CN103715078A - 磨削装置和磨削方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种磨削装置和磨削方法，在对形成有分割起点的被加工物进行磨削来分割成多个芯片时，能够降低在芯片的外周产生缺口的可能性。将晶片（1）的背面（1b）粗磨削到未达到完成厚度的厚度（磨削步骤），解除保持工作台（20）对晶片的抽吸保持（抽吸解除步骤），其后，对扩张带（4）进行扩张，沿着形成有分割起点的分割预定线（3）将晶片分割成芯片（9），并且在芯片之间形成间隔（9a）（间隔形成步骤）。接着，将分割成芯片的状态的晶片再次抽吸保持于保持工作台（20）（再保持步骤），将晶片磨削到完成厚度（精磨削步骤）。由于对分割后的晶片进行抽吸保持来进行精磨削，因此防止了相邻的芯片的接触，不会在外周产生缺口。

Description

磨削装置和磨削方法

技术领域

本发明涉及用于对从分割起点分割成多个芯片的半导体晶片等薄板状的被加工物进行磨削的磨削装置和磨削方法。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，将在表面形成了具有电路的大量器件的半导体晶片沿着格状的分割预定线进行分割，所述分割预定线用于划分各器件的形成区域，由此，使所述半导体晶片独立成片为具有器件的大量半导体芯片。在这样将半导体晶片等被加工物分割成大量芯片时，对被加工物的未形成器件的背面侧进行磨削来使被加工物变薄，从而获得预定厚度的芯片。

为了这样大量获得比原本的被加工物薄的芯片，通常的工序为在背面磨削之后进行分割，但近年来，已知有以下方法：首先对被加工物实施形成分割起点的处理，然后进行背面磨削，由此进行分割（参照专利文献1等）。具体可以列举出以下方法：沿着分割预定线照射具有透射性的波长的激光束，来在被加工物的内部形成改性层，然后磨削背面侧，由此以改性层为起点进行分割；或者，沿着分割预定线在被加工物的表面侧形成到达预定厚度的槽，然后磨削背面侧直到槽，由此进行分割。

专利文献1：国际公开WO2003/077295号公报。

在上述的、通过照射激光束来在被加工物的内部形成改性层然后背面磨削的方法中，在分割的芯片之间未形成间隔，因此，在将被加工物分割成了芯片的状态下进一步进行背面磨削直至预定厚度时，相邻的芯片有可能彼此接触，从而在芯片的外周产生缺口等损伤。此外，在被加工物的表面侧形成槽然后进行背面磨削的方法中，如果为了增加所获得的芯片的数量而使槽宽减小到例如几十μm，则芯片之间的间隔变窄，产生了芯片的缺口这样的同样的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种磨削装置和磨削方法，能够在对通过磨削来从分割起点分割成多个芯片的半导体晶片等薄板状的被加工物进行磨削时，降低在分割出的芯片的外周产生缺口的可能性。

本发明的磨削装置用于磨削被加工物单元的被加工物，被加工物单元由以下部分构成：所述被加工物；带，其粘贴于所述被加工物并具有扩张性；以及环状框架，所述带的外周粘贴于该环状框架，所述磨削装置的特征在于，其具备：保持工作台，其具有保持面，该保持面经由所述带将所述被加工物单元的所述被加工物保持成能够旋转；负压生成构件，其对所述保持面作用抽吸力；环状框架固定构件，其具有在所述保持工作台的外周载置所述环状框架的环状框架载置面，该环状框架固定构件固定所述环状框架，并与所述保持工作台一起旋转；磨削构件，其具有对保持在所述保持工作台的所述被加工物进行磨削的磨削磨具；磨削进给构件，其使所述磨削构件相对于保持在所述保持工作台的所述被加工物以接近和远离的方式相对移动；以及移动构件，其使所述环状框架固定构件和所述保持工作台相对移动，来使所述保持面相对于所述环状框架载置面突出（技术方案1）。

此外，本发明的磨削方法是利用技术方案1所述的磨削装置对所述被加工物单元进行磨削的磨削方法，其特征在于，所述磨削方法具备：分割起点形成步骤，沿着具有交叉的多条分割预定线的被加工物的该分割预定线，形成从被加工物的表面侧至少到达完成厚度的分割起点；被加工物单元形成步骤，在实施了所述分割起点形成步骤后，在被加工物的表面粘贴具有扩张性的带，并且将该带的外周粘贴于环状框架，从而形成被加工物单元；载置步骤，在实施了所述被加工物单元形成步骤后，将所述被加工物单元的所述被加工物载置于所述保持工作台，并且将所述环状框架载置于所述环状框架固定构件的所述环状框架载置面；保持步骤，使所述负压生成构件进行动作，对载置有所述被加工物单元的所述保持工作台的所述保持面作用抽吸力，经由所述带将所述被加工物抽吸保持在所述保持工作台，并且，将所述环状框架固定在所述环状框架固定构件；磨削步骤，在实施了所述保持步骤后，使所述保持工作台和所述环状框架固定构件旋转，并借助所述磨削进给构件使所述磨削构件进行磨削进给，将所述被加工物磨削至未达到所述完成厚度的预定厚度；抽吸解除步骤，在实施了所述磨削步骤后，停止所述负压生成构件，解除所述保持工作台的抽吸保持；间隔形成步骤，在实施了所述抽吸解除步骤后，借助所述移动构件使所述保持工作台的所述保持面相对于所述环状框架固定构件的所述环状框架载置面突出，由此，在沿着所述分割预定线分割所述被加工物而形成的多个芯片之间形成间隔；再保持步骤，在实施了所述间隔形成步骤后，使所述负压生成构件进行动作，经由所述带将所述被加工物抽吸保持在所述保持工作台；以及精磨削步骤，在实施了所述再保持步骤后，将所述被加工物磨削到所述完成厚度。

根据本发明，在将被加工物抽吸保持在保持工作台的状态下进行磨削步骤，接着，进行解除被加工物向保持工作台的抽吸保持的抽吸解除步骤，然后进行间隔形成步骤，此时，使被加工物单元的带扩张，在分割成的芯片之间形成使芯片分离开的间隔。被加工物在磨削步骤结束的时刻、或者通过实施磨削后的间隔形成步骤来分割成芯片。在磨削步骤中分割芯片的情况下，在分割成芯片后立即停止磨削，来避免芯片彼此的接触。接着，进行将分割成芯片的状态的被加工物再次抽吸保持在保持工作台的再保持步骤，然后进行将被加工物最终磨削到完成厚度的精磨削步骤，从而获得完成厚度的芯片。在磨削步骤中，将被加工物磨削至未达到完成厚度的预定厚度，并且，在精磨削步骤中以形成有芯片之间的间隔的状态进行磨削。其结果是，能够降低由于磨削而使芯片彼此接触从而在芯片的外周产生缺口的可能性。

根据本发明，实现了如下效果：提供一种磨削装置和磨削方法，在对形成有分割起点的被加工物进行磨削来分割成多个芯片时，能够降低在芯片的外周产生缺口的可能性。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的晶片（被加工物）的立体图。

图2是示出经过了一个实施方式的磨削方法的被加工物单元形成步骤后的状态下的、在粘贴有晶片的带的外周粘贴环状框架而构成的晶片单元的立体图。

图3是示出一个实施方式的磨削装置的立体图。

图4是示出一个实施方式的磨削装置所具备的保持工作台的立体图。

图5是示出该保持工作台和一个实施方式的磨削方法的载置步骤的侧剖视图。

图6是示出一个实施方式的磨削方法的分割起点形成步骤的侧视图。

图7是示出通过分割起点形成步骤在晶片内形成的改性层的剖视图。

图8是示出一个实施方式的磨削方法的保持步骤后的状态的侧视图。

图9是示出一个实施方式的磨削方法的磨削步骤的侧视图。

图10是示出一个实施方式的磨削方法的抽吸解除步骤的侧视图。

图11是示出一个实施方式的磨削方法的间隔形成步骤的侧视图。

图12是示出一个实施方式的磨削方法的精磨削步骤的侧视图。

标号说明

1：    晶片（被加工物）；

1a：   晶片1的表面；

1b：   晶片1的背面；

1c：   改性层（分割起点）；

1d：   裂缝（分割起点）；

2：    器件；

3：    分割预定线；

4：    扩张带；

5：    环状框架；

6：    晶片单元（被加工物单元）；

9：    芯片；

9a：   芯片间的间隔；

10：   磨削装置；

20：   保持工作台；

204：  保持面；

21：   环状框架固定构件；

211：  环状框架载置面；

22：   负压生成构件；

23：   气缸装置（移动构件）；

30：   磨削构件；

36：   磨削磨具；

40：   磨削进给构件。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。

（1）晶片

图1示出了作为一个实施方式的被加工物的半导体晶片等晶片1。晶片1形成为厚度例如为700μm左右的圆板状。在晶片1的表面1a形成有多个器件2。通过在被多条交叉的分割预定线3划分而成的多个矩形区域设置LSI等电路，来形成这些器件2，所述分割预定线3在表面1a设定成格状。

如图2所示，晶片1形成为晶片单元（被加工物单元）6，将晶片1供给至图3所示的一个实施方式的磨削装置10，来磨削其背面以使其变薄。晶片单元6由晶片1、扩张带4以及环状框架5构成，扩张带4粘贴在晶片1的表面1a，环状框架5由金属制成且扩张带4的外周粘贴于该环状框架5。晶片单元6在后述的一个实施方式的磨削方法的被加工物单元形成步骤中形成。以下，首先对适于实施该磨削方法的图3的磨削装置10进行说明。

（2）磨削装置

磨削装置10具备上表面水平的长方体状的基座11。在图3中，将基座11的长度方向、宽度方向和竖直方向分别以Y方向、X方向和Z方向（竖直方向）示出。在基座11的Y方向一端部立起设置有支承壁部12。在基座11上，在Y方向的支承壁部12侧设置有用于对晶片1进行磨削加工的加工区域11A，在与支承壁部12相反的一侧设置有搬入搬出区域11B，搬入搬出区域11B用于将磨削前的晶片1搬入到加工区域11A，并将磨削后的晶片1搬出。

在加工区域11A以能够旋转的方式设置有圆板状的旋转工作台13，旋转工作台13的上表面水平，且旋转工作台13的旋转轴线与Z方向平行。借助未图示的旋转驱动机构使旋转工作台13向箭头R方向旋转。在旋转工作台13上的外周部，以在周向隔开相等间隔的方式配设有多个（此时为3个）保持构件14，保持构件14以Z方向为旋转轴线旋转。

如图4和图5所示，保持构件14具备：保持工作台20，其用于保持晶片1；环状框架固定构件21，其配设在保持工作台20的周围，用于保持环状框架5；负压生成构件22，其用于在保持工作台20上产生负压；以及多个气缸装置（移动构件）23，它们用于使环状框架固定构件21升降。

保持工作台20具有在由不锈钢等金属构成的圆筒状的框体201的上表面嵌合固定有由多孔性体构成的圆板状的抽吸部202的结构。抽吸部202的上表面形成为水平的保持面204。保持面204具有与晶片1相同的直径，并形成为与框体201的上表面共面。如图4所示，保持工作台20具有从框体201的中心向下方延伸的旋转轴205，并被使该旋转轴205旋转的电动机206旋转驱动。

如图5所示，在框体201的中心贯通形成有与抽吸部202连通的抽吸通道207，该抽吸通道207与由抽吸空气的真空泵等构成的负压生成构件22经由开闭阀221连通。在开闭阀221打开的状态（参照图8）下，当负压生成构件22运转时，抽吸部202内为负压，载置于保持面204的晶片1通过负压作用被抽吸保持于保持面204。

此外，保持工作台20的保持面204也可以为以下形态：其以旋转中心为顶点形成为具有倾斜角度较小的斜率的倾斜面的圆锥面状，当晶片1被抽吸于保持面204时，成为模仿保持面204而稍微变形成圆锥面状的状态。此时，将保持工作台20构成为稍微倾斜，从而在晶片1的磨削时，后述的磨削轮的磨削面与倾斜面平行。作为使保持面204为圆锥状时的倾斜角度，“半径/顶点高度”的比例例如为1/1000～1/10000左右。

环状框架固定构件21在形成于保持工作台20的下端部的凸缘部208上，配设成经由多个气缸装置23能够升降，并且与保持工作台20成同心状。多个气缸装置23以在周向隔开相等间隔的方式立起设置于凸缘部208，活塞杆231相对于上方伸缩。环状框架固定构件21固定在活塞杆231的上端，由于活塞杆231的伸缩而升降。气缸装置23利用了使用气压或液压的流体压力缸装置。

在环状框架固定构件21的上表面形成有载置环状框架5的、水平的环状框架载置面211。在环状框架载置面211配设有用于磁性吸附环状框架5进行保持的电磁铁212。

关于上述晶片单元6，在保持工作台20的保持面204，经由扩张带4呈同心状地载置晶片1，在环状框架固定构件21的环状框架载置面211经由扩张带4载置环状框架5。并且，从该状态起，负压生成构件22进行动作从而将晶片1吸附保持在保持工作台20的保持面204，并且，电磁铁212进行动作从而将环状框架5磁性吸附于环状框架固定构件21的环状框架载置面211进行保持。

此外，作为用于环状框架固定构件21的、将环状框架5固定于环状框架载置面211的构件，除了电磁铁212以外还可以使用夹具等机械夹持构件。

各保持构件14设置为保持工作台20的凸缘部208的上表面与旋转工作台13的上表面共面的状态。关于各保持构件14，保持工作台20和环状框架固定构件21通过电动机206而一体旋转即自转，当旋转工作台13旋转时，各保持构件14成为公转的状态。

如图3所示，在两个保持构件14在支承壁部12侧沿X方向排列的状态下，在这些保持构件14的正上方分别配设有磨削构件30。各保持构件14由于旋转工作台13的旋转，而分别位于各磨削构件30的下方的磨削位置、和最靠近搬入搬出区域11B的搬入搬出位置这三个位置。

磨削位置有两处，在每个磨削位置配备有磨削构件30。此时，旋转工作台13的搬送方向上游侧（在图1中为深处侧）的磨削位置为粗磨削位置，下游侧的磨削位置为精磨削位置。

各磨削构件30在支承壁部12的前表面被磨削进给构件40支承为在Z方向升降自如。磨削进给构件40由以下部分构成：导轨41，其固定于支承壁部12的前表面，且沿Z方向延伸；升降滑块42，其以能够滑动的方式支承于导轨41；滚珠丝杠43，其螺合连结于升降滑块42；以及电动机44，其用于使滚珠丝杠43正转和反转。该磨削进给构件40借助滚珠丝杠43的旋转而使升降滑块42沿导轨41升降，磨削构件30由于升降滑块42的升降，而以相对于保持在保持构件14的保持工作台20上的晶片1接近和远离的方式移动。

磨削构件30由以下部分构成：圆筒状的外壳31，其轴向沿Z方向延伸；主轴32（参照图9），其以与外壳31同轴且能够旋转的方式支承在外壳31内；伺服电动机33，其驱动主轴32旋转；以及磨削轮35，其经由圆板状的安装件34同轴且能够装卸地固定于主轴32的下端，并与保持于保持构件14的晶片1对置。外壳31经由螺栓39固定于升降滑块42，磨削构件30与升降滑块42一起升降。

如图9所示，在磨削轮35的下表面外周以隔开相等间隔的方式排列并固定安装有多个磨削磨具36。根据晶片1的材质来选择磨削磨具36，例如使用在陶瓷结合剂（ビトリファイド）等结合材料中混合金刚石磨粒而成型出的磨削磨具等。

在配置于粗磨削位置的上方的磨削构件30（以下称为粗磨削构件30A）的安装件34安装有磨削轮35，该磨削轮35固定安装有粗磨削用的磨削磨具（例如包括#320～#400的磨粒的磨具）。此外，在配置于精磨削位置的上方的磨削构件30（以下称为精磨削构件30B）的安装件34安装有磨削轮35，该磨削轮35固定安装有精磨削用的磨削磨具（例如包括#2000以上的磨粒的磨具）。在安装件34和磨削轮35设置有磨削液供给机构（未图示），磨削液供给机构供给用于磨削部分的冷却、润滑或磨削屑的排出的磨削液。

关于所述各磨削构件30A、30B，使磨削轮35旋转，并通过借助磨削进给构件40以预定速度（例如0.3～0.5μm/秒左右）下降地进行磨削进给，来使磨削轮35的磨削磨具36按压晶片1的背面1b，由此磨削背面1b。在背面磨削时，保持工作台20例如与磨削轮35向相同方向旋转，晶片1自转。

如图9所示，磨削轮35的磨削外径比晶片1的半径大，磨削磨具36的磨削外周缘通过保持工作台20的旋转中心、即晶片1的中心，由此，晶片1的背面1b整个面被磨削磨具36同样地磨削。以未图示的厚度测定器来测定晶片1的厚度，由此控制磨削构件30A、30B的磨削量。

晶片1首先在粗磨削位置被粗磨削构件30A进行粗磨削，其后，旋转工作台13向图1示出的R方向旋转，由此将晶片1搬送到精磨削位置，在这里借助精磨削构件30B进行精磨削。

如图3所示，在搬入搬出区域11B的中央设置有拾取机器人50，在拾取机器人50的周围，从上方观察沿逆时针方向分别配置有供给盒51、位置对准台52、供给臂53、回收臂54、旋转式清洗装置55以及回收盒56。在盒51、56，以在上下方向空出间隔的层叠状态收纳晶片单元6。这些盒51、56以能够装卸的方式设定在基座11上的预定位置。

具有晶片1的晶片单元6首先被拾取机器人50从供给盒51内取出，以晶片1的背面1b朝上的方式载置在位置对准台52上并定位在固定的搬入开始位置。接着，晶片单元6被供给臂53从位置对准台52抬起，晶片1以背面1b朝上的方式被载置到在搬入搬出位置待机的保持工作台20上。晶片单元6由于旋转工作台13向R方向的旋转而向粗磨削位置和精磨削位置依此顺序进行搬送，在这些磨削位置，借助磨削构件30以上述方式磨削背面1b。

由于旋转工作台13进一步向R方向旋转，完成了晶片1的精磨削的晶片单元6回到搬入搬出位置。回到搬入搬出位置的晶片单元6被回收臂54抬起并移动到清洗装置55，来对晶片1进行水洗和干燥。并且，在清洗装置55进行了晶片1的清洗处理的晶片单元6被拾取机器人50收纳在回收盒56内。

以上是磨削晶片1的背面1b从而使晶片1变薄的磨削装置10的基本结构和动作。接着，对使用该磨削装置10磨削晶片1，直到分割成具有器件2的多个芯片的一个实施方式的磨削方法进行以下说明。

（3）磨削方法

（3-1）分割起点形成步骤

对于晶片1，沿着分割预定线3形成从表面1a侧至少到达完成厚度的分割起点。在本实施方式中，形成从改性层伸长的裂缝来作为分割起点。如图6所示，改性层的形成为：使背面1b侧露出，将晶片1保持为水平，从配设在晶片1的上方的激光照射构件60的照射部61，以从背面1b侧使聚光点位于晶片1的内部的状态沿着分割预定线3对晶片1照射具有透射性的波长的激光束L。由此，如图7所示，在晶片1的内部形成沿着分割预定线3的改性层1c。此时，如图7所示，激光束L的聚光点设定在这样的位置：使改性层1c形成在比背面磨削后的完成厚度t向背面1b侧离开了距离d（例如为10μm左右）的位置。

通过使激光照射构件60和晶片单元6以与晶片1的表面1a平行的方式相对移动，来恰当进行激光束L的沿着分割预定线3的直线扫描和要照射激光束L的分割预定线3的选择。改性层1c具有比晶片1内的其它部分强度低的特性，其以与晶片1的表面和背面平行的固定的层厚形成。在本实施方式中，通过调整激光束L的输出，如图7所示，在形成改性层1c的同时，从改性层1c到表面1a，由于激光束照射的影响而形成了裂缝1d。该裂缝1d成为本实施方式中的实质上的分割起点。

此外，像本实施方式那样，从表面1a超过完成厚度地形成改性层1c的形态是本发明的一个例子，在本发明中，至少在从表面1a至完成厚度的位置形成分割起点。此外，在本实施方式中，使分割起点为从改性层1c伸长的裂缝1d，但作为分割起点，也可以为在从表面1a至完成厚度的位置形成的改性层1c，此外，例如也可以是在晶片1的表面1a侧形成的槽。该槽可以列举出由切削刀具形成的切削槽、对晶片1照射具有吸收性的波长的激光束而形成的激光加工槽等。

（3-2）被加工物单元形成步骤

接着，如图2所示，在晶片1的表面1a粘贴扩张带4，并且将扩张带4的外周粘贴在环状框架5，从而形成晶片单元6。

扩张带4使用了在具有扩张性的基材的单面形成有粘接层的结构。基材可以列举出聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚烯烃等合成树脂带。晶片1和环状框架5粘贴于扩张带4的粘接层。晶片1配设为与环状框架5的圆形的内周缘呈同心状。

多个晶片单元6收纳在图3示出的供给盒51内，该供给盒51设定在磨削装置10的预定位置。并且，在磨削装置10中，晶片单元6以上述方式从供给盒51逐枚搬出，并经过位置对准台52被供给臂53保持在保持构件14。以下，对直到将晶片单元6保持在保持构件14并对背面1b进行精磨削的步骤进行详细说明。

（3-3）载置步骤

如图5所示，借助供给臂53，将晶片单元6的晶片1以表面1a侧与保持面204对置的方式经由扩张带4呈同心状地载置在保持构件14的保持工作台20上，并且，将环状框架5载置在环状框架固定构件21的环状框架载置面211。在该载置步骤中，使环状框架载置面211的高度位置与保持面204相同，晶片单元6整体以在保持构件14上处于水平的方式被载置。

（3-4）保持步骤

接着，如图8所示，使负压生成构件22进行动作，对载置有晶片单元6的晶片1的保持工作台20的保持面204作用抽吸力，经由扩张带4将晶片1抽吸保持在保持面204。此外，使环状框架固定构件21的电磁铁212进行动作，使环状框架5磁性吸附于环状框架载置面211进行保持。在这样将晶片单元6保持在保持构件14后，如图8所示，使气缸装置23的活塞杆231稍微下降，使环状框架5的上表面位于比被磨削的晶片1的背面1b靠下方的位置。

（3-5）磨削步骤

接着，通过使旋转工作台13旋转，将晶片单元6搬送到所述粗磨削位置，如图9所示，进行磨削步骤，在该磨削步骤中，借助粗磨削构件30A对晶片1的背面1b进行粗磨削。在磨削步骤中，使保持工作台20和环状框架固定构件21旋转从而使晶片单元6自转，并且，借助磨削进给构件40使粗磨削构件30A进行磨削进给，以旋转的磨削磨具36按压背面1b，由此对背面1b进行磨削。在磨削时，通过事先使环状框架5下降，不会引起磨削磨具36与环状框架5的干涉，能够对背面1b顺利地进行磨削。

在本实施方式中，粗磨削是将背面1b侧磨削到未达到图7所示的完成厚度t的预定厚度，例如磨削改性层1c，磨削到进入了形成有裂缝1d的层的附近（在图7中为d区域）。借助裂缝1d，晶片1的表面1a侧沿着分割预定线3被分割开来，因此，通过这样磨削到进入了形成有裂缝1d的层的附近，晶片1被分割成一个个芯片。图10的晶片1被粗磨削而变薄到了预定厚度。虽然晶片1存在由于被赋予磨削的外力而从改性层1c分割为芯片的情况，但也可以在这样分割为芯片的时刻，或者在即将分割为芯片之前结束粗磨削。

在粗磨削结束后，通过旋转工作台13的旋转使晶片单元6搬送到所述精磨削位置，但在搬送到精磨削位置为止的期间，进行以下的抽吸解除步骤和间隔形成步骤。

（3-6）抽吸解除步骤

如图10所示，停止负压生成构件22来解除晶片1向保持工作台20的抽吸保持。

（3-7）间隔形成步骤

接着，从解除了抽吸保持的状态，如图11所示地使气缸装置23的活塞杆231进一步下降，使保持工作台20的保持面204相对于环状框架固定构件21的环状框架载置面211向上方相对突出。由此，使扩张带4呈放射状地扩张。在这样使扩张带4扩张时，在芯片9之间形成间隔。此外，在磨削结束的时刻晶片1的一部分或整体未分割成芯片3的情况下，借助扩张带4的扩张来对晶片1赋予向径向外侧拉伸的外力。于是，在赋予外力时，晶片1沿着分割预定线32分割成芯片9，并且在芯片9之间形成间隔9a。

（3-8）再保持步骤

接着，如图12所示，使负压生成构件22进行动作，将在芯片9之间形成有间隔9a的晶片1经由扩张带4再次抽吸保持在保持工作台20的保持面204。各芯片9经由扩张后的扩张带4被抽吸保持并固定于保持面204，因此，也保持了在芯片9之间形成的间隔9a。

（3-9）精磨削步骤

在实施了再保持步骤后，借助精磨削构件30B将位于精磨削位置的晶片1的背面1b、即各芯片9的背面磨削至完成厚度（图7的t）。如图12所示，使保持工作台20和环状框架固定构件21旋转来使晶片单元6自转，并通过旋转的磨削磨具36按压背面1b，由此来进行精磨削。

至此，完成了对晶片1的背面磨削，接着，通过使旋转工作台13旋转来使晶片单元6位于搬入搬出位置，此外，解除负压生成构件22对保持工作台20的抽吸保持。其后，晶片单元6在以上述方式在清洗装置55进行了水洗、干燥之后，被收纳到回收盒56内。

磨削装置10连续重复进行对1枚晶片1进行背面磨削的所述循环，在对供给盒51内的全部的晶片1结束了处理后，将晶片1连同回收盒56一起转移至下一道工序。

（4）磨削方法的作用效果

根据所述一个实施方式的磨削方法，进行间隔形成步骤来在芯片9之间形成使芯片9分离的间隔9a，然后进行再保持步骤，由此，将分割成芯片9的状态的晶片1再次抽吸保持在保持工作台20，由此状态，进行将晶片1（芯片9）最终磨削到完成厚度的精磨削步骤，来获得完成厚度的芯片9。因此，能够降低在精磨削时芯片9彼此接触从而在芯片9的外周产生缺口的可能。

此外，在所述实施方式中，分为在间隔形成步骤之前进行粗磨削、在间隔形成步骤之后进行精磨削，但磨削的程度配置在何处是任意的，例如，也能够以在间隔形成步骤之后再次进行粗磨削，然后进行精磨削等的顺序来进行磨削。

此外，在形成改性层1c或从改性层1c伸长的裂缝1d来作为分割起点的情况下，也可以在实施分割起点形成步骤之前实施被加工物单元形成步骤，以晶片单元6的状态实施在晶片1形成改性层1c的激光加工。

Claims (2)

1.一种磨削装置，其用于磨削被加工物单元的被加工物，被加工物单元由以下部分构成：所述被加工物；带，其粘贴于所述被加工物并具有扩张性；以及环状框架，所述带的外周粘贴于该环状框架，所述磨削装置的特征在于，其具备：

保持工作台，其具有保持面，该保持面经由所述带将所述被加工物单元的所述被加工物保持成能够旋转；

负压生成构件，其对所述保持面作用抽吸力；

环状框架固定构件，其具有在所述保持工作台的外周载置所述环状框架的环状框架载置面，该环状框架固定构件固定所述环状框架，并与所述保持工作台一起旋转；

磨削构件，其具有对保持在所述保持工作台的所述被加工物进行磨削的磨削磨具；

磨削进给构件，其使所述磨削构件相对于保持在所述保持工作台的所述被加工物以接近和远离的方式相对移动；以及

移动构件，其使所述环状框架固定构件和所述保持工作台相对移动，来使所述保持面相对于所述环状框架载置面突出。

2.一种磨削方法，其是利用权利要求1所述的磨削装置对所述被加工物单元进行磨削的磨削方法，其特征在于，所述磨削方法具备：

分割起点形成步骤，沿着具有交叉的多条分割预定线的被加工物的该分割预定线，形成从被加工物的表面侧至少到达完成厚度的分割起点；

被加工物单元形成步骤，在实施了所述分割起点形成步骤后，在被加工物的表面粘贴具有扩张性的带，并且将该带的外周粘贴于环状框架，从而形成被加工物单元；

载置步骤，在实施了所述被加工物单元形成步骤后，将所述被加工物单元的所述被加工物载置于所述保持工作台，并且将所述环状框架载置于所述环状框架固定构件的所述环状框架载置面；

保持步骤，使所述负压生成构件进行动作，对载置有所述被加工物单元的所述保持工作台的所述保持面作用抽吸力，经由所述带将所述被加工物抽吸保持在所述保持工作台，并且，将所述环状框架固定在所述环状框架固定构件；

磨削步骤，在实施了所述保持步骤后，使所述保持工作台和所述环状框架固定构件旋转，并借助所述磨削进给构件使所述磨削构件进行磨削进给，将所述被加工物磨削至未达到所述完成厚度的预定厚度；

抽吸解除步骤，在实施了所述磨削步骤后，停止所述负压生成构件，解除所述保持工作台的抽吸保持；

间隔形成步骤，在实施了所述抽吸解除步骤后，借助所述移动构件使所述保持工作台的所述保持面相对于所述环状框架固定构件的所述环状框架载置面突出，由此，在沿着所述分割预定线分割所述被加工物而形成的多个芯片之间形成间隔；

再保持步骤，在实施了所述间隔形成步骤后，使所述负压生成构件进行动作，经由所述带将所述被加工物抽吸保持在所述保持工作台；以及

精磨削步骤，在实施了所述再保持步骤后，将所述被加工物磨削到所述完成厚度。

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