CN102376853B - 发光器件和具有该发光器件的照明*** - Google Patents

发光器件和具有该发光器件的照明*** Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种发光器件和具有该发光器件的照明***。该发光器件包括：多个金属层，其包括彼此隔开的第一金属层和第二金属层；第一绝缘膜，其被布置在该多个金属层的顶表面上，该第一绝缘膜具有比在该多个金属层之间的距离宽的宽度；发光芯片，其被布置在该多个金属层的该第一金属层上；以及树脂层，其被布置在该第一金属层、该第一绝缘膜和该发光芯片上。该第一金属层包括：第一基部，其布置在该发光芯片上；以及第一侧部，其在该第一基部的外侧部上从该第一基部弯曲。

Description

发光器件和具有该发光器件的照明***
技术领域
本发明涉及一种发光器件和具有该发光器件的照明***。
背景技术
发光二极管(LED)是一种用于将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯和白炽灯泡等的现有技术光源相比，LED具有很多优点，例如低功耗、半永久使用寿命、响应时间快、安全且环保。正在进行许多研究以利用LED替代现有光源。而且，随着该趋势，正越来越多地使用LED作为在室内和室外场所使用的各种灯及照明装置(例如液晶显示器、记分板和街灯)的光源。
发明内容
实施例涉及一种具有新颖结构的发光器件和具有该发光器件的照明***。
实施例提供了如下一种发光器件和具有该发光器件的照明***，该发光器件包括：绝缘膜，该绝缘膜用于支撑多个金属层，每个金属层均具有弯曲的外侧部分；以及发光芯片，该发光芯片电连接到所述多个金属层。
实施例提供了如下一种发光器件和具有该发光器件的照明***，在该发光器件中，引导构件布置在发光芯片周围，并且，树脂层布置在所述引导构件中。
在一个实施例中，一种发光器件包括：多个金属层，所述多个金属层包括彼此间隔开的第一金属层和第二金属层；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜布置在所述多个金属层的顶表面上，所述第一绝缘膜的宽度比所述多个金属层之间的间距宽；发光芯片，所述发光芯片布置在所述多个金属层中的第一金属层上；以及树脂层，所述树脂层布置在第一金属层、第一绝缘膜和发光芯片上，其中，所述第一金属层包括：第一基部，该第一基部布置在发光芯片上；以及第一侧部，该第一侧部在第一基部的外侧部上从所述第一基部弯曲。
在另一个实施例中，一种发光器件包括：多个金属层，所述多个金属层包括彼此间隔开的第一金属层和第二金属层；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜布置在所述多个金属层上，所述第一绝缘膜的宽度比所述多个金属层之间的间距宽；第二绝缘膜，所述第二绝缘膜围绕所述多个金属层的顶表面布置，所述第二绝缘膜连接到所述第一绝缘膜；发光芯片，该发光芯片布置在所述多个金属层中的至少一个上，所述发光芯片电连接到第一金属层和第二金属层；以及树脂层，该树脂层布置在所述多个金属层中的至少一个金属层和所述发光芯片上，其中，所述多个金属层的每一个内侧部均具有空腔，该空腔的深度比所述多个金属层的每一个外侧部的深度浅。
在另一个实施例中，一种发光器件包括：多个金属层，所述多个金属层包括彼此间隔开的第一金属层和第二金属层；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜布置在所述多个金属层上，所述第一绝缘膜的宽度比所述多个金属层之间的间距宽；第二绝缘膜，所述第二绝缘膜围绕所述多个金属层的顶表面并连接到第一绝缘膜，所述第二绝缘膜具有敞口区域，在该敞口区域中，所述多个金属层的一部分被露出；引导构件，所述引导构件布置在第二绝缘膜上；发光芯片，所述发光芯片布置在所述多个金属层中的至少一个上，所述发光芯片电连接到第一金属层和第二金属层；以及树脂层，所述树脂层布置在所述引导构件内，其中，所述多个金属层的每一个内侧部均具有空腔，该空腔的深度比所述多个金属层的每一个外侧部的深度浅。
在附图和以下描述中论述了一个或多个实施例的细节。从该描述、附图以及权利要求中，其它特征将是显而易见的。
附图说明
图1是根据第一实施例的发光器件的透视图。
图2是沿着图1的线A-A截取的侧剖视图。
图3至图7是图示了用于制造图1的发光器件的过程的视图。
图8和图9是根据第二实施例的发光器件的透视图和侧视截面图。
图10是根据第三实施例的发光器件的侧视截面图。
图11是根据第四实施例的发光器件的侧视截面图。
图12是根据第五实施例的发光器件的截面图。
图13是图12的发光器件中的金属层的透视图。
图14是根据第六实施例的发光器件的截面图。
图15是沿着图14的线B-B截取的侧剖视图。
图16是根据第七实施例的发光器件的侧视截面图。
图17是根据第八实施例的发光器件的侧视截面图。
图18是根据第九实施例的发光器件的侧视截面图。
图19是根据第十实施例的发光器件的截面图。
图20是图19的发光器件的平面图。
图21是根据第十一实施例的发光器件的侧视截面图。
图22和图23是图示了根据实施例的发光芯片的示例的视图。
图24是图示了根据实施例的显示装置的一个示例的透视图。
图25是图示了根据实施例的显示装置的另一个示例的透视图。
图26是根据实施例的灯单元的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，应当理解，当一个层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一层(或膜)、区域、垫或图案“上”或“下”时，该用语“上”和“下”包括“直接”和“间接”两种含义。此外，关于每一层“上”和“下”的参考将基于附图进行。
在各个图中，为了便于说明和清楚起见，每一个层的厚度或尺寸可以被夸大、省略或示意性地图示。在各个图中，为了便于说明和清楚起见，每一个层的厚度或尺寸可以被夸大、省略或概略地示意。
在下文中，将参考附图来描述实施例。
图1是根据第一实施例的发光器件的透视图。图2是沿着图1的线A-A截取的侧剖视图。
参见图1和图2，发光器件100包括：多个金属层111和113，所述多个金属层111和113限定了空腔A1；绝缘膜121，该绝缘膜121布置在所述多个金属层111和113之间的界面上；发光芯片145，该发光芯片145布置在所述多个金属层111和113中的一个金属层111上；以及树脂层161，该树脂层161对发光芯片145进行成型固定。
所述多个金属层111和113可以包括至少两个金属层。该至少两个金属层111和113彼此可以物理地隔开。可以使用诸如引线框架的金属板来实现金属层111和113。
所述多个金属层111和113可以由Fe、Cu、诸如Fe-Ni等的含有Fe的合金、Al、含有Al的合金、或者诸如Cu-Ni和Cu-Mg-Sn等的含有Cu的合金形成。而且，每个金属层111和113均可以设置为单层或多层。而且，在金属层111和113的顶表面和/或下表面上可以布置有由Al、Ag或Au形成的反射层或结合层。
当使用引线框架来形成金属层111和113时，则其机械强度和导热性可以很优异。另外，其热膨胀系数可以较大，可以提高机械加工性能，在重复进行弯曲操作时仅存在很小的损失，并且，可以容易地执行镀覆或焊接处理。在第一金属层111和第二金属层113的表面上可以布置有防氧化涂层，但其不限于此。
每个金属层111和113均可以具有大约15μm至大约300μm的厚度，并且该厚度优选是大约15μm至大约50μm。而且，金属层111和113可以用作：支撑框架，该支撑框架用于支撑整个发光器件；以及散热构件，该散热构件用于传递由发光芯片41产生的热量。多个金属层111和113具有彼此相同的厚度。
因为金属层111和113未设置成分离体，例如其不具有使用由聚邻苯二甲酰胺(PPA)形成的树脂基本体来固定金属层111和113的结构，所以金属层111和113的一部分可以具有弯曲形状或以预定角度弯曲。
可以在多个金属层111和113的每一个中限定有空腔A1。空腔A1可以相对于金属层111和113的外侧顶表面具有例如大约350μm或更深的预定深度H1。
多个金属层111和113包括第一金属层111和第二金属层113。通过对金属层111和113的母板(original plates)执行蚀刻处理或切割处理来划分第一金属层111和第二金属层113。
在第一金属层111和第二金属层113中的每一个金属层的内侧限定的空腔A1可以具有敞口的上侧。当从上侧看时，空腔A1可以具有多边形形状或圆形形状。而且，在第一金属层111和第二金属层113中的每一个金属层的内侧限定的空腔A1除了敞口的上侧之外、还可以具有敞口的侧表面，但其不限于此。
在第一金属层111和第二金属层113之间对应的区域可以彼此通过分离部119物理地隔开。例如，分离部119可以具有在与z轴方向相同的方向上的线性形状或多边形形状。分离部119可以在第一金属层111和第二金属层113之间具有恒定宽度或者根据区域而具有彼此不同的宽度。而且，分离部119可以具有线性形状或弯曲形状，但其不限于此。
第一金属层111和第二金属层113可以彼此间隔开大约10μm的距离。由于该距离，可以防止两个金属层111和113彼此电短路。
第一金属层111或第二金属层113可以具有多边形外形。替代地，第一金属层111或第二金属层113可以具有球状外形。
第一金属层111包括基部111A、侧部111B和外侧部分111C。第二金属层113包括基部113A、侧部113B和外侧部分113C。每个金属层111和113的Z轴方向上的长度均可以比X轴方向上的宽度宽。
第一金属层111的基部111A和第二金属层113的基部113A可以是结合到电路板的结合部。可以向每一个基部111A和113A供应电力。发光芯片145可以安装在第一金属层111的基部111A上。发光芯片145可以被芯片结合(die-bonded)到第一金属层111的基部111A，并且电连接到第一金属层111的基部111A。而且，发光芯片145可以通过电线152连接到第二金属层113。
第一金属层111的侧部111B和第二金属层113的侧部113B可以沿着空腔A1的Z轴和X轴方向而彼此面对。第一金属层111的侧部111B和第二金属层113的侧部113B可以相对于围绕发光芯片145的倾斜表面而彼此对应。
第一金属层111的Z轴方向上的两个侧部111B可以彼此面对。而且，第二金属层113的Z轴方向上的两个侧部113B可以彼此面对。
如图2所示，第一金属层111的侧部111B和第二金属层113的侧部113B能够相对于基部111A和113A的延长线以例如大约15°至大约90°的预定角度θ1倾斜地延伸。
第一金属层111的外侧部分111C和第二金属层113的外侧部分113C可以从各自的侧部111B和113B向外水平地延伸。第一金属层111的外侧部分111C和第二金属层113的外侧部分113C可以布置成与安装在发光芯片145上的基部111A和113A的延长线平行。因为第一金属层111的外侧部分111C及第二金属层113的外侧部分113C与发光器件100的基部111A和113A间隔开，所以可以限定有预定的外部空间S1。该外部空间S1可以有效释放从侧部111B和113B传递的热量。
第一金属层111的外侧部分111C和第二金属层113的外侧部分113C可以从基部111A和113A呈阶状，以在发光器件100的外周上提供具有多边形外周的顶表面。在本实施例中，除了多边形形状以外，空腔A1还可以具有圆形形状，但其不限于此。
第一金属层111和第二金属层113的顶表面、下表面和侧表面中的至少一个可以具有非平坦结构。由于该非平坦结构，可以增大金属层111和113的表面积，以提高热效率。
绝缘膜121附接到第一金属层111的顶表面和第二金属层113的顶表面。绝缘膜121可以附接到第一金属层111和第二金属层113的在此处彼此对应的区域的顶表面上。例如，绝缘膜121的宽度比彼此相邻的两个金属层111和113之间的分离部119的宽度宽，并且绝缘膜121附接到金属层111和113的顶表面。因此，绝缘膜121可以使金属层111和113之间的距离保持为预定值，以支撑并固定金属层111和113。绝缘膜121覆盖在金属层111和113之间布置的分离部119。在该情况下，可以在通过分离部119来形成树脂层161的处理中防止液体树脂材料泄漏。
绝缘膜121可以延伸到金属层111和113的侧部111B和113B以及外侧部分111C和113C。
第二绝缘膜121的宽度W1可以比第一金属层111和第二金属层113之间的间距或者比分离部119的宽度宽。例如，绝缘膜121可以具有几μm或更大的宽度，并且优选具有大约20μm或更大的宽度。
绝缘膜121可以包括光透射膜或非光透射膜。例如，绝缘膜121可以包括聚酰亚胺(PI)膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯脂(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纤维素(TAC)膜、聚酰胺-酰亚胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、全氟烷氧基(PFA)膜、聚苯硫醚(PPS)膜、以及树脂膜(PE、PP和PET)。
在绝缘膜121与金属层111、113之间可以布置有粘合层。该粘合层可以将绝缘膜121附接到金属层111和113。替代地，绝缘膜121可以包括粘合层，例如双面胶带或单面胶带。
绝缘膜121可以由具有预定的反射指数的材料形成，例如大约30％或更大的反射指数。绝缘膜121的反射特性可以提高该发光器件内的表面反射效率。
而且，每一个绝缘膜121均可以具有光学功能。在此，该光学功能可以是如下膜的功能：即，具有大约50％或更大反射率的光透射膜，优选是具有大约70％反射率的膜。
绝缘膜121可以包括磷光体。该磷光体可以涂覆在绝缘膜121的每一个顶表面或下表面上或者添加到绝缘膜121内。该磷光体可以包括YAG基磷光体、硅酸盐基磷光体和氮化物基磷光体中的至少一种。该磷光体可以具有基于可见光的波长，例如红光、黄光或绿光波长。而且，绝缘膜121可以实现为磷光体膜。该磷光体膜可以吸收从发光芯片145发射的光，以发出具有另一不同波长的光。
而且，绝缘膜121可以包括防潮膜。该防潮膜可以防止湿气渗入，以防止第一金属层111和第二金属层113被氧化和电短路。
绝缘膜121可以使用膜系列(film series)。例如，绝缘膜121的顶表面、下表面和侧表面的一部分可以具有非平坦结构，但其不限于此。
绝缘膜121的厚度可以比每个金属层111和113的厚度厚。例如，绝缘膜121可以具有大约30μm至大约500μm的厚度，并且优选具有大约40μm至大约60μm的厚度。
发光芯片145可以布置在第一金属层111上，并且电连接到第一金属层111和第二金属层113。
发光芯片145可以是具有可见光波长带并且发射红光、绿光、蓝光或白光的发光二极管或者具有紫外光(UV)波长带的发光二极管，但其不限于此。
发光芯片145可以实现为横向型芯片或竖直型芯片，在横向型芯片中，两个电极彼此平行地布置，在竖直型芯片中，两个电极布置在彼此相反的两侧。横向型芯片可以连接到至少两根电线，而竖直型芯片可以连接到至少一根电线152。虽然图1和2中示出了竖直型芯片，但本公开不限于此。
发光芯片145可以使用导电粘合剂来粘附到第一金属层111。在此，当发光芯片145的下部布置有电极时，该导电粘合剂可以粘附并因此电连接到第一金属层111。
发光芯片145被芯片结合到第一金属层111，并且通过电线152连接到第二金属层113。而且，发光芯片145能够以倒装芯片的方式电连接到第一金属层111和第二金属层113。虽然发光芯片145布置在第一金属层111上，发光芯片145也可以布置在第二金属层113上，但其不限于此。
在此，发光芯片145可以具有大约80μm或更大的厚度。电线152的最高点可以布置在比发光芯片145的顶表面高大约100μm以上的位置。
在发光芯片145的顶表面上可以涂覆有磷光体层。该磷光体层可以布置在发光芯片145的顶表面内。
在第一金属层111和第二金属层113中的至少一个金属层的上方或下方可以布置有保护装置。诸如齐纳二极管或瞬变电压抑制器(TVS)二极管的器件可以用作该保护装置。而且，该保护装置可以电连接到发光芯片145，并且在电路方面保护该发光芯片145。该保护装置可以连接到第一金属层111和第二金属层113，并且与发光芯片145并联。因此，该保护装置可以针对施加给发光芯片145的异常电压来保护发光芯片145。该保护装置也可以省略。
树脂层161可以布置在第一金属层111和第二金属层113的空腔A1的区域中，以密封该发光芯片145。树脂层161可以由诸如硅或环氧树脂等的透明树脂基材料形成。
树脂层161可以具有大约80μm至大约500μm的厚度。树脂层161可以设置为单层或多层。当树脂层161具有多层结构时，最下一层可以具有小于大约80μm的厚度。
当树脂层161具有多层结构时，树脂层161可以由彼此相同的材料或彼此不同的材料堆叠而成。替代地，所述多个层可以按照下述顺序来堆叠：从具有低硬度的材料到具有高硬度的材料，或者从具有高反射指数的材料到具有低反射指数的材料。
树脂层161可以包括磷光体。该磷光体可以包括具有诸如黄光、绿光或红光等可见光的波长带的磷光体中的至少一个。树脂层161可以分为透明树脂层和磷光体层。该透明树脂层和磷光体层可以彼此堆叠以形成树脂层161。在树脂层161的上方/下方可以布置有磷光体膜，例如光致发光膜(PLF)，但其不限于此。
树脂层161可以具有如图2所示的平坦顶表面。对于另一示例来说，树脂层161可以具有凹透镜形状或凸透镜形状的顶表面。树脂层161还可以布置在第一金属层111的外侧部分111C和第二金属层113的外侧部分113C上，但其不限于此。
在树脂层161上可以布置有透镜。该透镜可以具有凸透镜形状、凹透镜形状或凸凹透镜形状。而且，该透镜可以接触树脂层161的顶表面或与该顶表面隔开，但其不限于此。
图3至图8是图示了用于制造图1的发光器件的过程的视图。
参见图3，金属层110可以具有足以制造如图1所示的一个发光器件的尺寸。替代地，金属层110具有如下尺寸：该尺寸具有条形形状并且足以制造在第一方向(水平方向或竖直方向)上排列的多个发光器件，或者具有矩阵形式并且足以制造在水平方向和竖直方向上排列的多个发光器件。而且，在其上制造多个发光器件的金属层可以切割为含有单个发光器件或含有两个或更多个发光器件的单元。在下文中，为了描述本实施例，将把用于制造一个发光器件的金属层作为示例来描述。
例如，金属层110可以实现为金属板，例如引线框架。金属层110可以由Fe、Cu、诸如Fe-Ni的含有Fe的合金、含有Al的合金、或者诸如Cu-Mg-Sn的含有Cu的合金形成。金属层110可以形成为单层或多层。而且，在金属层110的顶表面和/或下表面上可以形成有由Al、Ag、Au或阻焊剂形成的反射层或结合层。可以在形成绝缘膜之前或之后执行金属层的镀覆处理或涂覆处理。
金属层110可以具有均一的厚度。例如，金属层110可以具有大约15μm至大约300μm的厚度。因此，金属层110可以用作支撑框架，以支撑整个发光器件。在该支撑框架结构中，诸如由聚邻苯二甲酰胺(PPA)和金属层110形成的树脂基本体的分离体不是注射成型的。因此，金属层110的一部分能够以预设的角度弯曲。
如图3(a)所示，可以通过使用冲压设备、在具有预定尺寸的平板上执行冲压处理来在金属层110中形成图3(b)中的空腔A1。空腔A1可以相对于其顶侧具有预定深度H1。而且，空腔A1可以具有阶梯形状。
金属层110包括基部110A、侧部110B和外侧部分110C。基部110A限定了金属层110的空腔A1的下表面。侧部110B从基部110A以预定角度倾斜延伸，以覆盖空腔A1的周边。外侧部分110C从侧部110B向外弯曲。
金属层110的侧部110B可以覆盖基部110A的所有侧方向，或者可以覆盖两个侧方向并敞开其余的方向。金属层110可以具有多边形形状的空腔A1。在该情况下，空腔A1可以具有较窄的下部宽度和较宽的上部宽度。对于另一示例来说，金属层110可以具有圆形形状或椭圆形状的空腔A1，但其不限于此。
金属层110的空腔A1可以具有比外侧部分相对凹陷的凹部结构。
参见图3和图4，在金属层110的顶表面上形成有绝缘膜121。绝缘膜121可以沿着中心区域的第一方向附接到金属层110的顶表面。而且，绝缘膜121可以沿着金属层110的基部110A、侧部110B和外侧部分110C布置。绝缘膜121可以沿着用于划分该金属层110的区域的顶表面进行附接。
在粘合层被涂覆在金属层110上之后，可以将绝缘膜121附接到金属层110。在绝缘膜121的粘合处理中，绝缘膜121附接到金属层110，然后，在预定温度下执行层叠处理，以将绝缘膜121附接到金属层110。在此，虽然绝缘膜121附接到金属层110的顶表面，但金属层110也可以附接到绝缘膜121的顶表面。所述处理的顺序可以改变。
绝缘膜121可以具有预定厚度，例如大约30μm至大约500μm的厚度。替代地，绝缘膜121的厚度可以比金属层110的厚度厚。
绝缘膜121可以是具有绝缘属性的膜。而且，绝缘膜121可以选择性地包括具有光学功能、导热功能和防潮功能的膜。绝缘膜121可以形成为具有诸如双面胶带或单面胶带等的粘合层的膜。当绝缘膜121由光透射材料形成时，绝缘膜121可以包括磷光体和/或分散剂。该磷光体或分散剂可以涂覆在绝缘膜121的表面上或者添加到绝缘膜121内。替代地，绝缘膜121可以是具有预定反射指数的膜，例如大约30％或更大的反射特性。
例如，绝缘膜121可以印刷或涂覆有诸如氧化物或氮化物的绝缘材料，该氧化物例如是蓝宝石(Al2O3)、SiO2、SiOx或SiOxNy。在该情况下，固化的绝缘膜121可以由柔性或具有预定粘性的材料形成。
绝缘膜121可以具有至少20μm或更大的宽度W1。绝缘膜121可以具有足以支撑被分开的金属层的宽度W1。可以进一步加宽该绝缘膜121的宽度W1的一部分。绝缘膜121可以具有与金属层110的侧面基本相同的长度，但其不限于此。
参见图4和图5，图4的金属层110可以划分为多个金属层111和113。
在此，在用于划分金属层110的处理中，例如，在激活引线框架的表面之后，可以涂覆光刻胶，可以执行曝光处理，并且可以执行显影处理。当完成显影处理时，可以执行蚀刻处理来划分出所需要的区域，并且剥离光刻胶。之后，可以在金属层的表面上执行镀Ag处理，以将金属层的表面处理为可结合的表面。
然后，将图4的金属层110反转，并且在处于与图5所示的状态相同的状态下的金属层的顶表面、即与绝缘膜121附接到其上以将金属层110划分为两个金属层111和113的表面相反的表面上执行蚀刻处理。金属层111和113的划分区域可以由分离部119限定，并且与绝缘膜121的中心区域交迭。在此，绝缘膜121可以支撑被划分的金属层111和113之间的界面的顶表面，并且恒定地保持该第一金属层111和第二金属层113之间的分离部119。
第一金属层111和第二金属层113之间的分离部119可以具有大约10μm或更大的距离。该距离可以小于绝缘膜121的宽度W1。
虽然在本实施例中、绝缘膜121和分离部119中的每一个均具有线性形状，但绝缘膜121和分离部119中的每一个也可以具有半球形形状、多边形形状、对角线形状、以及直线和曲线的混合形状，然而其不限于此。
参见图6和图7，发光芯片145可以安装在第一金属层111上并且电连接到第一金属层111和第二金属层113。
发光芯片145可以实现为横向型芯片或竖直型芯片，在横向型芯片中，两个电极彼此平行地布置，在竖直型芯片中，两个电极布置在彼此相反的两侧。发光芯片145可以通过导电粘合剂来粘附到第一金属层111。而且，发光芯片145可以电连接第一金属层111并且通过电线152连接到第二金属层113。
发光芯片145可以是具有可见光波长带并且发射红光、绿光、蓝光或白光的发光二极管或者具有紫外光波长带的发光二极管，但其不限于此。在此，发光芯片145可以具有80μm或更大的厚度。电线152的最高点可以布置在比发光芯片145的顶表面高大约40μm或更大的位置。
树脂层161可以布置于在第一金属层111和第二金属层113的每一个中限定的空腔A1中。树脂层161可以由诸如硅或环氧树脂的透明树脂基材料形成。
树脂层161可以具有大约80μm至大约500μm的厚度。树脂层161可以设置为单层或多层。当树脂层161具有多层结构时，最下一层可以具有小于大约80μm的厚度。当树脂层161具有多层结构时，树脂层161可以由彼此相同的材料或彼此不同的材料堆叠而成。替代地，可以按照从具有低硬度的材料至具有高硬度的材料的顺序来堆叠该多层，或者反过来。
树脂层161的顶表面的一部分可以高于绝缘膜121的顶表面。而且，树脂层161可以布置在足以覆盖电线152的高度处，但其不限于此。
树脂层161可以包括磷光体。磷光体可以包括具有诸如黄光、绿光或红光等可见光的波长带的磷光体中的至少一个。树脂层161可以分为透明树脂层和磷光体层。该透明树脂层和磷光体层可以彼此堆叠以形成树脂层161。在树脂层161的上方/下方可以布置有磷光体膜，例如光致发光膜(PLF)，但其不限于此。
在树脂层161上可以布置有透镜。该透镜可以具有凸透镜形状、凹透镜形状或凸凹透镜形状，但其不限于此。而且，该透镜可以接触树脂层161的顶表面或与该顶表面隔开，但其不限于此。
图8和图9是根据第二实施例的发光器件的透视图和侧视截面图。在第二实施例的说明中，将参考第一实施例来描述与第一实施例的部分相同的部分。
参见图8和图9，在该发光器件中，第一绝缘膜122布置在彼此相邻的第一金属层111和第二金属层113所彼此对应的区域上。而且，沿着第一金属层111的顶表面和第二金属层113的顶表面布置有第二绝缘膜122A。第二绝缘膜122A从第一绝缘膜122延伸。而且，第二绝缘膜122A可以沿着第一金属层111的外侧部分111C的顶表面和第二金属层113的外侧部分113C的顶表面布置成环形形状或圈状形状。第二绝缘膜122A的宽度可以与金属层111的外侧部分111C及金属层113的外侧部分113C中的每一个外侧部分相同，或者小于金属层111的外侧部分111C及金属层113的外侧部分113C中的每一个外侧部分。第二绝缘膜122A与第一绝缘膜122可以一起支撑并固定两个金属层111和113。
第一绝缘膜122和第二绝缘膜122A可以在第一金属层111和第二金属层113之间粘附到基部111A和113A的顶表面以及外侧部分111C和113C的顶表面，以支撑和固定这两个金属层111和113之间的间隙。
第二绝缘膜122A可以围绕两个金属层111和113的顶表面布置，以防止树脂层161溢出。而且，树脂层161的外周可以低于第二绝缘膜122A的顶表面，但其不限于此。
因为绝缘膜122和122A使用绝缘膜系列来粘附，所以绝缘膜122和122A可以粘附到除了上述区域之外的其它区域。
图10是根据第三实施例的发光器件的侧视截面图。
参见图10，该发光器件包括在第二绝缘膜122A上的引导构件131。引导构件131沿着第二绝缘膜122A的顶表面布置。例如，第二绝缘膜122A和引导构件131中的每一个均可以具有环形形状或圈状形状，以覆盖树脂层161的外周。
引导构件131具有比第二绝缘膜122A的宽度小的宽度，并且在第二绝缘膜122A的厚度方向上突出。引导构件131可以具有大约15μm至大约500μm的厚度。而且，引导构件131可以具有与每一个绝缘膜122和122A相同或不同的厚度。
在此，可以执行印刷处理、涂覆处理或膜粘合处理之一来形成引导构件131。在印刷处理中，可以在除了要印刷的区域之外的区域上执行掩膜处理，并且可以执行丝网印刷处理以形成引导构件131。在涂覆处理中，可以涂覆反射性材料，以形成引导构件131。在膜粘合处理中，可以粘附诸如反射片的膜以形成引导构件131。在此，可以考虑到由于引线结合(wire bonding)或回流焊工艺(reflow process)引起的热特性来选择引导构件131和绝缘膜122、122A的材料。
可以以印刷的方式来制造引导构件131。引导构件131可以由诸如阻焊剂的树脂材料或诸如焊膏的导电材料形成。阻焊剂可以具有白颜色以有效反射入射光。而且，引导构件131可以由诸如Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金或Au合金的高反射性材料形成。该反射性材料可以设置为单层或多层。而且，可以在金属种子层上、例如在诸如Ag、Al或Ni的材料上执行镀覆处理，以形成引导构件131。
而且，引导构件131可以由非金属材料形成。该非金属材料可以包括白色树脂，例如，含有TiO2的树脂材料、含有玻璃纤维的树脂材料(例如，PPA)、或聚合材料(硅基材料或环氧树脂基材料)。当引导构件131具有绝缘特性和反射特性时，可以不需要分离的绝缘膜，但其不限于此。
引导构件131可以由金属或非金属材料形成，该金属或非金属材料具有大约50％或更大的反射特性，并且优选具有大约90％或更大的反射特性。
当引导构件131由导电材料形成时，引导构件131可以与金属层111、113隔开。即，引导构件131可以布置成使得引导构件131不从第二绝缘膜122A的顶表面出来，以防止引导构件131电短路。引导构件131可以延伸到第一绝缘膜122上，但其不限于此。
引导构件131可以具有环形形状或圈状形状。而且，引导构件131可以具有连续或不连续的形状。在此，当引导构件131具有不连续形状时，引导构件131可以接触第一金属层111和第二金属层113之一。
引导构件131可以是用作反射构件或堤坝的阻挡件。而且，引导构件131可以由其反射特性比绝缘膜122和122A的反射特性优良的材料形成。
树脂层161可以具有使树脂层161接触引导构件131的内表面的高度。而且，树脂层161可以具有凸形表面，但其不限于此。树脂层161可以设置为单层或多层。而且，树脂层161可以具有如下表面：在该表面上可以布置有凹形部分和/或凸形部分。
图11是根据第四实施例的发光器件的侧视截面图。
参见图11，在该发光器件中，在第一金属层111的内侧限定有空腔A1。第二金属层113对应于第一金属层111的外侧部分111C的一个侧表面。第一金属层111的基部111A可以是结合区域。侧部111B可以从基部111A朝向两侧、三侧或四侧倾斜延伸。外侧部分111C从侧部111B延伸。
第二金属层113对应于第一金属层111的外侧部分111C的至少一侧。第一绝缘膜122布置在位于第一金属层111的外侧部分111C和第二金属层113之间的区域上。第一绝缘膜122附接到位于第一金属层111和第二金属层113之间的界面的顶表面处，以保持这两个金属层111和113之间的距离并支撑这两个金属层111和113。
第二金属层113的另一端延伸到竖直向下弯曲的侧部113F和水平基部113G。第二金属层113的基部113G可以用作提供第二电源的端子。
第二金属层113通过电线152连接到在第一金属层111的基部111A上布置的发光芯片145。电线152可以与发光芯片145的顶表面具有预定的高度差，并且结合到第二金属层113。
第一绝缘膜122附接到位于第一金属层111和第二金属层113之间的界面，并且第二绝缘膜122A附接在第一金属层111的外侧部分111C和第二金属层113的顶表面周围。第一绝缘膜122和第二绝缘膜122A可以彼此连接。
在第二绝缘膜122A上布置有引导构件131。引导构件131可以由反射性材料形成。引导构件131可以由在上述内容中公开的材料形成。
在第一金属层111和第二金属层113的每一个中限定的空腔A1中可以成型有树脂层161B。引导构件131可以防止树脂层161B溢出。树脂层161B可以具有与引导构件131的顶表面齐平的周边。而且，树脂层161B可以具有平坦表面或具有凹形形状或凸形形状的表面。
图12是根据第五实施例的发光器件的侧视截面图。图13是图示了在图12的金属层上布置有绝缘膜的状态的透视图。
参见图12，在发光器件中，至少两个金属层111和113中的一个金属层可以用作光泄漏阻挡层。
第一金属层111包括挡光部111H。挡光部111H可以在与第二金属层113对应的侧的相反侧、相对于第一金属层111的下表面以例如大约70°至大约120°的预定角度θ2弯曲。
第一金属层111的挡光部111H可以反射光。因此，当如图24所示地布置多个发光器件时，第一金属层111的挡光部111H可以接触导光板1041的顶表面，以防止光在导光板1041和发光器件之间泄漏。第一金属层111的挡光部111A可以阻挡从发光芯片145发射的光，以防止光在图24的背光单元中泄漏。
第一绝缘膜122附接到第一金属层111和第二金属层113之间的顶表面。第二绝缘膜122A围绕第一金属层111的顶表面和第二金属层113的顶表面布置，并因此连接到第一绝缘膜122。发光芯片145布置在第一绝缘膜122和第二绝缘膜122A之间的第一金属层111上，并且电线152结合到第二金属层113。引导构件131布置在第二绝缘膜122A上。树脂层161成型于引导构件131的内部区域。
第二绝缘膜122A和引导构件131中的每一个均可以具有围绕第一金属层111的顶表面及第二金属层113的顶表面的环形形状。而且，第二绝缘膜122A和引导构件131中的每一个均可以具有连续或不连续的形状。而且，第二绝缘膜122A和引导构件131中的每一个均可以具有带非平坦结构的顶表面。
引导构件131的上端可以比第一金属层111的挡光部111H的上端低。
第二绝缘膜122A和引导构件131中的每一个的内部区域可以是敞口区域，在该敞口区域中，其内部被暴露。
图13是图示了在图12的金属层上布置有绝缘膜的状态的透视图。
参见图12和图13，绝缘膜122和122A附接到第一金属层111的顶表面和第二金属层113的顶表面。图12的第二绝缘膜122A的内部区域A3可以被第一绝缘膜122划分为第一金属层111的内部区域A11和第二金属层113的内部区域A12。在此，虽然每个内部区域A11和A12均具有方形形状，但每个内部区域A11和A12也可以具有圆形形状或多边形形状。而且，第一金属层111的内部区域A11可以具有足以结合发光芯片的尺寸，例如与发光芯片间隔开几毫米或更小距离的尺寸。第二金属层113的内部区域A13可以是敞口的，以允许结合电线。
在挡光部111H从第一金属层111弯曲的部分中可以限定有至少一个孔105。孔105可以设置为多个。所述多个孔可以沿着该弯曲部分彼此隔开一段预定距离。当挡光部111H从第一金属层111弯曲时，挡光部111H可以通过孔105容易地弯曲。对于另一个示例来说，可以在第一金属层111和挡光部111H之间的弯曲部分中限定有凹槽，以允许挡光部111H容易地弯曲。
图14是根据第六实施例的发光器件的侧视截面图。图15是沿着图14的线B-B截取的侧剖视图。
参见图14，发光器件包括挡光部111H和113H，其中，金属层111和113的外侧部分相对于内侧部竖直地弯曲。挡光部111H和113H可以将入射光反射到发光芯片141的两侧或所有侧。
例如，第一金属层111的挡光部111H和第二金属层113的挡光部113H可以对应于发光芯片141，并且挡光部111H和113H的上部可以布置在比树脂层163的最高点高的位置，以防止光在侧向上泄漏。
根据本实施例，第一金属层111的外侧部分和第二金属层113的外侧部分可以竖直地弯曲，因此可以用作挡光部111H和113H。因此，这些外侧部分可以接触图24的背光单元的导光板1041的顶表面和下表面。在此，该发光器件的挡光部111H和113H可以有效阻挡朝向该导光板(参见图24的附图标记1041)的上侧和下侧泄漏的光。
而且，第一绝缘膜122附接到位于第一金属层111和第二金属层113之间的顶表面。第二绝缘膜122A围绕第一金属层111和第二金属层113的平坦顶表面布置，以支撑这两个金属层111和113。
第二绝缘膜122A可以防止用于模制该发光芯片141的树脂层163溢出。
图15是沿着图14的线B-B’截取的剖视图，并且图示了第一金属层111的另一侧。
参见图15，第一金属层111的另一个外侧部分可以是平坦的，而未设置有诸如挡光部111H的突出结构。第二绝缘膜122A围绕树脂层153布置。在此，除了平坦结构以外，第一金属层111的另一个外侧部分也可以具有倾斜结构。替代地，第一金属层111的另一个外侧部分能够以比挡光部111H的高度小的高度突出。第二金属层113的另一个外侧部分的描述可参考第一金属层113的另一个外侧部分的描述。
图16是根据第七实施例的发光器件的侧视截面图。
参见图16，发光器件包括在第一金属层111的外侧部分和第二金属层113的外侧部分上具有三角形或半球形状的侧部结构。外侧部分111E和113E可以分别实现为平板。
第一金属层111的侧部111D可以包括：第一倾斜表面，该第一倾斜表面相对于安装有发光芯片145的表面倾斜；以及第二倾斜表面，该第二倾斜表面相对于第一倾斜表面以内角θ3弯曲，即以大约180°或更小的角度弯曲。侧部111D的截面具有三角形形状。除了三角形形状以外，侧部111D的截面也可以具有多边形形状或半球形形状，但其不限于此。
除了侧部111D以外，第一金属层111的外侧部分111E可以与安装有发光芯片145的表面齐平。替代地，外侧部分111E可以布置在比安装有发光芯片145的表面的位置高或低的位置。
第二金属层113的侧部113D和外侧部分113E可以具有与第一金属层111的侧部111D和外侧部分111E的结构对称的结构。因此，第二金属层113的描述可参考第一金属层111的描述。
在第一金属层111的侧部111D和第二金属层113的侧部113D中限定的内角可以反射从发光芯片145发射的光，以实现具有期望的方位分布的角度。
而且，第一金属层111的侧部111D和第二金属层113的侧部113D可以提高该发光器件的强度。
第二绝缘膜122A和引导构件123中的每一个均可以具有围绕第一金属层111的顶表面及第二金属层113的顶表面的环形形状。而且，第二绝缘膜122A和引导构件131中的每一个均可以具有连续或不连续的形状。而且，第二绝缘膜122A和引导构件131中的每一个均可以具有带非平坦结构的顶表面。
绝缘膜123可以连接到第一绝缘膜122，该第一绝缘膜122附接到位于第一金属层111和第二金属层113之间的界面的顶表面。
树脂层162布置在第一金属层111的内侧部及第二金属层113的内侧部上，以密封该发光芯片145。在此，第一金属层111的侧部111D和第二金属层113的侧部113D可以防止树脂层162溢出。可以以滴涂工艺(dispensing process)或传递成型工艺(transfer molding proces)来形成树脂层162。
在树脂层162的上部中心区域中限定有凹形部分168。凹形部分168可以在发光芯片145上朝向发光芯片145凹陷。凹形部分168可以具有向下逐渐变细的形状，例如锥形或柱形形状。凹形部分168的最大宽度可以比发光芯片145的宽度大。在树脂层162的凹形部分168中可以布置有预定的反射性材料169。反射性材料169可以包括诸如TiO2或SiO2的散射剂或漫射剂。反射性材料169可以对入射到凹形部分168内的光进行反射，以防止以如图23所示的顶视图方式在从该发光器件发射的光的分布中出现热点形式(hot spots form)。
图17是根据第八实施例的发光器件的侧视截面图。
参见图17，该发光器件具有如下结构：第一金属层112的外侧部分和第二金属层114的外侧部分相对于安装有发光芯片145的表面向下呈阶梯状。
第一金属层112的外侧部分包括：侧部112A，其从第一金属层112的内侧部、即安装有发光芯片的部分向下竖直弯曲；以及水平外侧部分112B，其从侧部112A向外弯曲。因为第二金属层114的侧部114A及外侧部分114B与第一金属层112的侧部112A及外侧部分112B对称，所以第二金属层114的侧部114A和外侧部分114B的描述可参见第一金属层112的描述。
第一金属层112的外侧部分112B和第二金属层114的外侧部分114B布置成与安装有发光芯片145的基部平行。
第一金属层112的侧部112A和第二金属层114的侧部114A彼此对应地布置在比发光芯片145的位置低的位置。
发光芯片145布置在第一金属层112的内侧部上。而且，发光芯片145通过电线152连接到第二金属层114的内侧部。
金属层112和114的内侧部之间的高度差H1可以比发光芯片145的厚度厚。因为，由该高度差H1产生的空间设置在发光芯片145之下，所以可以提高热效率。
金属层112的外侧部分112B和金属层114的外侧部分114B分别可以是结合区域。
在此，金属层112的外侧部分112B和金属层114的外侧部分114B可以设置在该发光器件的两侧或所有侧。因此，可以根据外侧部分112B和114B的形状来改变第二绝缘膜123的附接区域。例如，可以沿着金属层112和114的侧部112A及内侧部来附接第一绝缘膜122和第二绝缘膜123。
而且，第一金属层112的侧部和第二金属层114的侧部可以从外侧部分112B和114B向上突出。因为在发光芯片145周围未设置有挡光部，所以能够以大约180°±10°的定向分布来辐射从发光芯片145发射的光。
第一绝缘膜122可以附接到彼此对应的第一金属层112的顶表面和第二金属层114的顶表面。第二绝缘膜123可以附接到第一金属层112和第二金属层114的外侧部分112B和114B的顶表面。因此，第一绝缘膜122和第二绝缘膜123可以维持该第一金属层112和第二金属层114之间的距离并支撑该发光器件。
第二绝缘膜123可以具有围绕所述多个金属层112和114的顶表面的外侧部分的环形形状或圈状形状。第二绝缘膜123可以连接到第一绝缘膜122或者与第一绝缘膜122分离，但其不限于此。
树脂层163布置在第一金属层112和第二金属层114上，以覆盖发光芯片145和第一绝缘膜122、第二绝缘膜123。能够以传递成型工艺来制造树脂层163。而且，在树脂层163的表面上可以布置具有非平坦形状的图案163A。
图18是根据第九实施例的发光器件的侧视截面图。
参见图18，该发光器件包括三个金属层。这三个金属层包括第三金属层115、第一金属层111和第二金属层113，该第三金属层115是吸热框架。
第三金属层115在其中心区域中具有空腔A1。该空腔可以由相对于平坦的基部115A倾斜的侧部115B限定。侧部115B可以布置在基部115A的两个侧表面或所有侧表面上。侧部115B的端部包括水平布置的外侧部分115C。
在第三金属层115的两侧布置的外侧部分115C可以分别对应于第一金属层111和第二金属层113。
第一绝缘膜125附接到如下区域，在该区域上，第三金属层115的外侧部分115C、第一金属层111及第二金属层113彼此对应。第二绝缘膜125A能够以框架形状、环形形状或圈状形状、围绕第一金属层111的周边的顶表面及第二金属层113的周边的顶表面附接。第二绝缘膜125A可以连接到第一绝缘膜125。在该情况下，第二绝缘膜125A可以从第一金属层111的顶表面及第二金属层113的顶表面延伸到第三金属层115的顶表面。
发光芯片141布置在第三金属层115的基部115A上。而且，发光芯片141可以布置在空腔A1内。
第一金属层111和第二金属层113分别通过第一绝缘膜125和第二绝缘膜125A之间的敞口区域A2来暴露。第一金属层111和第二金属层113的敞口区域A2可以布置在与空腔A1彼此相反的侧。布置在敞口区域A2上的第一金属层111和第二金属层113可以分别通过电线151和152连接到发光芯片141。
树脂层161可以被成型以密封该发光芯片141以及电线151、152。树脂层161可以具有凸形表面，但其不限于此。
在第二绝缘膜125A的顶表面上可以进一步布置有由反射性材料形成的引导构件。该引导构件可以具有环形形状、框形形状或圈状形状。
该发光器件包括第三金属层115，第三金属层115是吸热板且在其中心侧上向下突出。而且，该发光器件包括从第三金属层115呈阶梯状向上的第一金属层111和第二金属层113。因此，可以在发光模块的要与第一金属层111、第二金属层113结合的电路板(PCB)中进一步限定有用于接纳第三金属层115的孔。
图19是根据第十实施例的发光器件的侧视截面图。图20是图19的发光器件的平面图。
参见图19，该发光器件通过第一金属层111、第二金属层113和第三金属层115而具有空腔A1。第一金属层111和第二金属层113布置在第三金属层115的两侧而彼此对应。如图20所示，第一金属层111和第二金属层113的基部111A和113A、侧部111B和113B以及外侧部分111C和113C布置在第三金属层115的两侧。第三金属层115可以沿着Z轴方向对应于第一金属层111和第二金属层113。
第一金属层111的基部111A和第二金属层113的基部113A可以与第三金属层115的顶表面齐平。
在第三金属层115与第一金属层111、第二金属层113之间的顶表面上布置有绝缘膜125b。如图20所示，绝缘膜125B可以延伸到在Z轴方向上布置的第一金属层111的外侧部分111C和第二金属层113的外侧部分113C，并且绝缘膜125B具有环形形状。
发光芯片141安装在第三金属层115上。而且，第三金属层115通过电线151和152连接到第一金属层111和第二金属层113。图19所示的结构可以被适用于图12和图14所示的结构，因此可以提供挡光部。
如图20所示，第一金属层111的外侧部分111C和第二金属层113的外侧部分113C可以彼此分离地布置在各个方向上，例如X轴和Z轴方向。因此，在第一金属层111的外侧部分111C和第二金属层113的外侧部分113C之间可以布置有切除区域C1。
图21是根据第十一实施例的发光器件的侧视截面图。
参见图21，该发光器件的第一金属层116和第二金属层117可以分别包括挡光部116A和117A。挡光部116A和117A可以相对于安装有发光芯片145的表面竖直弯曲，并且布置成彼此面对。挡光部116A和117A可以具有在内部区域A5中以预定角度θ4弯曲的上端116B和117B。挡光部116A和117A的上端116B和117B可以具有大约100°至大约170°的内角θ4。
因此，由于上端116B和117B之间的距离D2小于挡光部116A和117A之间的距离D3，所以从发光芯片145发射的光可以通过上端116B和117B之间的区域A5发射到树脂层164的表面上。
该发光器件可以将从发光芯片145发射的光的方位分布集中到中心。在该情况下，能够以树脂层164的表面的形状来改变定向。树脂层164可以具有半球形状或平坦形状。替代地，树脂层164可以具有带粗糙结构的形状。
树脂层164的部分164A可以填充在第一金属层116和第二金属层117之间。树脂层164的部分164A可以布置在如下表面上以固定第一金属层116和第二金属层117，第一金属层116和第二金属层117在该表面处彼此对应。
绝缘膜125附接到在第一金属层116和第二金属层117之间的下表面。绝缘膜125可以暂时附接到第一金属层116的下表面和第二金属层117的下表面，然后可以在形成树脂层164之后被移除，但其不限于此。
每一个实施例的特征均可以选择性地应用于其它实施例，并不限于该实施例。
<发光芯片>
将参考图22和图23来描述根据实施例的发光芯片。
参见图22，发光芯片141可以包括基板211、缓冲层212、第一导电型半导体层213、有源层214、第二导电型半导体层215、第一电极216和第二电极217。第一导电型半导体层213、有源层214和第二导电型半导体层215可以定义为发光结构210。
基板211可以由Al2O3、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、导电基板和GaAs形成。基板211可以是生长基板。可以在该生长基板上生长具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)复合化学式的半导体。
缓冲层212可以是用于减小基板211和半导体之间的晶格常数差的层，并且可以由II至VI族化合物半导体形成。在缓冲层212上还可以布置有未掺杂的III-V族化合物半导体层，但其不限于此。
第一导电型半导体层213布置在缓冲层212上，有源层214布置在第一导电型半导体层213上，而第二导电型半导体层215布置在有源层214上。
第一导电型半导体层213可以由掺杂有第一导电型掺杂剂的、III-V族化合物半导体形成，例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP之一。当第一导电型半导体层是N型半导体层时，第一导电型掺杂剂可以包括N型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se和Te。第二导电型半导体层215可以形成为单层或多层，但其不限于此。
有源层214可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构。有源层214可以具有阱层和势垒层交替循环的结构，例如InGaN阱层/GaN势垒层，或者具有使用III-V族化合物半导体材料的InGaN阱层/AlGaN势垒层交替循环的结构。
在有源层214上方或/和下方可以布置有导电型覆层并且该导电型覆层可以由AlGaN基半导体形成。
第二导电型半导体层215形成在有源层214上。第二导电型半导体层215可以由掺杂有第二导电型掺杂剂的、III-V族化合物半导体形成，例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP之一。当第二导电型半导体层是P型半导体层时，第二导电型掺杂剂可以包括P型掺杂剂，例如Mg和Ze。第二导电型半导体层215可以具有单层或多层结构，但其不限于此。
在第二导电型半导体层215上可以布置有第三导电型半导体层，例如N型半导体层。因此，发光结构235可以具有如下结构中的至少一种：N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构。
可以在第二导电型半导体层215上布置有电流扩散层。该电流扩散层可以由如下项之一形成：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、以及镓锌氧化物(GZO)。
第一电极216可以布置在第一导电型半导体层213上，并且第二电极217可以布置在第二导电型半导体层215上。
第一电极216和第二电极217可以通过电线连接到图1或图5的金属层。
图23是竖直型芯片结构的视图。
参见图23，发光芯片145包括：在发光结构210下方的欧姆层221；在欧姆层221下方的反射层224；在反射层224下方的导电支撑构件225；以及围绕该反射层224及发光结构210的保护层223。
通过下述方式来形成发光芯片145：在第二导电型半导体层215上形成欧姆层221、保护层223、反射层224和导电支撑构件225，然后移走基板211和缓冲层213，而不执行用于使图22的结构中的第一导电型半导体层213暴露的蚀刻处理。
欧姆层221可以与发光结构210的下层(例如第二导电型半导体层215)欧姆接触。欧姆层221可以由如下项之一形成：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其组合。而且，可以使用诸如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO的金属材料和光透射性导电材料来将欧姆层221形成为多层。例如，该多层可以包括IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni和AZO/Ag/Ni。可以在欧姆层221内进一步布置有用于阻挡与电极216对应的电流的层。
保护层223可以由如下项之一形成：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、和TiO2。可以通过溅射方法或沉积方法来形成保护层223。反射层224可以防止发光结构210的各个层彼此电短路。
反射层224可以由如下项之一形成：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其组合，反射层224可以具有比发光结构210的宽度宽的宽度，以提高光反射效率。
例如，导电支撑构件225可以用作基底基板。导电支撑构件125可以由铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜钨(Cu-W)和载具晶圆(carrier wafer)(例如Si、Ge、GaAs、ZnO、Sic等)中的至少一个形成。在导电支撑构件225和反射层224之间可以进一步布置友粘合层。因此，这两个层通过该粘合层而彼此粘附。
图22和图23的上文公开的发光芯片仅是一个示例，并且不限于上面的特征。该发光芯片可以选择性地应用于发光器件的实施例，但是不限于此。
<照明***>
上面公开的实施例的发光器件具有发光芯片被封装的结构。而且，多个发光器件可以布置在电路板上，因此设置成诸如发光模块或灯单元的照明***。根据上面的实施例的发光器件之一可以应用于该照明***。
根据实施例的发光器件可以应用于灯单元。该灯单元可以具有其中排列有多个发光器件的结构。该灯单元可以包括如图24和图25所示的显示装置以及如图26所示的照明装置。另外，该灯单元可以包括照明灯、交通灯、车辆头灯和标识牌。
图24是示出根据实施例的显示装置的分解透视图。
参见图24，显示单元1000可以包括：导光板1041；发光模块1031，其用于向导光板1041提供光；在导光板1041下面的反射构件1022；在导光板1041上面的光学片1051；在光学片1051上的显示面板1061；以及底盖1011，用于接纳导光板1041、发光模块1031和反射构件1022，但其不限于此。
底盖1011、反射构件1022、导光板1041和光学片1051可以定义为一个灯单元1050。
导光板1041对光进行漫射以产生平面光。例如，导光板1041可以由透明材料形成，该透明材料例如是如下材料之一：诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸树脂基材料、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚碳酸脂(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂、以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。
发光模块1031布置成向导光板1041的至少一个侧表面提供光。因此，发光模块1031可以用作该显示装置的光源。
至少一个发光模块1031布置在导光板1041的一个侧表面上，以直接或间接提供光。发光模块1031可以包括电路板1033和根据实施例的发光器件100。而且，发光器件100能够以预定的间距排列在电路板1033上。
电路板1033可以是包括电路图案的印刷电路板(PCB)。板1033可以包括金属芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)以及普通PCB，但其不限于此。当发光器件100安装在底盖1011的侧表面上或吸热板上时，可以省去该电路板1033。在此，该吸热板的一部分可以接触底盖1011的顶表面。
发光器件100可以安装在电路板1033上，以允许经由其发射光的光出射表面与导光板1041隔开一段预定距离，但其不限于此。发光器件100可以向光入射表面直接或间接提供光，该光入射表面是导光板1041的侧表面，但其不限于此。
反射构件1022布置在导光板1041下面。因为反射构件1022对入射到导光板1041的下表面上的光进行反射以向上提供光，所以可以提高灯单元1050的亮度。例如，反射构件1022可以由PET、PC和PVC之一形成，但其不限于此。反射构件1022可以是底盖1011的顶表面，但其不限于此。
底盖1011可以收容该导光板1041、发光模块1031和反射构件1022。为此，底盖1011可以包括具有带敞口上侧的盒子形状的收容部1012，但其不限于此。底盖1011可以与顶盖(未示出)联接，但是不限于此。
底盖1011可以由金属材料或树脂材料形成。而且，可以使用压制成型工艺或挤压成型工艺来制造底盖1011。底盖1011可以由具有优异导热性的金属或非金属材料形成，但是不限于此。
例如，显示面板1061可以是液晶显示(LCD)面板，并且包括由透明材料形成的第一基板和第二基板以及在该第一基板和第二基板之间的液晶层。偏振板可以附接到显示面板1061的至少一个表面。本公开不限于偏振板的附接结构。显示面板1061可以使用从发光模块1051发射的光来显示信息。显示单元1000可以应用于各种便携式终端、笔记本计算机的监视器、膝上型计算机的监视器、电视机等。
光学片1051布置在显示面板1061和导光板1041之间，并且包括至少一个透射2片。例如，光学片1051可以包括漫射片、水平棱镜片或竖直棱镜片、亮度增强片等中的至少一个。漫射片使入射光漫射，而水平棱镜片和/或竖直棱镜片将入射光聚集在显示区域内。另外，亮度增强片重新利用所损耗的光来提高亮度。而且，保护片可以布置在显示面板1061上，但其不限于此。
在此，诸如导光板1041和光学片1051的光学构件可以布置在发光模块1031的光学路径上，但其不限于此。
图25是根据实施例的显示装置的视图。
参见图25，显示装置1100包括底盖1152、其上排列有上述发光器件100的电路板1120、光学构件1154、以及显示面板1155。
电路板1120和发光器件100可以定义为一个发光模块1060。底盖1152、至少一个发光模块1060、光学构件1154可以定义为一个灯单元。
底盖1152可以包括收容部1153，但其不限于此。
在此，光学构件1154可以包括包括如下项中的至少一个：透镜、导光板、漫射片、水平棱镜片和竖直棱镜片、以及亮度增强片。该导光板可以由PC材料或PMMA材料形成。在该情况下，可以省去导光板。漫射片使入射光漫射，而水平棱镜片和竖直棱镜片使入射光聚集在显示面板1155内。亮度增强片重新利用所损耗的光来提高亮度。
光学构件1154布置在发光模块1060上，以使用从发光模块1060发射的光来产生平面光或者漫射并聚集从发光模块1060发射的光。
图26是根据实施例的照明器件的透视图。
参见图26，照明单元1500可以包括：外壳1510；发光模块1530，其布置在外壳1510中；以及连接端子1520，其布置在外壳1510中，以从外部电源接收电力。
外壳1510可以由具有良好散热性的材料例如金属材料或树脂材料形成。
发光模块1530可以包括电路板1532和安装在电路板1532上的发光器件100。发光器件100可以设置成多个，并且所述多个发光器件100可以排列成矩阵形状或者彼此间隔开一段预定距离。
可以在绝缘体上印刷电路图案来制造电路板1532。例如，电路板1532可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB或FR-4。
而且，电路板1532可以由能够效地反射光的材料形成，或可以涂覆有能够有效反射光的颜色，例如白色或银色。
至少一个发光器件100可以布置在电路板1532上。发光器件100可以包括至少一个发光二极管(LED)芯片。该LED可以包括：分别发射红光、绿光、蓝光或白光的彩色LED；以及发射UV光的紫外光(UV)LED。
发光模块1530可以具有几种发光器件100的组合，以获得所期望的颜色和亮度。例如，白光LED、红光LED和绿光LED可以彼此组合，以确保高显色指数。
连接端子1520可以电连接到发光模块1530以供应电力。连接端子1520可以旋拧联接到插座型的外部电源，但其不限于此。例如，连接端子1520可以具有插头形状，并因此***到外部电源中。替代地，连接端子1520可以通过电线连接到该外部电源。
实施例可以提供膜式或带式的发光器件。在实施例中，因为金属层被绝缘膜支撑而不使用封装体，所以可以改善发光器件的制造过程。此外，发光器件可以减小厚度。根据实施例，可以提供包括凹形空腔和挡光部的金属层，以提高该发光器件的光提取光提取效率。
根据实施例，可以提高该发光器件的可靠性。而且，可以改善发光器件的小型化和集成化。根据实施例，可以提高发光器件和具有该发光器件的照明***中的热效率。
虽然在以上实施例中描述的特征、结构和效果被结合到本公开的至少一个实施例内，但其不仅仅限于一个实施例。此外，在一个实施例中例示的特征、结构和效果可以被本领域内的技术人员容易地组合和修改来用于另一个实施例。因此，这些组合和修改也应应当理解为落入了本公开的范围内。
虽然已经参考其示意性实施例描述了本发明，但应该理解，本领域技术人员能够设计出许多将落入本公开原理的精神和范围内的其它变型和实施例。更特别地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置结构的组成部分和/或布置结构方面的各种变化和变型都是可能的。

Claims (11)

1.一种发光器件，包括：
多个金属层，所述多个金属层包括彼此间隔开的第一金属层和第二金属层；
第一绝缘膜，所述第一绝缘膜布置在所述多个金属层的顶表面上，所述第一绝缘膜的宽度比所述多个金属层之间的间距宽；
发光芯片，所述发光芯片布置在所述多个金属层中的至少一个上；以及
树脂层，所述树脂层布置在所述第一金属层、所述第一绝缘膜和所述发光芯片上，
其中，在所述第一金属层和所述第二金属层之间的区域通过分离部彼此物理地隔开，
其中，所述第一绝缘膜覆盖在所述第一金属层和所述第二金属层之间布置的所述分离部，
其中，所述第一绝缘膜的宽度比所述分离部的宽度宽，并且所述第一绝缘膜附接到所述第一金属层和所述第二金属层的顶表面，
其中，所述第一金属层包括：第一基部，所述第一基部布置在所述发光芯片的下方；第一侧部，所述第一侧部在所述第一基部的外侧部上从所述第一基部弯曲；以及第一外侧部分，所述第一外侧部分从所述第一侧部弯曲，
其中，所述多个金属层中的所述第二金属层包括：第二基部，所述第二基部对应于所述第一金属层的第一基部；第二侧部，所述第二侧部在所述第二基部的外侧部上从所述第二基部弯曲，从而对应于所述第一侧部；以及第二外侧部分，所述第二外侧部分从所述第二侧部弯曲，
其中，所述第一外侧部分和所述第二外侧部分布置成与所述第一基部及所述第二基部的延长线平行，
其中，所述第一绝缘膜延伸到所述第一金属层的所述第一侧部以及所述第二金属层的所述第二侧部，
其中，第二绝缘膜布置在所述第一金属层的第一外侧部分的顶表面上和所述第二金属层的第二外侧部分的顶表面上，并且
其中，所述第二绝缘膜从所述第一绝缘膜延伸。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一金属层的第一侧部和所述第二金属层的第二侧部中的至少一个侧部的一部分布置在比所述树脂层的顶表面高的位置。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一金属层的第一侧部和所述第二金属层的第二侧部中的至少一个侧部围绕所述发光芯片布置。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，其中，所述第二绝缘膜中具有敞口区域，
其中，所述第二绝缘膜连接到所述第一绝缘膜。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，还包括引导构件，所述引导构件沿着所述第二绝缘膜的顶表面在所述第二绝缘膜的厚度方向上突出。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述引导构件由树脂材料或金属材料形成。
7.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一金属层的第一侧部和所述第二金属层的第二侧部布置成彼此对应并且布置到比所述发光芯片的区域低的区域。
8.根据权利要求3所述的发光器件，其中，在所述第一金属层和所述第二金属层中的每个金属层的内侧设置空腔，所述空腔具有敞口的上侧，
其中，所述树脂层布置在所述空腔的区域中。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述第一绝缘膜包括如下项中的至少一种：聚酰亚胺(PI)膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯脂(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纤维素(TAC)膜、聚酰胺-酰亚胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、全氟烷氧基(PFA)膜以及聚苯硫醚(PPS)膜。
10.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，还包括：凹形部分，所述凹形部分在所述发光芯片的方向上从所述树脂层的顶表面凹陷；以及反射性材料，所述反射性材料布置在所述凹形部分中。
11.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述引导构件由以下项中的至少一种形成：阻焊剂、焊膏、Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金、以及Au合金。
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