薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に載置した前記半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、
前記薬液処理する直前に前記半導体基板を前記処理温度に昇温させる基板昇温手段と、
前記半導体基板を前記処理チャンバー内に載置する直前に前記半導体基板を載置する前処理チャンバーとを備え、
前記基板昇温手段は、前記前処理チャンバーの外周に配置したヒーターまたはランプであって、前記前処理チャンバー内の雰囲気を加熱することにより、前記半導体基板を昇温させることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 薬液処理される半導体基板を内部に載置する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に載置した前記半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給する薬液供給手段と、
前記薬液処理する直前に前記半導体基板を前記処理温度に昇温させる基板昇温手段と、
前記半導体基板を前記処理チャンバー内に載置する直前に前記半導体基板を載置する前処理チャンバーとを備え、
前記基板昇温手段は、前記前処理チャンバーの外周に配置したマイクロウェーブ発生装置であって、前記前処理チャンバー内に純水ミストを充満させ、該純水ミストを前記マイクロウェーブ発生装置で加熱することにより、前記半導体基板を昇温させることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記前処理チャンバーを前記純水ミストで充満させる前または前記純水ミストで充満させた後に、前記前処理チャンバー内の雰囲気を減圧する排気手段を設けたことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造装置。
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