JP2008130808A - 研削加工方法 - Google Patents
研削加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008130808A JP2008130808A JP2006314190A JP2006314190A JP2008130808A JP 2008130808 A JP2008130808 A JP 2008130808A JP 2006314190 A JP2006314190 A JP 2006314190A JP 2006314190 A JP2006314190 A JP 2006314190A JP 2008130808 A JP2008130808 A JP 2008130808A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- wafer
- chuck table
- outer peripheral
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 241
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 79
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 24
- 239000004575 stone Substances 0.000 abstract 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P80/00—Climate change mitigation technologies for sector-wide applications
- Y02P80/30—Reducing waste in manufacturing processes; Calculations of released waste quantities
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】ウェーハ1の内周側の部分を所定厚さまで研削したら、砥石45b(46b)を上昇させてウェーハ1の外周側へ移動させる。そして、砥石45b(46b)の刃先部がウェーハ1に形成すべき凹部1Aの内周面5Bに接するように砥石45b(46b)、砥石45b(46b)を下降させてウェーハ1を研削する。
【選択図】図8
Description
[1]半導体ウエーハ
図1の符号1は、一実施形態のウェーハ研削加工装置によって裏面に凹部が形成される円盤状の半導体ウエーハ(以下ウエーハと略称)を示している。このウエーハ1はシリコンウエーハ等であって、加工前の厚さは例えば600〜700μm程度である。ウエーハ1の表面には、格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状の半導体チップ3が区画されており、これら半導体チップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。
続いて、本実施形態を実施するためのウェーハ研削加工装置を説明する。
図3は、ウェーハ研削加工装置10の全体を示しており、このウェーハ研削加工装置10は、上面が水平とされた直方体状の基台11を備えている。図3では、基台11の長手方向、長手方向に直交する水平な幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。基台11のY方向一端部には、X方向(ここでは左右方向とする)に並ぶ一対のコラム12,13が立設されている。基台11上には、Y方向のコラム12,13側にウエーハ1を研削加工する加工エリア11Aが設けられ、コラム12,13とは反対側に、加工エリア11Aに加工前のウエーハ1を供給し、かつ、加工後のウエーハ1を回収する着脱エリア11Bが設けられている。
着脱エリア11Bの中央には、上下移動する2節リンク式のピックアップロボット70が設置されている。そしてこのピックアップロボット70の周囲には、上から見て反時計回りに、供給カセット71、位置合わせ台72、供給アーム73、回収アーム74、スピンナ式洗浄装置75、回収カセット76が、それぞれ配置されている。
以上がウェーハ研削加工装置10の構成であり、次に、このウェーハ研削加工装置10によってウエーハ1の裏面を研削して凹部を形成する動作を説明する。
(3−1)小径ウェーハの研削
まず、ピックアップロボット70によって、供給カセット71内に収容された直径が150mmの1枚のウエーハ1が位置合わせ台72に移されて位置決めされ、続いて供給アーム73によって、着脱位置で待機し、かつ真空運転されているチャックテーブル30上に裏面側を上に向けてウエーハ1が載置される。位置合わせ台72で位置決めされたことにより、ウエーハ1はチャックテーブル30とほぼ同心状に載置される。ウエーハ1は表面側の保護テープ7がチャックテーブル30の上面30aに密着し、裏面が露出する状態でその上面30aに吸着、保持される。
次に、大径のウェーハ1を同じ砥石ホイール45(46)を用いて研削する手順を説明する。まず、図3に示す基台11に、直径200mmのウェーハ1を収容したカセット71をセットする。そして、上記と同様の工程を経てウェーハを粗研削位置に位置付ける。この状態において、粗研削ユニット40Aは、砥石45bの刃先部がウェーハ1の回転中心(つまりチャックテーブル30の回転中心)を通るように配置されている。一方、図8(b)に示すように、ウェーハ1の直径は、砥石45bの2倍の値よりも大きいから、砥石45bでウェーハ1を研削すると、ウェーハ1の外周部に研削されない部分が生じる。たとえば、砥石45の直径が72mmとすると、直径200mmのウェーハ1を研削すると、ウェーハ1の外周部に28mm程度の未研削領域が生じる。
上記実施形態は、粗研削と仕上げ研削とを行う例であるが、1回の研削加工を行う場合にも本発明を適用することができる。図10は、そのような研削加工方法を実施するためのウェーハ研削加工装置14である。なお、図10で図3と同等の構成要素には同一の符合を付してあり、それらについては簡略的に説明する。
1A…凹部
3…半導体チップ(デバイス)
4…デバイス形成領域
5…外周余剰領域(外周部)
5A…環状凸部(外周部)
10,10B,10C…ウェーハ研削加工装置
20…ターンテーブル
30…チャックテーブル
30a…上面(ウエーハ保持面)
40A…粗研削ユニット(第1の研削手段)
40B…仕上げ研削ユニット(第2の研削手段)
43…モータ(回転駆動源)
46…砥石ホイール
45b、46b…砥石
50…X軸送り機構(第1の平行方向移動手段、第2の平行方向移動手段)
60…Z軸送り機構(第1の垂直方向移動手段、第2の垂直方向移動手段)
Claims (2)
- 円盤状のウェーハの少なくとも片面を、外周部を残して該外周部の内側を研削する研削加工方法であって、
ウェーハを保持するチャックテーブルと、
前記チャックテーブルを自転可能に支持し、チャックテーブルに対してウェーハを着脱させるウェーハ着脱位置と、ウェーハを研削する研削位置との2位置に、該チャックテーブルを位置付けるテーブル移動手段と、
前記チャックテーブルに保持されたウェーハの少なくとも回転中心と前記外周部の内周縁のいずれかを通過する環状の砥石ホイールと、前記砥石ホイールを回転させる回転駆動源とを有し、前記研削位置に位置付けられたウェーハを研削する研削手段と、
前記研削手段を、前記チャックテーブルのウェーハ保持面に対して垂直な方向に移動させる垂直方向移動手段と、
前記研削手段と前記チャックテーブルとを、該チャックテーブルのウェーハ保持面に対して平行な方向に相対移動させる平行方向移動手段と、
を備えるウェーハ研削加工装置を用い、複数の種類の直径の円盤状のウェーハの少なくとも片面を、外周部を残して該外周部の内側を研削し凹部を形成する加工方法において、
前記砥石ホイールの直径は、前記複数の種類の直径の円盤状のウェーハの内最小の直径を有するウェーハの直径の値の略二分の一に相当する値かまたはそれ以下の値であり、
前記研削手段によって前記研削ホイールの直径の2倍よりも大きな直径を有するウェーハを加工する際には、前記平行方向移動手段によって前記研削手段と前記チャックテーブルを相対的に前記砥石ホイールの刃先部が前記保持手段の回転中心と前記凹部の内周側壁との二ヶ所に接するよう移動させて所望の寸法の凹部を得ることを特徴とする研削加工方法。 - 円盤状のウェーハの少なくとも片面を、外周部を残して該外周部の内側を研削する研削加工方法であって、
ウェーハを保持するチャックテーブルと、
前記チャックテーブルを自転可能に支持し、チャックテーブルに対してウェーハを着脱させるウェーハ着脱位置と、ウェーハを粗研削する第1の研削位置と、粗研削後のウェーハを仕上げ研削する第2の研削位置の3位置に、該チャックテーブルを位置付けるターンテーブルと、
前記チャックテーブルに保持されたウェーハの少なくとも回転中心と前記外周部の内周縁のいずれかを通過する環状の第1の砥石ホイールと、前記第1の砥石ホイールを回転させる回転駆動源とを有し、前記第1の研削位置に位置付けられたウェーハを粗研削する第1の研削手段と、
前記チャックテーブルに保持されたウェーハの少なくとも回転中心と前記外周部の内周縁のいずれかを通過する環状の第2の砥石ホイールと、該第2の砥石ホイールを回転させる回転駆動源とを有し、前記第2の研削位置に位置付けられた前記ウェーハを仕上げ研削する第2の研削手段と、
前記第1の研削手段を、前記チャックテーブルのウェーハ保持面に対して垂直な方向に移動させる第1の垂直方向移動手段と、
前記第1の研削手段と前記チャックテーブルとを、該チャックテーブルのウェーハ保持面に対して平行な方向に相対移動させる第1の平行方向移動手段と、
前記第2の研削手段を、前記チャックテーブルのウェーハ保持面に対して垂直な方向に移動させる第2の垂直方向移動手段と、
前記第2の研削手段と前記チャックテーブルとを、該チャックテーブルのウェーハ保持面に対して平行な方向に相対移動させる第2の平行方向移動手段と、
を備えるウェーハ研削加工装置を用い、複数の種類の直径の円盤状のウェーハの少なくとも片面を、外周部を残して該外周部の内側を研削し凹部を形成する加工方法において、
前記第1、第2の砥石ホイールの直径は、前記複数の種類の直径の円盤状のウェーハの内最小の直径を有するウェーハの直径の値の略二分の一に相当する値かまたはそれ以下の値であり、
前記第1、第2の研削手段によって前記第1、第2の砥石ホイールの直径の2倍よりも大きな直径を有するウェーハを加工する際には、前記第1、第2の平行方向移動手段によって前記第1、第2の研削手段と前記チャックテーブルを相対的に前記第1、第2の砥石ホイールの刃先部が前記保持手段の回転中心と前記凹部の内周側壁との二ヶ所に接するよう移動させて所望の寸法の凹部を得ることを特徴とする研削加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006314190A JP2008130808A (ja) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 研削加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006314190A JP2008130808A (ja) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 研削加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008130808A true JP2008130808A (ja) | 2008-06-05 |
Family
ID=39556344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006314190A Pending JP2008130808A (ja) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 研削加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008130808A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010074003A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置およびウエーハ研削方法 |
JP2012064735A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法 |
KR20140040011A (ko) * | 2012-09-24 | 2014-04-02 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 방법 |
JPWO2015079489A1 (ja) * | 2013-11-26 | 2017-03-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2020009955A (ja) * | 2018-07-10 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6377647A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状体の研削方法及びその装置 |
JPS63295167A (ja) * | 1988-04-27 | 1988-12-01 | Toshiba Corp | ダイヤフラムの製造方法 |
JPH0752007A (ja) * | 1993-08-19 | 1995-02-28 | Nagase Integrex:Kk | ロータリ研削盤及び研削方法 |
JP2002009022A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研削加工基板および基板の研削装置ならびに研削方法 |
JP2006237333A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの研削方法および研削装置 |
-
2006
- 2006-11-21 JP JP2006314190A patent/JP2008130808A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6377647A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状体の研削方法及びその装置 |
JPS63295167A (ja) * | 1988-04-27 | 1988-12-01 | Toshiba Corp | ダイヤフラムの製造方法 |
JPH0752007A (ja) * | 1993-08-19 | 1995-02-28 | Nagase Integrex:Kk | ロータリ研削盤及び研削方法 |
JP2002009022A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研削加工基板および基板の研削装置ならびに研削方法 |
JP2006237333A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの研削方法および研削装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010074003A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置およびウエーハ研削方法 |
JP2012064735A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法 |
KR20140040011A (ko) * | 2012-09-24 | 2014-04-02 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 방법 |
KR102104430B1 (ko) | 2012-09-24 | 2020-04-24 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 방법 |
JPWO2015079489A1 (ja) * | 2013-11-26 | 2017-03-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2020009955A (ja) * | 2018-07-10 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7110014B2 (ja) | 2018-07-10 | 2022-08-01 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4913517B2 (ja) | ウエーハの研削加工方法 | |
JP4986568B2 (ja) | ウエーハの研削加工方法 | |
JP5254539B2 (ja) | ウエーハ研削装置 | |
JP5064102B2 (ja) | 基板の研削加工方法および研削加工装置 | |
JP6157229B2 (ja) | 研削装置及び研削方法 | |
JP4916833B2 (ja) | 研削加工方法 | |
JP2008124292A (ja) | 加工装置のウエーハ位置調整治具 | |
JP2008264913A (ja) | 研削加工装置 | |
JP2009090389A (ja) | ウェーハの研削加工装置 | |
JP2010199227A (ja) | 研削装置 | |
JP2008155292A (ja) | 基板の加工方法および加工装置 | |
JP2009125915A (ja) | 研削ホイール装着機構 | |
CN108326699B (zh) | 磨削装置 | |
JP2008258554A (ja) | ウェーハの研削加工装置 | |
JP5072020B2 (ja) | 研削部材のドレス方法および研削装置 | |
JP2008130808A (ja) | 研削加工方法 | |
JP5335245B2 (ja) | ウェーハの研削方法および研削加工装置 | |
JP2008010557A (ja) | 半導体ウエーハの研磨加工方法 | |
JP2011131291A (ja) | 研削装置及び該研削装置を使用したウエーハの研削方法 | |
JP2009072851A (ja) | 板状物の研削方法 | |
JP4901428B2 (ja) | ウエーハの砥石工具、研削加工方法および研削加工装置 | |
JP2010021330A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4941636B2 (ja) | 基板の研削加工方法 | |
JP2010094789A (ja) | 研削ホイール | |
JP7413103B2 (ja) | ウェーハの研削方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120417 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120607 |