CN103412448B - 液晶面板、显示装置及其制造和驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种液晶面板、显示装置及其制造和驱动方法，涉及显示领域，可改善由于生产工艺导致的电场分布差异，以及由于像素边缘垂直电场导致的液晶分布差异性，提高产品的光学显示特性。所述液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板和设置在两基板之间的液晶层，所述阵列基板上异层设置有第一电极和第二电极，所述彩膜基板上异层设置有第三电极和第四电极，所述第一电极和第三电极相对设置，所述第一电极和第三电极为狭缝状电极，所述第二电极和第四电极为板状电极，所述第一电极和第三电极分别位于第二电极和第四电极靠近液晶层的一侧。

Description

液晶面板、显示装置及其制造和驱动方法
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种液晶面板、显示装置及其制造和驱动方法。
背景技术
平面场模式指驱动液晶旋转取向的主要是平行电场，包括平面转换模式(In-PlaneSwitching，简称：IPS)和高级超维场开关模式(Advanced-SuperDimensionalSwitching，简称：ADS)。ADS模式通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高平面取向系液晶工作效率并增大透光效率。
如图1所示，ADS显示器由ADS阵列基板20和彩膜基板10(图1中还可理解为彩膜基板)对盒而形成，ADS阵列基板20和彩膜基板10之间滴注有液晶层30。一般而言，ADS阵列基板20包括：基板，依次设置在基板上的栅极金属层、栅绝缘层、有源层、源漏极金属层、树脂层、第二电极22、绝缘保护层和第一电极21，在第一电极21为规则的微米尺寸级别的条形电极，第一电极21和第二电极22的板状电极一起，形成平行电场，驱动液晶发生偏转，进而实现显示功能。
发明人发现现有技术至少存在如下问题：在阵列基板生产过程中，在一张玻璃基板(最终制成阵列基板，阵列基板与彩膜基板对盒后可分割成多个独立的显示面板)上的不同区域，虽然设计时各层的特征参数(如层的厚度、线宽等)相同，但由于工艺条件的限制最终制成时各层的特征参数很难保证完全一致，尤其是中心区域和边角区域与其它区域有较大的差异，出现分布性不良。上述分布性不良的主要表现之一是：在同一张玻璃基板上，第一电极21(条形电极)的尺寸很难完全一致，这样就会造成不同显示面板(对应同一张玻璃基板不同区域)的电场分布存在差异，而为了经济和大批量生产的需要不同显示面板使用的电路调节代码又是一致的，从而导致在同一张玻璃基板的中心和角落区域处透过率的差异，反应在产品上表现为不同显示面板出现透过率上参差不齐的变化；另一方面由于第二电极和第一电极存在高度上的端差，使得液晶盒内两层电极间不可避免的存在竖直电场，影响像素边缘区域的液晶分布，以上两方面都会严重影响产品的光学显示特性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种液晶面板、显示装置及其制造和驱动方法，可改善由于像素边缘垂直电场导致的液晶分布差异性，提高产品的光学显示特性。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板和设置在两基板之间的液晶层，所述阵列基板上异层设置有第一电极和第二电极，所述彩膜基板上异层设置有第三电极和第四电极，所述第一电极和第三电极相对设置，所述第一电极和第三电极为狭缝状电极，所述第二电极和第四电极为板状电极，所述第一电极和第三电极分别位于第二电极和第四电极靠近液晶层的一侧。
优选地，所述第三电极的狭缝宽度的变化趋势，与所述第一电极的狭缝宽度的变化趋势相反。
优选地，所述第三电极与所述第一电极的材质及制备时的工艺参数均相同，且使用相同的掩膜板和相同的设备加工而成。
优选地，所述阵列基板上的第一电极和第二电极之间设置有钝化层，所述彩膜基板上的第三电极和第四电极之间设置有第二钝化层；
所述第二钝化层与所述阵列基板的钝化层的材质及制备时的工艺参数均相同，且使用相同的设备加工而成。
可选地，所述第四电极与所述第二电极的材质及制备时的工艺参数均相同，且使用相同的设备加工而成。
可选地，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管、栅线和数据线，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线相连，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线相连，所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极或者所述第二电极相连；
所述彩膜基板还包括：第二薄膜晶体管、第二栅线和第二数据线，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二栅线相连，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二数据线相连，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第三电极或者所述第四电极相连。
具体地，所述薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均包括：栅极、栅绝缘层、半导体层、源极和漏极；
所述第二薄膜晶体管的栅极与所述薄膜晶体管的栅极的材质及制备时的工艺参数完全相同，且使用相同的设备加工而成，
所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层与所述薄膜晶体管的栅绝缘层的材质及制备时的工艺参数完全相同，且使用相同的设备加工而成，
所述第二薄膜晶体管的半导体层与所述薄膜晶体管的半导体层的材质及制备时的工艺参数完全相同，且使用相同的设备加工而成，
所述第二薄膜晶体管的源极和漏极，与所述薄膜晶体管的源极和漏极的材质及制备时的工艺参数完全相同，且使用相同的设备加工而成。
优选地，所述第四电极所在层还具有防静电的效果。
本发明还提供一种显示装置，包括任一项所述的液晶面板。
优选地，所述显示装置还包括：补偿驱动电路，用于针对每一帧画面，计算并获取呈现该帧画面时加载到各像素电极的像素电压的平均值，并向第三电极或第四电极加载所述平均值；
当所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极时，所述补偿驱动电路与所述彩膜基板的第三电极相连，向第三电极加载所述平均值；当所述第二电极为像素电极，所述第一电极为公共电极时，所述补偿驱动电路与所述彩膜基板的第四电极相连，向第四电极加载所述平均值。
另一方面，本发明还提供一种显示装置的制造方法，包括：
形成阵列基板的工序，其中，所述阵列基板上异层设置有第一电极和第二电极，所述第一电极为狭缝状电极，所述第二电极为板状电极，所述第一电极位于第二电极靠近液晶层的一侧；
形成彩膜基板的工序，其中包括：
在彩膜基板上依次设置第四电极及第三电极，且所述第三电极为狭缝状电极，所述第四电极为板状电极，所述第三电极分别位于第四电极靠近液晶层的一侧；
将所述彩膜基板与所述阵列基板对盒。
优选地，所述形成彩膜基板的工序，包括：
采用与所述阵列基板的第一电极相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的掩膜板和相同的设备形成所述第三电极。
优选地，所述阵列基板上的第一电极和第二电极之间设置有钝化层，所述彩膜基板上的第三电极和第四电极之间设置有第二钝化层；所述形成彩膜基板的工序，包括：
采用相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成所述第二钝化层与所述阵列基板的钝化层。
优选地，所述形成彩膜基板的工序，包括：
采用与所述阵列基板的第二电极相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成所述第四电极。
优选地，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管、栅线和数据线，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线相连，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线相连，所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极或者所述第二电极相连；
所述彩膜基板还包括：第二薄膜晶体管、第二栅线和第二数据线，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二栅线相连，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二数据线相连，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第三电极或者所述第四电极相连；所述形成彩膜基板的工序，还包括：
采用与所述阵列基板的栅极相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成第二薄膜晶体管的栅极；
采用与所述阵列基板的栅绝缘层相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层；
采用与所述阵列基板的半导体层相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成所述第二薄膜晶体管的半导体层；
采用与所述阵列基板的源极和漏极相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成所述第二薄膜晶体管的源极和漏极。
本发明还提供一种所述显示装置的驱动方法，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极时，该方法包括：
获取公共电压，并向所述彩膜基板的第四电极加载公共电压，
针对每一帧画面，计算并获取该帧画面呈现时加载到各所述像素电极的像素电压的平均值，并向所述彩膜基板的第三电极加载所述平均值；
所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极时，该方法包括：
获取公共电压，并向所述彩膜基板的第三电极加载公共电压，
针对每一帧画面，计算并获取该帧画面呈现时加载到各所述像素电极的像素电压的平均值，并向所述彩膜基板的第四电极加载所述平均值。
本发明还提供另一种所述显示装置的驱动方法，所述显示装置的彩膜基板上设置有第二薄膜晶体管、第二栅线和第二数据线，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二栅线相连，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二数据线相连，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第三电极或者所述第四电极相连，该方法包括：
在任一像素区域内，所述第三电极加载与所述第一电极相同的信号，所述第四电极加载与所述第二电极相同的信号。
本发明实施例提供一种液晶面板、显示装置及其制造和驱动方法，在彩膜基板上形成于异层设置有第三电极和第四电极，所述阵列基板上异层设置有第一电极和第二电极，第三电极和第四电极间产生的电场，与第一、第二电极产生的驱动电场在垂直基板方向的分量相反，因此可消弱驱动电场中的垂直部分，改善现有产品由于像素边缘因出现垂直电场导致的液晶分布差异性，使液晶盒内的液晶分子排布更加规则，从而解决一系列由于个别液晶分子排布差异导致的视觉性不良，提高产品的光学显示特性。
附图说明
图1为现有ADS显示器的结构示意图；
图2为本发明实施例一提供的液晶面板的结构示意图；
图3为本发明实施例一中阵列基板与彩膜基板的对盒示意图一；
图4为本发明实施例一中阵列基板与彩膜基板的对盒示意图二；
图5为本发明实施例八提供的显示装置的制造方法流程图；
图6为本发明实施例九提供的显示装置的驱动方法流程图。
附图标记说明
10-彩膜基板，11-第四电极，12-第三电极，13-第二钝化层，
20-阵列基板，21-第一电极，22-第二电极，23-钝化层，30-液晶层。
具体实施方式
本发明实施例提供一种液晶面板、显示装置及其制造和驱动方法，可改善由于像素边缘垂直电场导致的液晶分布差异性，提高产品的光学显示特性。
下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例一
如图2所示，本发明实施例提供一种液晶面板，包括阵列基板20、彩膜基板10和设置在两基板之间的液晶层30，阵列基板20上异层设置有第一电极21和第二电极22，彩膜基板10上异层设置有第三电极12和第四电极11，第一电极21和第三电极12相对设置，第一电极21和第三电极12为狭缝状电极，第二电极22和第四电极11为板状电极，第一电极21和第三电极12分别位于第二电极22和第四电极11靠近液晶层30的一侧。
当彩膜基板10与阵列基板20对盒后，以液晶层30的中分线CC’线为参考，CC’线即彩膜基板10与阵列基板20间隙(Cellgap)的中分线，第三电极12位于第一电极21的镜像位置，第二钝化层13位于钝化层23的镜像位置，第四电极11位于第二电极22的镜像位置，且，第三电极12和第四电极11产生的电场，与第一电极21和第二电极22产生的电场在垂直基板方向(即图2中的纵向)其分量具有相反方向。
在任一像素区域内，彩膜基板10的第四电极11与阵列基板20上的第二电极22对应，且第四电极11位于第二电极22的镜像位置；彩膜基板10的第三电极12与阵列基板20上的第一电极21对应，且第三电极12位于第一电极21的镜像位置，这样在任一像素区域内，第三电极12和第四电极11产生的电场，与第一电极21和第二电极22产生的电场具有相反方向的垂直分量，可更好地消弱驱动电场中的垂直部分，改善液晶分布差异性，进一步提高产品的视觉效果。
本实施例中的液晶面板适用于平面场模式，平面场模式指驱动液晶的驱动电场主要为平行电场，形成驱动电场的像素电极和公共电极均设置在阵列基板20上，可以是IPS模式，也可以是ADS模式。
本实施例与阵列基板20相对盒的彩膜基板10上设置有：第四电极11、以及第三电极12，阵列基板20上异层设置有第一电极21、以及第二电极22，第三电极12、第四电极11间的电场，与第一电极21、第二电极22间形成的电场有相反方向的垂直分量，可消弱驱动电场中的垂直部分，改善现有产品由于像素边缘出现垂直电场导致的液晶分布差异性，使液晶盒内的液晶分子排布更加规则，从而解决一系列由于个别液晶分子排布差异导致的视觉性不良，提高产品的光学显示特性。
进一步优选地，第三电极12的狭缝宽度的变化趋势，与第一电极21的狭缝宽度的变化趋势相反。
一种优选的实施方式中，形成第三电极12与第一电极21的特征参数具有一致的分布趋势，特征参数(包括但不限于狭缝宽度)分布性不良也具有一致性。对盒后，使第三电极12的特征参数与第一电极21的特征参数具有相反的变化趋势，例如，代表性地，第三电极12的狭缝宽度的变化趋势与第一电极21的狭缝宽度的变化趋势相反。
具体地，由于制备工艺的问题，第三电极12与第一电极21出现电极偏大或偏小的现象(对应地，狭缝宽度也呈现偏宽或偏窄的现象)，例如，如图3和图4所标示，阵列基板20的1区与彩膜基板10的1’区均出现电极偏大的现象，阵列基板20的2区与彩膜基板10的2’区均出现电极偏小的现象。
阵列基板20与彩膜基板10对盒形成液晶盒时，存在图3和图4所示的两种方法，第一种方法如图3所示，沿平行于阵列基板20的短边的虚线AA’进行对盒，阵列基板20与彩膜基板10沿虚线AA’方向对盒后，阵列基板20的1区对应彩膜基板10的2’区，阵列基板20的2区对应彩膜基板10的1’区，阵列基板20的3区对应彩膜基板10的4’区，阵列基板20的4区对应彩膜基板10的3’区。对盒后，第三电极12与第一电极21特征参数的分布性不良趋势恰相反，具有图2所示的互补效果：即当阵列基板20任何一个区出现第一电极21偏大或偏小的情况时，彩膜基板10对应区域的第三电极12必将是相反的结果，综合阵列基板20和彩膜基板10的电场效应后，如图2中的A区和B区，最终液晶分子的偏转将更加稳定，不会因为工艺参数分布性不良而产生大的电场差异，优化产品的分布特性和视觉显示效果；同时第三电极12与第四电极间的电场，与第一电极21与第二电极22的电场有相反方向的垂直分量，从而消弱了驱动电场中的垂直部分，改善现有产品由于像素边缘出现垂直电场导致的液晶分布差异性，使液晶盒内的液晶分子排布更加规则，从而解决一系列由于个别液晶分子排布差异导致的视觉性不良，提高产品的光学显示特性。
阵列基板20与彩膜基板10对盒形成液晶盒有图3和图4所示的两种对盒方式：例如彩膜基板10上的2’区与阵列基板20上的2区的特征参数变化趋势一致，4’区与4区的特征参数变化趋势一致，以图3所示对盒方式为例，对盒时，彩膜基板10上2’区和4’区所在的右端与阵列基板20上2区和4区所在的右端相对盒，沿虚线AA’对盒后，2区与1’区相对，1区与2’区相对，3区与4’区相对，4区与3’区相对，这样可补偿沿长度方向工艺参数的分布性不良。
需要说明的是，影响工艺参数分布性不良的原因多且不容易确定，具体实施时，一般先通过实验分别测定阵列基板20沿长度方向和沿宽度方向上工艺参数的变化趋势。若结果是沿长度方向上工艺参数分布性不良更大些，则采用图3所示的对盒方式，抵消(或补偿)长度方向上工艺参数的分布性不良；若结果是沿宽度方向上工艺参数分布性不良更大些，则采用图4所示的对盒方式，抵消(或补偿)宽度方向上工艺参数的分布性不良。当然，也可以通过实验直接测试按图3和图4所示对盒方式形成的液晶盒，哪一种显示效果更好，后期批量生产时，即可采用相同的对盒方式。
优选地，所述第四电极所在层还具有防静电的效果，或者，所述第四电极所在层直接设置成原有的防静电层。
一般而言，为避免静电影响显示效果，彩膜基板上一般设置有一层透明导电膜，作为防静电层，起静电屏蔽作用。本实施例中的第四电极可直接使用现有的防静电层，可简化彩膜基板的生产工序。
或者说，也可以在彩膜基板上设置第四电极，将第四电极所在层与一恒压电压源相连，使第四电极所在层同时还具有防静电的效果。
本实施例所述液晶面板，用于平面场模式显示装置，在彩膜基板设置第四电极和第三电极，用以改善由于生产工艺导致的电场分布差异，使对应玻璃基板边角区域的显示面板的电场更加稳定和容易控制；同时消弱了驱动电场中的垂直部分，改善了现有产品由于像素边缘出现垂直电场导致的液晶分布差异性，使液晶盒内的液晶分子排布更加规则，从而解决一系列由于个别液晶分子排布差异导致的视觉性不良，提高产品的光学显示特性。
实施例二
本发明实施例提供一种液晶面板，与实施例一的区别之处在于，参照图2所示，阵列基板20上的第一电极21和第二电极22之间还设置有钝化层23，彩膜基板10上的第三电极12和第四电极11之间还设置有第二钝化层13；且，彩膜基板10上的第二钝化层13与阵列基板上的20钝化层23的材质及制备时的工艺参数均相同，且使用相同的设备加工而成，从而第二钝化层13具有与钝化层23分布性不良(主要是钝化层厚度的变化)的趋势一致，对盒后，第二钝化层13与钝化层23分的布性不良则相反(对盒方式参照实施例一及图3、图4)，可补偿由于制备阵列基板上第一电极21及钝化层23时工艺参数的分布性不良导致的电场分布差异，提高产品的显示效果。
实施例三
本发明实施例提供一种液晶面板，与实施例一的区别之处在于，参照图2所示，第四电极11与阵列基板20的第二电极22的材质及制备时的工艺参数均相同，且使用相同的设备加工而成，从而使制备出第四电极11具有与第二电极22一致的分布性不良趋势，对盒后如图2所示，使第四电极11与第二电极22的分布性不良趋势相反，可补偿由于第一电极21、第二电极22工艺参数的分布性不良导致的电场分布差异，提高产品的显示效果。
实施例四
本发明实施例提供一种液晶面板，与实施例一的区别之处在于，参照图2所示，彩膜基板10上的第二钝化层13与阵列基板20的钝化层23的材质及制备时的工艺参数均相同，且使用相同的设备加工而成，并且，彩膜基板10上的第四电极11与阵列基板20的第二电极22的材质及制备时的工艺参数均相同，且使用相同的设备加工而成，可补偿由于第二电极22、钝化层23、第一电极21工艺参数的分布性不良导致的电场分布差异，提高产品的显示效果。
本实施例在彩膜基板10上也设计出1stITO(第四电极11)、PVX(第二钝化层13)和2ndITO(第三电极12)的图形，其结构和下面的阵列基板20上的1stITO(第二电极22)、PVX(钝化层23)和2ndITO(第一电极21)保持一致(包括材料、厚度、设计尺寸等)，彩膜基板10和阵列基板20对盒后滴注液晶即可形成液晶盒，此过程工艺成熟，在此不进行赘述。
实施例五
本发明实施例提供一种液晶面板，与实施例四的区别之处在于，阵列基板20还包括：薄膜晶体管、栅线和数据线，薄膜晶体管的栅极与所述栅线相连，薄膜晶体管的源极与数据线相连，薄膜晶体管的漏极与第一电极或者第二电极相连；
彩膜基板10还包括：第二薄膜晶体管、第二栅线和第二数据线，第二薄膜晶体管的栅极与所述第二栅线相连，第二薄膜晶体管的源极与第二数据线相连，第二薄膜晶体管的漏极与第三电极或者第四电极相连。
在任一像素区域内，第三电极可加载与第一电极相同的信号，第四电极可加载与第二电极相同的信号，即可改善由于生产工艺导致的电场分布差异，使对应玻璃基板边角区域的显示面板的电场更加稳定和容易控制；同时还可大大消弱驱动电场中的垂直部分，改善了现有产品由于像素边缘出现垂直电场导致的液晶分布差异性，使液晶盒内的液晶分子排布更加规则，从而解决一系列由于个别液晶分子排布差异导致的视觉性不良，提高产品的光学显示特性。
进一步地，所述薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均包括：栅极、栅绝缘层、半导体层、源极和漏极；所述第二薄膜晶体管的栅极与所述薄膜晶体管的栅极的材质及制备时的工艺参数完全相同，且使用相同的设备加工而成；所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层与所述薄膜晶体管的栅绝缘层的材质及制备时的工艺参数完全相同，且使用相同的设备加工而成；所述第二薄膜晶体管的半导体层与所述薄膜晶体管的半导体层的材质及制备时的工艺参数完全相同，且使用相同的设备加工而成；所述第二薄膜晶体管的源极和漏极，与所述薄膜晶体管的源极和漏极的材质及制备时的工艺参数完全相同，且使用相同的设备加工而成。
除可能存在的彩膜层外，彩膜基板上其余各层与阵列基板上的各层完全一致，彩膜基板上的第四电极设计成(与阵列基板的第一电极一样)通过栅极源极线以及TFT器件组成的每个像素信号可控的方式，对每个像素进行补偿，补偿效果更好。
本实施例在彩膜基板上设置有电极及薄膜晶体管，可改善由于生产工艺导致的电场分布差异，消弱驱动电场中的垂直部分，改善了现有产品由于像素边缘出现垂直电场导致的液晶分布差异性，使液晶盒内的液晶分子排布更加规则，从而解决一系列由于个别液晶分子排布差异导致的视觉性不良，提高产品的光学显示特性。
实施例六
本发明实施例提供一种液晶面板，与实施例一的区别之处在于，所述的液晶面板还包括：补偿驱动电路，用于针对每一帧画面，计算并获取呈现该帧画面时加载到各像素电极的像素电压的平均值，并向彩膜基板的第三电极或第四电极加载平均值。
当所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极时，所述补偿驱动电路与所述彩膜基板的第三电极相连，向第三电极加载所述平均值；当所述第二电极为像素电极，所述第一电极为公共电极时，所述补偿驱动电路与所述彩膜基板的第四电极相连，向第四电极加载所述平均值。
例如，补偿驱动电路在给某帧画面的同时，通过计算发现面板中大部分像素电压为5V左右，则此时将彩膜基板上第四电极的信号加为5V。此时如图2，在盒内的液晶分子受到上下两个电场的影响，在水平方向上两个电场的方向是相同的，能够加强液晶分子的驱动效果，而在竖直方向上两个电场有抵消的作用，从而减少在传统产品中出现的竖直电场导致边缘液晶分子分布紊乱的现象。
实施例七
本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意实施例中的任一种液晶面板。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例所述显示装置，可改善由于生产工艺导致的电场分布差异，使对应玻璃基板边角区域的显示面板的电场更加稳定和容易控制；同时消弱了驱动电场中的垂直部分，改善了现有产品由于像素边缘出现垂直电场导致的液晶分布差异性，使液晶盒内的液晶分子排布更加规则，从而解决一系列由于个别液晶分子排布差异导致的视觉性不良，提高产品的光学显示特性。
实施例八
本发明实施例还提供一种显示装置的制造方法，如图5所示，该方法包括：
101、进行形成阵列基板的工序其中，所述阵列基板上异层设置有第一电极和第二电极，所述第一电极为狭缝状电极，所述第二电极为板状电极，所述第一电极位于第二电极靠近液晶层的一侧；
102、进行形成彩膜基板的工序，其中包括：在彩膜基板上依次设置第四电极及第三电极，且所述第三电极为狭缝状电极，所述第四电极为板状电极，所述第三电极分别位于第四电极靠近液晶层的一侧；
103、将彩膜基板与阵列基板对盒。
本实施例步骤101与现有技术相同，不再赘述；步骤102还包括在彩膜基板上还依次设置第四电极、第二钝化层以及第三电极，在具体的工艺制造过程中，形成第四电极、第二钝化层以及第三电极时，阵列基板和彩膜基板共同进行如曝光、显影、刻蚀等整个过程，两者经历同样的设备，则制作出的分布性不良趋势基本一样。步骤103与现有技术大致相同，只不过采用图3或图4所示对盒方式，在实施例一中已做过详细描述，在此不再赘述。
具体地，步骤102进行形成彩膜基板的工序，包括：采用与所述阵列基板的第一电极相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的掩膜板和相同的设备形成所述第三电极。
具体地，所述阵列基板上的第一电极和第二电极之间设置有钝化层，所述彩膜基板上的第三电极和第四电极之间设置有第二钝化层；步骤102进行形成彩膜基板的工序，包括：采用相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成所述第二钝化层与述阵列基板的钝化层。
具体地，步骤102进行形成彩膜基板的工序，还可包括：采用与所述阵列基板的第二电极相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成第四电极。
具体地，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管、栅线和数据线，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线相连，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线相连，所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极或者所述第二电极相连(具体地，漏极与第一电极和第二电极中的像素电极相连)；步骤102进行形成彩膜基板的工序，还可包括：采用与所述阵列基板的栅极相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成第二薄膜晶体管的栅极；采用与所述阵列基板的栅绝缘层相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成第二薄膜晶体管的栅绝缘层；采用与阵列基板的半导体层相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成第二薄膜晶体管的半导体层；采用与所述阵列基板的源极和漏极相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成所述第二薄膜晶体管的源极和漏极。
优选地，步骤103将彩膜基板与阵列基板对盒，具体为：将彩膜基板与阵列基板对盒，且对盒后使彩膜基板长度方向上的一端与阵列基板长度方向上不相对应的另一端相对。
本实施例所述显示装置的制造方法，可改善由于生产工艺导致的电场分布差异，使对应玻璃基板边角区域的显示面板的电场更加稳定和容易控制；同时消弱了驱动电场中的垂直部分，改善了现有产品由于像素边缘出现垂直电场导致的液晶分布差异性，使液晶盒内的液晶分子排布更加规则，从而解决一系列由于个别液晶分子排布差异导致的视觉性不良，提高产品的光学显示特性。
实施例九
本发明实施例还提供一种显示装置的驱动方法，该显示装置包括实施例一至四和实施例六任一项所述的显示面板，其中，第一电极21为像素电极，第二电极22为公共电极时，当该方法如图6所示，包括：
201、获取公共电压，并向彩膜基板的第四电极11加载公共电压；
202、针对每一帧画面，计算并获取呈现该帧画面时加载到各像素电极的像素电压的平均值，并向彩膜基板的第三电极12加载平均值。
此方法中无需在彩膜基板上设置薄膜晶体管，不过彩膜基板的第三电极12需相互连接在一起，以便各个第三电极12均能加载上所述的平均值，因此，制备第三电极时所使用的掩膜版，与形成阵列基板的第一电极(像素电极)所使用的掩膜版稍有不同。
当然，也可以第一电极21为公共电极，第二电极22为像素电极，此时，该方法包括：
步骤一、获取公共电压，并向所述彩膜基板的第三电极加载公共电压；
步骤二、针对每一帧画面，计算并获取该帧画面呈现时加载到各所述像素电极的像素电压的平均值，并向所述彩膜基板的第四电极加载所述平均值。
此方法无需在彩膜基板上设置薄膜晶体管，但同样要求彩膜基板的第四电极相互连接在一起，各个第四电极均能加载上所述的平均值，因此，第四电极可直接使用彩膜基板现有的防静电层，或者，制备第四电极时所使用的掩膜版，与形成阵列基板的第一电极(像素电极)所使用的掩膜版稍有不同。
彩膜基板上的第四电极、第三电极理论上可设计成与阵列基板的第一电极和第二电极(其一形成公共电极，其一形成像素电极)一样，通过栅极源极线以及TFT器件组成的每个像素信号可控的方式，但考虑到目前工艺的实现性和便捷性，本实施例将其设定为统一的一个电压。具体地，第四电极11加载公共电压；每个彩膜基板的第三电极12连在一起，统一通过补偿驱动电路给信号，其信号的电压值根据补偿驱动电路计算得出，原则是尽量使最多的像素能够满足阵列基板的第一电极和彩膜基板的第三电极的信号水平趋近。例如补偿驱动电路在给某帧画面的同时，通过计算发现面板中大部分像素电压为5V左右，则此时将彩膜基板上第三电极12的信号加为5V。此时如图2，在盒内的液晶分子受到上下两个电场的影响，在水平方向上两个电场的方向是相同的，能够加强液晶分子的驱动效果，而在竖直方向上两个电场有抵消的作用，从而减少在传统产品中出现的竖直电场导致边缘液晶分子分布紊乱的现象。
实施例十
本发明实施例还提供一种显示装置的驱动方法，该显示装置包括实施例六所述的液晶面板，该方法包括：
在任一像素区域内，所述第三电极加载与所述第一电极相同的信号，所述第四电极加载与所述第二电极相同的信号。
本实施例所述液晶面板的彩膜基板上，设置有第三电极和第四电极，且第三电极、第四电极设计成与阵列基板的第一电极和第二电极(其一形成公共电极，其一形成像素电极)一样，通过栅极源极线以及TFT器件组成的每个像素信号可控的方式，对于每一像素，第三电极与第四电极间产生的电场与第一电极和第二电极产生的电场均具有相反的垂直分量(在不考虑工艺参数分布性不良的情况下电场的强弱也一致)，可改善由于生产工艺导致的电场分布差异，使对应玻璃基板边角区域的显示面板的电场更加稳定和容易控制；同时可大幅削弱驱动电场中的垂直部分，改善现有产品由于像素边缘出现垂直电场导致的液晶分布差异性，使液晶盒内的液晶分子排布更加规则，从而解决一系列由于个别液晶分子排布差异导致的视觉性不良，提高产品的光学显示特性。
本实施例所述液晶面板需设置薄膜晶体管以及第二数据线、第二栅线等，第二数据线可与阵列基板的数据线接相同的驱动器或驱动IC，第二栅线可与阵列基板的栅线接相同的驱动器或驱动IC，因此本实施例无需额外设置补偿驱动电路，而实施例九所述驱动方法需额外设置补偿驱动电路。
需要注意的是，本发明实施例所述的技术特征，在不冲突的情况下，可任意相互组合使用。
通过以上的实施方式的描述，所属领域的技术人员可以清楚地了解到本发明可借助软件加必需的通用硬件的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在可读取的存储介质中，如计算机的软盘，硬盘或光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板和设置在两基板之间的液晶层，其特征在于，所述阵列基板上异层设置有第一电极和第二电极，所述彩膜基板上异层设置有第三电极和第四电极，所述第一电极和第三电极相对设置，所述第一电极和第三电极为狭缝状电极，所述第二电极和第四电极为板状电极，所述第一电极和第三电极分别位于第二电极和第四电极靠近液晶层的一侧；
所述第三电极的特征参数与所述第一电极的特征参数具有相反的变化趋势。
2.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，
所述第三电极的狭缝宽度的变化趋势，与所述第一电极的狭缝宽度的变化趋势相反。
3.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，
所述第三电极与所述第一电极的材质及制备时的工艺参数均相同，且使用相同的掩膜板和相同的设备加工而成。
4.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述阵列基板上的第一电极和第二电极之间设置有钝化层，所述彩膜基板上的第三电极和第四电极之间设置有第二钝化层；
所述第二钝化层与所述阵列基板的钝化层的材质及制备时的工艺参数均相同，且使用相同的设备加工而成。
5.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，还包括：
所述第四电极与所述第二电极的材质及制备时的工艺参数均相同，且使用相同的设备加工而成。
6.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括：薄膜晶体管、栅线和数据线，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线相连，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线相连，所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极或者所述第二电极相连；
所述彩膜基板还包括：第二薄膜晶体管、第二栅线和第二数据线，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二栅线相连，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二数据线相连，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第三电极或者所述第四电极相连。
7.根据权利要求6所述的液晶面板，其特征在于，
所述薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均包括：栅极、栅绝缘层、半导体层、源极和漏极；
所述第二薄膜晶体管的栅极与所述薄膜晶体管的栅极的材质及制备时的工艺参数完全相同，且使用相同的设备加工而成，
所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层与所述薄膜晶体管的栅绝缘层的材质及制备时的工艺参数完全相同，且使用相同的设备加工而成，
所述第二薄膜晶体管的半导体层与所述薄膜晶体管的半导体层的材质及制备时的工艺参数完全相同，且使用相同的设备加工而成，
所述第二薄膜晶体管的源极和漏极，与所述薄膜晶体管的源极和漏极的材质及制备时的工艺参数完全相同，且使用相同的设备加工而成。
8.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，
所述第四电极所在层还具有防静电的效果。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的液晶面板。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述液晶面板还包括：
补偿驱动电路，用于针对每一帧画面，计算并获取呈现该帧画面时加载到各像素电极的像素电压的平均值，并向第三电极或第四电极加载所述平均值；
当所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极时，所述补偿驱动电路与所述彩膜基板的第三电极相连，向第三电极加载所述平均值；当所述第二电极为像素电极，所述第一电极为公共电极时，所述补偿驱动电路与所述彩膜基板的第四电极相连，向第四电极加载所述平均值。
11.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
形成阵列基板的工序，其中，所述阵列基板上异层设置有第一电极和第二电极，所述第一电极为狭缝状电极，所述第二电极为板状电极，所述第一电极位于第二电极靠近液晶层的一侧；
形成彩膜基板的工序，其中包括：
在彩膜基板上异层设置第三电极及第四电极，且所述第三电极为狭缝状电极，所述第四电极为板状电极，所述第三电极位于第四电极靠近液晶层的一侧；
将所述彩膜基板与所述阵列基板对盒，对盒后所述第三电极的特征参数与所述第一电极的特征参数具有相反的变化趋势。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述形成彩膜基板的工序，包括：
采用与所述阵列基板的第一电极相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的掩膜板和相同的设备形成所述第三电极。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述阵列基板上的第一电极和第二电极之间设置有钝化层，所述彩膜基板上的第三电极和第四电极之间设置有第二钝化层；所述形成彩膜基板的工序，包括：
采用相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成所述第二钝化层与所述阵列基板的钝化层。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述形成彩膜基板的工序，包括：
采用与所述阵列基板的第二电极相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成所述第四电极。
15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管、栅线和数据线，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线相连，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线相连，所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极或者所述第二电极相连；
所述彩膜基板还包括：第二薄膜晶体管、第二栅线和第二数据线，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二栅线相连，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二数据线相连，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第三电极或者所述第四电极相连；所述形成彩膜基板的工序，还包括：
采用与所述阵列基板的栅极相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成第二薄膜晶体管的栅极；
采用与所述阵列基板的栅绝缘层相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层；
采用与所述阵列基板的半导体层相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成所述第二薄膜晶体管的半导体层；
采用与所述阵列基板的源极和漏极相同的材质及相同的工艺参数，且使用相同的设备形成所述第二薄膜晶体管的源极和漏极。
16.一种权利要求10所述显示装置的驱动方法，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极时，该方法包括：
获取公共电压，并向所述彩膜基板的第四电极加载公共电压，
针对每一帧画面，计算并获取该帧画面呈现时加载到各所述像素电极的像素电压的平均值，并向所述彩膜基板的第三电极加载所述平均值；
所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极时，该方法包括：
获取公共电压，并向所述彩膜基板的第三电极加载公共电压，
针对每一帧画面，计算并获取该帧画面呈现时加载到各所述像素电极的像素电压的平均值，并向所述彩膜基板的第四电极加载所述平均值。
17.一种显示装置的驱动方法，所述显示装置包括权利要求6或7所述的液晶面板，其特征在于，该方法包括：
在任一像素区域内，所述第三电极加载与所述第一电极相同的信号，所述第四电极加载与所述第二电极相同的信号。
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