CN104022215A - 发光二极管封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管封装结构的制造方法，包括如下步骤：提供引线架，多列第一、第二电极交错排列于引线架上，同列第一、第二电极分别通过连接条串接，第一、第二电极外侧两端形成第一、第二接引电极；在相邻连接条之间形成围绕第一、第二电极且具有容置槽的反射杯，第一、第二接引电极外露于反射杯；对第一、第二电极的顶角切割以形成多个缺口；在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接第一、第二电极；在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；沿缺口横向切割反射杯和连接条。本发明还提供一种由该方法制成的发光二极管封装结构。本发明中第一、第二电极嵌置于反射杯内，第一、第二接引电极外露于反射杯，有效提升了发光二极管封装结构的密合度。

Description

发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术
发光二极管（light emitting diode，LED）作为一种高效的发光源，具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛的运用于各种领域。
在应用到具体领域中之前，发光二极管还需要进行封装，以保护发光二极管芯片，从而获得较高的发光效率及较长的使用寿命。
一般的发光二极管封装结构通常先成型反射杯，在反射杯成型后再将电极弯折贴设于反射杯的底面及侧面上。然而，这种方法制成的发光二极管封装结构的密合度不佳，封装结构中的电极与反射杯之间结合不紧密，电极在使用过程中容易松动或脱落。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种结构密合度较好的发光二极管封装结构及其制造方法。
一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架，所述第一电极和第二电极交错排列于引线架上，同列中的各第一电极通过第一连接条纵向串接，同列中的各第二电极通过第二连接条纵向串接，第一电极邻近第一连接条的一端向外延伸形成有第一接引电极，第二电极邻近第二连接条的一端向外延伸形成有第二接引电极；在引线架上相邻的第一连接条和第二连接条之间形成围绕第一电极和第二电极的反射杯，所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极和第二电极嵌置于反射杯内，所述第一接引电极和第二接引电极分别自反射杯的相对两侧凸出于反射杯外；对第一电极邻近第一连接条的至少一顶角和第二电极邻近第二连接条的至少一顶角分别进行切割以形成对应第一电极的至少一第一缺口和对应第二电极的至少一第二缺口；在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接发光二极管芯片与所述第一电极和第二电极；在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；以及沿所述第一缺口和第二缺口横向切割反射杯及连接条以形成多个独立的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构，该发光二极管封装结构由上述发光二极管封装结构的制造方法所制成。
与现有技术相比，在本发明所述的发光二极管封装结构的制造方法中，反射杯形成于两相邻的第一连接条和第二连接条之间，第一电极和第二电极在反射杯成型后嵌置于反射杯内，反射杯成型的过程中并不会与第一接引电极和第二接引电极发生干涉，在反射杯成型后第一接引电极和第二接引电极外露于反射杯的相对两侧，由上述制造方法所制成的发光二极管封装结构中第一电极和第二电极与反射杯结合的更加牢固，能够效提升整个发光二极管封装结构的密合度。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1是本发明一实施例的发光二极管封装结构的制造方法流程图。
图2是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S101中所得元件的俯视示意图。
图3是图2中所示框线部分的放大示意图。
图4是图3中所示元件沿IV-IV线的剖面示意图。
图5是图3中所示元件的仰视示意图。
图6是图3中所示元件沿VI-VI线的剖面示意图。
图7是图2中所示元件放置于模具内时的剖面示意图。
图8是图2中所示元件放置于模具内时的仰视示意图（其中下模具的底部被隐藏）。
图9是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S102中所得元件的俯视示意图。
图10是图9中所示框线部分的放大示意图。
图11是图10中所示元件沿XI-XI线的剖面示意图。
图12是图10中所示元件的仰视示意图。
图13是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S103中所得元件在形成缺口前的仰视示意图。
图14是图13中所示元件在形成缺口后的仰视示意图。
图15是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S106中所得的发光二极管封装结构的俯视示意图。
图16是图15中所示发光二极管封装结构沿XVI-XVI线的剖面示意图。
图17是图15中所示发光二极管封装结构的仰视示意图。
主要元件符号说明
第一电极 10
第一接引电极 11
第一缺口 13
第二电极 20
第二接引电极 21
第二缺口 23
第一连接条 30
第二连接条 31
沟槽 40
引线架 50
模具 60
上模具 61
下模具 62
反射杯 70
容置槽 71
发光二极管芯片 80
导线 81、82
封装层 90
发光二极管封装结构 100
上表面 101、201
下表面 102、202
导孔 103、203
通槽 105、205
弧形面 131、231
第一连接部 301
第一支撑部 302
第一成型槽 303
第二连接部 311
第二支撑部 312
第二成型槽 313
流道 611
第一增厚部 1022
第二增厚部 2022
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
图1为本发明一实施例的发光二极管封装结构100的制造方法流程图，该发光二极管封装结构100的制造方法包括如下步骤：
步骤S101，请参阅图2，提供一装设有多列第一电极10和第二电极20的引线架50，所述第一电极10、第二电极20交错排列于引线架50上，同列中的各第一电极10通过第一连接条30纵向串接，同列中的各第二电极20通过第二连接条31纵向串接，各第一电极10邻近第一连接条30的一端向外凸出延伸形成一第一接引电极11，各第二电极20邻近第二连接条31的一端向外凸出延伸形成一第二接引电极21。
该引线架50上还加设有延展性能较好的若干金属细线（未标示），该金属细线用于将所述第一电极10和第二电极20分别固定于引线架50上。
请一并参阅图3至图6，该第一电极10和第二电极20均呈纵长的条状。
该第一接引电极11自第一电极10的远离第二电极20的一端向外再向下一体延伸形成。该第二接引电极21自第二电极20的远离第一电极10的一端向外再向下一体延伸形成。该第一接引电极11的宽度小于第一电极10的宽度。该第二接引电极21的宽度小于第二电极20的宽度。
该第一电极10包括相对设置的上表面101和下表面102。该第一电极10上开设有贯穿其上表面101和下表面102的至少一导孔103。该第二电极20包括相对设置的上表面201和下表面202。该第二电极20上开设有贯穿其上表面201和下表面202的至少一导孔203。
该第一电极10的下表面102和第二电极20的下表面202分别向下凸出延伸形成第一增厚部1022和第二增厚部2022。该第一增厚部1022和第二增厚部2022分别自第一电极10和第二电极20内侧相对的两端垂直向下延伸而出。该第一增厚部1022的宽度（沿第一连接条30延伸方向上的宽度，即纵向的宽度）小于对应的第一电极10的宽度。该第二增厚部2022的宽度（沿第二连接条31延伸方向上的宽度，即纵向的宽度）小于对应的第二电极20的宽度。
该第一连接条30包括多个位于相邻第一电极10之间的第一连接部301和多个位于第一电极10底部并与相邻第一连接部301连接的第一支撑部302。该第二连接条31包括多个位于相邻第二电极20之间的第二连接部311和多个位于第二电极20底部并与相邻第二连接部311连接的第二支撑部312。
该第一连接部301和第一支撑部302均具有一远离第一电极10设置的底面（未标示）。该第一连接部301的底面和第一支撑部302的底面相互平齐。该第二连接部311和第二支撑部312均具有一远离第二电极20设置的底面（未标示）。该第二连接部311的底面和第二支撑部312的底面相互平齐。
进一步地，在本实施例中该第一支撑部302的底面与第一接引电极11的远离第一电极10的底面以及第一增厚部1022的远离第一电极10的底面平齐。该第二支撑部312的底面与第二接引电极21的远离第二电极20的底面以及第二增厚部2022的远离第二电极20的底面平齐（请参考图4）。
该第一连接条30与第一电极10共同围设出一开口朝向第二电极20的第一成型槽303。该第一成型槽303位于第一电极10的底部。该第二连接条31与第二电极20共同围设出一开口朝向第一电极10并与第一成型槽303相对设置的第二成型槽313。该第二成型槽313位于第二电极20的底部。
该第一成型槽303沿第一连接条30延伸方向上的宽度与第一电极10的宽度大小相当。该第二成型槽313沿第二连接条31延伸方向上的宽度与第二电极20的宽度大小相当。优选地，该第一成型槽303沿第一连接条30延伸方向上的宽度略大于第一电极10的宽度；该第二成型槽313沿第二连接条31延伸方向上的宽度略大于第二电极20的宽度。
相邻的第一电极10和第二电极20之间形成一沟槽40以绝缘性阻断该第一电极10和第二电极20。该第一增厚部1022与第一连接条30以及第一电极10共同围设形成一通槽105。该第二增厚部2022与第二连接条31以及第二电极20共同围设形成一通槽205。该通槽105的顶端与导孔103连通。该通槽205的顶端与导孔203连通。该沟槽40分别与通槽105、通槽205横向（沿第一电极10和第二电极20的纵长方向）连通。
步骤S102，请同时参阅图9至图10，在引线架50上相邻的第一连接条30和第二连接条31之间形成围绕第一电极10和第二电极20的反射杯70。该反射杯70具有容纳发光二极管芯片80（请参阅图15）的容置槽71。该反射杯70具有容纳发光二极管芯片80的容置槽71。该第一接引电极11和第二接引电极21自反射杯70的相对两侧凸出于反射杯70外。该第一成型槽303和第二成型槽313均被反射杯70填充。
请一并参阅图11和图12，该容置槽71自第一电极10上表面101和第二电极20的上表面201同时向上贯穿该反射杯70。该第一电极10的上表面101的部分和该第二电极20上表面201的部分均外露于该容置槽71的底部。所述第一增厚部1022和第二增厚部2022与该容置槽71正对设置。该第一增厚部1022远离第一电极10的底面（未标示）和第二增厚部2022远离第二电极20的底面（未标示）均外露于反射杯70的底部。
请同时参考图7至图8，在本发明中该反射杯70成型于一模具60之中，该模具60包括相对设置的上模具61和下模具62。该上模具61和下模具62共同围设出一收容该引线架50的密闭空间（未标示）。
该反射杯70的材质为环氧树脂、硅树脂、PPA（聚邻苯二酰胺树脂）等高分子化合物中的任一种，并通过注塑的方式一体成型于模具60内。
用于成型该反射杯70的高分子化合物经过高温加热后变成熔融的模料（图未示）。该模料经流道611被注入模具60内。该模料经导孔103和导孔203流入通槽105和通槽205以及沟槽40中。该模料被第一连接条30和第二连接条31阻挡而在第一连接条30和第二连接条31之间围绕第一增厚部1022和第二增厚部2022流动以形成预设的反射杯70形状。
在反射杯70成型后该第一增厚部1022远离第一电极10的底面（未标示）和第二增厚部2022远离第二电极20的底面（未标示）均外露于反射杯70外。
步骤S103，请同时参考图13及图14，图14是图13所示的封装元件沿圆形虚线Q切割后形成的封装元件的俯视图。对第一电极10邻近第一连接条30的顶角（未标示）和第二电极20邻近第二连接条31的顶角（未标示）分别进行切割以以形成对应第一电极10的第一缺口13和对应第二电极20的第二缺口23。
该第一电极10对应第一缺口13的位置处为一弧形面131，该弧形面131与第一接引电极11平滑连接。该第二电极20对应第二缺口23的位置处为一弧形面231。该弧形面231与第二接引电极21平滑连接。
该第一缺口13自反射杯70顶面（图未示）正对第一电极10顶角的位置处向下贯穿反射杯70和第一连接条30。该第二缺口23自反射杯70顶面正对第二电极20顶角的位置处向下贯穿反射杯70和第二连接条31。
在本实施例中，该第一电极10邻近第一连接条30的两相邻顶角均被切割形成一对第一缺口13。该对第一缺口13位于第一连接条30的同侧。该第二电极20邻近第二连接条31的两相邻顶角形成一对第二缺口23。该对第二缺口23位于第二连接条31的同侧。该第一缺口13和第二缺口23是利用机械切割或激光削熔中任一种方式形成。
步骤S104，在容置槽71内设置发光二极管芯片80并电连接发光二极管芯片80与所述第一电极10和第二电极20（请参阅图16）。
和步骤S105，在容置槽71内形成覆盖发光二极管芯片80的封装层90（请参阅图16）。
步骤S106，请同时参考图14至图17，沿第一缺口13和第二缺口23横向切割反射杯70以及第一连接条30和第二连接条31以形成多个独立的发光二极管封装结构100。第一电极10和第二电极20嵌置于反射杯70内。该第一接引电极11和第二接引电极21均外露于反射杯70的相对两侧。
在本实施例中，该切割线L1和切割线L2分别对应穿过位于该第一电极10和第二电极20外侧相对两端的第一缺口13和第二缺口23（请参阅图14）。
在本实施例中，该发光二极管芯片80位于容置槽71的底部。具体地，该发光二极管芯片80设置于第一电极10的上表面101上并通过导线81、导线82分别与第一电极10和第二电极20电连接。可以理解地，在其他实施例中，该发光二极管芯片80还可以通过倒装（Flip-Chip）的方式直接与第一电极10和第二电极20电连接。
该封装层90可为硅胶、环氧树脂或其他高分子材质中的一种。优选地，该封装层90还包含有荧光粉或光学扩散粉，以用于转换或漫射该发光二极管芯片80发出的光线。
在本发明中，由发光二极管封装结构的制造方法制成的发光二极管封装结构100既可以作为侧面发光型发光二极管封装结构也可以作为顶部发光型发光二极管封装结构使用。当该发光二极管封装结构100作为侧面发光型发光二极管封装结构使用并安装于电路板（图未示）上时，该发光二极管封装结构100通过第一接引电极11和第二接引电极21与外部电路连接；当发光二极管封装结构100作为顶部发光型发光二极管封装结构使用时，该发光二极管封装结构100通过第一增厚部1022的底面和第二增厚部2022的底面分别与外部电路结构电连接。
在本发明中，该反射杯70通过注塑的方式一体成型并围绕该第一电极10和第二电极20设置。与现有技术相比，在本发明所述的发光二极管封装结构的制造方法中，反射杯70形成于两相邻的第一连接条30和第二连接条31之间，第一电极10和第二电极20在反射杯70成型后嵌置于反射杯70内，反射杯70在成型的过程中并不会与第一接引电极11和第二接引电极21发生干涉，在反射杯70成型后第一接引电极11和第二接引电极21外露于反射杯70的相对两侧，由上述制造方法所制成的发光二极管封装结构中第一电极10和第二电极20与反射杯70之间结合的更加牢固，能够效提升整个发光二极管封装结构100的密合度。同时这种制造方法适合批量制作发光二极管封装结构100，能有效提高生产效率。
其次，相比于现有技术中在反射杯70成型后直接对引线架50进行切割容易导致发光二极管封装结构100产生金属毛边，本发明在切割步骤前还包对第一电极10的顶角和第二电极20的顶角预先进行切割以形成第一缺口13和第二缺口23的步骤，避免了在后续切割引线架50时产生金属毛边的问题，从而有效提升了发光二极管封装结构100的良率。
再次，该第一增厚部1022、第二增厚部2022能增加该反射杯70与第一电极10、第二电极20的结合强度，该导孔103、导孔203内卡榫有形成反射杯70的高分子化合物，亦能增加该反射杯70与第一电极10和第二电极20的结合强度。
另外，在本发明中成型反射杯70时，该第一增厚部1022和第二增厚部2022的底面分别外露于反射杯70的底部，发光二极管芯片80工作时产生的热量能通过第一增厚部1022的底面和第二增厚部2022的底面散发到空气之中，从而有效提升该发光二极管封装结构100的散热效率。
还可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (11)

1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架，所述第一电极和第二电极交错排列于引线架上，同列中的各第一电极通过第一连接条纵向串接，同列中的各第二电极通过第二连接条纵向串接，第一电极邻近第一连接条的一端向外延伸形成有第一接引电极，第二电极邻近第二连接条的一端向外延伸形成有第二接引电极；
在引线架上相邻的第一连接条和第二连接条之间形成围绕第一电极和第二电极的反射杯，所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极和第二电极嵌置于反射杯内，所述第一接引电极和第二接引电极分别自反射杯的相对两侧凸出于反射杯外；
对第一电极邻近第一连接条的至少一顶角和第二电极邻近第二连接条的至少一顶角分别进行切割以形成对应第一电极的至少一第一缺口和对应第二电极的至少一第二缺口；
在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接发光二极管芯片与所述第一电极和第二电极；
在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；以及
沿所述第一缺口和第二缺口横向切割反射杯及连接条以形成多个独立的发光二极管封装结构。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一连接条包括若干位于相邻第一电极之间的第一连接部和若干位于第一电极底部并分别与相邻第一连接部连接的第一支撑部，所述第二连接条包括若干位于相邻第二电极之间的第二连接部和若干位于第二电极底部并分别与相邻第二连接部连接的第二支撑部。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一连接部和第一支撑部均具有远离第一电极设置的底面，所述第一连接部的底面和第一支撑部的底面平齐，所述第二连接部和第二支撑部均具有远离第二电极设置的底面，所述第二连接部的底面和第二支撑部的底面平齐。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一连接条与第一电极共同围设出一开口朝向第二电极的第一成型槽，所述第一成型槽位于第一电极的底部，所述第二连接条与第二电极共同围设出一开口朝向第一电极并与第一成型槽相对设置的第二成型槽，所述第二成型槽位于第二电极的底部，在反射杯成型后所述第一成型槽和第二成型槽均被反射杯填充。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一成型槽在沿第一连接条延伸方向上的宽度与第一电极的宽度相等，所述第二成型槽在沿第二连接条延伸方向上的宽度与第二电极的宽度相等。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一接引电极自第一电极的远离第二电极的一端向外再向下一体延伸形成，所述第一接引电极的宽度小于第一电极的宽度，所述第二接引电极自第二电极的远离第一电极的一端向外再向下一体延伸形成，第二接引电极的宽度小于第二电极的宽度。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一电极对应第一缺口的位置处为一弧形面，所述第一电极的弧形面与第一接引电极平滑连接，所述第二电极对应第二缺口的位置处为一弧形面，所述第二电极的弧形面与第二接引电极平滑连接。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一电极和第二电极均包括相对设置的上表面和下表面，所述第一电极的下表面向下凸出延伸形成第一增厚部，第二电极的下表面向下凸出延伸形成第二增厚部，所述第一增厚部和第二增厚部分别与容置槽正对设置，在反射杯成型后第一增厚部远离第一电极的底面和第二增厚部远离第二电极的底面均外露于反射杯外。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一缺口和第二缺口是利用机械切割或激光削熔的方式形成。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一缺口自反射杯顶面正对第一电极顶角的位置处向下贯穿反射杯和第一连接条，所述第二缺口自反射杯顶面正对第二电极顶角的位置处向下贯穿反射杯和第二连接条。
11.一种发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管封装结构由权利要求1-10中任一项所述的发光二极管封装结构的制造方法所制成。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108134001A (zh) * 2017-12-25 2018-06-08 河源市富宇光电科技有限公司 一种发光二极管极的封装方法及发光二极管
CN110828647A (zh) * 2019-11-20 2020-02-21 侯立东 一种柔性led灯串的制造方法
CN110858616A (zh) * 2018-08-24 2020-03-03 广东锐陆光电科技有限公司 Led支架加工方法及led支架

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016204163A1 (ja) * 2015-06-18 2016-12-22 京セラ株式会社 電子素子実装用基板および電子装置
JP6332253B2 (ja) * 2015-12-09 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
TWI781738B (zh) * 2021-08-24 2022-10-21 鴻海精密工業股份有限公司 發光陣列基板、發光陣列基板的製備方法及顯示面板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101267011A (zh) * 2007-03-13 2008-09-17 夏普株式会社 半导体发光装置、半导体发光装置用多引线框架
TW200847478A (en) * 2007-05-30 2008-12-01 I Chiun Precision Ind Co Ltd Light-emitting diode lead frame and manufacture method thereof
CN101529604A (zh) * 2006-10-17 2009-09-09 希爱化成株式会社 上下电极型发光二极管用封装集合体及使用该集合体的发光装置的制造方法
KR20110128693A (ko) * 2010-05-24 2011-11-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
CN102832295A (zh) * 2011-06-14 2012-12-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
TW201301584A (zh) * 2011-05-16 2013-01-01 Nichia Corp 發光裝置及其製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101529604A (zh) * 2006-10-17 2009-09-09 希爱化成株式会社 上下电极型发光二极管用封装集合体及使用该集合体的发光装置的制造方法
CN101267011A (zh) * 2007-03-13 2008-09-17 夏普株式会社 半导体发光装置、半导体发光装置用多引线框架
TW200847478A (en) * 2007-05-30 2008-12-01 I Chiun Precision Ind Co Ltd Light-emitting diode lead frame and manufacture method thereof
KR20110128693A (ko) * 2010-05-24 2011-11-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
TW201301584A (zh) * 2011-05-16 2013-01-01 Nichia Corp 發光裝置及其製造方法
CN102832295A (zh) * 2011-06-14 2012-12-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108134001A (zh) * 2017-12-25 2018-06-08 河源市富宇光电科技有限公司 一种发光二极管极的封装方法及发光二极管
CN110858616A (zh) * 2018-08-24 2020-03-03 广东锐陆光电科技有限公司 Led支架加工方法及led支架
CN110858616B (zh) * 2018-08-24 2021-03-19 广东锐陆光电科技有限公司 Led支架加工方法及led支架
CN110828647A (zh) * 2019-11-20 2020-02-21 侯立东 一种柔性led灯串的制造方法

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