CN103839948B - 用于数字x射线检测器的薄膜晶体管阵列基板 - Google Patents
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Abstract
公开了一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，能够通过向遮光层施加选通电压而非偏置电压以遮蔽薄膜晶体管的沟道区来减少薄膜晶体管漏电流和输出信号噪声。薄膜晶体管阵列基板包括：多条选通线，提供扫描信号；多条数据线，设置在与选通线垂直的方向上，输出数据；光电二极管，形成在由选通线和数据线限定的多个单元区的每一个中，执行光电转换，光电二极管包括按次序层压的第一电极、半导体层、第二电极；薄膜晶体管，形成在选通线与数据线之间的多个交叉点的每一个处，响应于选通线的扫描信号向数据线输出来自光电二极管的光电转换信号；多条偏压线，向光电二极管施加偏置电压；遮光层，处于薄膜晶体管的沟道区上方，电连接至选通线。
Description
技术领域
本发明涉及数字X射线检测器。更具体地说，本发明涉及减少漏电流和噪声的用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板。
背景技术
一般来说，X射线是容易穿过物体的短波长辐射，并且X射线的透射率根据物体的密度来确定。即，可以通过穿过该物体的X射线的量来间接观察物体的内部状态。
X射线检测器是检测穿过物体的X射线的量的装置。X射线检测器检测X射线的透射率，并且通过显示装置显示物体的内部状态。X射线检测器通常可以用作医学检查工具、非破坏性检查工具等。
近年来，利用数字射线摄影术（digital radiography，下面成为“DR”）而不使用胶片的数字X射线检测器被广泛用作X射线检测器。
用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列的每一个单元都包括：光电二极管（PIN二极管），其接收X射线，将其转换成可见光并将该可见光转换成电信号；薄膜晶体管，其形成在光电二极管下面，并且将来自光电二极管的电信号输出至数据线。
图1是例示普通数字X射线检测器的构造的视图。
如图1所示，该普通数字X射线检测器包括：薄膜晶体管阵列基板110、偏压供应器120、选通驱动器130、读出集成电路150、时序控制器180以及电源电压供应器190。
该读出集成电路150包括信号检测器160和复用器170。
该薄膜晶体管阵列基板110检测从能量源发射的X射线，将所检测的X射线光电转换成电信号，并输出该电信号。薄膜晶体管阵列基板110包括：多条选通线（GL），在与选通线（GL）垂直的方向上设置的用于限定各个单元区的多条数据线（DL），以及按矩阵形式设置在由选通线和数据线限定的相应单元区中的多个光敏像素（P）。
每一个光敏像素（P）都包括：光电二极管（PD），其检测X射线并输出检测信号（例如，光检测电压）；至少一个切换装置，用于响应于选通脉冲向数据线输出来自光电二极管（PD）的检测信号。例如，该切换装置是晶体管。下面，对切换装置是晶体管的实施方式进行描述。
光电二极管（PD）感测从能量源10发射的X射线，并将所感测的信号输出为检测信号。光电二极管（PD）是通过光电效应将入射光转换成电检测信号的装置，并且例如是PIN（具有按次序层压的p型半导体层、本征（I）半导体层以及n型半导体层）二极管。
偏压供应器120通过多条偏压线（BL）施加驱动电压。偏压供应器120可以向光电二极管（PD）施加预定电压，或者选择性地向其施加反向偏压或正向偏压。
选通驱动器130通过选通线（GL）顺序地施加具有选通导通（gate-on）电压电平的选通脉冲。另外，选通驱动器130可以向多条复位线（RL）施加具有选通导通电压电平的复位脉冲。该选通导通电压电平是接通光敏像素（P）的晶体管的电压电平。光敏像素（P）的晶体管可以响应于选通脉冲或复位脉冲而接通。
响应于选通脉冲而从光电二极管（PD）输出的检测信号通过数据线（DL）输入至读出集成电路150。选通驱动器130可以按IC形式安装在薄膜晶体管阵列基板110的一侧处，或者通过薄膜工艺形成在诸如薄膜晶体管阵列基板110的基板上。
读出集成电路150响应于选通脉冲，读出从接通的晶体管输出的检测信号。读出集成电路150读出从用于读出偏移图像的偏移读出区和用于读出X射线曝光之后的检测信号的X射线读出区中的光敏像素P输出的检测信号。
读出集成电路150可以包括信号检测器160和复用器170。
信号检测器160包括多个放大单元，其一对一地对应于数据线（DL），并且每一个放大单元都包括：放大器（OP）、电容器（CP）以及复位装置（SW）。
时序控制器180生成起始信号（STV）、时钟信号（CPV）等，并将其输出至选通驱动器130，以便控制选通驱动器130的操作。另外，时序控制器180生成读出控制信号（ROC）、读出时钟信号（CLK）等，并将其输出至读出集成电路150，以便控制读出集成电路150的操作。选通驱动器130和读出集成电路150可以利用分离的时钟信号来操作。
电源电压供应器190通过电源电压线（VDD）向光敏像素（P）供应电源电压。
下面，对用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列的单位单元结构进行描述。
图2是例示用于数字X射线检测器的常规薄膜晶体管阵列基板的单位单元的电路构造的视图，图3是例示用于数字X射线检测器的常规薄膜晶体管阵列基板的单位单元的平面图，而图4是用于数字X射线检测器的常规薄膜晶体管阵列基板的单位单元的、沿线I-I'截取的截面图。
如图2和3所示，用于数字X射线检测器的常规薄膜晶体管阵列基板的单位单元包括：用于提供扫描信号的多条选通线（GL），在与选通线（GL）垂直的方向上设置的用于输出数据的多条数据线（DL），形成在由选通线和数据线限定的各个单元区中的用于执行光电转换的光电二极管（PIN-二极管），形成在选通线（GL）与数据线（DL）之间的每一个交叉点处、用于根据选通线的扫描信号而接通并且向数据线输出来自光电二极管的光电转换信号的薄膜晶体管（TFT），以及用于向光电二极管施加偏置电压的多条偏压线（BL）。
这里，数据线（DL）和偏压线（BL）彼此平行地形成在相邻单元之间。
下面，对这种单位单元的截面结构进行描述。
如图4所示，选通线（在图2和3中用“GL”表示）和从选通线突出的栅电极2形成在基板1上，而栅绝缘膜3形成在具有栅电极2的基板的整个表面上方。
另外，有源层5形成在栅电极2上方、栅绝缘膜3上，漏电极4a和源电极4b形成在有源层5的两侧处，以构成薄膜晶体管。
第一层间绝缘膜7形成在基板的包括漏电极4a和源电极4b的整个表面上，并且选择性地去除设置在薄膜晶体管的源电极4b上的第一层间绝缘膜7，以形成第一接触孔6。
光电二极管的第一电极8形成在第一层间绝缘膜7上，以使其通过第一接触孔6连接至薄膜晶体管的源电极4b，具有p型半导体层、本征半导体层以及n型半导体层的半导体层9形成在第一电极8上，而光电二极管的第二电极10形成在半导体层9上。
第二层间绝缘膜11形成在第一层间绝缘膜7的包括光电二极管的第二电极10的整个表面上，选择性地去除设置在薄膜晶体管的漏电极4a上的第一层间绝缘膜7和第二层间绝缘膜11，以形成第二接触孔16，并且选择性地去除设置在光电二极管的第二电极10上方的第二层间绝缘膜11，以形成第三接触孔17。
在第二层间绝缘膜11上，形成通过第二接触孔16连接至薄膜晶体管的漏电极4a的多条数据线12（DL），遮光层13形成在薄膜晶体管的沟道区上方，并且形成通过第三接触孔17连接至光电二极管的第二电极10的多条偏压线14（BL）。另外，保护膜15形成在基板的整个表面上方。
这里，因为薄膜晶体管的沟道区（源电极4b与漏电极4a之间的有源区5）在从透射X射线的方向观看时暴露，所以在透射X射线时薄膜晶体管生成漏光电流。因此，为了解决该问题，将遮光层13形成在薄膜晶体管的沟道区上方。如图3和4所示，将偏置电压通过电连接至遮光层13的偏压线（BL）施加至遮光层13。
具有这种构造的用于数字X射线检测器的常规薄膜晶体管阵列基板操作如下。
即，当照射X射线时，根据与X射线的强度相对应的光剂量而在光电二极管中流动电流，当向选通线施加扫描信号（选通高电压）时，薄膜晶体管接通并且通过数据线输出光信号。
然而，具有这种构造的用于数字X射线检测器的常规薄膜晶体管阵列基板具有下列问题。
偏置电压（-4v）应被施加至光电二极管的第二电极，以使数字X射线检测器能检测与X射线的强度相对应的光电流。因此，偏置电压通过偏压线施加至光电二极管的第二电极。另外，偏置电压被施加至遮光层。
当第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜具有完整的绝缘特性时，由于施加至遮光层的偏置电压而不在薄膜晶体管中形成背沟道。
然而，当工艺改变或者偏置电压增加时，由于遮光层而在薄膜晶体管上形成背沟道，在薄膜晶体管的背沟道中形成了电流通路，并且生成薄膜晶体管的背沟道漏电流，尽管未向选通线提供扫描脉冲（在排除选通选择区的情况下）。
当将扫描脉冲提供给选通线（选通选择区）时，光电二极管的光电流通过薄膜晶体管的正常沟道（穿过有源区的沟道）输出至数据线，但由于遮光层而在薄膜晶体管的背沟道上形成电流通路，由此将噪声信号输出至数据线。
这些问题通过实验来例证。
图5是示出根据偏置电压的常规薄膜晶体管的操作的图形。
即，初始条件是在与数字X射线检测器的操作中相同的偏置电压（-4V）施加至偏压线的状态下薄膜晶体管的电流值，并且点线表示在将0至20V的偏置电压和0至-20V的偏置电压施加至偏压线并且将应力施加至背沟道之后测量的电流值。
理想的是，初始条件的情况和其中将正和负应力施加至偏压电极的情况展示相同电流值。然而，如可以从图5看出，初始状态和应力施加状态具有不同的电流特性。该现象的原因是在将应力施加至背沟道之后电荷仍存在。
发明内容
因此，本发明致力于一种基本上消除因现有技术的局限性和缺点而造成的一个或更多个问题的用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板。
本发明的一个目的是提供一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，其能够通过向遮光层施加选通电压而非偏置电压以遮蔽薄膜晶体管的沟道区，来减少薄膜晶体管的漏电流和输出信号的噪声。
本发明的附加优点、目的以及特征在下面的描述中将部分地加以阐述，并且本领域普通技术人员通过下面的审察将部分地变清楚，或者可以根据本发明的具体实践而获知。本发明的目的和其它优点可以通过在书面说明及其权利要求书以及附图中具体指出的结构认识到并获得。
为实现这些目的和其它优点并且根据本发明的目的，如在此具体实施和广泛描述的，一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：多条选通线，所述多条选通线用于提供扫描信号；多条数据线，所述多条数据线设置在与所述选通线垂直的方向上，用于输出数据；光电二极管，所述光电二极管形成在由所述选通线和所述数据线限定的多个单元区中的每一个中，用于执行光电转换，所述光电二极管包括按次序层压的第一电极、半导体层、第二电极；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述选通线与所述数据线之间的多个交叉点中的每一个处，用于响应于所述选通线的扫描信号向所述数据线输出来自所述光电二极管的光电转换信号；多条偏压线，所述多条偏压线用于向所述光电二极管施加偏置电压；遮光层，所述遮光层处于所述薄膜晶体管的沟道区上方，所述遮光层电连接至所述选通线。
所述数据线和所述偏压线可平行地形成在所述光电二极管的两侧处。
所述遮光层可由与所述数据线和所述偏压线相同的材料形成。
所述遮光层可由与所述光电二极管的所述第一电极相同的材料形成。
在本发明的另一方面，一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在基板上，所述薄膜晶体管设置有源电极、漏电极、从选通线突出的栅电极；第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜处于所述基板的整个表面上，具有所述源电极上的第一接触孔；光电二极管的第一电极，所述第一电极形成在所述层间绝缘膜上，使得所述第一电极通过所述第一接触孔连接至所述源电极；半导体层，所述半导体层形成在所述第一电极上；所述光电二极管的第二电极，所述第二电极形成在所述半导体层上；第二层间绝缘膜，所述第二层间绝缘膜形成在所述基板的包括所述光电二极管的所述第二电极的整个表面上方；第四接触孔，所述第四接触孔形成在所述选通线上方、所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜中；遮光层，所述遮光层形成在所述薄膜晶体管的沟道区上方、所述第二层间绝缘膜上，使得所述遮光层通过所述第四接触孔连接至所述选通线。
在本发明的另一方面，一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在基板上，所述薄膜晶体管设置有源电极、漏电极、从选通线突出的栅电极；第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜形成在所述基板的具有所述薄膜晶体管的整个表面上，所述第一层间绝缘膜具有处于所述源电极上的第一接触孔和处于所述选通线上的第四接触孔；光电二极管的第一电极，所述第一电极形成在所述层间绝缘膜上，使得所述第一电极通过所述第一接触孔连接至所述薄膜晶体管的所述源电极；遮光层，所述遮光层形成在所述薄膜晶体管的沟道区上方、所述第一层间绝缘膜上，使得所述遮光层通过所述第四接触孔连接至所述选通线；半导体层，所述半导体层处于所述第一电极上；所述光电二极管的第二电极，所述第二电极形成在所述半导体层上；第二层间绝缘膜，所述第二层间绝缘膜形成在包括所述遮光层和所述光电二极管的所述第二电极的所述基板的整个表面上。
所述薄膜晶体管阵列基板还可包括：第二接触孔，所述第二接触孔形成在所述薄膜晶体管的所述漏电极上方、所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜上；第三接触孔，所述第三接触孔形成在所述光电二极管的所述第二电极上、所述第二层间绝缘膜中；数据线，所述数据线形成在所述第二层间绝缘膜上，使得所述数据线通过所述第二接触孔连接至所述漏电极；偏压线，所述偏压线形成在所述第二层间绝缘膜上，使得所述偏压线通过所述第三接触孔连接至所述光电二极管的所述第二电极。
要明白的是，本发明的前述一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对如要求保护的本发明的进一步阐释。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并且被并入并构成本申请的一部分，例示了本发明的实施方式，并与本描述一起用于说明本发明的原理。在图中：
图1是例示普通数字X射线检测器的构造的视图；
图2是例示用于数字X射线检测器的常规薄膜晶体管阵列基板的单位单元的电路构造的视图；
图3是例示用于数字X射线检测器的常规薄膜晶体管阵列基板的单位单元的平面图；
图4是图3所示用于数字X射线检测器的常规薄膜晶体管阵列基板的单位单元的沿线I-I'截取的截面图；
图5是示出根据偏置电压的常规薄膜晶体管的操作特性的图形；
图6是例示根据本发明的用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板的单位单元的平面图；
图7是图6所示根据本发明的用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板的单位单元的沿线II-II'截取的截面图；
图8是根据本发明第一实施方式的、图6所示用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板的单位单元的沿线III-III'截取的截面图；以及
图9是根据本发明第二实施方式的、图6所示用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板的单位单元的沿线III-III'截取的截面图。
具体实施方式
下面，对本发明的优选实施方式进行详细说明。其示例在附图中进行了例示。在可能的情况下，贯穿附图使用相同标号来指相同或相似部件。
下面，参照附图，对根据本发明的用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板进行更详细描述。
图6是例示根据本发明的用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板的单位单元的平面图。图7是图6所示根据本发明的用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板的单位单元的沿线II-II'截取的截面图。图8是根据本发明第一实施方式的、图6所示用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板的单位单元的沿线III-III'截取的截面图。图9是根据本发明第二实施方式的、图6所示用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板的单位单元的沿线III-III'截取的截面图。
如图6所示，根据本发明的用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板的单位单元包括：用于提供扫描信号的多条选通线（GL），在与选通线（GL）垂直的方向上设置的用于输出数据的多条数据线（DL），形成在由选通线和数据线限定的每一个单元区中的用于执行光电转换的光电二极管（PIN-二极管），形成在选通线（GL）与数据线（DL）之间的每一个交叉点处、用于根据选通线的扫描信号而接通并且向数据线输出来自光电二极管的光电转换信号的薄膜晶体管（TFT），用于向光电二极管施加偏置电压的多条偏压线（BL），以及连接至选通线（GL）以遮蔽薄膜晶体管的沟道区的遮光层13。
数据线（DL）和偏压线（BL）彼此平行形成，以使它们分别设置在光电二极管的两侧处。
下面，对这种单位单元的截面结构进行描述。
[第一实施方式]
如图6至8所示，选通线（GL）和从选通线突出的栅电极2形成在基板1上，并且栅绝缘膜3形成在基板的具有选通线（GL）和栅电极2的整个表面上方。
另外，有源层5形成在栅电极2上方、栅绝缘膜3上，漏电极4a和源电极4b形成在有源层5的两侧处，以构成薄膜晶体管。
第一层间绝缘膜7形成在包括漏电极4a和源电极4b的基板的整个表面上，并且选择性地去除薄膜晶体管的源电极4b上的第一层间绝缘膜7，以形成第一接触孔6。
光电二极管的第一电极8形成在第一层间绝缘膜7上，以使其通过第一接触孔6连接至薄膜晶体管的源电极4b，包括p型半导体层、本征半导体层以及n型半导体层的半导体层9形成在第一电极8上，而光电二极管的第二电极10形成在半导体层9上。
这里，第一电极8由不透明或反射金属形成，而第二电极10由透明导电材料形成。
第二层间绝缘膜11形成在第一层间绝缘膜7的包括光电二极管的第二电极10的整个表面上，选择性地去除薄膜晶体管的漏电极4a上的第一层间绝缘膜7和第二层间绝缘膜11，以形成第二接触孔16，选择性地去除光电二极管的第二电极10上的第二层间绝缘膜11，以形成第三接触孔17，并且选择性地去除选通线（GL）上方的栅绝缘膜3、第一层间绝缘膜7以及第二层间绝缘膜11，以形成第四接触孔18。
通过第二接触孔16连接至薄膜晶体管的漏电极4a的数据线12（DL）形成在第二层间绝缘膜11上，遮光层13形成在薄膜晶体管的沟道区上方，并且形成通过第三接触孔17连接至光电二极管的第二电极10的偏压线14（BL）。在这种情况下，遮光层13通过第四接触孔18电连接至选通线（GL）。
另外，保护膜15形成在基板的包括数据线12、遮光层13以及偏压线14的整个表面上方。
图8例示了由与数据线12和偏压线14相同的材料形成的遮光层13，但本发明的实施方式不限于此。
[第二实施方式]
如图9所示，遮光层13可以由与光电二极管的第一电极8相同的材料形成。
如图6、7以及9所示，选通线（GL）和从选通线突出的栅电极2形成在基板1上，并且栅绝缘膜3形成在包括选通线（GL）和栅电极2的基板1的整个表面上。
另外，有源层5形成在栅电极2上方、栅绝缘膜3上，漏电极4a和源电极4b形成在有源层5的两侧处，以构成薄膜晶体管。
第一层间绝缘膜7形成在包括漏电极4a和源电极4b的基板的整个表面上方，选择性地去除薄膜晶体管的源电极4b上的第一层间绝缘膜7，以形成第一接触孔6，并且选择性地去除选通线（GL）上方的栅绝缘膜3和第一层间绝缘膜7，以形成第四接触孔18。
光电二极管的第一电极8形成在第一层间绝缘膜7上，以使其通过第一接触孔6连接至薄膜晶体管的源电极4b，遮光层13形成在薄膜晶体管的沟道区上方，以使其通过第四接触孔18连接至选通线（GL）。
包括p型半导体层、本征半导体层以及n型半导体层结构的半导体层9形成在第一电极8上，光电二极管的第二电极10形成在半导体层9上。
这里，第一电极8和遮光层13由不透明或反射金属形成，而第二电极10由透明导电材料形成。
第二层间绝缘膜11形成在第一层间绝缘膜7的包括光电二极管的第二电极10的整个表面上，选择性地去除薄膜晶体管的漏电极4a上的第一层间绝缘膜7和第二层间绝缘膜11，以形成第二接触孔16，并且选择性地去除光电二极管的第二电极10上的第二层间绝缘膜11，以形成第三接触孔17。
数据线12（DL）形成在第二层间绝缘膜11上，以使数据线12（DL）通过第二接触孔16连接至薄膜晶体管的漏电极4a，遮光层13形成在薄膜晶体管的沟道区上方、第二层间绝缘膜11上，偏压线14（BL）形成在第二层间绝缘膜11上，以使偏压线14（BL）通过第三接触孔17连接至光电二极管的第二电极10。
另外，保护膜15形成在基板的包括数据线12、遮光层13以及偏压线14的整个表面上。
如图6至9所示，遮光层13电连接至选通线（GL），而非偏压线14（BL）。数据线（DL）和偏压线（BL）彼此平行地形成，但形成在光电二极管（PIN-二极管）的两侧处，不包括设置在相邻单元之间的区域。
如根据前述明白，根据本发明的用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板具有以下优点。
用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板可以确保薄膜晶体管的稳定特征，并且改进检测特性，因为用于遮蔽薄膜晶体管的沟道区的遮光层电连接至选通线，由此将与薄膜晶体管的选通电压相同的电压施加至遮光层。
而且，因为与选通信号相同的信号被施加至遮光层，所以用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板可以根据工艺变化来改进产品可靠性，尽管第一和第二层间绝缘膜的绝缘特性因工艺变化而改变并且背沟道由此形成在薄膜晶体管中。
本领域技术人员应当明白，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。由此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书及其等同物的范围内的、本发明的修改例和变型例。
本申请要求2012年11月27日提交的韩国专利申请No.10-2012-0134962的优先权，其如在此全面阐述地通过引用而并入于此。
Claims (5)
1.一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
多条选通线，所述多条选通线用于提供扫描信号；
多条数据线，所述多条数据线设置在与所述选通线垂直的方向上，用于输出数据；
光电二极管，所述光电二极管处于由所述选通线和所述数据线限定的多个单元区中的每一个中，用于执行光电转换，所述光电二极管包括按次序层压的第一电极、半导体层、第二电极；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管处于所述选通线与所述数据线之间的多个交叉点中的每一个处，用于响应于所述选通线的扫描信号向所述数据线输出来自所述光电二极管的光电转换信号；
多条偏压线，所述多条偏压线用于向所述光电二极管施加偏置电压；
遮光层，所述遮光层处于所述薄膜晶体管的沟道区上方，所述遮光层电连接至所述选通线，
其中，所述遮光层由与所述光电二极管的所述第一电极相同的材料形成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述数据线和所述偏压线平行地形成在所述光电二极管的两侧处。
3.一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管处于基板上，所述薄膜晶体管设置有源电极、漏电极、从选通线突出的栅电极；
第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜处于所述基板的整个表面上，所述第一层间绝缘膜具有处于所述源电极上的第一接触孔和处于所述选通线上的第四接触孔；
光电二极管的第一电极，所述第一电极处于所述第一层间绝缘膜上，使得所述第一电极通过所述第一接触孔连接至所述薄膜晶体管的所述源电极；
遮光层，所述遮光层处于所述薄膜晶体管的沟道区上方、所述第一层间绝缘膜上，使得所述遮光层通过所述第四接触孔连接至所述选通线；
半导体层，所述半导体层处于所述第一电极上；
所述光电二极管的第二电极，所述第二电极处于所述半导体层上；
第二层间绝缘膜，所述第二层间绝缘膜处于包括所述遮光层和所述光电二极管的所述第二电极的所述基板的整个表面上，
其中，所述遮光层由与所述光电二极管的所述第一电极相同的材料形成。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板还包括：
第二接触孔，所述第二接触孔形成在所述薄膜晶体管的所述漏电极上方、所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜上；
第三接触孔，所述第三接触孔处于所述光电二极管的所述第二电极上、所述第二层间绝缘膜上；
数据线，所述数据线处于所述第二层间绝缘膜上，使得所述数据线通过所述第二接触孔连接至所述漏电极；
偏压线，所述偏压线处于所述第二层间绝缘膜上，使得所述偏压线通过所述第三接触孔连接至所述光电二极管的所述第二电极。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述数据线和所述偏压线平行地形成在所述光电二极管的两侧处。
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