CN104299722B - 一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法 - Google Patents

一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104299722B
CN104299722B CN201410453717.1A CN201410453717A CN104299722B CN 104299722 B CN104299722 B CN 104299722B CN 201410453717 A CN201410453717 A CN 201410453717A CN 104299722 B CN104299722 B CN 104299722B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transparent conductive
conductive film
nano silver
silver wire
wire transparent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410453717.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104299722A (zh
Inventor
何微微
王可
冉云霞
季书林
叶长辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Original Assignee
Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Institutes of Physical Science of CAS filed Critical Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Priority to CN201410453717.1A priority Critical patent/CN104299722B/zh
Publication of CN104299722A publication Critical patent/CN104299722A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104299722B publication Critical patent/CN104299722B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法。本发明将已制备好的银纳米线透明导电薄膜放入一定浓度的硼氢化钠溶液中浸泡一定时间，清洗后，将银纳米线透明导电薄膜放入一定浓度的卤化物溶液中浸泡一定时间，清洗后，用吹风机吹干，即可实现银纳米线透明导电薄膜导电性的提高。本发明方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。

Description

一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法
技术领域
本发明涉及一种提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法，具体涉及一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法。
背景技术
近年来银纳米线透明导电薄膜由于其优异的性能，已受到人们的广泛关注。银纳米线透明导电薄膜的特点有：透明导电性高、中性色，雾度低，不泛黄(b*值低)，不易看到电极图案，耐弯曲性好，耐摩擦性高，通过光刻加工能够形成细线图案等。日本写真印刷和东丽薄膜加工公司于2011年先后将银纳米线透明导电薄膜产品化，但是银纳米线透明导电薄膜在使用过程中仍存在好多问题，例如在提高银纳米线透明导电薄膜导电性的同时往往会引起透过率的下降，因此在保证透过率的前提下提高导电性显得尤为重要。目前常采用的提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法有热处理法和机械压力的方法。热处理方法不适用于某些不耐高温的柔性衬底，机械压力法不适用于玻璃等易碎的衬底，并且热处理法对玻璃电阻的降低非常有限，而机械压力法容易出现压力不均，从而导致薄膜不均匀，另外机械压力法容易引起银纳米线的转移。因此寻找其他有效的降低银纳米线透明导电薄膜电阻的方法是非常重要的。目前尚无使用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性方面的报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法。本发明是一种使用溶液法，通过在溶液中浸泡银纳米线透明导电薄膜一定时间来提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法，且操作简单，成本低，可用于大规模生产。
为实现上述目的，本发明采用技术方案如下：
一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法，包括以下步骤：
(1)取0.25g硼氢化钠溶于100g水中；
(2)取3g卤化物溶于50g水中。
(3)将制备好的银纳米线透明导电薄膜在步骤(1)制得的硼氢化钠溶液中浸泡30s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干；
(4)将步骤(3)处理的银纳米线透明导电薄膜放入步骤(2)制得的溶液中浸泡10s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
所述方法适用于多种衬底上制备的银纳米线透明导电薄膜，所述衬底包括各种玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸类塑料、聚乙烯、各种型号的硅胶、各种纸、各种布等。
所述方法中，可以先用硼氢化钠溶液处理再用卤化物溶液处理，也可以先用卤化物溶液处理再用硼氢化钠溶液处理，或者只用硼氢化钠溶液处理，也可以只用卤化物溶液处理。
所述硼氢化钠溶液的浓度不限于某个浓度，硼氢化钠溶液的浓度越大，所需要的处理时间就越短，硼氢化钠溶液的浓度越小，所需处理时间越长。
所述硼氢化钠溶液处理银纳米线透明导电薄膜并清洗后可以吹干也可以不吹干直接放入卤化物溶液中进行处理。
所述的卤化物包括氯化钾、氯化钠、氯化镁、氯化钙、氯化锌、氯化亚铁、氯化亚锡、四氯化烯、氢氯酸、溴化钾、溴化钠、溴化钙、溴化镁、溴化锌、溴化亚铁、溴化锡、氢溴酸等。
所述卤化物溶液的浓度也不是限于某个浓度，溶液浓度越大，反应所需要的时间越短，溶液浓度越小，反应所需要的时间越长。
本发明有益效果：
本发明通过在某种溶液中浸泡银纳米线透明导电薄膜一定时间来提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法，不需要昂贵的实验设备，在使用某种溶液浸泡一定时间，清洗银纳米线透明导电薄膜后，使用吹风机吹干，即可实现银纳米线透明导电薄膜导电性的提高，且操作简单，成本低，可用于大规模生产。
附图说明
图1为本发明实验过程示意图。
图2为硼氢化钠以及氯化钾处理后对光学数据的影响图；其中，横轴后处理：1代表无处理的银纳米线透明导电薄膜，2代表0.25％硼氢化钠处理1中薄膜30s，3代表6％氯化钾处理2中薄膜10s，4代表6％氯化钾处理3中薄膜10s。
图3为氯化钾处理后对电学数据的影响图；其中，横轴后处理：1代表0.25％硼氢化钠处理30s后的银纳米线透明导电薄膜，2代表6％氯化钾处理1中薄膜10s，3代表6％氯化钾处理2中薄膜10s。
图4为硼氢化钠以及氯化钠处理后对光学数据的影响图；其中，横轴后处理：1代表无处理的银纳米线透明导电薄膜，2代表0.25％硼氢化钠处理1中薄膜30s，3代表6％氯化钠处理2中薄膜10s，4代表6％氯化钠处理3中薄膜10s。
图5为氯化钠处理后对电学数据的影响图；其中，横轴后处理：1代表0.25％硼氢化钠处理30s后的银纳米线透明导电薄膜，2代表6％氯化钠处理1中薄膜10s，3代表6％氯化钠处理2中薄膜10s。
图6为硼氢化钠以及四氯化锡处理后对光学数据的影响图；其中，横轴后处理：1代表无处理的银纳米线透明导电薄膜，2代表0.25％硼氢化钠处理1中薄膜30s，3代表6％四氯化锡处理2中薄膜10s，4代表6％四氯化锡处理3中薄膜10s。
图7为四氯化锡处理后对电学数据的影响图；其中，横轴后处理：1代表0.25％硼氢化钠处理30s后的银纳米线透明导电薄膜，2代表6％四氯化锡处理1中薄膜10s，3代表6％四氯化锡处理2中薄膜10s。
图8为硼氢化钠以及溴化钾处理后对光学数据的影响图；其中，横轴后处理：1代表无处理的银纳米线透明导电薄膜，2代表0.25％硼氢化钠处理1中薄膜30s，3代表6％溴化钾处理2中薄膜10s，4代表6％溴化钾处理3中薄膜10s。
图9为溴化钾处理后对电学数据的影响图；其中，横轴后处理：1代表0.25％硼氢化钠处理30s后的银纳米线透明导电薄膜，2代表6％溴化钾处理1中薄膜10s，3代表6％溴化钾处理2中薄膜10s。
图10为硼氢化钠以及氯化镁处理后对光学数据的影响图；其中，横轴后处理：1代表无处理的银纳米线透明导电薄膜，2代表0.25％硼氢化钠处理1中薄膜30s，3代表6％氯化镁处理2中薄膜10s，4代表6％氯化镁处理3中薄膜10s。
图11为氯化镁处理后对电学数据的影响图；其中，横轴后处理：1代表0.25％硼氢化钠处理30s后的银纳米线透明导电薄膜，2代表6％氯化镁处理1中薄膜10s，3代表6％氯化镁处理2中薄膜10s。
图12为硼氢化钠以及氯化锌处理后对光学数据的影响图；其中，横轴后处理：1代表无处理的银纳米线透明导电薄膜，2代表0.25％硼氢化钠处理1中薄膜30s，3代表6％氯化锌处理2中薄膜10s，4代表6％氯化锌处理3中薄膜10s。
图13为氯化锌处理后对电学数据的影响图；其中，横轴后处理：1代表0.25％硼氢化钠处理30s后的银纳米线透明导电薄膜，2代表6％氯化锌处理1中薄膜10s，3代表6％氯化锌处理2中薄膜10s。
图14为硼氢化钠溶液和四氯化锡溶液颠倒顺序处理的电学数据影响图；其中，横轴后处理：1代表0.25％硼氢化钠处理30s后的银纳米线透明导电薄膜。实线2代表0.25％硼氢化钠处理30s，3代表6％SnCl4处理10s；虚线2代表6％四氯化锡处理10s，3代表0.25％硼氢化钠处理30s。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细的说明。
实施例1：
1、取0.25g硼氢化钠(NaBH4)溶于100g水中。
2、取3g氯化钾(KCl)溶于50g水中。
3、将制备好的银纳米线透明导电薄膜在步骤1的硼氢化钠溶液中浸泡30s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
4、将步骤3中的银纳米线透明导电薄膜放入步骤2的溶液中浸泡10s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
实施例2：
1、取0.25g硼氢化钠(NaBH4)溶于100g水中。
2、取3g氯化钠(NaCl)溶于50g水中。
3、将制备好的银纳米线透明导电薄膜在步骤1的硼氢化钠溶液中浸泡30s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
4、将步骤3中的银纳米线透明导电薄膜放入步骤2的溶液中浸泡10s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
实施例3：
1、取0.25g硼氢化钠(NaBH4)溶于100g水中。
2、取3g四氯化锡(SnCl4)溶于50g水中。
3、将制备好的银纳米线透明导电薄膜在步骤1的硼氢化钠溶液中浸泡30s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
4、将步骤3中的银纳米线透明导电薄膜放入步骤2的溶液中浸泡10s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
实施例4：
1、取0.25g硼氢化钠(NaBH4)溶于100g水中。
2、取3g溴化钾(KBr)溶于50g水中。
3、将制备好的银纳米线透明导电薄膜在步骤1的硼氢化钠溶液中浸泡30s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
4、将步骤3中的银纳米线透明导电薄膜放入步骤2的溶液中浸泡10s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
实施例5：
1、取0.25g硼氢化钠(NaBH4)溶于100g水中。
2、取3g氯化镁(MgCl2)溶于50g水中。
3、将制备好的银纳米线透明导电薄膜在步骤1的硼氢化钠溶液中浸泡30s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
4、将步骤3中的银纳米线透明导电薄膜放入步骤2的溶液中浸泡10s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
实施例6：
1、取0.25g硼氢化钠(NaBH4)溶于100g水中。
2、取3g氯化锌(ZnCl2)溶于50g水中。
3、将制备好的银纳米线透明导电薄膜在步骤1的硼氢化钠溶液中浸泡30s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
4、将步骤3中的银纳米线透明导电薄膜放入步骤2的溶液中浸泡10s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
表1：硼氢化钠处理前后电学平均值及方差的变化
注：这里样品1-6分别对应实施案例1-6中的硼氢化钠处理的步骤。
由上表可知，硼氢化钠溶液处理可以降低电阻并提高薄膜的均匀性。

Claims (4)

1.一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）取0.25g硼氢化钠溶于100g水中；
（2）取3g卤化物溶于50g水中；
（3）将制备好的银纳米线透明导电薄膜在步骤（1）制得的硼氢化钠溶液中浸泡30s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干；
（4）将步骤（3）处理的银纳米线透明导电薄膜放入步骤（2）制得的溶液中浸泡10s，取出后用去离子水冲洗干净并吹干。
2.根据权利要求1所述的一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法，其特征在于：所述方法适用于多种衬底上制备的银纳米线透明导电薄膜，所述衬底包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸类塑料、聚乙烯、各种型号的硅胶、各种纸、各种布。
3.根据权利要求1所述的一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法，其特征在于：所述经硼氢化钠溶液处理的银纳米线透明导电薄膜，经过清洗后，再直接放入卤化物溶液中进行处理。
4.根据权利要求1所述的一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法，其特征在于：所述的卤化物包括氯化钾、氯化钠、氯化镁、氯化钙、氯化锌、氯化亚铁、氯化亚锡、四氯化锡、溴化钾、溴化钠、溴化钙、溴化镁、溴化锌、溴化亚铁、溴化锡。
CN201410453717.1A 2014-09-05 2014-09-05 一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法 Active CN104299722B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410453717.1A CN104299722B (zh) 2014-09-05 2014-09-05 一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410453717.1A CN104299722B (zh) 2014-09-05 2014-09-05 一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104299722A CN104299722A (zh) 2015-01-21
CN104299722B true CN104299722B (zh) 2017-06-09

Family

ID=52319414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410453717.1A Active CN104299722B (zh) 2014-09-05 2014-09-05 一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104299722B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107331445A (zh) * 2017-07-11 2017-11-07 湖南大学 一种改性银纳米线透明导电膜及提高银纳米线透明导电膜的导电性和抗氧化性的方法
CN108376587A (zh) * 2018-03-07 2018-08-07 重庆文理学院 一种高性能稳定铜纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法
CN109805453B (zh) * 2019-03-11 2022-07-26 南京银纳新材料科技有限公司 一种基于金属纳米线的电子烟加热组件制作方法
CN110299222B (zh) * 2019-07-29 2020-09-18 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种可见光透明导电薄膜及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1962348A2 (en) * 2005-08-12 2008-08-27 Cambrios Technologies Corporation Nanowires-based transparent conductors
CN101971354A (zh) * 2007-04-20 2011-02-09 凯博瑞奥斯技术公司 高对比度的透明导体及其形成方法
CN102725085A (zh) * 2009-12-24 2012-10-10 富士胶片株式会社 金属纳米线、其生产方法、透明导体及触控面板
CN103781559A (zh) * 2011-09-07 2014-05-07 富士胶片株式会社 用于制造含有线状填充物的涂布材料的方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9920207B2 (en) * 2012-06-22 2018-03-20 C3Nano Inc. Metal nanostructured networks and transparent conductive material

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1962348A2 (en) * 2005-08-12 2008-08-27 Cambrios Technologies Corporation Nanowires-based transparent conductors
CN101971354A (zh) * 2007-04-20 2011-02-09 凯博瑞奥斯技术公司 高对比度的透明导体及其形成方法
CN102725085A (zh) * 2009-12-24 2012-10-10 富士胶片株式会社 金属纳米线、其生产方法、透明导体及触控面板
CN103781559A (zh) * 2011-09-07 2014-05-07 富士胶片株式会社 用于制造含有线状填充物的涂布材料的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104299722A (zh) 2015-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104299722B (zh) 一种利用溶液法提高银纳米线透明导电薄膜导电性的方法
CN104992781B (zh) 一种石墨烯基三元复合材料的制备方法
CN103606418B (zh) 一种树叶状透明导电电极的制备方法
CN102110489B (zh) 高强度透明高导电性自支持碳纳米管超薄膜及其制备方法
CN103258596A (zh) 导电薄膜的消影方法
CN105239061B (zh) 一种石墨烯/金属复合薄膜及其制备方法
CN103700430B (zh) 一种有序分布的导电薄膜及其制造方法
CN106001583B (zh) 一种纳米银线的制备方法
CN106513702A (zh) 一种制备银纳米线以及银纳米线薄膜的方法
CN107419244B (zh) 一种纳米银导电膜及其制备方法
CN111009336B (zh) 一种柔韧、透明的导电薄膜及其制备方法
CN107275006A (zh) 还原氧化石墨烯/SnO2复合透明导电薄膜及其制备方法
CN105575477B (zh) 一种提高银纳米线柔性透明导电膜导电性的方法
CN107747214A (zh) 一种基于多巴胺前处理的图案化金属纺织品的制备方法
CN106548828A (zh) 一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法
CN103236324A (zh) 一种基于还原氧化石墨烯的柔性透明导电薄膜的制备方法
CN107705884A (zh) 一种基于银纳米线的透明导电纸及其制备方法
CN105810364A (zh) 一种银纳米线导电薄膜的处理方法
CN107610817A (zh) 一种层层自组装银纳米线柔性导电薄膜
CN106920583B (zh) 一种透明导电膜及其制备方法和应用
CN108376587A (zh) 一种高性能稳定铜纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法
Tang et al. Fabrication of high-quality copper nanowires flexible transparent conductive electrodes with enhanced mechanical and chemical stability
CN103400632A (zh) 一种石墨烯掺杂材料、制备方法及其应用
CN109261982A (zh) 一种简单快速制备银纳米线的方法
CN113878127B (zh) 一种以格氏试剂为助剂辅助合成超细纳米银线的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant