CN103579373B - 一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法 - Google Patents
一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103579373B CN103579373B CN201210269963.2A CN201210269963A CN103579373B CN 103579373 B CN103579373 B CN 103579373B CN 201210269963 A CN201210269963 A CN 201210269963A CN 103579373 B CN103579373 B CN 103579373B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor material
- conducting
- groove
- layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 19
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
- H01L29/8725—Schottky diodes of the trench MOS barrier type [TMBS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
- H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66143—Schottky diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置,通过沟槽结构引入电荷补偿结构,当半导体装置接一定的反向偏压时,第一导电半导体材料与沟槽内外第二导电半导体材料可以形成电荷补偿,提高器件的反向阻断特性。本发明还提供了一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法。
Description
技术领域
本发明涉及到一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置,本发明还涉及一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置是制造功率整流器件的基本结构。
背景技术
功率半导体器件被大量使用在电源管理和电源应用上,特别涉及到肖特基结的半导体器件已成为器件发展的重要趋势,肖特基器件具有正向开启电压低开启关断速度快等优点,同时肖特基器件也具有反向漏电流大,不能被应用于高压环境等缺点。
肖特基二极管可以通过多种不同的布局技术制造,最常用的为平面布局,传统的平面肖特基二极管在漂移区具有突变的电场分布曲线,影响了器件的反向击穿特性,同时传统的平面肖特基二极管具有较高的导通电阻。
发明内容
本发明针对上述问题提出,提供一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法。
一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置,其特征在于:包括:衬底层,为半导体材料构成;漂移层,为第一导电半导体材料构成,位于衬底层之上;多个沟槽结构,沟槽位于漂移层中,漂移层中临靠沟槽内壁区域设置有第二导电半导体材料,沟槽内壁表面设置有绝缘材料,沟槽内填充半导体材料;肖特基势垒结,位于漂移层第一导电半导体材料上表面。
一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法,其特征在于:包括如下步骤:在衬底层表面形成第一导电半导体材料层,然后表面形成绝缘材料层;进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘材料层,然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽;在沟槽内进行第二导电杂质扩散;在沟槽内壁表面形成绝缘材料,淀积多晶半导体材料,反刻蚀多晶半导体材料,去除表面绝缘材料;淀积势垒金属,进行烧结形成肖特基势垒结。
当半导体装置接一定的反向偏压时,第一导电半导体材料与第二导电半导体材料和沟槽内的多晶半导体材料可以形成电荷补偿,提高了器件的反向击穿电压,或者提高了漂移区的杂质掺杂浓度降低器件的正向导通电阻。
通过沟槽上部引入高浓度掺杂的多晶半导体材料或电极金属,可以改变肖特基表面电场分布,降低半导体装置接反向偏压时肖特基结表面的峰值电场强度,从而进一步提高器件的反向阻断特性。
附图说明
图1为本发明一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置剖面示意图;
图2为本发明一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置剖面示意图;
图3为本发明一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置剖面示意图。
其中,1、衬底层;2、二氧化硅;3、第一导电半导体材料;4、第二导电半导体材料;5、肖特基势垒结;6、多晶第二导电半导体材料;7、高浓度杂质掺杂的多晶第二导电半导体材料;10、上表面金属层;11、下表面金属层。
具体实施方式
实施例1
图1为本发明的一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置剖面图,下面结合图1详细说明本发明的半导体装置。
一种肖特基半导体装置,包括:衬底层1,为N导电类型半导体硅材料,磷原子的掺杂浓度为1E19/CM3,在衬底层1下表面,通过下表面金属层11引出电极;第一导电半导体材料3,位于衬底层1之上,为N传导类型的半导体硅材料,磷原子的掺杂浓度为1E16/CM3;第二导电半导体材料4,位于沟槽内壁附近,为P传导类型的半导体硅材料,硼原子的掺杂浓度为1E16/CM3;多晶第二导电半导体材料6,为硼掺杂的多晶半导体硅材料,位于沟槽内,硼原子的掺杂浓度为1E16/CM3;肖特基势垒结5,位于第一导电半导体材料3的表面,为半导体硅材料与势垒金属形成的硅化物;二氧化硅2,位于沟槽内壁;器件上表面附有上表面金属层10,为器件引出另一电极。
其制作工艺包括如下步骤:
第一步,在衬底层1表面外延形成第一导电半导体材料层3,淀积形成氮化硅层;
第二步,进行光刻腐蚀工艺,半导体材料表面去除部分氮化硅,然后刻蚀去除部分裸露半导体硅材料形成沟槽;
第三步,在沟槽内进行硼杂质扩散;
第四步,在沟槽内热氧化形成二氧化硅2,淀积多晶第二导电半导体材料6,反刻多晶第二导电半导体材料6,腐蚀去除氮化硅层;
第五步,在半导体材料表面淀积势垒金属,进行烧结形成肖特基势垒结5,然后在表面淀积金属形成上表面金属层10;
第六步,进行背面金属化工艺,在背面形成下表面金属层11,如图1所示。
实施例2
图2为本发明的一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置剖面图,下面结合图2详细说明本发明的半导体装置。
一种肖特基半导体装置,包括:衬底层1,为N导电类型半导体硅材料,磷原子的掺杂浓度为1E19/CM3,在衬底层1下表面,通过下表面金属层11引出电极;第一导电半导体材料3,位于衬底层1之上,为N传导类型的半导体硅材料,磷原子的掺杂浓度为1E16/CM3;第二导电半导体材料4,位于沟槽内壁附近,为P传导类型的半导体硅材料,硼原子的掺杂浓度为1E16/CM3;多晶第二导电半导体材料6,为硼掺杂的多晶半导体硅材料,位于沟槽内,硼原子的掺杂浓度为1E16/CM3;肖特基势垒结5,位于第一导电半导体材料3的表面,为半导体硅材料与势垒金属形成的硅化物;二氧化硅2,位于沟槽内壁;器件上表面和沟槽内上部附有上表面金属层10,为器件引出另一电极。
其制作工艺包括如下步骤:
第一步,在衬底层1表面外延形成第一导电半导体材料层3,淀积形成氮化硅层;
第二步,进行光刻腐蚀工艺,半导体材料表面去除部分氮化硅,然后刻蚀去除部分裸露半导体硅材料形成沟槽;
第三步,在沟槽内进行硼杂质扩散;
第四步,在沟槽内热氧化形成二氧化硅2,淀积多晶第二导电半导体材料6,反刻多晶第二导电半导体材料6形成沟槽,腐蚀去除氮化硅层;
第五步,在半导体材料表面淀积势垒金属,进行烧结形成肖特基势垒结5,然后在表面淀积金属形成上表面金属层10;
第六步,进行背面金属化工艺,在背面形成下表面金属层11,如图2所示。
实施例3
图3为本发明的一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置剖面图,下面结合图3详细说明本发明的半导体装置。
一种肖特基半导体装置,包括:衬底层1,为N导电类型半导体硅材料,磷原子的掺杂浓度为1E19/CM3,在衬底层1下表面,通过下表面金属层11引出电极;第一导电半导体材料3,位于衬底层1之上,为N传导类型的半导体硅材料,磷原子的掺杂浓度为1E16/CM3;第二导电半导体材料4,位于沟槽内壁附近,为P传导类型的半导体硅材料,硼原子的掺杂浓度为1E16/CM3;多晶第二导电半导体材料6,为硼掺杂的多晶半导体硅材料,位于沟槽内下部,硼原子的掺杂浓度为1E16/CM3;高浓度杂质掺杂的多晶第二导电半导体材料7,为硼掺杂的多晶半导体硅材料,位于沟槽内上部,硼原子的掺杂浓度为1E18/CM3;肖特基势垒结5,位于第一导电半导体材料3的表面,为半导体硅材料与势垒金属形成的硅化物;二氧化硅2,位于沟槽内壁;器件上表面附有上表面金属层10,为器件引出另一电极。
其制作工艺包括如下步骤:
第一步,在衬底层1表面外延形成第一导电半导体材料层3,淀积形成氮化硅层;
第二步,进行光刻腐蚀工艺,半导体材料表面去除部分氮化硅,然后刻蚀去除部分裸露半导体硅材料形成沟槽;
第三步,在沟槽内进行硼杂质扩散;
第四步,在沟槽内热氧化形成二氧化硅2,淀积多晶第二导电半导体材料6,注入硼杂质退火,反刻多晶第二导电半导体材料,腐蚀去除氮化硅层;
第五步,在半导体材料表面淀积势垒金属,进行烧结形成肖特基势垒结5,然后在表面淀积金属形成上表面金属层10;
第六步,进行背面金属化工艺,在背面形成下表面金属层11,如图3所示。
通过上述实例阐述了本发明,同时也可以采用其它实例实现本发明,本发明不局限于上述具体实例,因此本发明由所附权利要求范围限定。
Claims (6)
1.一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置,其特征在于:包括:
衬底层,为高浓度杂质掺杂半导体材料构成;
漂移层,为第一导电半导体材料构成,位于衬底层之上;多个
沟槽结构,沟槽位于漂移层中,漂移层中临靠沟槽内壁区域设置有第二导电半导体材料,沟槽内壁表面设置有绝缘材料,沟槽内下部填充第二导电多晶半导体材料,沟槽内上部填充高浓度杂质掺杂的多晶半导体材料;
临靠沟槽侧壁第二导电半导体材料、沟槽内下部填充的第二导电多晶半导体材料与漂移层第一导电半导体材料形成电荷补偿结构;
肖特基势垒结,位于漂移层第一导电半导体材料上表面;
上下表面金属层,上表面金属层连接肖特基势垒结、第二导电半导体材料上表面和沟槽内多晶半导体材料上表面,下表面金属层位于衬底层背面。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:所述的沟槽内壁表面的绝缘材料为二氧化硅。
3.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:所述的第二导电半导体材料与沟槽内填充半导体材料通过沟槽内壁表面绝缘材料进行隔离。
4.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:所述的肖特基势垒结为势垒金属与第一导电半导体材料形成的势垒结。
5.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:所述的临靠沟槽侧壁第二导电半导体材料表面形成肖特基势垒结。
6.如权利要求1所述的一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法,其特征在于:包括如下步骤:
1)在衬底层表面形成第一导电半导体材料层,然后在第一导电半导体材料层表面形成绝缘材料层;
2)进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘材料层,然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽;
3)在沟槽内进行第二导电杂质扩散;
4)在沟槽内壁表面形成绝缘材料,淀积第二导电多晶半导体材料,注入第二导电杂质退火,反刻蚀多晶半导体材料,去除表面绝缘材料;
5)淀积势垒金属,进行烧结形成肖特基势垒结;
6)在上表面淀积金属,形成上表面金属层,连接肖特基势垒结、第二导电半导体材料上表面和沟槽内多晶半导体材料上表面,进行背面金属化工艺,在背面形成下表面金属层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210269963.2A CN103579373B (zh) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | 一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210269963.2A CN103579373B (zh) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | 一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103579373A CN103579373A (zh) | 2014-02-12 |
CN103579373B true CN103579373B (zh) | 2018-01-12 |
Family
ID=50050736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210269963.2A Active CN103579373B (zh) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | 一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103579373B (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001068688A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Fuji Electric Co Ltd | ショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオード |
CN101510557A (zh) * | 2008-01-11 | 2009-08-19 | 艾斯莫斯技术有限公司 | 具有电介质终止的超结半导体器件及制造该器件的方法 |
-
2012
- 2012-07-31 CN CN201210269963.2A patent/CN103579373B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001068688A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Fuji Electric Co Ltd | ショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオード |
CN101510557A (zh) * | 2008-01-11 | 2009-08-19 | 艾斯莫斯技术有限公司 | 具有电介质终止的超结半导体器件及制造该器件的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103579373A (zh) | 2014-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102789987A (zh) | 低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法 | |
CN103137710A (zh) | 一种具有多种绝缘层隔离的沟槽肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103137688B (zh) | 一种沟槽mos结构半导体装置及其制造方法 | |
CN103199119A (zh) | 一种具有超结结构的沟槽肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103137689B (zh) | 一种具有超结沟槽mos结构的半导体装置及其制造方法 | |
CN103378171A (zh) | 一种沟槽肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103247694A (zh) | 一种沟槽肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103579373B (zh) | 一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法 | |
CN103367396A (zh) | 一种超级结肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103367462A (zh) | 一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103378178B (zh) | 一种具有沟槽结构肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103515450A (zh) | 一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法 | |
CN103378170A (zh) | 一种具有超级结肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103199102A (zh) | 一种具有超结结构的肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103681778B (zh) | 一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103137711A (zh) | 一种具有绝缘层隔离结构肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103383968A (zh) | 一种界面电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103378177B (zh) | 一种具有沟槽肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103515449A (zh) | 一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN107731933A (zh) | 一种沟槽终端肖特基器件 | |
CN103378131A (zh) | 一种电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法 | |
CN103390651A (zh) | 一种沟槽肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103378172A (zh) | 一种肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN103594493A (zh) | 一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法 | |
CN108666362A (zh) | 一种沟槽肖特基半导体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210426 Address after: Room 301, 3rd floor, building 16, Guangxi Huike Technology Co., Ltd., No. 336, East extension of Beihai Avenue, Beihai Industrial Park, 536000, Guangxi Zhuang Autonomous Region Patentee after: Beihai Huike Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: 113200 Fushun City, Liaoning Province Xinbin Manchu Autonomous County Federation of disabled persons Patentee before: Zhu Jiang |