CN103779380B - 有机发光装置及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 272
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 48
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 26
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 108
- 101001117312 Homo sapiens Programmed cell death 1 ligand 2 Proteins 0.000 description 45
- 102100024213 Programmed cell death 1 ligand 2 Human genes 0.000 description 45
- 101001117317 Homo sapiens Programmed cell death 1 ligand 1 Proteins 0.000 description 40
- 102100024216 Programmed cell death 1 ligand 1 Human genes 0.000 description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100107215 Danio rerio znf703 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明公开一种有机发光装置包括：基板；多个薄膜晶体管，形成于所述基板机上；第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜，形成于所述薄膜晶体管之上，并具备开口部，且具有彼此不同的高度；第一有机发光层、第二有机发光层、第三有机发光层，形成于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述开口部，并连接于对应的薄膜晶体管，所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜相互分开布置，所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件具有彼此不同的厚度，且所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件具有对应于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的高度的厚度。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光装置及其制造方法。
背景技术
最近，亮度特性和视角特性优良，且与液晶显示装置不同，不需要专门的光源单元的有机发光显示装置(Organic Light Emitting Diode Display：OLED)作为下一代平板显示装置而受到关注。有机发光显示装置不需要专门的光源，因此可制作成轻量且薄型。而且，有机发光显示装置还具有低耗电、高亮度和高响应速度等特性。
有机发光显示装置包括具备阳极、有机发光层、阴极的有机发光元件。在有机发光元件中，从阳极和阴极分别注入空穴和电子而形成激子，该激子迁移至基态而发光。有机发光层可通过喷墨印刷(Inkjet printing)或喷嘴印刷(Nozzle printing)等方法形成。
在有机发光层发出的红光、绿光、蓝光的波长彼此不同。为了提高色再现性，针对各个有机发光元件分别不同地设置了有机发光层的厚度，由此阳极和阴极之间的共振距离(光学长度)可被调节。通常，发出红光的有机发光元件的共振距离最大，发出蓝光的有机发光元件的共振距离最小。据此，发出红光的有机发光元件的有机发光层可形成为最厚，发出蓝光的有机发光元件的有机发光层可形成为最薄。
为了使各个像素分别形成厚度彼此不同的有机发光层，形成有机发光层的有机物的浓度或喷射条件被调节为各式各样。而且，有机物可多次被印刷到基板上而形成厚度彼此不同的有机发光层。
发明内容
本发明的目的在于提供一种包括均匀度高的有机发光元件的有机发光装置。
本发明的另一目的在于提供一种可简化制造工艺的有机发光装置的制造方法。
根据本发明实施例的有机发光装置包括：基板；多个薄膜晶体管，形成于所述基板机上；第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜，形成于所述薄膜晶体管之上，并具备开口部，且具有彼此不同的高度；第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件，形成于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述开口部，并连接于对应的薄膜晶体管，所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜相互分开布置，所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件具有彼此不同的厚度，且所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件具有对应于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的高度的厚度。
所述第一像素定义膜的第一高度大于所述第二像素定义膜的第二高度，所述第二像素定义膜的所述第二高度大于所述第三像素定义膜的第三高度。
所述第一有机发光元件的厚度大于所述第二有机发光元件，所述第二有机发光元件的所述厚度大于所述第三有机发光元件。
还包括形成为覆盖所述薄膜晶体管的保护膜，所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜形成于所述保护膜上，所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件分别包括：第一电极，形成于所述保护膜之上，并通过贯穿所述保护膜而形成的连接孔连接到对应的所述薄膜晶体管，且通过所述开口部而暴露预定区域；有机发光层，形成于所述第一电极之上；第二电极，形成于所述有机发光层上，所述第二电极形成为覆盖所述有机发光层和所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜，所述开口部形成为覆盖所述第一电极的临界面，所述有机发光层在所述开口部之内形成于所述第一电极之上。
所述有机发光层包括：第一有机发光层，形成于所述第一像素定义膜的所述开口部；第二有机发光层，形成于所述第二像素定义膜的所述开口部；第三有机发光层，形成于所述第三像素定义膜的所述开口部。
所述第一有机发光层的厚度大于所述第二有机发光层的厚度，所述第二有机发光层的厚度大于所述第三有机发光层的厚度。
所述第一有机发光层生成红光，所述第二有机发光层生成绿光，所述第三有机发光层生成蓝光。
根据本发明实施例的有机发光装置的制造方法包括如下步骤：提供基板；在所述基板上形成多个薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成具有彼此不同的高度，且具有开口部的第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜；在所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的开口部形成具有对应于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的高度的厚度并连接于对应的薄膜晶体管的第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件，所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜相互分开而形成。
所述第一像素定义膜的第一高度大于所述第二像素定义膜的第二高度，所述第二像素定义膜的所述第二高度大于所述第三像素定义膜的第三高度。
所述第一有机发光元件的厚度大于所述第二有机发光元件的厚度，所述第二有机发光元件的所述厚度大于所述第三有机发光元件的厚度。
还包括步骤：形成覆盖所述薄膜晶体管的保护膜；通过贯穿所述保护膜而形成的连接孔将所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件连接到对应的所述薄膜晶体管上，所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜形成于所述保护膜之上。
形成所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件的步骤包括步骤：形成第一电极，该第一电极形成于所述保护膜之上，并通过所述连接孔连接到对应的所述薄膜晶体管，且通过所述开口部而暴露预定区域；在所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述开口部向所述第一电极提供有机物，使该有机物被提供至达到所述第一像素定义膜的第一高度；将溢出所述第二像素定义膜和第三像素定义膜的有机物提供给彼此相邻的所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜之间的临界区域；形成第二电极，该第二电极形成为覆盖由所述有机物形成的形成于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述开口部的有机发光层和所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜，所述开口部形成为覆盖所述第一电极的临界面。
所述有机发光层包括：第一有机发光层，形成于所述第一像素定义膜的所述开口部；第二有机发光层，形成于所述第二像素定义膜的所述开口部；第三有机发光层，形成于所述第三像素定义膜的所述开口部。
所述第一有机发光层的厚度大于所述第二有机发光层的厚度，所述第二有机发光层的厚度大于所述第三有机发光层的厚度。
所述第一有机发光层生成红光，所述第二有机发光层生成绿光，所述第三有机发光层生成蓝光。
所述有机物利用喷墨印刷和喷嘴印刷中的其中一个被提供至所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述开口部。
本发明的有机发光装置包括均匀度高的有机发光元件，有机发光装置的制造方法可简化有机发光元件的制造工艺。
附图说明
图1为根据本发明实施例的有机发光装置的平面图。
图2为图1所示的I-I’线的剖视图。
图3a至图3e为用于说明根据本发明实施例的有机发光元件的制造方法的图。
具体实施方式
对于本发明的优点和特征以及其实现方法，若参照结合附图详细后述的实施例，则将变得更加明确。但是，本发明并不局限于以下公开的实施例，可实现为彼此不同的各种形态，本发明的实施例仅仅是为了使本发明的公开更加完整，且向本发明所属技术领域中具有通常知识的技术人员完整地传递本发明的范畴而提供的，本发明仅根据权利要求项的范围定义。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的构成要素。
当指出元件或层位于其他元件或层的“上方”或“之上”时，不仅包括位于其他元件或层的紧上方的情形，还包括中间介入其他层或其他元件的情形。反之，当指出元件“紧靠在上方”或“紧挨在上方”时，表示中间没有介入其他元件或层。“和/或”包括所提及的项目的每一个或一个以上的所有的组合。
对于作为表示空间上的相对位置的术语，“在下面”、“在下方”、“下部”、“在上面”、“上部”等，如图所示，可为了容易地描述一个元件或构成要素与其他元件或构成要素的相关关系而使用。表示空间上的相对位置的术语应理解为在图中所示的方向的基础上，还包括使用时或工作时的元件的相互不同的方向的术语。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的构成要素。
虽然第一、第二等使用为描述多种元件、构成要素和/或选项，但这些元件、构成要素和/或选项不限于这些术语。这些术语仅仅是为了将一个元件、构成要素或选项与其他元件、构成要素或选项进行区分而使用。因此，以下提及的第一元件、第一构成要素或第一选项，显然在本发明的技术思想之内还可以是第二元件、第二构成要素或第二选项。
对于本说明书中描述的实施例，将参照作为本发明的理想化的概略图的平面图和剖视图进行说明。因此，根据制造技术和/或容许误差等，示例图的形态可以发生变更。据此，本发明的实施例并不局限于图示的特定形态，还可以包括根据制造工艺生成的形态变化。因此，图中例示的区域具有概略的属性，图中例示的区域的形状仅仅是为了例示元件的区域的特定形态，并不是为了限定本发明的范畴。
以下，参照附图更加详细地说明本发明的优选实施例。
图1为根据本发明实施例的有机发光装置的平面图。图2为图1所示的I-I’线的剖视图。
参照图1和图2，根据本发明实施例的有机发光装置100包括显示面板110。显示面板110包括基板111、形成于基板111之上的多个薄膜晶体管TFT、由对应的薄膜晶体管TFT驱动的多个有机发光元件OLED1、OLED2、OLED3、定义对应的有机发光元件OLED1、OLED2、OLED3的多个像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3。
像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3可彼此分开而布置。像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3包括定义第一有机发光元件OLED1的第一像素定义膜PDL1、定义第二有机发光元件OLED2的第二像素定义膜PDL2以及定义第三有机发光元件OLED3的第三像素定义膜PDL3。
基板111可以由利用玻璃、石英以及陶瓷等制作的透明的绝缘性基板形成或者可以由利用塑料等制作的透明的柔性基板形成。而且，基板111可以由利用不锈钢等构成的金属性基板形成。
薄膜晶体管TFT具有相同的结构。据此，以下仅对一个薄膜晶体管TFT的结构进行说明。
在基板111上形成缓冲层112。在缓冲层112上形成薄膜晶体管TFT的半导体层SM。半导体层SM可以由诸如非晶硅或多晶硅的无机材料的半导体或有机半导体形成。而且，半导体层SM可以由氧化物半导体(oxide semiconductor)形成。虽然图1中未显示，但半导体层SM可以包括源区域、漏区域以及位于源区域和漏区域之间的沟道区域。
为了覆盖半导体层SM，形成第一绝缘膜113。第一绝缘膜113可以被定义为栅绝缘膜。第一绝缘膜113上形成与半导体层SM交迭的薄膜晶体管TFT的栅极GE。具体来讲，栅极GE可以形成为与半导体层SM的沟道区域交迭。栅极GE与向薄膜晶体管TFT施加开/关信号的栅极线(未图示)连接。
为了覆盖栅极GE，形成有第二绝缘膜114。第二绝缘膜114可以被定义为层间绝缘膜。在第二绝缘膜114上相互分开而形成有薄膜晶体管TFT的源极SE和漏极DE。源极SE可通过贯穿第一绝缘膜113和第二绝缘膜114而形成的第一连接孔H1连接到半导体层SM。具体来讲，源极SE连接到半导体层SM的源区域。漏极DE可通过贯穿第一绝缘膜113和第二绝缘膜114而形成的第二连接孔H2连接到半导体层SM。具体来讲，漏极DE连接到半导体层SM的漏区域。
为了覆盖薄膜晶体管TFT的源极SE和漏极DE，形成保护膜115。保护膜115起到平坦化上表面的作用，可由SiO2、SiNx等形成。保护膜115可以被定义为钝化膜。
保护膜115上形成第一、第二、第三有机发光元件OLED1、OLED2、OLED3的多个第一电极E1。第一电极E1可通过贯穿保护膜115而形成的对应的连接孔H连接到对应的薄膜晶体管TFT的漏极DE。第一电极E1可被定义为像素电极或阳极。
在保护膜115上形成有第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3。第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3包括开口部OP，并具有彼此不同的高度D1、D2、D3。高度可以被定义为第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的从下表面至上表面的高度。第一像素定义膜PDL1的第一高度D1可大于第二像素定义膜PDL2的第二高度D2，第二像素定义膜PDL2的第二高度D2可大于第三像素定义膜PDL3的第三高度D3。
第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3可以形成为覆盖第一电极E1的临界面。第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的开口部OP可以暴露对应的第一电极E1的预定区域。第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3可以由有机绝缘膜形成。但是，并不局限于此，也可以由无机绝缘膜和有机绝缘膜依次层叠而形成。
在第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的开口部OP内，有机发光层10、20、30形成于第一电极E1之上。有机发光层10、20、30包括形成于第一像素定义膜PDL1的开口部OP的第一有机发光层10、形成于第二像素定义膜PDL2的开口部OP的第二有机发光层20、形成于第三像素定义膜PDL3的开口部OP的第三有机发光层30。
第一、第二、第三有机发光层10、20、30可包括可生成红色、绿色、蓝色等光的有机物质，有机发光装置100还可以组合这些颜色而显示白色。作为示例性实施例，第一有机发光层10可生成红光，第二有机发光层20可生成绿光，第三有机发光层30可生成蓝光。
相邻的第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3之间的区域可以被定义为临界区域BA。用于形成第一、第二、第三有机发光层10、20、30的有机物被提供到第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的开口部OP且提供至达到第一像素定义膜PDL1的第一高度D1。由于有机物被提供至达到第一像素定义膜PDL1的第一高度D1，因此有机物可能会溢出第二像素定义膜PDL2和第三像素定义膜PDL3。溢出第二像素定义膜PDL2和第三像素定义膜PDL3的有机物可以被提供至临界区域BA。据此，装填到第二像素定义膜PDL2和第三像素定义膜PDL3的开口部OP的有机物可以被装填至达到第二像素定义膜PDL2和第三像素定义膜PDL3的第二高度D2和第三高度D3。对于将有机物装填于第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的方法将在下面详细说明。
有机物经干燥之后可以形成第一、第二、第三有机发光层10、20、30。当有机物被干燥时，体积将缩小，因此在图2中第一、第二、第三有机发光层10、20、30的高度示出为相比第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的第一、第二、第三高度D1、D2、D3低。第一有机发光层10的厚度可大于第二有机发光层20的厚度，第二有机发光层20的厚度可大于第三有机发光层30的厚度。即，可利用具有彼此不同的第一、第二、第三高度D1、D2、D3的第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3容易地调节第一、第二、第三有机发光层10、20、30的厚度。
被提供至临界区域BA的有机物经干燥之后可形成有机层。形成于临界区域BA的有机层可以被定义为非发光有机层NEO。
第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的上面也有可能残留有机物，但其量小于提供至临界区域BA的有机物，且在进行干燥时，厚度可更加变薄。据此，对于残留于第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的上面的有机物，为了便于说明图2中进行了省略。
在第一、第二、第三有机发光层10、20、30之上形成第二电极E2。具体来讲，在第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3和第一、第二、第三有机发光层10、20、30之上形成第二电极E2。第二电极E2可以被定义为共同电极或阴极。
第一电极E1可以形成为透明电极或反射型电极。当第一电极E1形成为透明电极时，第一电极E1可包括ITO、IZO或ZnO等。当第一电极E1形成为反射型电极时，第一电极E1可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或由其化合物等形成的反射膜和由ITO、IZO、ZnO等形成的透明导电膜。
第二电极E2可以形成为透明电极或反射型电极。当第二电极E2形成为透明电极时，第二电极E2可以包括利用Li、Ca、LiF/Ca、Li/AI、AI、Mg或其化合物蒸镀为朝向有机发光层而形成的膜和在其上面利用ITO、IZO或ZnO等透明的导电性物质形成的辅助电极。当第二电极E2形成为反射型电极时，第二电极E2可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al或其化合物形成。
第一、第二、第三有机发光层10、20、30可由低分子有机物或高分子有机物形成。虽然未图示，但各个第一、第二、第三有机发光层10、20、30可由包括空穴注入层(HoleInjection Layer，HIL)、空穴输送层(Hole Transpoting Layer，HTL)、发光层(EmissionLayer：EML)、电子输送层(Electron Transporting Layer，ETL)、电子注入层(ElectronInjection Layer，EIL)的多层膜形成。作为示例性实施例，空穴注入层可布置在作为阳极的第一电极E1之上，空穴注入层上可依次层叠空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层。
第一电极E1可以是作为空穴注入电极的阳极，第二电极E2可以是作为电子注入电极的阴极。但是，并不局限于此，根据有机发光装置100的驱动方法，第一电极E1可以是阴极，第二电极E2可以是阳极。
第一、第二、第三有机发光元件OLED1、OLED2、OLED3包括对应的第一电极E1、第一、第二、第三有机发光层10、20、30、第二电极E2。具体来讲，第一有机发光元件OLED1包括对应的第一电极E1、第一有机发光层10、第二电极E2。第二有机发光元件OLED2包括对应的第一电极E1、第二有机发光层20、第二电极E2。第三有机发光元件OLED3包括对应的第一电极E1、第三有机发光层30、第二电极E2。
由于第一、第二、第三有机发光层10、20、30的厚度彼此不同，因此第一、第二、第三有机发光元件OLED1、OLED2、OLED3的厚度也可以被设定为彼此不同。即，第一、第二、第三有机发光元件OLED1、OLED2、OLED3可形成为具有分别对应于第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的第一、第二、第三高度D1、D2、D3的厚度。据此，第一有机发光元件OLED1的厚度可大于第二有机发光元件OLED2的厚度，第二有机发光元件OLED2的厚度可大于第三有机发光元件OLED3的厚度。
第一、第二、第三有机发光层10、20、30的厚度作为第一电极E1和第二电极E2之间的距离可以被定义为光学长度(Optical length)。第一、第二、第三有机发光元件OLED1、OLED2、OLED3的光学长度可以被设定为对应于第一、第二、第三有机发光层10、20、30的波长。据此，由于发光的波长的色纯度的光效率提升，因此可以提高有机发光装置100的色再现性。
通过薄膜晶体管TFT，用于使第一、第二、第三有机发光元件OLED1、OLED2、OLED3的第一、第二、第三有机发光层10、20、30发光的驱动电源被施加到第一电极E1，极性与驱动电源相反的电源被施加到第二电极E2。此时，注入到第一、第二、第三有机发光层10、20、30的空穴和电子结合而形成激子，且激子迁移至基态，据此第一、第二、第三有机发光元件OLED1、OLED2、OLED3发光。因此，第一、第二、第三有机发光元件OLED1、OLED2、OLED3根据电流的流动发出红色、绿色、蓝色的光而能够显示预定的图像信息。由于临界区域BA中不会形成第一电极E1，因此形成于临界区域BA的非发光有机层NEO不会发光。
其结果，根据本发明实施例的有机发光装置100可以基于第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3设定第一、第二、第三有机发光层10、20、30的厚度。据此，有机发光装置100可以提高色再现性。
图3a至图3e为用于说明根据本发明实施例的有机发光元件的制造方法的图。
参照图3a，提供有基板111，并在基板111上形成晶体管TFT。具体来讲，在基板111上形成缓冲层112，并在缓冲层112上形成薄膜晶体管TFT。对于薄膜晶体管TFT的具体的结构，由于在前面已经进行说明，因此省略说明。
参照图3b，在基板111上形成保护膜115，以覆盖薄膜晶体管TFT。贯穿保护膜115形成暴露薄膜晶体管TFT的漏极DE的连接孔H。在保护膜115上形成第一电极E1。第一电极E1通过对应的连接孔H连接到各自对应的薄膜晶体管TFT。具体来讲，第一电极E1连接到对应的薄膜晶体管TFT的漏极DE。
参照图3c，在保护膜115上形成具有彼此不同的第一、第二、第三高度D1、D2、D3，且具备开口部OP的第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3。第一、第二、第三像素定义膜相互分开而形成。第一像素定义膜PDL1具有第一高度D1，第二像素定义膜PDL2具有小于第一高度D1的第二高度D2，第三像素定义膜PDL3具有小于第二高度D2的第三高度D3。
第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3可以形成为覆盖第一电极E1的临界面。第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的开口部OP可以暴露对应的第一电极E1的预定区域。
参照图3d，有机物ORG通过第一、第二、第三喷嘴NOZ1、NOZ2、NOZ3被提供至第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的开口部OP。
有机物ORG被提供到第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的开口部OP，且提供至达到第一像素定义膜PDL1的第一高度D1。由于有机物ORG被提供至达到第一像素定义膜PDL1的第一高度D1，因此有机物ORG可溢出第二像素定义膜PDL2和第三像素定义膜PDL3。溢出第二像素定义膜PDL2和第三像素定义膜PDL3的有机物ORG可被提供到临界区域BA。据此，装填到第二像素定义膜PDL2和第三像素定义膜PDL3的开口部OP的有机物可被装填至达到第二像素定义膜PDL2和第三像素定义膜PDL3的第二高度D2和第三高度D3。
为了将有机物ORG装填到第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的开口部OP，可使用喷墨印刷或喷嘴印刷方法等。图3d中，作为示例，示出了喷墨印刷方法。
参照图3e，被提供至第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的开口部OP的有机物ORG经干燥而可形成第一、第二、第三有机发光层10、20、30。被提供至临界区域BA的有机物ORG经干燥而可形成非发光有机层NEO。
当有机物被干燥时，由于体积变小，因此第一、第二、第三发光层10、20、30可具有小于第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的第一、第二、第三高度D1、D2、D3的高度。第一有机发光层10的厚度可大于第二有机发光层20的厚度，第二有机发光层20的厚度可大于第三有机发光层30的厚度。据此，可利用具有彼此不同的第一、第二、第三高度D1、D2、D3的第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3调整第一、第二、第三有机发光层10、20、30的厚度。
如前面说明，在第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的上面也可能会残留有机物ORG，但为了便于说明而进行了省略。
第二电极E2形成为覆盖第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3和第一、第二、第三有机发光层10、20、30。
当保护膜上形成具有相同的高度的格子状的像素定义膜时，为了形成厚度彼此不同的有机发光层，将有机物的浓度或喷射条件调整为各式各样。而且，有机物可多次被印刷到基板上而形成厚度彼此不同的有机发光层。变更浓度和喷射条件，或者多次印刷有机物时，会产生有机物的干燥时间差和印刷时间差。此时，由于先印刷的有机物和最后印刷的有机物的干燥时间差，可能导致有机发光层的均匀度下降。而且，由于有机物的浓度或喷射条件被调节为各式各样，且有机物需要多次被印刷到基板上，因此工艺变得复杂。据此，工艺时间和工艺成本都将增加。
但是，本发明的有机发光装置制造方法仅提供一次有机物ORG，并可基于第一、第二、第三像素定义膜PDL1、PDL2、PDL3的第一、第二、第三高度D1、D2、D3形成厚度彼此不同的第一、第二、第三有机发光层10、20、30。据此，没有必要为了在开口部OP内具有彼此不同的高度而设定有机物的喷射条件，或者为了使有机物具有彼此不同的高度而向开口部OP内多次提供有机物。
即，本发明的有机发光装置的制造方法无需多次印刷有机物，可单一化有机物的浓度或喷射条件。由于可以使印刷有机物的工艺单一化，可以不发生第一、第二、第三有机发光层10、20、30之间的印刷时间差和干燥时间差。据此，可以提高第一、第二、第三有机发光元件OLED1、OLED2、OLED3的均匀度，且第一、第二、第三有机发光元件OLED1、OLED2、OLED3的制造工艺可变得简单。
其结果，本发明的有机发光装置100可包括均匀度高的有机发光元件。而且，本发明的有机发光装置的制造方法可以简化有机发光元件的制造工艺。
以上虽然参照实施例进行了说明，但相关技术领域的熟练的技术人员可以理解，在不脱离权利要求书中记载的本发明的思想和领域的范围之内，可以对本发明进行各种修改和变更。而且，本发明公开的实施例并不是为了限制本发明，与权利要求书及与权利要求书等同的范围内的所有技术思想应解释为包含于本发明的权利范围。
Claims (14)
1.一种有机发光装置，包括：
基板；
多个薄膜晶体管，形成于所述基板上；
第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜，形成于所述薄膜晶体管之上，并具备开口部，且具有彼此不同的第一高度、第二高度、第三高度；
第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件，形成于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述开口部，并连接于对应的薄膜晶体管，
所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜以矩阵形态排列而相互分开布置，所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件具有彼此不同的厚度，且所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件具有对应于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述第一高度、第二高度、第三高度的厚度，在所述第一像素定义膜、第二像素定义膜以及第三像素定义膜之间的整个区域形成有槽，所述槽沿横向和竖向延伸，
所述槽的沿横向延伸的部分与所述槽的沿竖向延伸的部分交叉，且所述沿横向延伸的部分与所述沿竖向延伸的部分形成为一体，
所述第一像素定义膜的第一高度大于所述第二像素定义膜的第二高度，所述第二像素定义膜的所述第二高度大于所述第三像素定义膜的第三高度，
所述槽用于收容从所述第二像素定义膜和所述第三像素定义膜溢出的用于形成所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件的有机物。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一有机发光元件的厚度大于所述第二有机发光元件，所述第二有机发光元件的所述厚度大于所述第三有机发光元件。
3.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，
还包括形成为覆盖所述薄膜晶体管的保护膜，
所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜形成于所述保护膜上，
所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件分别包括：
第一电极，形成于所述保护膜之上，并通过贯穿所述保护膜而形成的连接孔连接到对应的所述薄膜晶体管，且通过所述开口部而暴露预定区域；
有机发光层，形成于所述第一电极之上；
第二电极，形成于所述有机发光层上，
所述第二电极形成为覆盖所述有机发光层和所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜，所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜形成为覆盖所述第一电极的临界面，所述有机发光层在所述开口部之内形成于所述第一电极之上。
4.根据权利要求3所述的有机发光装置，其中，所述有机发光层包括：第一有机发光层，形成于所述第一像素定义膜的所述开口部；第二有机发光层，形成于所述第二像素定义膜的所述开口部；第三有机发光层，形成于所述第三像素定义膜的所述开口部。
5.根据权利要求4所述的有机发光装置，其中，所述第一有机发光层的厚度大于所述第二有机发光层的厚度，所述第二有机发光层的厚度大于所述第三有机发光层的厚度。
6.根据权利要求5所述的有机发光装置，其中，所述第一有机发光层生成红光，所述第二有机发光层生成绿光，所述第三有机发光层生成蓝光。
7.一种有机发光装置的制造方法，包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成多个薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成具有彼此不同的第一高度、第二高度、第三高度，且具有开口部的第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜；
在所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的开口部形成具有对应于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述第一高度、所述第二高度、所述第三高度的厚度并连接于对应的薄膜晶体管的第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件，
所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜以矩阵形态排列而相互分开形成，在所述第一像素定义膜、第二像素定义膜以及第三像素定义膜之间的整个区域形成有槽，所述槽沿横向和竖向延伸，
所述槽的沿横向延伸的部分与所述槽的沿竖向延伸的部分交叉，且所述沿横向延伸的部分与所述沿竖向延伸的部分形成为一体，
所述第一像素定义膜的第一高度大于所述第二像素定义膜的第二高度，所述第二像素定义膜的所述第二高度大于所述第三像素定义膜的第三高度，
所述槽用于收容从所述第二像素定义膜和所述第三像素定义膜溢出的用于形成所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件的有机物。
8.根据权利要求7所述的有机发光装置的制造方法，其中，所述第一有机发光元件的厚度大于所述第二有机发光元件的厚度，所述第二有机发光元件的所述厚度大于所述第三有机发光元件的厚度。
9.根据权利要求7所述的有机发光装置的制造方法，其中，还包括步骤：
形成覆盖所述薄膜晶体管的保护膜；
通过贯穿所述保护膜而形成的连接孔将所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件连接到对应的所述薄膜晶体管上，
所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜形成于所述保护膜之上。
10.根据权利要求9所述的有机发光装置的制造方法，其中，形成所述第一有机发光元件、第二有机发光元件、第三有机发光元件的步骤包括步骤：
形成第一电极，该第一电极形成于所述保护膜之上，并通过所述连接孔连接到对应的所述薄膜晶体管，且通过所述开口部而暴露预定区域；
在所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述开口部向所述第一电极提供有机物，使该有机物被提供至达到所述第一像素定义膜的第一高度；
将溢出所述第二像素定义膜和第三像素定义膜的有机物提供给彼此相邻的所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜之间的临界区域；
形成第二电极，该第二电极形成为覆盖由所述有机物形成的形成于所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述开口部的有机发光层和所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜，
所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜形成为覆盖所述第一电极的临界面。
11.根据权利要求10所述的有机发光装置的制造方法，其中，所述有机发光层包括：第一有机发光层，形成于所述第一像素定义膜的所述开口部；第二有机发光层，形成于所述第二像素定义膜的所述开口部；第三有机发光层，形成于所述第三像素定义膜的所述开口部。
12.根据权利要求11所述的有机发光装置的制造方法，其中，所述第一有机发光层的厚度大于所述第二有机发光层的厚度，所述第二有机发光层的厚度大于所述第三有机发光层的厚度。
13.根据权利要求12所述的有机发光装置的制造方法，其中，所述第一有机发光层生成红光，所述第二有机发光层生成绿光，所述第三有机发光层生成蓝光。
14.根据权利要求10所述的有机发光装置的制造方法，其中，所述有机物利用喷墨印刷和喷嘴印刷中的其中一个被提供至所述第一像素定义膜、第二像素定义膜、第三像素定义膜的所述开口部。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120117358A KR101990116B1 (ko) | 2012-10-22 | 2012-10-22 | 유기발광장치 및 그것의 제조방법 |
| KR10-2012-0117358 | 2012-10-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103779380A CN103779380A (zh) | 2014-05-07 |
| CN103779380B true CN103779380B (zh) | 2019-03-26 |
Family
ID=50484540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310047382.9A Active CN103779380B (zh) | 2012-10-22 | 2013-02-06 | 有机发光装置及其制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8766282B2 (zh) |
| KR (1) | KR101990116B1 (zh) |
| CN (1) | CN103779380B (zh) |
| TW (1) | TWI565050B (zh) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012070085A1 (ja) * | 2010-11-24 | 2012-05-31 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌパネル、それを用いた表示装置および有機ｅｌパネルの製造方法 |
| JP6221418B2 (ja) | 2013-07-01 | 2017-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| WO2015060203A1 (en) * | 2013-10-22 | 2015-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR102201827B1 (ko) * | 2014-09-16 | 2021-01-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 그 제조방법 |
| CN104681592B (zh) * | 2014-12-23 | 2018-01-19 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法和显示装置 |
| KR102381289B1 (ko) | 2015-02-26 | 2022-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN104659071B (zh) * | 2015-03-16 | 2017-10-31 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种amoled显示面板制作方法及制作装置 |
| CN105070739B (zh) * | 2015-08-17 | 2018-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法、显示装置 |
| JP2017059314A (ja) | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102440237B1 (ko) * | 2015-11-03 | 2022-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드표시장치 |
| CN105489631A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-04-13 | 昆山国显光电有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制备方法 |
| US10141377B2 (en) * | 2016-07-29 | 2018-11-27 | Lg Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device |
| KR102574594B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2023-09-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 |
| TWI791481B (zh) * | 2017-01-30 | 2023-02-11 | 德商麥克專利有限公司 | 形成有機電致發光（ｅｌ）元件之方法 |
| TWI763772B (zh) * | 2017-01-30 | 2022-05-11 | 德商麥克專利有限公司 | 電子裝置之有機元件的形成方法 |
| CN107425126B (zh) * | 2017-04-27 | 2019-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定结构、有机发光器件及其封装方法、显示装置 |
| TWI640075B (zh) | 2017-10-31 | 2018-11-01 | 友達光電股份有限公司 | 像素發光裝置 |
| KR102599232B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2023-11-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP6805221B2 (ja) * | 2017-12-15 | 2020-12-23 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、および、その製造方法 |
| JP2019114484A (ja) | 2017-12-26 | 2019-07-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示素子、及び電子機器 |
| JP6808662B2 (ja) * | 2018-01-15 | 2021-01-06 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示パネルの製造方法、および、有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置 |
| CN108400146B (zh) * | 2018-01-31 | 2020-08-04 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及显示装置 |
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| US20140110701A1 (en) | 2014-04-24 |
| CN103779380A (zh) | 2014-05-07 |
| KR20140050933A (ko) | 2014-04-30 |
| US8766282B2 (en) | 2014-07-01 |
| TWI565050B (zh) | 2017-01-01 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |