CN103969905B - 一种电致变色显示器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电致变色显示器件及其制备方法，涉及显示技术领域，该电致变色显示器件可以有效的抑制相邻电致变色像素之间开口区的漏光现象，从而提高了电致变色显示器件的显示效果。本发明实施例的电致变色显示器件，显示器件包括多个电致变色像素，每个电致变色像素包括依次形成在透明基底上的第一导电层、电致变色层、第二导电层，相邻的电致变色像素之间设置有开口区，开口区设置有薄膜晶体管以及数据电极；薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及数据电极的投影覆盖开口区，薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及数据电极由不透光的材质制备。

Description

一种电致变色显示器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电致变色显示器件及其制备方法。
背景技术
电致变色(eletrochromism，简称EC)是指某些材料的光学属性(包括反射率、透过率、吸收率等)在外加电场的作用下发生稳定、可逆变化的现象，其在外观性能上表现为颜色以及透明度的可逆变化。具有电致变色性能的材料被称为电致变色材料，利用该电致变色材料做出的显示器件则被称之为电致变色显示器件。基于电致变色材料的颜色变化持久稳固且仅在颜色变化时需要能量，电致变色显示器件具有着广泛的应用前景。
然而，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：以图1或图2所示的现有电致变色显示器件为例，现有技术电致变色显示器件中包括有多个电致变色像素，例如：第一电致变色像素2a以及第二电致变色像素2b；每个电致变色像素包括依次形成在透明基底1上的第一导电层、电致变色层以及第二导电层(例如：第一电致变色像素2a对应的第一导电层21a、电致变色层22a以及第二导电层23a)，相邻的电致变色像素之间设置有开口区10(需要说明的是，开口区是指相邻电致变色像素之间，除透明基底外不存在其他膜层结构的区域；当电致变色像素中膜层尺寸发生改变时，开口区也会发生相应变化，如图1或图2所示)。
进一步分析可以发现，由于开口区除透明基底外不存在其他膜层结构，因此开口区会存在漏光现象。在电致变色显示器件显示过程中，如不抑制该漏光，会对电致变色显示器件的显示效果产生不利。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种电致变色显示器件及其制备方法，可以有效的抑制相邻电致变色像素之间开口区的漏光现象，从而提高了电致变色显示器件的显示效果。
为解决上述技术问题，本发明一种电致变色显示器件采用如下技术方案：
一种电致变色显示器件，所述显示器件包括多个电致变色像素，每个所述电致变色像素包括依次形成在透明基底上的第一导电层、电致变色层、第二导电层，相邻的所述电致变色像素之间设置有开口区，所述开口区设置有薄膜晶体管以及数据电极；
所述薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及所述数据电极的投影覆盖所述开口区，所述薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及所述数据电极由不透光的材质制备。
进一步的，所述不透光的材质为金属。
进一步的，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与第一电致变色像素的第一导电层相连，所述薄膜晶体管漏极的投影与所述第一电致变色像素电致变色层的投影相交；
所述数据电极与相邻设置于所述第一电致变色像素的第二电致变色像素的第二导电层相连。
进一步的，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与第一电致变色像素的第一导电层相连，所述薄膜晶体管漏极的投影与所述第一电致变色像素电致变色层的投影不相交，所述第一电致变色像素的第二导电层还连接设置有遮蔽电极，所述遮蔽电极的投影覆盖所述第一电致变色像素电致变色层的投影与所述薄膜晶体管漏极的投影之间的间隙；
所述数据电极与相邻设置于所述第一电致变色像素的第二电致变色像素的第二导电层相连。
进一步的，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与第一电致变色像素的第二导电层相连；
所述数据电极与相邻设置于所述第一电致变色像素的第二电致变色像素的第一导电层相连，所述数据电极的投影与所述第二电致变色像素电致变色层的投影相交。
进一步的，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与第一电致变色像素的第二导电层相连；
所述数据电极与相邻设置于所述第一电致变色像素的第二电致变色像素的第一导电层相连，所述数据电极的投影与所述第二电致变色像素电致变色层的投影不相交，所述第二电致变色像素的第二导电层还连接设置有遮蔽电极，所述遮蔽电极的投影覆盖所述第二电致变色像素电致变色层的投影与所述数据电极的投影之间的间隙。
优选的，所述数据电极与所述薄膜晶体管的栅极同层制备形成。
优选的，所述遮蔽电极与所述薄膜晶体管的栅极同层制备形成。
优选的，所述遮蔽电极与所述薄膜晶体管的漏极同层制备形成。
本发明实施例提供的一种电致变色显示器件，该电致变色显示器件相邻电致变色像素之间开口区设置有薄膜晶体管以及数据电极，薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及数据电极的投影覆盖开口区所在区域，薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及数据电极由不透光的材质制备，从而将开口区的漏光遮挡住，进而达到防止相邻电致变色像素之间开口区漏光的效果，最终达到提高电致变色显示器件显示效果的目的。
为进一步解决上述技术问题，本发明一种电致变色显示器件的制备方法采用如下技术方案：
一种电致变色显示器件的制备方法，包括：
在透明基底上形成多个电致变色像素，每个所述电致变色像素包括依次形成于所述透明基底上的第一导电层、电致变色层和第二导电层，相邻的所述电致变色像素之间设置有开口区；
在所述开口区形成薄膜晶体管和数据电极，所述薄膜晶体管的栅极、源极、漏极和所述数据电极由不透光的材质制备，所述薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及所述数据电极的投影覆盖所述开口区。
进一步的，所述不透光的材质为金属。
进一步的，所述在所述开口区形成薄膜晶体管和数据电极，包括：
在所述开口区形成有源层；
在形成了所述有源层的所述开口区，形成所述源极和所述漏极，所述漏极与第一电致变色像素的第一导电层相连，所述漏极的投影与所述第一电致变色像素的电致变色层的投影相交；
在形成了所述源极和所述漏极的所述开口区，形成绝缘层；
在形成了所述绝缘层的所述开口区，形成所述栅极和所述数据电极，所述数据电极与相邻设置于所述第一电致变色像素的第二电致变色像素的第二导电层相连。
进一步的，所述在所述开口区形成薄膜晶体管和数据电极，包括：
在所述开口区形成有源层；
在形成了所述有源层的所述开口区，形成所述源极和所述漏极，所述漏极与所述第一电致变色像素的第一导电层相连，所述漏极的投影与所述第一电致变色像素的电致变色层的投影不相交；
在形成了所述源极和所述漏极的所述开口区，形成绝缘层；
在形成了所述绝缘层的所述开口区，形成所述栅极、所述数据电极和遮蔽电极，所述遮蔽电极的投影覆盖所述第一电致变色像素电致变色层的投影与所述漏极的投影之间的间隙，所述数据电极与相邻设置于所述第一电致变色像素的第二电致变色像素的第二导电层相连。
进一步的，所述在所述开口区形成薄膜晶体管和数据电极，包括：
在所述开口区形成所述栅极和所述数据电极，所述数据电极与第二电致变色像素的第一导电层相连，所述数据电极的投影与所述第二电致变色像素电致变色层的投影相交；
在形成了所述栅极和所述数据电极的所述开口区，形成绝缘层；
在形成了所述绝缘层的所述开口区，形成有源层；
在形成了所述有源层的所述开口区，形成所述源极和所述漏极，所述漏极与相邻设置于所述第二电致变色像素的第一电致变色像素的第二导电层相连。
进一步的，所述在所述开口区形成薄膜晶体管和数据电极，包括：
在所述开口区形成所述栅极、所述数据电极和遮蔽电极，所述数据电极与第二电致变色像素的第一导电层相连，所述数据电极的投影与所述第二电致变色像素电致变色层的投影不相交，所述遮蔽电极与所述第二电致变色像素的第二导电层相连，所述遮蔽电极的投影覆盖所述第二电致变色像素电致变色层的投影与所述数据电极的投影之间的间隙；
在形成了所述栅极、所述数据电极和所述遮蔽电极的所述开口区，形成绝缘层；
在形成了所述绝缘层的所述开口区，形成有源层；
在形成了所述有源层的所述开口区，形成所述源极和所述漏极，所述漏极与相邻设置于所述第二电致变色像素的第一电致变色像素的第二导电层相连。
优选的，同层制备形成所述数据电极与所述薄膜晶体管的栅极。
优选的，同层制备形成所述遮蔽电极与所述薄膜晶体管的栅极。
优选的，同层制备形成所述遮蔽电极与所述薄膜晶体管的漏极。
本发明实施例提供的一种电致变色显示器件的制备方法，该制备方法包括在开口区形成薄膜晶体管和数据电极，薄膜晶体管的栅极、源极、漏极和数据电极由不透光的材质制备，薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及数据电极的投影覆盖所述开口区，从而将开口区的漏光遮挡住，进而达到防止相邻电致变色像素之间开口区漏光的效果，最终达到提高电致变色显示器件显示效果的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术电致变色显示器件的层间结构示意图之一；
图2为现有技术电致变色显示器件的层间结构示意图之二；
图3为本发明实施例电致变色显示器件的层间结构示意图之一；
图4a-4f为本发明实施例电致变色显示器件层间结构示意图之二的分解示意图，其中，图4f为本发明实施例电致变色显示器件的层间结构示意图之二；
图5a-5e为本发明实施例电致变色显示器件层间结构示意图之三的分解示意图，其中，图5e为本发明实施例电致变色显示器件的层间结构示意图之三；
图6为本发明实施例电致变色显示器件的层间结构示意图之四；
图7为制备本发明实施例电致变色显示器件的流程示意图；
图8为制备图3所示电致变色显示器件的部分流程示意图；
图9为制备图4f所示电致变色显示器件的部分流程示意图；
图10为制备图5e所示电致变色显示器件的部分流程示意图；
图11为制备图6所示电致变色显示器件的部分流程示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种电致变色显示器件，该电致变色显示器件可以有效的抑制相邻电致变色像素之间开口区的漏光现象，从而提高了电致变色显示器件的显示效果。
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定***结构、接口、技术之类的具体细节，以便透切理解本发明。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种电致变色显示器件，其中，该电致变色显示器件中包括多个电致变色像素，每个电致变色像素包括依次形成透明基底上第一导电层、电致变色层、第二导电层等；相邻的电致变色像素之间设置有开口区。开口区设置有薄膜晶体管以及数据电极。薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及数据电极均由不透光的材质制备，薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及数据电极的投影覆盖开口区所在区域。由于上述结构均不透光，因此，利用上述结构即可起到防止开口区漏光的效果。
优选的，不透光的材质为金属。所述不透光的材质还可以为掺杂的半导体材质，只要可以实现源漏极功能并具备不透光材质均可，不限于此。
进一步，为便于本领域技术人员理解本发明，下面结合具体实施例以及附图对本发明进行详细的解释说明。
首先，根据设置的薄膜晶体管的类型，对应将本发明实施例提供的电致变色显示器件分为两类。第一类为电致变色显示器件相邻电致变色像素开口区内设置的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；第二类为电致变色显示器件相邻电致变色像素开口区内设置的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
具体的，如图3或图4f所示，图3或图4f为本发明实施例提供的电致变色显示器件的层间结构示意图。其中，该电致变色显示器件中相邻电致变色像素开口区内设置的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
进一步的，如图3所示，图3所示的电致变色显示器件相邻电致变色像素之间的开口区内设置有顶栅型薄膜晶体管3以及数据电极4。其中，该顶栅型薄膜晶体管3的漏极31与第一电致变色像素2a的第一导电层21a相连；而数据电极4与第二电致变色像素2b的第二导电层23b相连。
此时，在顶栅型薄膜晶体管3的栅极33、源极32、漏极31以及数据电极4的投影覆盖开口区10且顶栅型薄膜晶体管3的栅极33、源极32、漏极31以及数据电极4均使用不透光的材质制备的情况下，开口区10的漏光被上述结构单元所遮盖，由此也就达到了防止开口区漏光的效果。
需要补充说明的是，图3所示的电致变色显示器件其薄膜晶体管3漏极31的投影与第一电致变色像素2a的电致变色层22a的投影是相交的；而两者不相交的情况，在本文图4f所示的电致变色显示器件实施例中进行详细描述。
此外，还需要强调的一点是，本领域技术人员通过图3所示的结构还可以知道，利用该顶栅型薄膜晶体管的栅极控制源极、漏极导通，可以向电致变色像素的第一导电层输入第一数据信号；而通过数据电极可以向电致变色像素的第二导电层输入第二数据信号。因此，对于图3所示的电致变色显示器件而言，其设置在相邻电致变色像素开口区内的顶栅型薄膜晶体管以及数据电极除用于遮蔽开口区的漏光外，还可以用于向电致变色像素输入数据信号，从而控制电致变色像素颜色变化。
另一方面，本发明实施例还提供了一种电致变色显示器件，该电致变色显示器件的层间结构示意图如图4f所示。值的注意的是，图4f所示的电致变色显示器件的结构与图3所示的电致变色显示器件的结构两者不同之处在于，图4f所示的电致变色显示器件相邻电致变色像素开口区10内还设置有一遮蔽电极5。
具体的，图4f所示的电致变色显示器件其薄膜晶体管3漏极31的投影与第一电致变色像素2a的电致变色层22a的投影是不相交的。此时，虽然顶栅型薄膜晶体管3的栅极33、源极32、漏极31以及数据电极4的投影已经将开口区10覆盖起来；但是，当该顶栅型薄膜晶体管3的漏极31与第一电致变色像素2a的第一导电层21a以图4f所示方式进行连接时，事实上，该顶栅型薄膜晶体管3的漏极31与第一电致变色像素2a的电致变色层22a之间需要设置有一定间距(其目的在于防止顶栅型薄膜晶体管的漏极输出数据直接作用于电致变色层，影响电致变色层的变色)。也就是说，光线依然有可能从薄膜晶体管3漏极31与第一电致变色像素2a的电致变色层22a之间的间隙漏出。
因此，作为一种较为优选的实施方式，在第一电致变色像素2a的第二导电层23a还可以连接设置有遮蔽电极5，遮蔽电极5的投影覆盖第一电致变色像素2a电致变色层22a的投影与薄膜晶体管3漏极31的投影之间的间隙；利用遮蔽电极5将该间隙遮蔽住，从而达到防止漏光的效果。值的注意的是，遮蔽电极5仅起到遮蔽间隙的作用而并不用于传输信号。
优选的，所述数据电极4与所述薄膜晶体管的栅极33同层制备形成。
优选的，遮蔽电极5与薄膜晶体管3的栅极33同层制备形成。
综上分析，对于包括的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管的电致变色显示器件而言，通过在相邻电致变色像素开口区内设置顶栅型薄膜晶体管以及数据电极，利用顶栅型薄膜晶体管以及数据电极将开口区的漏光遮挡住，从而达到了防止相邻电致变色像素之间开口区漏光的效果，最终达到了提高电致变色显示器显示效果的目的。同时，设置在开口区内的顶栅型薄膜晶体管以及数据电极还可以用于向电致变色像素输入数据信号，控制电致变色像素颜色变化。
再一方面，如图5e或图6所示，图5e或图6为本发明实施例提供的电致变色显示器件的层间结构示意图。其中，该电致变色显示器件中相邻电致变色像素开口区内设置的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
进一步的，如图5e所示，图5e所示的电致变色显示器件相邻电致变色像素之间的开口区内设置有底栅型薄膜晶体管3以及数据电极4。其中，该底栅型薄膜晶体管3的漏极31与第一电致变色像素2a的第二导电层23a相连；而数据电极4与第二电致变色像素2b的第一导电层21b相连。
同样的，在底栅型薄膜晶体管3的栅极33、源极32、漏极31以及数据电极4的投影覆盖开口区10且底栅型薄膜晶体管3的栅极33、源极32、漏极31以及数据电极4均使用不透光的材质制备的情况下，开口区10的漏光被上述结构单元所遮盖，由此也就达到了防止开口区漏光的效果。
而图5e所示的电致变色显示器件其数据电极4的投影与第二电致变色像素2b的电致变色层22b的投影是相交的；而两者不相交的情况，在本文图6所示的电致变色显示器件实施例中进行详细描述。
另外，同样需要强调的是，通过图5e所示的结构本领域技术人员可以知道，利用该底栅型薄膜晶体管的栅极控制源极、漏极导通，可以向电致变色像素的第二导电层输入第一数据信号；而通过数据电极可以向电致变色像素的第一导电层输入第二数据信号。因此，对于图5e所示的电致变色显示器件而言，其设置在相邻电致变色像素开口区内的底栅型薄膜晶体管以及数据电极除用于遮蔽开口区的漏光外，还可以用于向电致变色像素输入数据信号，从而控制电致变色像素颜色变化。
再一方面，本发明实施例还提供了一种电致变色显示器件，该电致变色显示器件的层间结构示意图如图6所示。值的注意的是，图6所示的电致变色显示器件的结构与图5e所示的电致变色显示器件的结构两者不同之处在于，图6所示的电致变色显示器件相邻电致变色像素开口区10内还设置有一遮蔽电极5。
具体的，图6所示的电致变色显示器件其数据电极4的投影与第二电致变色像素2b的电致变色层22b的投影是不相交的。此时，虽然底栅型薄膜晶体管3的栅极33、源极32、漏极31以及数据电极4的投影已经将开口区10覆盖起来；但是，当数据电极4与第二电致变色像素2b的第一导电层21b以图6所示方式进行连接时，同样的，数据电极4与第二电致变色像素2b的电致变色层22b之间需要设置有一定间距(其目的在于防止数据电极输出数据直接作用于电致变色层，影响电致变色层的变色)。因此，光线依然有可能从数据电极4与第二电致变色像素2b的电致变色层22b之间漏出。
因此，作为一种较为优选的实施方式，在第二电致变色像素2b的第二导电层23b还可以连接设置有遮蔽电极5，遮蔽电极5的投影覆盖第二电致变色像素2b电致变色层22b的投影与数据电极4的投影之间的间隙；利用遮蔽电极5将该间隙遮蔽住，从而达到防止漏光的效果。同样的，遮蔽电极5仅起到遮蔽间隙的作用而并不用于传输信号。
优选的，所述数据电极4与所述薄膜晶体管的栅极33同层制备形成。
优选的，遮蔽电极5与薄膜晶体管3的漏极31同层制备形成。
综上分析，对于包括的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管的电致变色显示器件而言，通过在相邻电致变色像素开口区内设置底栅型薄膜晶体管以及数据电极，利用底栅型薄膜晶体管以及数据电极将开口区的漏光遮挡住，从而达到了防止相邻电致变色像素之间开口区漏光的效果，最终达到了提高电致变色显示器显示效果的目的。同时，设置在开口区内的底栅型薄膜晶体管以及数据电极还可以用于向电致变色像素输入数据信号，控制电致变色像素颜色变化。
实施例二
本发明实施例提供一种电致变色显示器件的制备方法，用于形成上述的电致变色显示器件。
如图7所示，该制备方法，包括：
步骤S701、在透明基底上形成多个电致变色像素。
其中，每个电致变色像素包括依次形成于透明基底1上的第一导电层、电致变色层和第二导电层，相邻的电致变色像素之间设置有开口区10。
步骤S702、在开口区形成薄膜晶体管和数据电极。
其中，薄膜晶体管3的栅极33、源极32、漏极31和数据电极4由不透光的材质制备，薄膜晶体管3的栅极33、源极32、漏极31以及数据电极4的投影覆盖开口区10。
进一步的，所述不透光的材质为金属。所述不透光的材质还可以为掺杂的半导体材质，只要可以实现源漏极功能并具备不透光材质均可，不限于此。
本发明实施例提供的一种电致变色显示器件的制备方法，该制备方法包括在开口区形成薄膜晶体管和数据电极，薄膜晶体管的栅极、源极、漏极和数据电极由不透光的材质制备，薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及数据电极的投影覆盖所述开口区，从而将开口区的漏光遮挡住，进而达到防止相邻电致变色像素之间开口区漏光的效果，最终达到提高电致变色显示器件显示效果的目的。
由实施例一所述可知，根据设置的薄膜晶体管的类型，可以将电致变色显示器件分为两类。第一类为电致变色显示器件相邻电致变色像素开口区内设置的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；第二类为电致变色显示器件相邻电致变色像素开口区内设置的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。对应的，不同类的电致变色显示器件的具体制备方法也存在差异。
具体的，对于如图3所示的电致变色显示器件，图7所示的制备方法中的步骤S702具体包括如图8所示的以下步骤：
步骤S801、在开口区形成有源层。
在开口区10的透明基底1上形成一层半导体层，经过一次构图工艺经掩膜、曝光、刻蚀和光刻胶去除等工艺步骤形成有源层34图形。
步骤S802、在形成了有源层的开口区，形成源极和漏极。
其中，漏极31与第一电致变色像素2a的第一导电层21a相连，漏极31的投影与第一电致变色像素2a的电致变色层22a的投影相交。
具体的，在完成步骤S801的透明基板1上形成一层源漏金属层，通过一次构图工艺经掩膜、曝光、刻蚀和光刻胶去除等工艺步骤形成顶栅型薄膜晶体管的源极32、漏极31图形；同时形成顶栅型薄膜晶体管的沟道图形34。
步骤S803、在形成了源极和漏极的开口区，形成绝缘层。
在完成步骤S803的透明基底1上形成一层绝缘层，通过一次构图工艺经掩膜、曝光、刻蚀和光刻胶去除等工艺步骤形成绝缘层的图形6。绝缘层图形6用于包覆顶栅型薄膜晶体管的源极32、漏极31以及有源层34的图形。
步骤S804、在形成了绝缘层的开口区，形成栅极和数据电极.
其中，数据电极4与相邻设置于第一电致变色像素2a的第二电致变色像素2b的第二导电层23b相连。
具体的，在完成步骤S803的透明基底1上形成一层栅极金属层，通过一次构图工艺经掩膜、曝光、刻蚀和光刻胶去除等工艺步骤形成顶栅型薄膜晶体管3的栅极33和数据电极4的图形。
优选的，同层制备形成薄膜晶体管3的栅极33和数据电极4。
需要说明的是，如图3所示的电致变色显示器件的制备方法包括上述步骤，还应包括形成第一导电层、电致变色层、第二导电层等结构的步骤，本领域技术人员基于本发明在不付出创造性劳动的情况下即可获得，本发明实施例对此不进行详细描述。
类似的，对于如图4f所示的电致变色显示器件，图7所示的制备方法中的步骤S702具体包括如图9所示的以下步骤：
步骤S901、在开口区形成有源层。
步骤S902、在形成了有源层的开口区，形成源极和漏极。
其中，漏极31与第一电致变色像素2a的第一导电层21a相连，漏极31的投影与第一电致变色像素2a的电致变色层22a的投影不相交。
步骤S903、在形成了源极和漏极的开口区，形成绝缘层。
步骤S904、在形成了绝缘层的开口区，形成栅极、数据电极和遮蔽电极。
其中，遮蔽电极5的投影覆盖第一电致变色像素2a电致变色层22a的投影与漏极31的投影之间的间隙，数据电极4与相邻设置于第一电致变色像素2a的第二电致变色像素2b的第二导电层23b相连。
优选的，同层制备形成薄膜晶体管3的栅极33与数据电极4。
优选的，同层制备形成遮蔽电极5与薄膜晶体管3的栅极33。需要说明的是，以上描述仅是图4f所示的电致变色显示器件的制备方法中的步骤S702具体包括的步骤，图4f所示的电致变色显示器件还需包括其他制备步骤，在整个制备过程中，经过不同步骤后的层间结构示意图如图4a-4f所示，本领域技术人员基于本发明实施例的基础上在不付出创造性劳动的条件下可以获得其具体制备过程，本发明实施例对此不进行赘述。
类似的，对于图5e所示的电致变色显示器件，图7所示的制备方法中的步骤S702具体包括如图10所示的以下步骤：
步骤S1001、在开口区形成栅极和数据电极。
其中，数据电极4与第二电致变色像素2b的第一导电层21b相连，数据电极4的投影与第二电致变色像素2b电致变色层22b的投影相交。
步骤S1002、在形成了栅极和数据电极的开口区，形成绝缘层。
步骤S1003、在形成了绝缘层的开口区，形成有源层。
步骤S1004、在形成了有源层的开口区，形成源极和漏极。
其中，漏极31与相邻设置于第二电致变色像素2b的第一电致变色像素2a的第二导电层23a相连。
同样需要说明的是，以上描述仅是图5e所示的电致变色显示器件的制备方法中的步骤S702具体包括的步骤，图5e所示的电致变色显示器件还需包括其他制备步骤，在整个制备过程中，经过不同步骤后的层间结构示意图如图5a-5e所示，本领域技术人员基于本发明实施例的基础上在不付出创造性劳动的条件下可以获得其具体制备过程，本发明实施例对此不进行赘述。
类似的，对于图6所示的电致变色显示器件，图7所示的制备方法中的步骤S702具体包括如图11所示的以下步骤：
步骤S1101、在开口区形成栅极、数据电极和遮蔽电极。
其中，数据电极4与第二电致变色像素2b的第一导电层21b相连，数据电极4的投影与第二电致变色像素2b电致变色层22b的投影不相交，遮蔽电极5与第二电致变色像素2b的第二导电层23b相连，遮蔽电极5的投影覆盖第二电致变色像素2b电致变色层22b的投影与数据电极4的投影之间的间隙。
优选的，同层制备形成遮蔽电极5与薄膜晶体管3的漏极31。
步骤S1102、在形成了栅极、数据电极和遮蔽电极的开口区，形成绝缘层。
步骤S1103、在形成了绝缘层的开口区，形成有源层；
步骤S1104、在形成了有源层的开口区，形成源极和漏极。
其中，漏极31与相邻设置于第二电致变色像素2b的第一电致变色像素2a的第二导电层23a相连。
需要说明的是，如图6所示的电致变色显示器件的制备方法包括上述步骤，还应包括形成第一导电层、电致变色层、第二导电层等结构的步骤，本领域技术人员基于本发明在不付出创造性劳动的情况下即可获得，本发明实施例对此不进行详细描述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种电致变色显示器件，所述显示器件包括多个电致变色像素，每个所述电致变色像素包括依次形成在透明基底上的第一导电层、电致变色层、第二导电层，相邻的所述电致变色像素之间设置有开口区，其特征在于，所述开口区设置有薄膜晶体管以及数据电极；
所述薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及所述数据电极的投影覆盖所述开口区，所述薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及所述数据电极由不透光的材质制备。
2.根据权利要求1所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述不透光的材质为金属。
3.根据权利要求1所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与第一电致变色像素的第一导电层相连，所述薄膜晶体管漏极的投影与所述第一电致变色像素电致变色层的投影相交；
所述数据电极与相邻设置于所述第一电致变色像素的第二电致变色像素的第二导电层相连。
4.根据权利要求1所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与第一电致变色像素的第一导电层相连，所述薄膜晶体管漏极的投影与所述第一电致变色像素电致变色层的投影不相交，所述相邻电致变色像素开口区内还设置有一遮蔽电极；所述遮蔽电极的投影覆盖第一电致变色像素电致变色层的投影与薄膜晶体管漏极的投影之间的间隙；
所述数据电极与相邻设置于所述第一电致变色像素的第二电致变色像素的第二导电层相连。
5.根据权利要求1所述的电致变色显示器件，其特征在于，
所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与第一电致变色像素的第二导电层相连；
所述数据电极与相邻设置于所述第一电致变色像素的第二电致变色像素的第一导电层相连，所述数据电极的投影与所述第二电致变色像素电致变色层的投影相交。
6.根据权利要求1所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与第一电致变色像素的第二导电层相连；
所述数据电极与相邻设置于所述第一电致变色像素的第二电致变色像素的第一导电层相连，所述数据电极的投影与所述第二电致变色像素电致变色层的投影不相交，所述第二电致变色像素的第二导电层还连接设置有遮蔽电极，所述遮蔽电极的投影覆盖所述第二电致变色像素电致变色层的投影与所述数据电极的投影之间的间隙。
7.根据权利要求1-6任一项所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述数据电极与所述薄膜晶体管的栅极同层制备形成。
8.根据权利要求4所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述遮蔽电极与所述薄膜晶体管的栅极同层制备形成。
9.根据权利要求6所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述遮蔽电极与所述薄膜晶体管的漏极同层制备形成。
10.一种电致变色显示器件的制备方法，其特征在于，包括：
在透明基底上形成多个电致变色像素，每个所述电致变色像素包括依次形成于所述透明基底上的第一导电层、电致变色层和第二导电层，相邻的所述电致变色像素之间设置有开口区；
在所述开口区形成薄膜晶体管和数据电极，所述薄膜晶体管的栅极、源极、漏极和所述数据电极由不透光的材质制备，所述薄膜晶体管的栅极、源极、漏极以及所述数据电极的投影覆盖所述开口区。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述不透光的材质为金属。
12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在所述开口区形成薄膜晶体管和数据电极，包括：
在所述开口区形成有源层；
在形成了所述有源层的所述开口区，形成所述源极和所述漏极，所述漏极与第一电致变色像素的第一导电层相连，所述漏极的投影与所述第一电致变色像素的电致变色层的投影相交；
在形成了所述源极和所述漏极的所述开口区，形成绝缘层；
在形成了所述绝缘层的所述开口区，形成所述栅极和所述数据电极，所述数据电极与相邻设置于所述第一电致变色像素的第二电致变色像素的第二导电层相连。
13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在所述开口区形成薄膜晶体管和数据电极，包括：
在所述开口区形成有源层；
在形成了所述有源层的所述开口区，形成所述源极和所述漏极，所述漏极与第一电致变色像素的第一导电层相连，所述漏极的投影与所述第一电致变色像素的电致变色层的投影不相交；
在形成了所述源极和所述漏极的所述开口区，形成绝缘层；
在形成了所述绝缘层的所述开口区，形成所述栅极、所述数据电极和遮蔽电极，所述遮蔽电极的投影覆盖所述第一电致变色像素电致变色层的投影与所述漏极的投影之间的间隙，所述数据电极与相邻设置于所述第一电致变色像素的第二电致变色像素的第二导电层相连。
14.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在所述开口区形成薄膜晶体管和数据电极，包括：
在所述开口区形成所述栅极和所述数据电极，所述数据电极与第二电致变色像素的第一导电层相连，所述数据电极的投影与所述第二电致变色像素电致变色层的投影相交；
在形成了所述栅极和所述数据电极的所述开口区，形成绝缘层；
在形成了所述绝缘层的所述开口区，形成有源层；
在形成了所述有源层的所述开口区，形成所述源极和所述漏极，所述漏极与相邻设置于所述第二电致变色像素的第一电致变色像素的第二导电层相连。
15.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在所述开口区形成薄膜晶体管和数据电极，包括：
在所述开口区形成所述栅极、所述数据电极和遮蔽电极，所述数据电极与第二电致变色像素的第一导电层相连，所述数据电极的投影与所述第二电致变色像素电致变色层的投影不相交，所述遮蔽电极与所述第二电致变色像素的第二导电层相连，所述遮蔽电极的投影覆盖所述第二电致变色像素电致变色层的投影与所述数据电极的投影之间的间隙；
在形成了所述栅极、所述数据电极和所述遮蔽电极的所述开口区，形成绝缘层；
在形成了所述绝缘层的所述开口区，形成有源层；
在形成了所述有源层的所述开口区，形成所述源极和所述漏极，所述漏极与相邻设置于所述第二电致变色像素的第一电致变色像素的第二导电层相连。
16.根据权利要求10-15任一项所述的制备方法，其特征在于，同层制备形成所述数据电极与所述薄膜晶体管的栅极。
17.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，同层制备形成所述遮蔽电极与所述薄膜晶体管的栅极。
18.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，同层制备形成所述遮蔽电极与所述薄膜晶体管的漏极。
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