CN104112691A - 均匀扩张的扩晶机 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体行业和LED行业使用的扩晶机，沿互相垂直的两个方向上的芯片切割道方向拉伸蓝膜，使得粘贴在蓝膜上已经切好的晶元均匀扩张、晶元上的芯片互相分离，相邻芯片之间的距离相等，使得后续的测量和分选的工艺占用较少的机器分辨和定位时间，达到芯片级封装或晶元级封装的要求，便于后续的工艺流程。

Description

均匀扩张的扩晶机

技术领域

本发明涉及一种半导体行业和LED行业使用的扩晶机，使得晶元均匀扩张，相邻芯片之间的距离相等，减少后续的测量和分选工艺占用的机器分辨和定位时间，达到晶元级封装的要求，便于后续的工艺流程。

背景技术

晶元(wafer)上正方形或者矩形芯片的切割道(cutting street)是沿互相垂直的两个方向：X方向和Y方向，设置晶元的平边(flat)与平X方向行。现有的扩晶机(wafer expander)都是沿晶元的半径方向扩张，因此，同一切割道方向上的相邻芯片(chip)之间的距离不相等，使得后续的测量和分选的工艺占用较多的机器分辨和定位时间。另外，芯片级封装(chip scale package)或晶元级封装(wafer level package)要求同一切割道方向上的芯片之间的距离相同。中国专利申请2014102053696提出一个方案，采用四边形顶膜结构扩张蓝膜以及其上的晶元。

但是，仍然需要一种能够更精细的控制扩张的方案，使得扩张后的晶元上的同一切割道方向的芯片之间的距离相同。

发明内容

本发明的首要目的是提供一种扩晶机，使得扩张后的晶元上同一切割道方向上相邻的芯片之间的距离相同，芯片之间的沿X方向的距离与沿Y方向的距离相同，使得后续的测量和分选的工艺占用较少的机器分辨和定位时间，满足芯片级封装的要求。第二个目的是提供一种扩晶机，使得扩张后的晶元的相邻的芯片之间在X方向的距离相同，相邻的芯片之间在Y方向的距离相同，芯片之间的沿X方向的距离与沿Y方向的距离不同，因此，适用于矩形芯片，满足芯片级封装的要求。

本发明的扩晶机的工作原理：扩晶机包括：框架结构、X方向拉伸结构、Y方向拉伸结构、压膜结构。设置框架结构、X方向拉伸结构、Y方向拉伸结构和压膜结构，使得扩晶机可以扩张蓝膜，压膜结构使得扩张后的蓝膜保持扩张状态。设置晶元和蓝膜，使得晶元的两个方向上的芯片切割道的方向分别与X方向和Y方向平行，其中，X方向和Y方向互相垂直。X方向拉伸结构沿正、负X方向拉伸蓝膜，Y方向拉伸结构沿正、负Y方向拉伸蓝膜，使得蓝膜分别沿正、负X方向和沿正、负Y方向扩张，蓝膜上的晶元沿互相垂直的两个方向上的芯片切割道方向扩张。压膜结构使得扩张后的蓝膜保持扩张状态。

本发明的扩晶机的实施实例：X方向拉伸结构包括沿Y方向排列的第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元，第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元分别包括相同数目的n个X拉伸单元，分别标记为X拉伸单元X11、X12、……、X1n和X拉伸单元X21、X22、……、X2n。设置第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元，使得第一列X拉伸单元的X拉伸单元与第二列X拉伸单元的X拉伸单元一一对应，例如，X拉伸单元X1a与X拉伸单元X2a之间的虚拟的连线与X方向平行，以此类推，X拉伸单元X1n与拉伸单元X2n之间的虚拟的连线与X方向平行，使得第一列X拉伸单元向正X方向拉伸蓝膜，使得第二列X拉伸单元向负X方向拉伸蓝膜。第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，分别沿X方向往返运动。所述第一列X拉伸单元和所述第二列X拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的X拉伸单元的宽度分别与一个芯片沿Y方向上的宽度相同，其他的X拉伸单元的宽度分别等于或者大于一个芯片沿Y方向上的宽度，一一对应的2个X拉伸单元具有相同的宽度。Y方向拉伸结构包括沿X方向排列的第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元分别包括相同数目的m个Y拉伸单元，分别标记为Y拉伸单元Y11、Y12、……、Y1m和Y拉伸单元Y21、Y22、……、Y2m。设置第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元，使得第一列Y拉伸单元的Y拉伸单元与第二列Y拉伸单元的Y拉伸单元一一对应，例如，Y拉伸单元Y1d与Y拉伸单元Y2d之间的虚拟的连线与Y方向平行，以此类推，Y拉伸单元Y1m与拉伸单元Y2m之间的虚拟的连线与Y方向平行，使得第一列Y拉伸单元向正Y方向拉伸蓝膜，使得第二列Y拉伸单元向负Y方向拉伸蓝膜。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的每个Y拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，分别沿Y方向往返运动。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的Y拉伸单元的宽度分别与一个芯片沿X方向上的宽度相同，其他的Y拉伸单元的宽度分别等于或者大于一个芯片沿X方向上的宽度，一一对应的2个Y拉伸单元具有相同的宽度。

本发明的扩晶机的实施实例：X方向拉伸结构包括沿Y方向排列的第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元，第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元分别包括相同数目的p个X拉伸单元，分别标记为X拉伸单元X31、……、X3p和X拉伸单元X41、……、X4p。设置第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元，使得第一列X拉伸单元的X拉伸单元与第二列X拉伸单元的X拉伸单元一一对应，例如，X拉伸单元X31与X拉伸单元X41之间的虚拟的连线与X方向平行，以此类推，X拉伸单元X3p与拉伸单元X4p之间的虚拟的连线与X方向平行，使得第一列X拉伸单元向正X方向拉伸蓝膜，使得第二列X拉伸单元向负X方向拉伸蓝膜。第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，分别沿X方向往返运动。第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的X拉伸单元的宽度分别与晶元上的至少两个芯片沿Y方向上的宽度之和相同，其他的X拉伸单元的宽度分别等于或者大于两个芯片沿Y方向上的宽度之和，一一对应的2个X拉伸单元具有相同的宽度。

Y方向拉伸结构包括沿X方向排列的第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元分别包括相同数目的q个Y拉伸单元，分别标记为Y拉伸单元Y31、……、Y3q和Y拉伸单元Y41、……、Y4q。设置第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元，使得第一列Y拉伸单元的Y拉伸单元与第二列Y拉伸单元的Y拉伸单元一一对应，例如，Y拉伸单元Y31与Y拉伸单元Y41之间的虚拟的连线与Y方向平行，以此类推，Y拉伸单元Y3q与拉伸单元Y4q之间的虚拟的连线与Y方向平行，使得第一列Y拉伸单元向正Y方向拉伸蓝膜，使得第二列Y拉伸单元向负Y方向拉伸蓝膜。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的每个Y拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，分别沿Y方向往返运动。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的Y拉伸单元的宽度分别与晶元上的至少两个芯片沿Y方向上的宽度之和相同，其他的Y拉伸单元的宽度分别等于或者大于两个芯片沿X方向上的宽度之和，一一对应的2个Y拉伸单元具有相同的宽度。

本发明的扩晶机的实施实例：扩晶机进一步包括视觉识别***(未在说明书附图中展示)和蓝膜旋转***(未在说明书附图中展示)，视觉识别***控制蓝膜旋转***。视觉识别***的功能包括：测量蓝膜扩张前的晶元上的互相垂直的两个方向上的芯片切割道或者晶元的平边的方向，把测量信息传给蓝膜旋转***，蓝膜旋转***调整蓝膜的方向，使得蓝膜上的晶元的两个方向上的芯片切割道的方向分别与X方向和Y方向平行。

本发明的扩晶机的实施实例：扩晶机进一步包括视觉识别***，视觉识别***控制X方向拉伸结构。视觉识别***测量蓝膜扩张后的晶元上的沿X方向排列的芯片之间的距离，根据测试结果，在需要的时候，视觉识别***控制相对应的X拉伸单元拉伸蓝膜，调整芯片之间的X方向上的距离，得芯片之间的X方向上的距离相同。

本发明的扩晶机的实施实例：扩晶机进一步包括视觉识别***，视觉识别***控制所述Y方向拉伸结构。视觉识别***测量蓝膜扩张后的晶元上的沿Y方向排列的芯片之间的距离，根据测试结果，在需要的时候，视觉识别***控制相对应的Y拉伸单元拉伸蓝膜，调整芯片之间的Y方向上的距离，得芯片之间的Y方向上的距离相同。

本发明的扩晶机的实施实例：第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的每个拉伸单元可以分别在Y方向上自由滑动，使得当蓝膜在Y方向上扩张时，沿Y方向排列的第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元在Y方向上互相远离，同时保持夹紧蓝膜，使得当蓝膜在Y方向上扩张时，沿Y方向排列的两列X拉伸单元在Y方向上互相远离，而不会妨碍蓝膜在Y方向上的扩张。

本发明的扩晶机的实施实例：第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的每个拉伸单元可以分别在X方向上自由滑动，使得当蓝膜在X方向上扩张时，沿X方向排列的第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的每个Y拉伸单元在X方向上互相远离。同时保持夹紧蓝膜，使得当蓝膜在X方向上扩张时，沿X方向排列的两列Y拉伸单元在X方向上互相远离，而不会妨碍蓝膜在X方向上的扩张。

下面的事项对所有本发明的扩晶机的实施实例都适用：

1).附图中的尺寸不成比例；

2).X方向拉伸结构和Y方向拉伸结构既可以先后依次拉伸蓝膜(例如，图3a、3b、3c、3d、图4a、4b所示)，也可以同时拉伸蓝膜(例如，图5、图6a、图6b所示)；

3).蓝膜形状是正方形或者矩形(例如，图3a、3b、3c、3d、图4a、4b、图6a、6b所示)，或者十字形(例如，图5所示)。

4).同一列Y拉伸单元的各个Y拉伸单元的宽度既可以相同(例如，图3a、图3b、图3c、图3d、图4a、图4b、图5所示)，也可以不相同(例如，图6a中的Y71和Y7a和图6b中的Y91和Y9a所示所示)。

5).第一列Y拉伸单元的Y拉伸单元和相对应的第二列Y拉伸单元的Y拉伸单元的宽度分别相同(例如，图6a中的Y71和Y81以及Y7a和Y8a所示)。

6).同一列X拉伸单元的各个X拉伸单元的宽度既可以相同(例如，图3a、图3b、图3c、图3d、图4a、图4b、图5所示)，也可以不相同(例如，图6a中的X71和X7a所示)。

7).第一列X拉伸单元的X拉伸单元和相对应的第二列X拉伸单元的X拉伸单元的宽度相同(例如，图6a中的X71和X81以及X7a和X8a所示)。

附图说明

图1传统扩晶机的扩张蓝膜的工作原理的俯视图。

图2展示本发明的扩晶机的目的、工作原理和技术方案。

图3a至图3d是本发明的扩晶机的一个实施实例的示意图。

图4a和图4b是本发明的扩晶机的一个实施实例的示意图。

图5是本发明的扩晶机的一个实施实例的示意图。

图6a是本发明的扩晶机的一个实施实例的示意图。

图6b是本发明的扩晶机的一个实施实例的示意图。

图7a和图7b是本发明的扩晶机的一个实施实例的工作原理图。

图中的数字符号代表的含义如下：

10表示传统的顶膜结构，

20a、20b和20c分别表示扩张前、第一次扩张后和第二次扩张后的蓝膜，

22a、22b分别表示蓝膜的两个相对的边，

23a、23b分别表示蓝膜的另外两个相对的边，

31、32、33、41、42、43分别表示X或者Y拉伸单元

X11、X12、X1a、X1b、X1c、X1d、X1e、X1g、X1n、X31、X3g、X3h、X3k、X3p、X51、X52、X5a、X5b、X5c、X5d、X5r、X71、X7a、X7b、X7c、X7d、X7u、X91、X9a、X9b、X9c、X9d、X9t和X21、X22、X2a、X2b、X2c、X2d、X2e、X2g、X2n、X41、X4g、X4h、X4k、X4p、X61、X62、X6a、X6b、X6c、X6d、X6r、X81、X8a、X8b、X8c、X8d、X8u、X101、X10a、X10b、X10c、X10d、X10t分别表示第一列和第二列X拉伸单元，

Y11、Y12、Y1a、Y1b、Y1c、Y1d、Y1m、Y31、Y3a、Y3b、Y3c、Y3q、Y51、Y52、Y5a、Y5b、Y5c、Y5d、Y5s、Y71、Y7a、Y7b、Y7c、Y7d、Y7v、Y91、Y9a、Y9b、Y9w和Y21、Y22、Y2a、Y2b、Y2c、Y2d、Y2m、Y41、Y4a、Y4b、Y4c、Y4q、Y61、Y62、Y6a、Y6b、Y6c、Y6d、Y6s、Y81、Y8a、Y8b、Y8c、Y8d、Y8v、Y101、Y10a、Y10b、Y10w分别表示第一列和第二列Y拉伸单元，

100表示晶元，

101表示沿X方向的X芯片切割道，

102表示沿Y方向的Y芯片切割道，X方向垂直于Y方向，Y芯片切割道102、边22a和边22b互相平行，

103表示晶元的平边(f1at)，平边103、X芯片切割道101、边23a、23b互相平行，

105a、105b、105c、105d、105e、105u、105v、105w、105z、106a、106b、106c、106d、106e、106f、106g、106h、106i、106j、106k、106m、106n、106p、106q、106r、106s、106t、106u、106v分别表示蓝膜扩张后的芯片。

具体实施方式

为使本发明的实施实例的目的、工作原理、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施实例中的附图，对本发明的实施实例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施实例是本发明的一部分实施实例，而不是全部的实施实例。基于本发明中的实施实例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施实例，都属于本发明保护的范围。

图1是传统的扩晶机的顶膜结构的俯视图。蓝膜20a放置在圆柱体形状的顶膜结构10的顶部上。晶元100黏贴在蓝膜20a的中心位置。晶元100具有平边103，沿X方向的多个X芯片切割道101，沿Y方向的多个Y芯片切割道102。X方向垂直于Y方向，X方向平行于晶元100的平边103。当顶膜结构向上运动时，蓝膜20a被圆形的顶膜结构顶起并扩张。蓝膜20a是沿圆形的顶膜结构的半径扩张，所以，沿X芯片切割道101和Y芯片切割道102方向分离的相邻芯片之间的距离不相同，增加了后续的测量和分选工艺的机器分辨和定位时间，不能做晶元级封装。

图2展示本发明的扩晶机的目的、工作原理和技术方案。

目的：使得扩张后的相邻芯片之间分离的距离相同。

工作原理：只沿X方向的X芯片切割道101与沿Y方向的Y芯片切割道102两个方向扩张蓝膜。X方向和Y方向互相垂直。

技术方案：(1)采用蓝膜20a；(2)放置晶元100在蓝膜20a的中心位置处，使得晶元100的平边103与蓝膜20a的边23a和边23b基本平行；(3)放置蓝膜20a，使得晶元100的平边103与X方向拉伸结构基本平行，视觉识别***识别晶元上的X和Y芯片切割道或者晶元的平边的方向，蓝膜旋转***调整蓝膜的方向，使得蓝膜上的晶元的X芯片切割道和Y芯片切割道的方向分别与X方向和Y方向平行；(4)分别沿X芯片切割道101和Y芯片切割道102方向拉伸蓝膜20a；因此，(5)蓝膜20a只沿X芯片切割道101和Y芯片切割道102方向扩张，扩张后的蓝膜20b上X方向的相邻芯片(例如，图3d中，芯片105a和芯片105b之间以及芯片105b和芯片105c之间)分离的距离相同，Y方向相邻芯片(例如，图3d中，芯片105a和芯片105d之间以及芯片105a和芯片105e之间)分离的距离相同，降低了后续的测量和分选工艺的机器分辨和定位时间，可以直接进行晶元级封装。

图3a至图3d是本发明的扩晶机的一个实施实例的示意图。扩晶机包括：框架结构(未在图中展示)、X方向拉伸结构、Y方向拉伸结构和压膜结构(未在图中展示)。设置框架结构、X方向拉伸结构、Y方向拉伸结构和压膜结构，使得X方向拉伸结构和Y方向拉伸结构可以分别沿正、负X方向和沿正、负Y方向拉伸蓝膜，使得蓝膜分别沿正、负X方向和沿正、负Y方向扩张，压膜结构使得扩张后的蓝膜保持扩张状态。

X方向拉伸结构包括沿Y方向排列的第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元。第一列X拉伸单元包括n个X拉伸单元，分别标记为X拉伸单元X11、X12、……、X1a、X1b、X1c、X1d、……、X1n。X拉伸单元X12与X1a之间的虚线表示在X拉伸单元X12与X1a之间存在至少一个X拉伸单元。第二列X拉伸单元包括相同数目的n个X拉伸单元，分别标记为X拉伸单元X21、X22、……、X2a、X2b、X2c、X2d、……、X2n。X拉伸单元X22与X2a之间的虚线表示在X拉伸单元X22与X2a之间存在至少一个X拉伸单元。设置第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元，使得第一列X拉伸单元的X拉伸单元与第二列X拉伸单元的X拉伸单元一一对应，例如，第一列X拉伸单元的X拉伸单元X1a与第二列X拉伸单元的X拉伸单元X2a一一对应，即，X拉伸单元X1a与X拉伸单元X2a之间的虚拟的连线与X方向平行。

第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，第一列X拉伸单元向正X方向拉伸蓝膜，第二列X拉伸单元向负X方向拉伸蓝膜，分别沿X方向往返运动。第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元的宽度与晶元上的一个芯片沿Y方向上的宽度相同，使得任意一行芯片所在的蓝膜可以在与其相对应的X拉伸单元的拉伸下沿X方向扩张。例如，与晶元上的芯片105d相对应的X拉伸单元X1a和X2a的宽度与芯片105d沿Y方向上的宽度相同；包括芯片105d、105u、105v的一行芯片所在的蓝膜在与其相对应的X拉伸单元X1a的拉伸下向正X方向扩张，在与其相对应的X拉伸单元X2a的拉伸下向负X方向扩张；包括芯片105a、105b、105c的一行芯片所在的蓝膜在与其相对应的X拉伸单元X1b的拉伸下向正X方向扩张，在与其相对应的X拉伸单元X2b的拉伸下向负X方向扩张。沿X方向扩张后的芯片之间的沿X方向的距离相同，例如，芯片105a与105b之间的距离和芯片105c与105b之间的沿X方向的距离相同，芯片105d与105u之间的距离和芯片105u与105v之间的沿X方向的距离相同。

Y方向拉伸结构包括沿X方向排列的第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元。第一列Y拉伸单元包括m个Y拉伸单元，分别标记为Y拉伸单元Y11、Y12、……、Y1a、Y1b、Y1c、Y1d、……、Y1m。第一列Y拉伸单元的两个Y拉伸单元之间的虚线表示在该两个Y拉伸单元之间存在至少一个Y拉伸单元，例如，Y拉伸单元Y12与Y1a之间的虚线表示在Y拉伸单元Y12与Y1a之间存在至少一个Y拉伸单元。第二列Y拉伸单元包括相同数目的m个Y拉伸单元，分别标记为Y拉伸单元Y21、Y22、……、Y2a、Y2b、Y2c、Y2d、……、Y2m。第二列Y拉伸单元的两个Y拉伸单元之间的虚线表示在该两个Y拉伸单元之间存在至少一个Y拉伸单元，例如，Y拉伸单元Y22与Y2a之间的虚线表示在Y拉伸单元Y22与Y2a之间存在至少一个Y拉伸单元。设置第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元，使得第一列Y拉伸单元的Y拉伸单元与第二列Y拉伸单元的Y拉伸单元一一对应，例如，第一列Y拉伸单元的Y拉伸单元Y1a与第二列Y拉伸单元的Y拉伸单元Y2a一一对应，即，Y拉伸单元Y1d与Y拉伸单元Y2d之间的虚拟的连线与Y方向平行。

第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的每个Y拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，第一列Y拉伸单元向正Y方向拉伸蓝膜，第二列Y拉伸单元向负Y方向拉伸蓝膜，分别沿Y方向往返运动。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的每个Y拉伸单元的宽度与一个芯片沿X方向上的宽度相同，使得任意一行芯片所在的蓝膜可以在与其相对应的Y拉伸单元的拉伸下沿Y方向扩张，例如，Y拉伸单元Y1b和Y2b的宽度与晶元上的芯片105d沿X方向上的宽度相同，包括芯片105d、105a、105e的一行芯片所在的蓝膜在与其相对应的Y拉伸单元Y1b的拉伸下向正X方向扩张，在与其相对应的X拉伸单元Y2b的拉伸下向负Y方向扩张。沿Y方向扩张后的芯片之间的沿Y方向的距离相同，例如，芯片105a与105d之间的距离和芯片105a与105e之间的沿Y方向的距离相同，芯片105u与105b之间的距离和芯片105w与105b之间的沿Y方向的距离相同。

本实施实例的扩晶机的操作程序如下：

第一步，设置第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元分别沿蓝膜的两边22a和22b排列直到蓝膜的边缘23a和23b，并且夹紧蓝膜。X拉伸单元X11和X21沿蓝膜的边缘23b排列，X拉伸单元X1n和X2n沿蓝膜的边缘23a排列，晶元100设置在第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元之间。第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元分别向正、负X方向拉伸蓝膜。

第二步，在蓝膜沿X方向扩张后，分别靠近蓝膜的边缘23a和23b的第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中相对应的至少一对X拉伸单元松开蓝膜，并退回到原始位置(home position)，例如，X11和X21以及X1n和X2n松开蓝膜，并退回到原始位置，使得第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元分别沿蓝膜的两边23a和23b排列直到蓝膜的边缘22a和22b，并且夹紧蓝膜。Y拉伸单元Y11和Y21沿蓝膜的边缘22a排列，Y拉伸单元Y1m和Y2m沿蓝膜的边缘22b排列。

第三步，第一列Y拉伸单元向正Y方向拉伸蓝膜，同时，第二列Y拉伸单元向负Y方向拉伸蓝膜；第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元可以分别在Y方向上自由滑动，使得当蓝膜在Y方向上扩张时，沿Y方向排列的第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的X拉伸单元在Y方向上互相远离，不妨碍蓝膜20b沿Y方向的扩张。

第四步，压膜结构(未在图中展示)使得扩张后的蓝膜保持扩张状态。

图4a和图4b是本发明的扩晶机的一个实施实例的示意图。图4a和图4b展示的实施实例与图3a至图3d展示的实施实例相似，不同之处在于：(1)第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元的宽度与晶元上的两个芯片沿Y方向上的宽度相同；一一对应的X拉伸单元拉伸与其相对应的两行芯片所在的蓝膜，沿X方向扩张，例如，X拉伸单元X3b和与其相对应的X4b的宽度分别与晶元上的芯片105a和105d沿Y方向上的宽度之和相同，包括芯片105d、105u、105v和芯片105a、105b、105c的两行芯片所在的蓝膜在X拉伸单元X3b的拉伸下向正X方向扩张，在X拉伸单元X4b的拉伸下向负Y方向扩张。(2)第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的每个Y拉伸单元的宽度与晶元上的两个芯片沿X方向上的宽度之和相同，一一对应的Y拉伸单元拉伸与其相对应两行芯片所在的蓝膜，沿Y方向扩张，例如，Y拉伸单元Y3b和与其相对应的Y4b的宽度分别与晶元上的芯片105b和105c沿X方向上的宽度之和相同，包括芯片105u、105b、105w和芯片105v、105c、105z的两行芯片所在的蓝膜在Y拉伸单元Y3b的拉伸下向正X方向扩张，在Y拉伸单元Y4b的拉伸下向负Y方向扩张。

第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元具有相同的宽度。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的每个Y拉伸单元具有相同的宽度。

X拉伸单元X31、X3a、X3b、X3c、X3p、X3h、X3g、Y拉伸单元Y31、Y3a、Y3b、Y3c、Y3q分别与X41、X4a、X4b、X4c、X4p、X4h、X4g、Y拉伸单元Y41、Y4a、Y4b、Y4c、Y4q一一对应。

图5是本发明的扩晶机的一个实施实例的示意图。图5展示的实施实例与图3a至图3d展示的实施实例相似，不同之处在于：(1)蓝膜具有十字形状；(2)X拉伸单元(包括X51至X5r以及X61至X6r)和Y拉伸单元(包括Y51至Y5s以及Y61至Y6s)同时拉伸蓝膜。第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元可以分别在Y方向上自由滑动，使得当蓝膜在Y方向上扩张时，沿Y方向排列的第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的X拉伸单元在Y方向上互相远离，不妨碍蓝膜20b沿Y方向的扩张。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的每个Y拉伸单元可以分别在X方向上自由滑动，使得当蓝膜在X方向上扩张时，沿X方向排列的第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的Y拉伸单元在X方向上互相远离，不妨碍蓝膜20b沿X方向的扩张。

图6a是本发明的扩晶机的一个实施实例的示意图。图6a展示的实施实例与图3a至图3d展示的实施实例相似，不同之处在于，图6a展示的实施实例中：(一)第一列X拉伸单元中的X拉伸单元具有不同的宽度：(1)与晶元的芯片相对应的X拉伸单元X7a、X7b、X7c、X7d的宽度分别与一个芯片沿Y方向的宽度相同；(2)其他的X拉伸单元X71、X7u的宽度分别大于一个芯片沿Y方向的宽度。(二)第二列X拉伸单元中的X拉伸单元具有不同的宽度：(1)与晶元的芯片相对应的X拉伸单元X8a、X8b、X8c、X8d的宽度分别与一个芯片沿Y方向的宽度相同；(2)其他的X拉伸单元X81、X8u的宽度分别大于一个芯片沿Y方向的宽度。(三)第一列Y拉伸单元中的Y拉伸单元具有不同的宽度：(1)与晶元的芯片相对应的Y拉伸单元Y7a至X7d的宽度分别与一个芯片沿X方向的宽度相同；(2)其他的Y拉伸单元Y71、Y7v的宽度分别大于一个芯片沿X方向的宽度。(四)第二列Y拉伸单元中的Y拉伸单元具有不同的宽度：(1)与晶元的芯片相对应的Y拉伸单元Y8a、Y8b、Y8c、Y8d的宽度分别与一个芯片沿X方向的宽度相同；(2)其他的Y拉伸单元Y81、Y8v的宽度分别大于一个芯片沿X方向的宽度。(五)第一列和第二列X拉伸单元中的X拉伸单元以及第一列和第二列Y拉伸单元中的Y拉伸单元同时拉伸蓝膜。

X拉伸单元X71、X7a、X7b、X7c、X7d、X7u、Y拉伸单元Y71、Y7a、Y7b、Y7c、Y7d、Y7v分别与X81、X8a、X8b、X8c、X8d、X8u、Y拉伸单元Y81、Y8a、Y8b、Y8c、Y8d、Y8v一一对应。

图6b是本发明的扩晶机的一个实施实例的示意图。图6b展示的实施实例与图6a展示的实施实例相似，不同之处在于，图6b展示的实施实例中：(一)第一列X拉伸单元中的X拉伸单元具有不同的宽度：(1)与晶元的芯片相对应的X拉伸单元X9a至X9d的宽度分别等于一个芯片沿Y方向的宽度；(2)其他的X拉伸单元X91和X9t的宽度分别大于一个芯片沿Y方向的宽度。(二)第二列X拉伸单元中的X拉伸单元具有不同的宽度：(1)与晶元的芯片相对应的X拉伸单元X10a至X10d的宽度分别等于一个芯片沿Y方向的宽度；(2)其他的X拉伸单元X101、X10t的宽度分别大于一个芯片沿Y方向的宽度。(三)第一列Y拉伸单元中的Y拉伸单元具有不同的宽度：(1)与晶元相对应的Y拉伸单元Y9a和Y9b的宽度分别等于三个芯片沿X方向的宽度之和；(2)其他的Y拉伸单元Y91和Y9w的宽度分别大于一个芯片沿X方向的宽度。(四)第二列Y拉伸单元中的Y拉伸单元具有不同的宽度：(1)与晶元上的芯片相对应的Y拉伸单元Y10a和Y10b的宽度分别等于三个芯片沿X方向的宽度之和；(2)其他的Y拉伸单元Y101和Y10w的宽度分别大于一个芯片沿X方向的宽度。

X拉伸单元X91、X9a、X9b、X9c、X9d、X9t、Y拉伸单元Y91、Y9a、Y9b、Y9w分别与X101、X10a、X10b、X10c、X10d、X10t、Y拉伸单元Y101、Y10a、Y10b、Y10w一一对应。

图7a和图7b是本发明的扩晶机的一个实施实例的工作原理图。扩晶机包括视觉识别***(未在图7a和7b中展示)，视觉识别***控制X方向拉伸结构和Y方向拉伸结构。视觉识别***测量蓝膜扩张后的晶元上的沿X和Y方向排列的芯片之间的距离，根据测试结果，视觉识别***操纵相对应的X和Y拉伸单元拉伸蓝膜，使得芯片之间的X和Y方向上的距离相同。图7a中，视觉识别***测量结果：芯片106i与106j之间的距离小于芯片106e与106f之间的距离，芯片106e与106f之间的距离小于芯片106a与106b之间的距离，芯片106k与106m之间的距离小于芯片106g与106h之间的距离，芯片106g与106h之间的距离小于芯片106c与106d之间的距离。

根据上述测量结果，视觉识别***操纵相对应的拉伸单元31和41、拉伸单元32和42、拉伸单元33和43分别拉伸蓝膜不同的距离，使得芯片之间的距离相同(如图7b所示)：芯片106i与106j之间的距离、芯片106e与106f之间的距离、芯片106a与106b之间的距离、芯片106k与106m之间的距离、芯片106g与106h之间的距离、芯片106c与106d之间的距离、芯片106n与106p之间的距离、芯片106q与106r之间的距离、芯片106s与106t之间的距离、芯片106u与106v之间的距离相等。

注：拉伸单元31和41、拉伸单元32和42、拉伸单元33和43可以是X拉伸单元或者Y拉伸单元。

最后应说明的是：以上实施实例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施实例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施实例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施实例技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种扩晶机，包括：框架结构、X方向拉伸结构、Y方向拉伸结构、压膜结构；设置框架结构、X方向拉伸结构、Y方向拉伸结构和压膜结构，使得所述X方向拉伸结构和所述Y方向拉伸结构可以扩张蓝膜，所述压膜结构使得扩张后的蓝膜保持扩张状态；其特征在于，所述X方向拉伸结构沿正、负X方向拉伸蓝膜，所述Y方向拉伸结构沿正、负Y方向拉伸蓝膜，使得蓝膜分别沿正、负X方向和沿正、负Y方向扩张；其中，所述X方向和所述Y方向互相垂直。

2.根据权利要求1所述的扩晶机，其特征在于，所述X方向拉伸结构包括沿Y方向排列的第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元，所述第一列X拉伸单元向正X方向拉伸蓝膜，所述第二列X拉伸单元向负X方向拉伸蓝膜；所述第一列X拉伸单元和所述第二列X拉伸单元分别包括数目相同的多个X拉伸单元；设置所述第一列X拉伸单元和所述第二列X拉伸单元，使得所述第一列X拉伸单元的X拉伸单元与第二列X拉伸单元的X拉伸单元一一对应；一一对应的2个所述X拉伸单元具有相同的宽度；所述第一列X拉伸单元和所述第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，分别沿X方向往返运动；所述第一列X拉伸单元和所述第二列X拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的X拉伸单元的宽度分别与一个芯片沿Y方向上的宽度相同，其他的X拉伸单元的宽度分别等于或者大于一个芯片沿Y方向上的宽度；所述Y方向拉伸结构包括沿X方向排列的第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元，所述第一列Y拉伸单元向正Y方向拉伸蓝膜，所述第二列Y拉伸单元向负Y方向拉伸蓝膜；所述第一列Y拉伸单元和所述第二列Y拉伸单元分别包括数目相同的多个Y拉伸单元；设置所述第一列Y拉伸单元和所述第二列Y拉伸单元，使得所述第一列Y拉伸单元的Y拉伸单元与第二列Y拉伸单元的Y拉伸单元一一对应；一一对应的2个所述Y拉伸单元具有相同的宽度；所述第一列Y拉伸单元和所述第二列Y拉伸单元中的每个Y拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，分别沿X方向往返运动；所述第一列Y拉伸单元和所述第二列Y拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的Y拉伸单元的宽度分别与一个芯片沿X方向上的宽度相同，其他的Y拉伸单元的宽度分别等于或者大于一个芯片沿X方向上的宽度。

3.根据权利要求1所述的扩晶机，其特征在于，所述X方向拉伸结构包括沿Y方向排列的第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元，所述第一列X拉伸单元向正X方向拉伸蓝膜，所述第二列X拉伸单元向负X方向拉伸蓝膜；所述第一列X拉伸单元和所述第二列X拉伸单元分别包括数目相同的多个X拉伸单元；设置所述第一列X拉伸单元和所述第二列X拉伸单元，使得所述第一列X拉伸单元的X拉伸单元与第二列X拉伸单元的X拉伸单元一一对应；一一对应的2个所述X拉伸单元具有相同的宽度；所述第一列X拉伸单元和所述第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，分别沿X方向往返运动；所述第一列X拉伸单元和所述第二列X拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的X拉伸单元的宽度分别与至少两个芯片沿Y方向上的宽度之和相同，其他的X拉伸单元的宽度分别等于或者大于至少两个芯片沿Y方向上的宽度之和；所述Y方向拉伸结构包括沿X方向排列的第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元，所述第一列Y拉伸单元向正Y方向拉伸蓝膜，所述第二列Y拉伸单元向负Y方向拉伸蓝膜；所述第一列Y拉伸单元和所述第二列Y拉伸单元分别包括数目相同的多个Y拉伸单元；设置所述第一列Y拉伸单元和所述第二列Y拉伸单元，使得所述第一列Y拉伸单元的Y拉伸单元与第二列Y拉伸单元的Y拉伸单元一一对应；一一对应的2个所述Y拉伸单元具有相同的宽度；所述第一列Y拉伸单元和所述第二列Y拉伸单元中的每个Y拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，分别沿X方向往返运动；所述第一列Y拉伸单元和所述第二列Y拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的Y拉伸单元的宽度分别与至少两个芯片沿X方向上的宽度之和相同，其他的Y拉伸单元的宽度分别等于或者大于至少两个芯片沿X方向上的宽度之和。

4.根据权利要求1所述的扩晶机，其特征在于，所述扩晶机进一步包括视觉识别***和蓝膜旋转***，所述视觉识别***控制所述蓝膜旋转***；所述视觉识别***识别蓝膜扩张前的晶元上的两条芯片切割道或者晶元的平边的方向，所述蓝膜旋转***调整蓝膜的方向，使得蓝膜上的晶元的X芯片切割道和Y芯片切割道的方向分别与X方向和Y方向平行。

5.根据权利要求1所述的扩晶机，其特征在于，所述扩晶机进一步包括视觉识别***，所述视觉识别***控制所述X方向拉伸结构；所述视觉识别***测量蓝膜扩张后的晶元上的沿X方向排列的芯片之间的距离，根据测试结果，所述视觉识别***操纵相对应的X拉伸单元拉伸蓝膜，使得芯片之间的X方向上的距离相同。

6.根据权利要求1所述的扩晶机，其特征在于，所述扩晶机进一步包括视觉识别***，所述视觉识别***控制所述Y方向拉伸结构；所述视觉识别***测量蓝膜扩张后的晶元上的沿Y方向排列的芯片之间的距离，根据测试结果，所述视觉识别***操纵相对应的Y拉伸单元拉伸蓝膜，使得芯片之间的Y方向上的距离相同。

7.根据权利要求1所述的扩晶机，其特征在于，所述第一列X拉伸单元和所述第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元可以分别在Y方向上自由滑动，使得当蓝膜在Y方向上扩张时，沿Y方向排列的所述第一列X拉伸单元和所述第二列X拉伸单元中的X拉伸单元在Y方向上互相远离。

8.根据权利要求1所述的扩晶机，其特征在于，所述第一列Y拉伸单元和所述第二列Y拉伸单元中的每个Y拉伸单元可以分别在X方向上自由滑动，使得当蓝膜在X方向上扩张时，沿X方向排列的所述第一列Y拉伸单元和所述第二列Y拉伸单元中的Y拉伸单元在X方向上互相远离。