CN102566155A - Tft-lcd的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Tft-lcd的阵列基板及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种TFT-LCD的阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示器技术领域，能够在对位精度不高时，减小存储电容。该阵列基板包括：基板，基板上的栅线和数据线；栅线和数据线交叉定义一个像素单元，每一个像素单元包括薄膜晶体管、公共电极、通过绝缘层隔开的第一像素电极层和第二像素电极层；第一像素电极层与公共电极连接，包括被第一像素电极层开口间隔开的数个第一像素电极；第二像素电极层与薄膜晶体管的漏极连接，包括被第二像素电极层开口间隔开的数个第二像素电极；第二像素电极包括完全重叠于第一像素电极的重叠处像素电极和其边缘完全落入第一像素电极层开口内的开口处像素电极。

Description

TFT-LCD的阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)阵列基板及其制造方法。 
背景技术
在TN、IPS、VA和平面电场等模式的液晶显示器中，平面电场模式具有广视角、低色差、穿透率高等优点，越来越多地被各大面板厂商所采用。 
但平面电场模式薄膜晶体管液晶显示器在阵列工艺段的工艺顺序不同于其他几种模式的液晶显示器。如图1和图2所示的阵列基板结构，栅线1和数据线2交叉定义一个像素单元，在制作过程中，第一层为第一像素电极层(通常为ITO，或称1ITO)包括第一像素电极8，如图2所示；其后为包括栅线1和栅电极，以及公共电极的图形；第一层绝缘层；源漏金属电极层(包括薄膜晶体管的漏极4和源极3)、数据线2；第二层绝缘层，并刻蚀出漏极接触孔5；第二像素电极层(称为2ITO)，包括第二像素电极6和第二像素电极层开口7。图2所示的平面电场模式TFT-LCD阵列基板中，由于两层ITO正对，即2ITO与1ITO重叠正对，因此存储电容非常大，造成了像素充电速度慢的结果，在对应大尺寸高解析度产品和倍频驱动产品的时候，该问题尤其明显。 
针对上述问题，现有技术提出了一种阵列基板，如图3所示，该阵列基板要求第一像素电极层也制作有开口，该开口为第一像素电极层开口9，第二像素电极层的开口为第二像素电极层开口7，第一像素电极层的像素电极为第一像素电极8、第二像素电极层的像素电极为第二像素电极6，第一像素电极8与第二像素电极6交错排列，使得第一像素电极层和第二像素电极层没有电极重叠。 这种阵列基板可以大幅度降低存储电容。但由于第一像素电极层为透明层，因此该层和后续几层的对位比较困难，对位精度比较差，通常对位精度在3μm以上。如果因对位误差造成两层像素电极之间的重叠，那么存储电容会有很大的变化，影响像素的充电特性偏移，造成面板的显示画面缺陷。因此在实际制作过程中，为避免因对位误差造成的两层像素电极的重叠，第二像素电极层的开口要足够宽，通常要在10μm以上。这种阵列基板设计的结果是像素透过率大幅降低。 
现有技术还提出了另一种阵列基板，如图4所示，该阵列基板要求第一像素电极层也制作有开口，该开口为第一像素电极层开口9，第二像素电极层的开口为第二像素电极层开口7，第一像素电极层的像素电极为第一像素电极8、第二像素电极层的像素电极为第二像素电极6，第一像素电极8与第二像素电极6交错排列，使得第一像素电极层和第二像素电极层仅有部分电极重叠，这种结构也可大幅度降低存储电容。该阵列基板的第一像素电极层的开口宽度小于第二像素电极层的电极宽度。通常的平面电场模式TFT-LCD阵列基板设计中，第二像素电极层的电极宽度仅有3～4μm，因此第一像素电极层的开口宽度更小，仅有2～3μm，现有工艺条件实现该开口宽度非常困难，同样这种阵列基板设计也存在对位精度较差会影响存储电容变化的问题，因此工艺可实现性较差。如果为避免对位误差影响存储电容变化，第二像素电极层的电极宽度要大大加宽，会造成像素透过率大幅降低。 
发明人在实现本发明的技术方案时发现，现有技术提供的平面电场模式的TFT-LCD的阵列基板，皆存在要求较高的对位精度时，工艺实现性差和像素透过率低的缺陷。 
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，能够在对位精度不高时，保持通过率的前提下，减小TFT-LCD像素的存储电容，且工艺实现性较好。 
为解决上述技术问题，本发明TFT-LCD阵列基板及其制造方法采用如下技术方案： 
一种TFT-LCD阵列基板，包括： 
基板，形成在基板上的栅线和数据线；栅线和数据线交叉定义一个像素单元，每一个像素单元包括薄膜晶体管、公共电极、第一像素电极层和第二像素电极层； 
所述第一像素电极层与所述第二像素电极层通过绝缘层隔开；所述第一像素电极层与公共电极连接，包括被第一像素电极层开口间隔开的数个第一像素电极；所述第二像素电极层与所述薄膜晶体管的漏极连接，包括被第二像素电极层开口间隔开的数个第二像素电极；所述第一像素电极与所述第二像素电极交错排列；所述第二像素电极包括完全重叠于第一像素电极的重叠处像素电极和其边缘完全落入第一像素电极层开口内的开口处像素电极；所述重叠处像素电极与所述开口处像素电极间隔分布。 
所述两个相邻的开口处像素电极之间至少有一个重叠处像素电极。 
所述第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：c+n(c+d)＜a＜c+2d+n(c+d)，c＜b＜c+2d，a+b＝2c+2d+n(c+d)，其中，n为大于等于零的整数。 
所述两个相邻的开口处像素电极之间有一个重叠处像素电极，则第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层 的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：c＜a＜c+2d，c＜b＜c+2d，a+b＝2c+2d。 
所述第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：a＝b＝c+d。 
一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括： 
沉积第一像素电极层薄膜，通过构图工艺形成包括第一像素电极层的图形，所述第一像素电极层的图形包括被第一像素电极层开口间隔开的数个第一像素电极，所述第一像素电极层的图形与公共电极连接； 
沉积第二像素电极层薄膜，通过构图工艺形成包括第二像素电极层的图形，所述第二像素电极的图形通过漏极连接孔与薄膜晶体管的漏极连接，包括被第二像素电极层开口间隔开的数个第二像素电极； 
其中，所述第一像素电极与所述第二像素电极交错排列；所述第二像素电极包括完全重叠于第一像素电极的重叠处像素电极和其边缘完全落入第一像素电极层开口内的开口处像素电极；所述重叠处像素电极与所述开口处像素电极间隔分布。 
所述两个相邻的开口处像素电极之间至少有一个重叠处像素电极。 
所述第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：c+n(c+d)＜a＜c+2d+n(c+d)，c＜b＜c+2d，a+b＝2c+2d+n(c+d)，其中，n为大于等于零的整数。 
所述两个相邻的开口处像素电极之间有一个重叠处像素电极，则第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层 的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：c＜a＜c+2d，c＜b＜c+2d，a+b＝2c+2d。 
所述第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：a＝b＝c+d。 
在本发明实施例的技术方案中，使得第一像素电极与所述第二像素电极交错排列，并且所述第二像素电极包括重叠处像素电极和开口处像素电极，重叠处像素电极完全重叠于第一像素电极，而开口处像素电极的边缘完全落入第一像素电极层开口内，并且该重叠处像素电极与开口处像素电极间隔分布，从而优化了第一像素电极层和第二像素电极层的像素电极的排列方式；而且第一像素电极层和第二像素电极层对位精度要求降低，工艺可实现性好；同时，由于不需改变第二像素电极层的电极宽度和开口宽度，像素的透过率没有损失，更易对应大尺寸高解析度产品和倍频驱动产品。 
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 
图1为现有技术平面电场模式TFT-LCD的阵列基板的像素结构示意图； 
图2为图1中A-A’向的剖面示意图之一； 
图3为图1中A-A’向的剖面示意图之二； 
图4为图1中A-A’向的剖面示意图之三； 
图5为本发明实施例TFT-LCD的阵列基板的像素结构示意图； 
图6为图5中B-B’向的剖面示意图之一； 
图7为图5中B-B’向的剖面示意图之二； 
图8为本发明实施例TFT-LCD的阵列基板的制造方法的流程图。 
附图标记说明： 
1-栅线；               2-数据线；       3-源极； 
4-漏极；               5-漏极接触孔；   6-第二像素电极； 
7-第二像素电极层开口；                  8-第一像素电极； 
9-第一像素电极层开口；                  10-绝缘层； 
61-重叠处像素电极；    62-开口处像素电极。 
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。 
本发明实施例提供一种TFT-LCD的阵列基板及其制造方法，能够在对位精度不高时，保持通过率的前提下，减小TFT-LCD像素的存储电容，且工艺实现性较好。 
实施例一 
本发明实施例提供一种TFT-LCD的阵列基板，如图5和图6所示，该阵列基板包括：基板，形成在基板上的栅线1和数据线2；栅线1和数据线2交叉定义一个像素单元，每一个像素单元包括薄膜晶体管、公共电极、第一像素电极层和第二像素电极层； 
所述第一像素电极层与所述第二像素电极层通过绝缘层10隔开；所述第一像素电极层与公共电极连接，包括被第一像素电极层开口9间隔开的数个第一 像素电极8；所述第二像素电极层通过漏极接触孔5与所述薄膜晶体管的漏极4连接，包括被第二像素电极层开口7间隔开的数个第二像素电极6；所述第一像素电极8与所述第二像素电极6交错排列；所述第二像素电极6包括完全重叠于第一像素电极8的重叠处像素电极61和其边缘完全落入第一像素电极层开口9内的开口处像素电极62；所述重叠处像素电极61与所述开口处像素电极62间隔分布。 
在本发明实施例的技术方案中，使得第一像素电极与所述第二像素电极交错排列，并且所述第二像素电极包括重叠处像素电极和开口处像素电极，重叠处像素电极完全重叠于第一像素电极，而开口处像素电极的边缘完全落入第一像素电极层开口内，并且该重叠处像素电极与开口处像素电极间隔分布，从而优化了第一像素电极层和第二像素电极层的像素电极的排列方式；而且第一像素电极层和第二像素电极层对位精度要求降低，工艺可实现性好；同时，由于不需改变第二像素电极层的电极宽度和开口宽度，像素的透过率没有损失，更易对应大尺寸高解析度产品和倍频驱动产品。 
进一步地，所述两个相邻的开口处像素电极之间至少有一个重叠处像素电极。以下以具体的实施方式来说明本发明的技术方案。 
实施例一 
如图6所示，为第二像素电极层的两个相邻的开口处像素电极之间有一个重叠处像素电极的情况。第一像素电极层上形成第一像素电极8，其具备宽度a，第一像素电极层上形成开口部，为第一像素电极层开口9，其具备宽度b。第二像素电极层形成第二像素电极6，其具备宽度c，第二像素电极层上形成开口部，为第二像素电极层开口7，其具备宽度d。使得第二像素电极层的一条第一像素电极8的两个边缘完全落在第一像素电极层的一条开口之内。则第一像素电极 层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：c＜a＜c+2d，c＜b＜c+2d，a+b＝2c+2d。设置第一像素电极的宽度a和第一像素电极层开口宽度b都大于第二像素电极的宽度c，并且小于两个第二像素电极层开口宽度d与第一像素电极的宽度a的和，这样，开口处像素电极62与与其对应位置的第一像素电极层开口9的边缘存在一定的距离，在对位存在偏差时，开口处像素电极62仍然能够位于第一像素电极层开口9区域内，不会与第一像素电极8发生重叠，同样地，重叠处像素电极61与与其重叠的第一像素电极8的边缘存在一定的距离，在对位存在偏差时，重叠处像素电极61也能够保持完全重叠于第一像素电极8位置，而不会偏移到第一像素电极层开口9处，从而避免了在存在对位偏差时，由于上下两层像素电极的重叠变化带来的存储电容的大幅度变化。 
优选地，在本实施例中，可以使第一像素电极与第一像素电极层开口宽度相等，则所述第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系可以为：a＝b＝c+d。此种情况下，与图2所示的结构相比较，像素存储电容可减小一半左右。在本实施例中，优选第二像素电极的宽度c取值在2um～4um范围内，第二像素电极层开口宽度d取值在3um～6um范围内。 
在本实施例的技术方案中，在存储电容方面，可以显而易见的看到，相对于图2所示的现有技术，由于两层像素电极层的正对重叠面积减小了一半，所以存储电容可减小一半左右；在图形对位要求方面，相对于图4所示的现有技术，对位精度要求降低，从图4所示的图形来看，第一像素电极层开口9必须完全落在第二像素电极6的宽幅之内。众所周知，一般来说广泛应用的第二像素电极6的宽幅仅有3～4μm，因此，第一像素电极层开口9的宽幅小于或等于 这个数值，假如二者相等，那么两层像素电极层的图形对位偏移会引起存储电容的大幅变化；假如第一像素电极层开口9的宽幅小于第二像素电极6的宽幅，首先工艺上很难实现这么小的电极开口尺寸，其次可容许的对位偏差也很小，最多也仅有1μm左右。这在阵列工艺上同样也是很难实现的。本实施方案中，如图6所示，第一像素电极层开口9的宽度b的值在9μm左右，工艺上很容易实现；在对位方面，只要第二像素电极6完全落在第一像素电极8的范围内就不会引起存储电容变化，因此可容许对位偏差可达3μm左右，阵列工艺很容易实现；在穿透率方面，本实施方案与图2和图4所示的现有技术的穿透率表现持平，而图3所示的现有技术穿透率表现较差，比以上几个方案有约10％的穿透率降低。 
实施例二 
如图7所示，为第二像素电极层的两个相邻的开口处像素电极62之间有两个重叠处像素电极61的情况。第一像素电极层上形成第一像素电极8，其具备宽度a，第一像素电极层上形成开口部，为第一像素电极层开口9，其具备宽度b。第二像素电极层形成第二像素电极6，其具备宽度c，第二像素电极层上形成开口部，为第二像素电极层开口7，其具备宽度d。使得第二像素电极层的一条第一像素电极8的两个边缘完全落在第一像素电极层的一条开口之内。则第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：a＝2c+2d并且b＝c+d。此种情况下，像素存储电容可减小三分之一左右。 
对于本实施例的方案，在存储电容方面表现不如优选实施方案一，存储电容只减小三分之一左右，但图形对位方面和穿透率表现方面与实施例一相同。 
同理，可以得出，所述两个相邻的开口处像素电极之间可以设置一个至多个重叠处像素电极。只要第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系满足关系式：c+n(c+d)＜a＜c+2d+n(c+d)，c＜b＜c+2d，a+b＝2c+2d+n(c+d)，其中，n为大于等于零的整数。则都可以实现兼顾减小存储电容、图形对位和穿透率方面的要求。 
实施例三 
本发明实施例还提供了一种制备上述实施例所述的TFT-LCD的阵列基板的制造方法，如图8所示，该方法包括： 
步骤101、沉积第一像素电极层薄膜，通过构图工艺形成包括第一像素电极层的图形，所述第一像素电极层包括被第一像素电极层开口间隔开的数个第一像素电极，所述第一像素电极层的图形与公共电极连接； 
进一步地，沉积栅线金属层薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电极，以及公共电极的图形，所述第一像素电极层的图形与公共电极连接；沉积第一层绝缘层，并沉积源漏金属层薄膜，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管和数据线的图形；沉积第二层绝缘层，通过构图工艺分别在薄膜晶体管的漏极处形成漏极接触孔，其中漏极接触孔开至漏极。 
在本实施例中，可以在基板上先形成栅线和栅电极，以及公共电极的图形后，再形成第一像素电极层的图形。 
需要说明的是，形成上述图形的工艺步骤的次序仅为举例，本实施例不加以限制。
步骤102、沉积第二像素电极层薄膜，通过构图工艺形成包括第二像素电极层的图形，所述第二像素电极的图形通过漏极连接孔与薄膜晶体管的漏极连接， 包括被第二像素电极层开口间隔开的数个第二像素电极； 
其中，所述第一像素电极与所述第二像素电极交错排列；所述第二像素电极包括完全重叠于第一像素电极的重叠处像素电极和其边缘完全落入第一像素电极层开口内的开口处像素电极；所述重叠处像素电极与所述开口处像素电极间隔分布。 
在本实施例中，所述构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、剥离等工序。 
进一步地，所述两个相邻的开口处像素电极之间至少有一个重叠处像素电极。 
所述第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：c+n(c+d)＜a＜c+2d+n(c+d)，c＜b＜c+2d，a+b＝2c+2d+n(c+d)，其中，n为大于等于零的整数。 
所述两个相邻的开口处像素电极之间有一个重叠处像素电极，则第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：c＜a＜c+2d，c＜b＜c+2d，a+b＝2c+2d。 
所述第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：a＝b＝c+d。 
在本发明实施例的技术方案中，使得第一像素电极与所述第二像素电极交错排列，并且所述第二像素电极包括重叠处像素电极和开口处像素电极，重叠处像素电极完全重叠于第一像素电极，而开口处像素电极的边缘完全落入第一 像素电极层开口内，并且该重叠处像素电极与开口处像素电极间隔分布，从而优化了第一像素电极层和第二像素电极层的像素电极的排列方式，并进一步优化了第一像素电极层的开口宽度的像素电极的宽度，使得像素存储电容大幅降低；而且第一像素电极层和第二像素电极层对位精度要求降低，工艺可实现性好；同时，由于不需改变第二像素电极层的电极宽度和开口宽度，像素的透过率没有损失，更易对应大尺寸高解析度产品和倍频驱动产品。 
通过以上的实施方式的描述，所属领域的技术人员可以清楚地了解到本发明可借助软件加必需的通用硬件的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在可读取的存储介质中，如计算机的软盘，硬盘或光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。 
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。 

Claims (10)

1.一种TFT-LCD的阵列基板，其特征在于，包括：
基板，形成在基板上的栅线和数据线；栅线和数据线交叉定义一个像素单元，每一个像素单元包括薄膜晶体管、公共电极、第一像素电极层和第二像素电极层；
所述第一像素电极层与所述第二像素电极层通过绝缘层隔开；所述第一像素电极层与公共电极连接，包括被第一像素电极层开口间隔开的数个第一像素电极；所述第二像素电极层与所述薄膜晶体管的漏极连接，包括被第二像素电极层开口间隔开的数个第二像素电极；所述第一像素电极与所述第二像素电极交错排列；所述第二像素电极包括完全重叠于第一像素电极的重叠处像素电极和其边缘完全落入第一像素电极层开口内的开口处像素电极；所述重叠处像素电极与所述开口处像素电极间隔分布。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述两个相邻的开口处像素电极之间至少有一个重叠处像素电极。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：c+n(c+d)＜a＜c+2d+n(c+d)，c＜b＜c+2d，a+b＝2c+2d+n(c+d)，其中，n为大于等于零的整数。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述两个相邻的开口处像素电极之间有一个重叠处像素电极，则第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：c＜a＜c+2d，c＜b＜c+2d，a+b＝2c+2d。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：a＝b＝c+d。
6.一种TFT-LCD的阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
沉积第一像素电极层薄膜，通过构图工艺形成包括第一像素电极层的图形，所述第一像素电极层的图形包括被第一像素电极层开口间隔开的数个第一像素电极，所述第一像素电极层的图形与公共电极连接；
沉积第二像素电极层薄膜，通过构图工艺形成包括第二像素电极层的图形，所述第二像素电极的图形通过漏极连接孔与薄膜晶体管的漏极连接，包括被第二像素电极层开口间隔开的数个第二像素电极；
其中，所述第一像素电极与所述第二像素电极交错排列；所述第二像素电极包括完全重叠于第一像素电极的重叠处像素电极和其边缘完全落入第一像素电极层开口内的开口处像素电极；所述重叠处像素电极与所述开口处像素电极间隔分布。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述两个相邻的开口处像素电极之间至少有一个重叠处像素电极。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：c+n(c+d)＜a＜c+2d+n(c+d)，c＜b＜c+2d，a+b＝2c+2d+n(c+d)，其中，n为大于等于零的整数。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述两个相邻的开口处像素电极之间有一个重叠处像素电极，则第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：c＜a＜c+2d，c＜b＜c+2d，a+b＝2c+2d。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一像素电极层的第一像素电极的宽度a、第一像素电极层开口宽度b与第二像素电极层的第二像素电极的宽度c、第二像素电极层开口宽度d之间的关系为：a＝b＝c+d。
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