CN104242889A - 用于半导体的感测元件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了用于半导体的感测元件。一个实施例涉及一种装置，包括高压侧半导体、低压侧半导体、与高压侧半导体相邻布置的第一感测元件。第一感测元件与高压侧半导体隔离，并且第一感测元件可直接连接至处理装置。

Description

用于半导体的感测元件
技术领域
本公开涉及一种用于半导体的感测元件。
背景技术
如果传感器被嵌入在半导体中，则传感器经历与半导体相同的电压。例如，被嵌入在低压侧IGBT(具有超过接地的电压)中的温度传感器可以由接地参考电路监控。然而，监控被嵌入在高压侧IGBT中的温度传感器需要具有参考电势的电路，该参考电势处于高压侧IGBT的发射极电压。
为了将高压侧模拟温度信号转发至具有接地参考的中央电路(例如微控制器或数字信号处理器(DSP))，以电流隔离(galvanicallyisolated)的方式对温度信号进行处理，例如通过光耦合器或脉冲变压器进行数字化和处理。这是一种昂贵的措施，其需要额外的部件和空间。这一效果在使用多个半桥(即许多高压侧和低压侧半导体)的情况下变得更为明显，每个半桥(高压侧开关也)具有应当经受监控的温度传感器。
作为一种选择，在驱动器(例如驱动器集成电路，例如无芯变压器)中并入模数转换器。在该情形下，模拟温度信号可以通过驱动器被数字化、被处理(例如通过一些种类的协议)并且经由无芯变压器被传输至处理装置(其可以利用接地作为参考电势进行操作)。处理装置随后提取接收到的温度信息，以用于处理目的。
发明内容
根据本公开的一个方面，提供了一种装置，包括：
高压侧半导体，
低压侧半导体，
与所述高压侧半导体相邻布置的第一感测元件，其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离；
其中所述第一感测元件可直接连接至处理装置。
在一个实施例中，所述装置包括与所述低压侧半导体相邻布置的第二感测元件，
其中所述第二感测元件与所述低压侧半导体隔离，并且
其中所述第二感测元件可直接连接至所述处理装置。
在一个实施例中，所述第一感测元件被嵌入在所述高压侧半导体中或者与所述高压侧半导体一起被嵌入，并且所述第二感测元件被嵌入在所述低压侧半导体中或者与所述低压侧半导体一起被嵌入。
在一个实施例中，所述第一感测元件和所述第二感测元件经由至少一个横向隔离以及至少一个竖直隔离而与所述高压侧半导体以及与所述低压侧半导体隔离。
在一个实施例中，所述横向隔离包括至少15μm的隔离。
在一个实施例中，所述竖直隔离包括在1.5μm至2μm的范围内的隔离。
在一个实施例中，所述隔离包括绝缘层。
在一个实施例中，所述绝缘层包括以下项中的至少一项：
氧化物层；
热氧化的二氧化硅；
氮化物层。
在一个实施例中，所述装置包括处理装置，其中所述第一感测元件和所述第二感测元件均直接连接至所述处理装置。
在一个实施例中，所述高压侧半导体和/或所述低压侧半导体包括以下项中的至少一项：
电子开关；
双极型晶体管；
双极结型晶体管；
二极管；
结型场效应晶体管；
IGBT；
MOSFET。
在一个实施例中，所述处理装置是以下项中的至少一项：
处理器；
控制器；
微控制器；
信号处理单元。
在一个实施例中，所述处理装置连接至参考电势。
在一个实施例中，所述参考电势是接地。
在一个实施例中，其中所述高压侧半导体的至少一个引脚相对于接地至少暂时处于在30V和1000V之间的范围内的电压。
在一个实施例中，所述第一感测元件和/或所述第二感测元件包括以下项中的至少一项：
温度传感器；
集成的依赖于温度的传感器；
霍尔传感器；
压力传感器；
电流传感器。
在一个实施例中，其中所述第一感测元件和/或所述第二感测元件包括作为温度传感器的至少一个二极管。
在一个实施例中，其中所述第一感测元件和/或所述第二感测元件包括晶体管的体二极管。
在一个实施例中，其中所述高压侧半导体和所述低压侧半导体被布置在半桥配置中或者是全桥配置的一部分。
根据本公开的另一方面，提供了一种电路，包括：
高压侧半导体，
低压侧半导体，
第一感测元件，被嵌入在所述高压侧半导体中或者与所述高压侧半导体一起被嵌入，其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离；
处理装置，其中所述第一感测元件直接连接至所述处理装置。
在一个实施例中，所述电路包括第二感测元件，所述第二感测元件被嵌入在所述低压侧半导体中或者与所述低压侧半导体一起被嵌入，
其中所述第二感测元件与所述低压侧半导体隔离，并且
其中所述第二感测元件直接连接至所述处理装置。
在一个实施例中，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体是电子开关，或者其中所述高压侧半导体和所述低压侧半导体中的至少一个包括二极管，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体串联连接，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体经由所述处理装置进行控制。
在一个实施例中，所述电路可以用于半桥或全桥布置中或者是半桥或全桥布置的一部分。
根据本公开的又一方面，提供了一种用于控制高压侧半导体和低压侧半导体的方法，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体在半桥布置中串联连接，
其中第一感测元件被嵌入在所述高压侧半导体中或者与所述高压侧半导体一起被嵌入，其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离，
其中第二感测元件被嵌入在所述低压侧半导体中或者与所述低压侧半导体一起被嵌入，其中所述第二感测元件与所述低压侧半导体隔离，
其中至少一个处理装置被布置用于控制所述高压侧半导体和所述低压侧半导体并且直接连接至所述第一感测元件和所述第二感测元件，
其中所述至少一个处理装置被布置用于基于由所述第一感测元件提供的信号来确定第一信息；用于基于由所述第二感测元件提供的信号来确定第二信息；用于基于所述第一信息和所述第二信息来控制所述高压侧半导体和所述低压侧半导体。
在一个实施例中，所述处理装置被布置用于基于所述第一信息和/或所述第二信息确定故障并且用于基于确定的所述故障执行预定动作。
根据本公开的又一方面，提供了一种用于控制高压侧半导体和低压侧半导体的***，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体在半桥布置中串联连接，
其中第一感测元件被嵌入在所述高压侧半导体中或者与所述高压侧半导体一起被嵌入，其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离；
其中第二感测元件被嵌入在所述低压侧半导体中或者与所述低压侧半导体一起被嵌入，其中所述第二感测元件与所述低压侧半导体隔离；
其中处理装置被布置用于控制所述高压侧半导体和所述低压侧半导体并且直接连接至所述第一感测元件和所述第二感测元件，
所述***包括：
用于基于由所述第一感测元件提供的信号来确定第一信息的装置；
用于基于由所述第二感测元件提供的信号来确定第二信息的装置；
用于基于所述第一信息和所述第二信息来控制所述高压侧半导体和所述低压侧半导体的装置。
附图说明
参考附图示出和图示了各个实施例。附图用于图示基本原理，从而仅图示了对于理解基本原理而言所必需的方面。附图未按比例绘制。在附图中，相同附图标记表示相同特征。
图1示出了包括两个晶体管的半桥布置的示意图，其中每个晶体管具有直接连接至处理装置的温度传感器；
图2示出了具有嵌入的温度传感器的晶体管的截面示意图。
具体实施方式
实施例涉及感测操作于不同或相异电压的半导体中的信息。
第一实施例涉及一种装置，包括高压侧半导体、低压侧半导体、与高压侧半导体相邻布置的第一感测元件。第一感测元件与高压侧半导体隔离，并且第一感测元件可直接连接至处理装置。在这点上，可直接连接尤其指代不具有电流隔离的连接。可直接连接可以包括经由滤波器(例如电容器和/或电阻器)的连接。
高压侧半导体和/或低压侧半导体可以包括开关和/或二极管。可以使用高压侧和低压侧半导体来实现半桥布置。开关和并联二极管(或者若干这样的并联连接的二极管)可以用作半桥布置的元件。在该示例性情形下，半桥布置包括四个半导体元件，即两个开关和两个二极管。
第二实施例涉及一种电路，包括高压侧半导体、低压侧半导体、被嵌入在高压侧半导体中或与高压侧半导体一起被嵌入的第一感测元件，其中第一感测元件与高压侧半导体(电)隔离。该电路还包括处理装置，其中第一感测元件直接连接至处理装置。
第三实施例涉及用于控制高压侧半导体和低压侧半导体的方法，高压侧半导体和低压侧半导体在半桥布置中串联连接，第一感测元件被嵌入在高压侧半导体中或与高压侧半导体一起被嵌入，其中第一感测元件与高压侧半导体(电)隔离，第二感测元件被嵌入在低压侧半导体中或与低压侧半导体一起被嵌入，其中第二感测元件与低压侧半导体隔离，至少一个处理装置被布置用于控制高压侧半导体和低压侧半导体，并且直接连接至第一感测元件和第二感测元件。至少一个处理装置被布置用于基于由第一感测元件提供的信号来确定第一信息；用于基于由第二感测元件提供的信号来确定第二信息；以及用于基于第一信息和第二信息来控制高压侧半导体和低压侧半导体。
第四实施例涉及用于控制高压侧半导体和低压侧半导体的***，高压侧半导体和低压侧半导体在半桥布置中串联连接。该***包括：第一感测元件，被嵌入在高压侧半导体中或与高压侧半导体一起被嵌入，其中第一感测元件与高压侧半导体(电)隔离；第二感测元件，被嵌入在低压侧半导体中或与低压侧半导体一起被嵌入，其中第二感测元件与低压侧半导体隔离；以及处理装置，其被布置用于控制高压侧半导体和低压侧半导体，并且直接连接至第一感测元件和第二感测元件。该***进一步包括：用于基于由第一感测元件提供的信号来确定第一信息的装置；用于基于由第二感测元件提供的信号来确定第二信息的装置；以及用于基于第一信息和第二信息来控制高压侧半导体和低压侧半导体的装置。
在许多半桥电路(如用于例如电动机控制的DC/DC转换器或逆变器)中，存在至少一个高压侧半导体和至少一个低压侧半导体，例如IGBT、MOSFET、BJT、JFET或二极管。高压侧半导体可以连接至超过接地的高压，并且低压侧半导体可以连接至接地或至少比高压侧半导体更接近接地。具体而言，高压侧半导体与低压侧半导体相比被布置在与参考电势相比更高的电压。
“接地”指的是接地电势或者被视为近似或者被选择作为参考电势的任何参考电势。
提出将第一感测元件布置在高压侧半导体附近(尤其是与其相邻)。相应地，第二感测元件可以被布置在低压侧半导体附近(尤其是与其相邻)。第一感测元件可以被嵌入在高压侧半导体中，或者其可以与高压侧半导体一起被嵌入。相应地，第二感测元件可以被嵌入在低压侧半导体中，或者其可以与低压侧半导体一起被嵌入。第一感测元件和第二感测元件可以各自被实现为用于检测信息(压力、电流、电压、光、湿度等)并且将该信息传送到处理装置的传感器。
根据在本文中所描述的示例，第一感测元件和第二感测元件无需与处理装置的任何额外的电流隔离。第一感测元件和第二感测元件可以直接连接到处理装置，即使高压侧半导体操作于浮置高压电势以及低压侧半导体操作于接地之上。
因此，第一感测元件和第二感测元件经由至少一个隔离层与高压侧半导体和低压侧半导体隔离。
在传感器(第一和/或第二感测元件)被嵌入在半导体中的情况下，可以感测半导体的信息，即可以由处理装置以连续或迭代方式进行监控。
在本文中所讨论的示例对于使用在从40伏到超过700伏的范围内的操作电压或电源电压的应用而言尤其有用。
所提出的方案尤其允许在布置于高压侧或低压侧的半导体部件的各个位置处感测信息(例如温度)。半导体部件可以是电子开关或可以经受监控的任何其他半导体部件(例如IGBT、MOSFET、BJT、JFET或二极管)。温度传感器可以是半导体元件，例如二极管或包括若干二极管的串联连接。传感器也可以包括以下项中的至少一项以用于感测各种种类的信息：霍尔传感器、压力传感器、电流传感器。
在下文中，电子开关(例如晶体管)示例性地被选择为经受监控的半导体部件。被监控的信息示例性地是电子开关中的或者电子开关附近的温度。温度感测元件可以是二极管，该二极管可以被嵌入在电子开关中或者与电子开关一起被嵌入。电子开关可以被配置为如在例如DC-DC转换器、电源、电动机控制器等中使用的半桥或全桥布置的一部分。
相应地，根据在本文中提出的示例，在不同布置中的其他半导体部件和/或电子开关可以经受任何类型的监控。
两个电子开关(例如晶体管，尤其是IGBT)可以被布置为在电源电压和接地之间彼此串联连接。连接至或者更接近电源的电子开关也被称为高压侧开关，并且连接至或者更接近接地的电子开关被称为低压侧开关。
有利地，可以经由单个处理装置在高压侧开关以及低压侧开关处确定所感测的信息(例如温度)，而无需如变压器或光耦合器之类的其它电流隔离电路装置。这允许改进的监控或监测，并且尤其允许在早期或者甚至在其实际发生之前检测任何不规则性或故障。特别地，一种选择是通过由例如微控制器或信号处理器评估所感测的信号来监控所有电子开关以及确定温度的改变。
例如，温度可以从每个电子开关被传送至处理装置，优选地具有较少延迟或没有延迟(实时地)。
根据一个示例，传感器(例如被实现为例如二极管的温度传感器)被布置为使得其具有高压阻挡能力。传感器可以被实现为被嵌入在半导体部件中的集成传感器。传感器可以与半导体部件电流地隔离。隔离可以通过隔离层来实现。
在半导体部件是包括栅极、源极和漏极或者基极、集电极和发射极的电子开关的情况下，传感器可以被实现为使得其具有高压阻挡能力以及使得其在上至预定漏极-源极电压或上至预定集电极-发射极电压时可以与漏极/集电极、源极/发射极以及栅极隔离。
因此，可以供应每个传感器，使得其相对于接地具有充分的电压隔离，不论传感器被集成在高压侧开关或低压侧开关中或者靠近高压侧开关或低压侧开关。高压侧开关和低压侧开关因此是半导体部件的示例，相应地可以使用经受信息监控的其他半导体部件。
每个传感器由处理装置进行读取，该处理装置还可选地处理所获得的信息。处理装置可以是利用接地作为参考电势的微控制器或信号处理器。然而，处理装置也可以具有不同的(固定的)参考电势。
根据一个示例，由与半桥布置的若干电子开关相邻的若干温度传感器感测的各个温度可以由例如利用接地作为参考电势的单个处理装置来监控。处理装置因此可以用作监控单元，该监控单元确定温度是保持在预定温度范围内，还是落到所述范围以下或者超过所述范围。因此，可以提供与预定值的比较，其中预定值可以是固定值或梯度(例如相对于时间的变化)。因此，为了检测即将发生的故障或缺陷，也可以考虑温度变化。
温度传感器可以被嵌入在各个半导体部件(例如所有种类的晶体管，IGBT、MOSFET、BJT或二极管)中或者与其相邻，无论他们位于电路装置的高压侧或低压侧上。
因此可能无需模数转换或者对所感测的信息的电流隔离，这降低了成本和精力以及板空间。
所讨论的示例利用向(例如嵌入的)温度传感器本身(向接地和/或向被监控的半导体部件的任何连接)添加充分的电压隔离，例如经由隔离层。
图1示出了包括晶体管Q1和晶体管Q2的半桥布置的示意图。晶体管Q1、Q2可以是IGBT、BJT、MOSFET或JFET。晶体管Q1、Q2之一可以由二极管替代。在根据图1的示例中，特别地，晶体管Q1和Q2可以被实现为IGBT，其中晶体管Q1具有集成的温度传感器TS1，并且晶体管Q2具有集成的温度传感器TS2。温度传感器TS1和TS2可以分别被实现为二极管。
晶体管Q1经由驱动器102进行控制，驱动器102经由隔离单元103连接至处理装置101(例如处理器、微控制器或信号处理器)。相应地，晶体管Q2经由驱动器104进行控制，驱动器104经由隔离单元105连接至处理装置101。
隔离单元103、105可以被实现为光耦合器、变压器或任何电流隔离元件。隔离单元103、105使得能够通过处理装置101控制相应晶体管Q1、Q2，其中在图1的这一示例中的处理装置101具有作为参考电势的接地，并且晶体管Q1、Q2的栅极可以具有不同(浮置)参考电势(不同于接地)。
因此，处理装置1经由隔离单元103、105和驱动器102、104来控制半桥的晶体管Q1、Q2。
温度传感器TS1连接至处理装置101。此外，温度传感器TS2连接至该处理装置。由于温度传感器TS1与晶体管Q1高压隔离，所以所感测的信号可以直接被馈送(连接)至处理装置101。这相应地适用于温度传感器TS2相对于晶体管Q2。在这一示例中，无需附加的高压去耦合装置(例如变压器、光耦合器、模数转换器等)用于检测由温度传感器TS1和TS2感测的信息。
温度传感器TS1、TS2中的每个温度传感器可以经由作为绝缘层的厚场氧化物(例如在1.5μm和2μm之间的范围内)进行隔离，以防范竖直击穿。特别地，温度传感器TS1、TS2中的每个温度传感器相对于其相应晶体管Q1、Q2的发射极电势而被隔离。
一种选择是使用MOSFET的体二极管(例如低压)作为温度传感器。
集成的温度传感器可以有利地具有高压阻挡能力。其可以在上至预定漏极-源极电压或上至预定集电极-发射极电压时有利地与漏极/集电极、源极/发射极以及栅极隔离。因此，温度传感器相对于接地可以具有充分的电压隔离，无论传感器被集成在高压侧开关或低压侧开关中。因此，每个单个温度传感器可以由单个接地参考电路(例如在本文中提及的处理装置)读取和处理。
温度传感器(包括至少一个感测元件)的电流隔离可以通过以下项中的至少一项实现：
感测元件由单片集成到集成电路中pin二极管制成；
感测元件被置于接近芯片中部或者最多散热可能发生的地方；
感测元件被置于厚绝缘层的顶部上，尤其是未中断(端到端)的层；
从感测元件到接触焊盘的连接可以具有至如下芯片上的元件的预定(例如最小)距离，该芯片承载与感测元件相比的电压电平。
厚隔离层可以是热氧化的二氧化硅。此外，可以使用类似的氧化物层(PE-CVD)或其他绝缘层(氮化物)以及其组合。该层的厚度可以被选择为满足预定电压稳健性。
因此，与发射极电势(以及集电极和栅极)相比，可以改进温度传感器的电压击穿稳健性，这可以经由作为防范发射极电势的绝缘层的厚氧化物层来实现；感测元件可以被置于这一氧化物层上。
注意，该示例也适用于具有除了接地之外的任何参考电势的处理装置101。
图2示出了晶体管Q1(IGBT)和温度传感器TS1的示例性结构，该温度传感器TS1示例性地与晶体管Q1一起被嵌入。
IGBT包括npn结，IGBT的栅极可以由具有栅极氧化物的沟槽制成。施加比预定阈值电压更大的电压断开了用于P空间中的电子的沟道。IGBT随后可以被接通。温度传感器TS1包括具有注入的pn结的多晶硅层。去往多晶硅中的金属接触形成了阳极和阴极。
金属层204附接至硅晶片201的一侧。这一金属层204对应于晶体管Q1的集电极接触。
在硅晶片201的一侧上，提供了晶体管Q1的发射极接触208(作为金属层或结构)和栅极接触209(作为金属层或结构)。发射极接触208被布置在(例如多晶硅的)传导层206和中间氧化物层207上方，但是与硅晶片201直接接触。栅极接触209也在传导层206和氧化物层207上方，但是与传导层206直接接触。
被实现为二极管的温度传感器TS1与晶体管Q1相邻，该二极管包括在氧化物层207和传导层206上方的阳极接触210和阴极接触211。
除了与晶体管Q1的发射极208直接接触之外，在传导层206与硅晶片204之间应用栅极氧化物。栅极氧化物205相当薄(例如在50nm至100nm之间的范围内)，但是在与阳极接触210和阴极接触211有接触的传导层206下方具有增加的厚度203(也被称为竖直隔离，例如在1.5μm和2μm之间的范围内)。在这一实施例中，下面的体硅201例如具有发射极电势。
此外，箭头202展现栅极接触209(在栅极接触209下方的金属层或传导层206)与在二极管的阳极接触210下方的传导层206之间的距离。由箭头202指示的距离(也被称为横向隔离)优选地大于15μm。
此外，至少在该布置的顶部上部分应用钝化层212，尤其是在电接触之间并且部分覆盖电接触。
以下示例和/或实施例中的至少一个可以视为创新性的。他们可以与所描述的其他方面或实施例结合。在本文中所描述的任何实施例或设计未必解释为相对于其他实施例或设计为优选地或有利的。
提出了一种装置，包括：
高压侧半导体，
低压侧半导体，
与所述高压侧半导体相邻布置的第一感测元件，其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离；
其中所述第一感测元件可直接连接至处理装置。
在一个实施例中，所述装置包括与所述低压侧半导体相邻布置的第二感测元件，
其中所述第二感测元件与所述低压侧半导体隔离，并且
其中所述第二感测元件可直接连接至所述处理装置。
在一个实施例中，所述第一感测元件被嵌入在所述高压侧半导体中或者与所述高压侧半导体一起被嵌入，并且所述第二感测元件被嵌入在所述低压侧半导体中或者与所述低压侧半导体一起被嵌入。
在一个实施例中，所述第一感测元件和所述第二感测元件经由至少一个横向隔离以及至少一个竖直隔离而与所述高压侧半导体以及与所述低压侧半导体隔离。
在一个实施例中，所述横向隔离包括至少15μm的隔离。
在一个实施例中，所述竖直隔离包括在1.5μm至2μm的范围内的隔离。
在一个实施例中，所述隔离包括绝缘层。
在一个实施例中，所述绝缘层包括以下项中的至少一项：
氧化物层；
热氧化的二氧化硅；
氮化物层。
在一个实施例中，所述装置包括处理装置，其中所述第一感测元件和所述第二感测元件均直接连接至所述处理装置。
在一个实施例中，所述高压侧半导体和/或所述低压侧半导体包括以下项中的至少一项：
电子开关；
双极型晶体管；
双极结型晶体管；
二极管；
结型场效应晶体管；
IGBT；
MOSFET。
在一个实施例中，所述处理装置是以下项中的至少一项：
处理器；
控制器；
微控制器；
信号处理单元。
在一个实施例中，所述处理装置连接至参考电势。
在一个实施例中，所述参考电势是接地。
在一个实施例中，其中所述高压侧半导体的至少一个引脚相对于接地至少暂时处于在30V和1000V之间的范围内的电压。
在一个实施例中，所述第一感测元件和/或所述第二感测元件包括以下项中的至少一项：
温度传感器；
集成的依赖于温度的传感器；
霍尔传感器；
压力传感器；
电流传感器。
在一个实施例中，其中所述第一感测元件和/或所述第二感测元件包括作为温度传感器的至少一个二极管。
在一个实施例中，其中所述第一感测元件和/或所述第二感测元件包括晶体管的体二极管。
在一个实施例中，其中所述高压侧半导体和所述低压侧半导体被布置在半桥配置中或者是全桥配置的一部分。
提供了一种电路，包括：
高压侧半导体，
低压侧半导体，
第一感测元件，被嵌入在所述高压侧半导体中或者与所述高压侧半导体一起被嵌入，其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离；
处理装置，其中所述第一感测元件直接连接至所述处理装置。
在一个实施例中，所述电路包括第二感测元件，所述第二感测元件被嵌入在所述低压侧半导体中或者与所述低压侧半导体一起被嵌入，
其中所述第二感测元件与所述低压侧半导体隔离，并且
其中所述第二感测元件直接连接至所述处理装置。
在一个实施例中，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体是电子开关，或者其中所述高压侧半导体和所述低压侧半导体中的至少一个包括二极管，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体串联连接，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体经由所述处理装置进行控制。
在一个实施例中，所述电路可以用于半桥或全桥布置中或者是半桥或全桥布置的一部分。
提供了一种用于控制高压侧半导体和低压侧半导体的方法，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体在半桥布置中串联连接，
其中第一感测元件被嵌入在所述高压侧半导体中或者与所述高压侧半导体一起被嵌入，其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离，
其中第二感测元件被嵌入在所述低压侧半导体中或者与所述低压侧半导体一起被嵌入，其中所述第二感测元件与所述低压侧半导体隔离，
其中至少一个处理装置被布置用于控制所述高压侧半导体和所述低压侧半导体并且直接连接至所述第一感测元件和所述第二感测元件，
其中所述至少一个处理装置被布置用于基于由所述第一感测元件提供的信号来确定第一信息；用于基于由所述第二感测元件提供的信号来确定第二信息；用于基于所述第一信息和所述第二信息来控制所述高压侧半导体和所述低压侧半导体。
在一个实施例中，所述处理装置被布置用于基于所述第一信息和/或所述第二信息确定故障并且用于基于确定的所述故障执行预定动作。
提供了一种用于控制高压侧半导体和低压侧半导体的***，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体在半桥布置中串联连接，
其中第一感测元件被嵌入在所述高压侧半导体中或者与所述高压侧半导体一起被嵌入，其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离；
其中第二感测元件被嵌入在所述低压侧半导体中或者与所述低压侧半导体一起被嵌入，其中所述第二感测元件与所述低压侧半导体隔离；
其中处理装置被布置用于控制所述高压侧半导体和所述低压侧半导体并且直接连接至所述第一感测元件和所述第二感测元件，
所述***包括：
用于基于由所述第一感测元件提供的信号来确定第一信息的装置；
用于基于由所述第二感测元件提供的信号来确定第二信息的装置；
用于基于所述第一信息和所述第二信息来控制所述高压侧半导体和所述低压侧半导体的装置。
虽然已经公开了各个示例性实施例已经，但是对于本领域技术人员而言，在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行将实现实施例的一些优点的各种改变和修改是明显的。可以适当地替换执行相同功能的其他部件对于本领域技术人员而言将是显而易见的。应当指出，参考特定附图解释的特征可以与其他附图的特征结合，即使在其中并未清楚提及的情况下。此外，实施例的方法可以全部以软件实施方式、使用适当的处理器指令来实现、或者以利用硬件逻辑和软件逻辑的组合的复合实施方式来实现，以获得相同结果。对本发明构思的这种修改旨在由所附权利要求覆盖。

Claims (25)

1.一种装置，包括：
高压侧半导体，
低压侧半导体，
与所述高压侧半导体相邻布置的第一感测元件，其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离；
其中所述第一感测元件可直接连接至处理装置。
2.根据权利要求1所述的装置，
包括与所述低压侧半导体相邻布置的第二感测元件，
其中所述第二感测元件与所述低压侧半导体隔离，并且
其中所述第二感测元件可直接连接至所述处理装置。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一感测元件被嵌入在所述高压侧半导体中或者与所述高压侧半导体一起被嵌入，并且所述第二感测元件被嵌入在所述低压侧半导体中或者与所述低压侧半导体一起被嵌入。
4.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一感测元件和所述第二感测元件经由至少一个横向隔离以及经由至少一个竖直隔离而与所述高压侧半导体以及与所述低压侧半导体隔离。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述横向隔离包括至少15μm的隔离。
6.根据权利要求4所述的装置，其中所述竖直隔离包括在1.5μm至2μm的范围内的隔离。
7.根据权利要求4所述的装置，其中所述隔离包括绝缘层。
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述绝缘层包括以下项中的至少一项：
氧化物层；
热氧化的二氧化硅；
氮化物层。
9.根据权利要求2所述的装置，包括处理装置，其中所述第一感测元件和所述第二感测元件均直接连接至所述处理装置。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述高压侧半导体和/或所述低压侧半导体包括以下项中的至少一项：
电子开关；
双极型晶体管；
双极结型晶体管；
二极管；
结型场效应晶体管；
IGBT；
MOSFET。
11.根据权利要求1所述的装置，其中所述处理装置是以下项中的至少一项：
处理器；
控制器；
微控制器；
信号处理单元。
12.根据权利要求1所述的装置，其中所述处理装置连接至参考电势。
13.根据权利要求12所述的装置，其中所述参考电势是接地。
14.根据权利要求12所述的装置，其中所述高压侧半导体的至少一个引脚相对于接地至少暂时处于在30V和1000V之间的范围内的电压。
15.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一感测元件和/或所述第二感测元件包括以下项中的至少一项：
温度传感器；
集成的依赖于温度的传感器；
霍尔传感器；
压力传感器；
电流传感器。
16.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一感测元件和/或所述第二感测元件包括作为温度传感器的至少一个二极管。
17.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一感测元件和/或所述第二感测元件包括晶体管的体二极管。
18.根据权利要求1所述的装置，其中所述高压侧半导体和所述低压侧半导体被布置在半桥配置中或者是全桥配置的一部分。
19.一种电路，包括：
高压侧半导体，
低压侧半导体，
第一感测元件，被嵌入在所述高压侧半导体中或者与所述高压侧半导体一起被嵌入，其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离；
处理装置，其中所述第一感测元件直接连接至所述处理装置。
20.根据权利要求19所述的电路，
包括第二感测元件，所述第二感测元件被嵌入在所述低压侧半导体中或者与所述低压侧半导体一起被嵌入，
其中所述第二感测元件与所述低压侧半导体隔离，并且
其中所述第二感测元件直接连接至所述处理装置。
21.根据权利要求19所述的电路，
其中所述高压侧半导体和所述低压侧半导体是电子开关，或者其中所述高压侧半导体和所述低压侧半导体中的至少一个包括二极管，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体串联连接，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体经由所述处理装置进行控制。
22.根据权利要求21所述的电路，用于在半桥或全桥布置中使用。
23.一种用于控制高压侧半导体和低压侧半导体的方法，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体在半桥布置中串联连接，
其中第一感测元件被嵌入在所述高压侧半导体中或者与所述高压侧半导体一起被嵌入，
其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离，
其中第二感测元件被嵌入在所述低压侧半导体中或者与所述低压侧半导体一起被嵌入，
其中所述第二感测元件与所述低压侧半导体隔离，
其中至少一个处理装置被布置用于控制所述高压侧半导体和所述低压侧半导体并且直接连接至所述第一感测元件和所述第二感测元件，
其中所述至少一个处理装置被布置用于执行所述方法，所述方法包括：
基于由所述第一感测元件提供的信号来确定第一信息；
基于由所述第二感测元件提供的信号来确定第二信息；
基于所述第一信息和所述第二信息来控制所述高压侧半导体和所述低压侧半导体。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述处理装置被布置用于执行所述方法，所述方法进一步包括基于所述第一信息和/或所述第二信息确定故障并且基于确定的所述故障执行预定动作。
25.一种用于控制高压侧半导体和低压侧半导体的***，
所述高压侧半导体和所述低压侧半导体在半桥布置中串联连接，
其中第一感测元件被嵌入在所述高压侧半导体中或者与所述高压侧半导体一起被嵌入，
其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离，
其中第二感测元件被嵌入在所述低压侧半导体中或者与所述低压侧半导体一起被嵌入，
其中所述第二感测元件与所述低压侧半导体隔离，
其中处理装置被布置用于控制所述高压侧半导体和所述低压侧半导体并且直接连接至所述第一感测元件和所述第二感测元件，
所述***包括：
用于基于由所述第一感测元件提供的信号来确定第一信息的装置；
用于基于由所述第二感测元件提供的信号来确定第二信息的装置；
用于基于所述第一信息和所述第二信息来控制所述高压侧半导体和所述低压侧半导体的装置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5842866B2 (ja) * 2013-05-29 2016-01-13 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE102013111179A1 (de) * 2013-10-09 2015-04-09 Pilz Gmbh. & Co. Kg Modulare Steuervorrichtung mit Lastüberwachung
US9768766B2 (en) 2014-07-14 2017-09-19 Infineon Technologies Austria Ag Electronic switching element and integrated sensor
JP6402567B2 (ja) * 2014-10-03 2018-10-10 セイコーエプソン株式会社 回路装置及び電子機器
JP6848832B2 (ja) * 2017-11-28 2021-03-24 三菱電機株式会社 電力変換システム

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5905645A (en) * 1996-12-02 1999-05-18 Astec International Limited Thermally aided power sharing of power supplies with or without an external current share line
US20040084753A1 (en) * 2002-11-04 2004-05-06 Fruth John R. Integrated circuit including semiconductor power device and electrically isolated thermal sensor
US20120219033A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 Denso Corporation Apparatus for detecting temperature of switching elements
CN103186278A (zh) * 2011-12-27 2013-07-03 财团法人工业技术研究院 感测装置及其驱动方法
CN103258226A (zh) * 2012-02-15 2013-08-21 英飞凌科技股份有限公司 用于感测物理量的电路和方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4924112A (en) * 1988-10-31 1990-05-08 Motorola Inc. Microprocessor having high current drive and feedback for temperature control
US5049961A (en) * 1989-01-10 1991-09-17 Ixys Corporation Monolithic temperature sensing device
JPH03169273A (ja) * 1989-11-22 1991-07-22 Mitsubishi Electric Corp スイッチングデバイス駆動回路
JP3413569B2 (ja) 1998-09-16 2003-06-03 株式会社日立製作所 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
DE10006526B4 (de) * 2000-02-15 2004-09-02 Infineon Technologies Ag Temperaturgeschützte Halbleiterschaltungsanordnung
US6504208B2 (en) * 2001-02-27 2003-01-07 International Business Machines Corporation Power MOSFET device, structures employing the same and methods of fabrication
US6747884B2 (en) * 2001-04-13 2004-06-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power converter device
JP2003125588A (ja) * 2001-10-12 2003-04-25 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
DE10344841B4 (de) * 2003-09-26 2010-02-25 Infineon Technologies Ag Ansteuerschaltung für ein Zündelement eines Insassenschutzsystems
JP2005151631A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および過電流の基準レベルのデータ設定方法
DE10354443B4 (de) * 2003-11-21 2008-07-31 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelementanordnung mit einer Defekterkennungsschaltung
JP4765252B2 (ja) * 2004-01-13 2011-09-07 株式会社豊田自動織機 温度検出機能付き半導体装置
TW200530566A (en) * 2004-03-05 2005-09-16 Hitachi Ind Equipment Sys Method for detecting temperature of semiconductor element and semiconductor power converter
DE102005003245B4 (de) * 2005-01-24 2008-05-29 Infineon Technologies Ag Ansteuerschaltung für ein Zündelement eines Insassenschutzsystems
JP4918795B2 (ja) * 2006-03-16 2012-04-18 富士電機株式会社 パワーエレクトロニクス機器
JP4816182B2 (ja) * 2006-03-23 2011-11-16 株式会社日立製作所 スイッチング素子の駆動回路
DE102007008389B4 (de) 2006-03-29 2014-07-17 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Übertemperaturerkennung
US7835129B2 (en) * 2006-03-29 2010-11-16 Infineon Technologies Ag Circuit arrangement for overtemperature detection
JP5232367B2 (ja) * 2006-07-12 2013-07-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2008125318A (ja) * 2006-11-15 2008-05-29 Toyota Motor Corp 車両および駆動装置並びにこれらの制御方法
JP4900019B2 (ja) * 2007-04-19 2012-03-21 富士電機株式会社 絶縁トランスおよび電力変換装置
JP5443946B2 (ja) * 2009-11-02 2014-03-19 株式会社東芝 インバータ装置
JP5642483B2 (ja) * 2010-09-29 2014-12-17 三洋電機株式会社 インバータ装置及びこれを搭載した電動車両
WO2013015014A1 (ja) 2011-07-22 2013-01-31 富士電機株式会社 超接合半導体装置
JP2015080343A (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 トヨタ自動車株式会社 電力制御装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5905645A (en) * 1996-12-02 1999-05-18 Astec International Limited Thermally aided power sharing of power supplies with or without an external current share line
US20040084753A1 (en) * 2002-11-04 2004-05-06 Fruth John R. Integrated circuit including semiconductor power device and electrically isolated thermal sensor
US20120219033A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 Denso Corporation Apparatus for detecting temperature of switching elements
CN103186278A (zh) * 2011-12-27 2013-07-03 财团法人工业技术研究院 感测装置及其驱动方法
CN103258226A (zh) * 2012-02-15 2013-08-21 英飞凌科技股份有限公司 用于感测物理量的电路和方法

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