CN103329633A - 用于半导体制造的喷射件及具有该喷射件的等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种等离子体处理装置，其包括：处理室，在其中容纳有多个基板并且在其中执行等离子体处理过程；支撑件，其安装在处理室中，以至于将多个基板放置在与支撑件相同的平面上；喷射件，其与支撑件相对布置，并且其具有多个独立的挡板，用于从与放置在支撑件上的多个基板中的每个相应的位置独立地喷射至少一种反应气体和净化气体；以及驱动件，其构造为使支撑件或喷射件旋转，使得喷射件的挡板顺序环绕在放置于支撑件上的多个基板中的每一个的周围及上方。喷射件包括等离子体发生器，其安装在多个挡板中的喷射反应气体的至少一个挡板上，以便从喷射到基板上的反应气体产生等离子体。

Description

用于半导体制造的喷射件及具有该喷射件的等离子体处理装置
技术领域
本发明构思的实施方式涉及一种用于制造半导体器件的薄膜处理装置，更具体地说，涉及一种具有等离子体发生器的喷射件以及一种具有所述喷射件的等离子体处理装置。
背景技术
等离子体处理装置已经被广泛用于制造半导体器件的若干处理，诸如干蚀刻处理、物理与化学沉积、以及表面处理过程。
传统的等离子体处理装置构造为包括连接到喷头的第一电极与连接到室的第二电极。此外，传统等离子体处理装置还可以包括周边构件，诸如电性相互连接构件、噪音屏蔽构件、以及用于将等离子体偏压施加到衬托器(susceptor)的构件。
由于传统等离子体处理装置具有一体式喷头，因此很难控制基板与喷头之间的空间。
尽管传统等离子体处理装置具有远程等离子体发生器，在远离基板隔开等离子体源的情形中，在基板上形成薄膜存在技术上的困难。例如，可能存在电离气体的严重损失，并且这导致处理时间的延迟与薄膜质量的变差。因此，传统离子处理装置的使用受到了限制。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了一种喷射件以及一种具有该喷射件的等离子体处理装置，所述喷射件可以将多个基板安装在旋转的大面积支撑件上并且在其上稳定地产生等离子体。
本发明构思的其它实施方式提供了一种喷射件以及一种具有该喷射件的等离子体处理装置，其中可以根据基板的状态控制基板与等离子体发生区域之间的空间。
根据本发明构思的实例实施方式，等离子体处理装置可以包括：处理室，其构造为执行等离子体的处理并且包括多个基板；支撑件，其设置在处理室中，基板放置在与支撑件相同的高度上；喷射件，其设置为面向所述支撑件并且包括多个挡板，使得能够以独立的方式将至少一种反应气体与一种净化气体喷射在基板上；以及驱动件，其构造为使所述支撑件或所述喷射件旋转，使得所述喷射件的所述挡板能够相对于放置在所述支撑件上的多个基板盘旋。构造为喷射反应气体的喷射件可以包括等离子体发生器，其可以设置在至少一个挡板上，以将反应气体转换成等离子体。
在实例实施方式中，喷射件还可以包括构造为能够控制等离子体发生器的竖直位置的高度控制器，由此选择性地调节等离子体发生器与基板之间的间距。
在实例实施方式中，喷射件构造为具有用于将等离子体发生器装配到至少一个挡板上的开口，并且喷射件还可以包括围绕等离子体发生器以保持密封状态的波纹管。
在实例实施方式中，等离子体发生器可以包括：本体部分，其具有面向基板的底面；第一电极，其设置在本体部分的底面上并且被施加以将气体转换成等离子体的高频功率；以及第二电极，其设置在本体部分的底面上、处于第一电极，之间并且被施加以偏压功率。
在实例实施方式中，第一电极与第二电极可以彼此共面并且形成放射状构造，由此在支撑件或喷射件的旋转过程中允许通过等离子体存在区域均匀地暴露基板。
在实例实施方式中，第一电极与第二电极可以布置为形成梳式构造。
在实例实施方式中，等离子体发生器可以包括：本体部分，其具有面向基板的底面；第一电极，其设置在本体部分的底面上并且被施加以将气体转换成等离子体的高频功率；以及第二电极，其设置在本体部分的底面上、处于第一电极之间，并且被施加以偏压功率。第一电极与第二电极可以布置在相同的高度处以形成线圈状构造。
在实例实施方式中，喷射件可以包括成形为圆盘状的上板，以及设置在上板的底面上以对挡板定界的分隔件。
在实例实施方式中，喷射件还可以包括喷嘴构件，其设置在上板的中心处并且构造为将至少一种反应气体与净化气体中的每个都喷射到相应的一个挡板中。
在实例实施方式中，喷射件还可以包括设置为面向支撑件的喷头板，并且喷头板可以装配在设有等离子体发生器的挡板的下方并且与等离子体发生器隔开。
根据本发明构思的实例实施方式，用于等离子体处理装置的喷射件可以包括：成形为圆盘状的上板；以及设置在上板中心处的以具有至少四个喷射开口的喷嘴构件，喷射开口中的每个都可以构造为以独立方式喷射反应气体与净化气体中的相应一种；至少四个挡板，它们设置在上板上以形成围绕喷嘴构件的放射状构造，至少四个挡板中的每个都连接到至少四个喷射开口中的相应一个上以分别容纳相应的一种气体；以及等离子体发生器，其设置在至少四个挡板的一个上以将反应气体转换成等离子体。
附图说明
通过下述结合附图的简要描述将会更加清楚地理解实例实施方式。附图表示如这里描述的非限定、实例实施方式。
图1是根据本发明构思的实例实施方式的沉积装置的示意图；
图2A与图2B是图1的喷射件的立体图与剖视图；
图3是图1的支撑件的平面图；
图4A是放大喷射件的等离子体发生器的剖视图，以及图4B是示出其中图4A的等离子体发生器通过高度控制器下降的构造的剖视图。
图5是示出其中喷头板安装在第三挡板上的喷射件的修改实例的剖视图；
图6是示出设有喷头式等离子体发生器的喷射件的剖视图；
图7是示出了其中第一电极与第二电极装配在等离子体发生器的底面上的喷射件的实例的剖视图；
图8是示出等离子体发生器中的第一电极与第二电极的修改实例的视图；
图9是示意性示出在从图2B的喷射件修改的喷射件中的等离子体发生器的视图。
应该注意的是，这些附图旨在描述在一些示例实施方式中使用的方法、结构和/或材料的一般特征，并且用于补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比例绘制的并且不能精确地反映任何给定实施方式的精确结构或性能特征，并且不应被解释为限定或限制通过实例实施方式包含的值或特性的范围。例如，为了清楚起见可以减小或夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度与定位。在多个附图中使用的相似或相同的附图标记旨在表示存在相似或相同的元件或特征。
具体实施方式
详细说明
现在将参照附图更加充分地描述本发明构思的实例实施方式，在附图中示出了实例实施方式。然而，本发明构思的实例实施方式可以以多种不同的形式体现并且不应理解为是限定于这里阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式以使本公开将是全面与完整的，并且将实例实施方式的构思充分地传达到本领域中的技术人员。在附图中，为了清楚起见，层和区域的厚度被夸张。在附图中相同的附图标记表示相同的元件，并且因此将省略对它们的描述。
应该理解的是，当元件被称作为“连接”或“接合”到另一个元件时，其可以直接地连接或接合到其它元件或可以存在介入元件。与此相反，当元件被称作为“直接连接”或“直接接合”到另一个元件时，不存在介入元件。贯穿全文相同的附图标记表示相同的元件。如这里使用的术语“和/或”包括相关列出项的任一个或多个的全部组合。应该以类似的方式解释用于描述元件或层之间的关系的其它词语(例如，“在...之间”对“直接在...之间”，“邻近”对“直接邻近”，“在...上”对“直接在...上”)。
应该理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等描述多个元件、部件、区域、层和/或部分，这些元件、部件、区域、层、和/或部分不应被这些术语限定。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在不偏离实例实施方式的教导的情况下，下文描述的第一元件、部件、区域、层或部分都可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
有关空间的相对术语，诸如，“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等，为了便于描述可以在这里使用这些术语，以描述如图中示出的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。应该理解的是，有关空间的相对术语旨在包括除了在附图中描述的定向以外的在使用或操作中的器件的不同定向。例如，如果翻转附图中的器件，那么描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件于是将被定向在其它元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括上方与下方的定向。此器件可以另外地定向(旋转90度或者处于其它定向)并且相应地解释这里使用的有关空间的相对描述。
这里使用的术语仅用于描述特定的实施方式并且不旨在限定实例实施方式。除非上下文清楚地另外指明，否则如这里使用的，单数形式的“一个”(“a”)、“一个”(an)和“该”(the)也旨在包括复数形式。应该进一步理解的是，如果本文中使用术语包括(“comprises”)、包括(“comprising”)、包括(“includes”)和/或包括(“including”)，则指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，而不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或增加。
这里参照作为实例实施方式的理想实施方式(以及中间结构)的示意性描述的横截面视图描述了本发明构思的实例实施方式。同样，例如由于制造技术和/或公差，根据示出的形状的变化是可以预期的。因此，本发明构思的实例实施方式不应理解为限定于这里描述的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状的偏差。例如，示出为长方形的植入区域可以具有圆形或弯曲的特征和/或在其边缘处植入浓度的梯度，而不是从植入到未植入区域的二元变化。同样，通过植入形成的隐埋区可能导致在隐埋区域与通过其发生植入的表面之间的区域中的一些植入。因此，在附图中示出的区域在本质上是示意性的并且它们的形状不旨在示出器件的区域的实际形状并且不旨在限定实例实施方式的范围。
除非另外限定，这里使用的所有术语(包括技术与科学术语)具有如本领域中的普通技术人员通常理解的属于本发明构思的实例实施方式的相同含义。将要进一步理解的是，诸如在常用字典中限定的这些术语应该被解释为具有与它们在相关领域的环境中的含义相一致的含义，并且不应解释为理想化或过于正式的意义，除非在这里清楚地如此限定。
实施方式
图1是根据本发明构思的实例实施方式的沉积装置的示意图；图2A与图2B是图1的喷射件的立体图与剖视图；以及图3是图1的支撑件的平面图；
参照图1至图3，沉积装置10可以包括处理室100、支撑件200、喷射件300、以及供给件500。
处理室100可以包括设置在其一侧的入口112。在处理过程中，可以通过入口112将晶片(或者基板)W加载于处理室100中或者从处理室卸载。处理室100可以包括通风管120与通风导管114，它们构造为排放供给到处理室100中的反应气体与净化气体以及在沉积处理期间产生的反应副产物。在实例实施方式中，通风管120与通风导管114可以设置在处理室100的上边缘部分。通风管120可以成形为环状并且定位在喷射件300的外部。尽管在附图中未示出，但是对于本领域中的技术人员而言显而易见的是，此通风导管114可以连接到真空泵，并且压力控制阀以及流量控制阀等可以布置在通风导管114上。
如图1和图3中所示，支撑件200可以设置在处理室100中。
支撑件200可以具有批处理式结构(batch-type structure)，例如其可以构造为能够在其上加载四个基板。支撑件200可以包括工作台210，其可以成形为圆盘状并且设有第一台212a至第四台212d，以及支撑工作台210的支撑柱220。基板W中的每个都可以相应地布置在第一台212a到第四台212d上。第一台212a到第四台212d可以构造为具有相同或类似的形状，例如如基板的形状的圆盘形状。第一台212a至第四台212d可以布置在支撑件200的中心周围，例如彼此隔开90度的相等角度。
支撑件200可以构造为通过驱动构件290旋转。驱动构件290可以构造为包括步进电机，其中设有能够控制驱动电机的转数与速度的编码器，并且在此实例中，可以通过编码器控制包括涉及第一反应气体、净化气体、第二反应气体、以及净化气体时间的步骤的喷射件300的一个周期处理时间。
尽管在附图中未示出，但支撑件200可以包括多个提升销(未示出)，多个提升销中的每个都可以用于提升或降低台上的相应的一个晶片。例如，晶片W的竖直位置可以通过竖直地移动提升销来改变，以使晶片W可以与支撑件200的台隔开或者安装在支撑件200的台上。此外，支撑件200的台212a-212d中的每个都可以构造为包括加热已安装晶片W的加热器(未示出)。加热器可以构造为将晶片W加热到预定处理温度。
参照图1与图2B，供给件500可以包括第一气体供给件510a、第二气体供给件510b、以及净化气体供给件520。第一气体供给件510a可以构造为将第一反应气体供给到第一喷嘴构件的第一室311，并且第二气体供给件510b可以构造为将第二反应气体供给到第三室313，并且净化气体供给件520可以构造为将净化气体供给到第二室312与第四室314。例如，第一反应气体与第二反应气体可以包含用于待形成在晶片W上的薄膜的源材料。在沉积处理中，薄膜可以通过使供给到晶片表面上的多种反应气体彼此化学反应而形成在基板或晶片W上。此外，在沉积处理中，可以在供给反应气体的处理步骤之间将净化气体供给到反应室中，以净化保留在反应室内的非反应气体。
本发明构思的实例实施方式可以不限于前面描述的实例，其中利用两种气体供给件供给两种不同的反应气体，并且对于本领域中的技术人员而言将会显而易见的是，如果需要，例如可以利用多个气体供给件供给三种以上反应气体。
参照图1、图2A和图2B，喷射件300可以构造为将至少一种气体喷射在支撑件200的四个晶片上。
喷射件300可以构造为使第一反应气体与第二反应气体以及净化气体可以从供给件500供给到喷射件300。喷射件300可以包括圆形上板302、喷嘴构件310、第一挡板320a到第四挡板320d、等离子体发生器340、以及高度控制器350。
喷嘴构件310可以布置在上板302的中心处。喷嘴构件310可以构造为单独地将从供给件500供给的第一反应气体与第二反应气体以及净化气体喷射到第一挡板320a到第四挡板320d。在实例实施方式中，喷嘴构件310可以包括四个室311、312、313和314。可以将第一反应气体提供到第一室311中，并且喷射开口311a可以形成在第一室311的侧壁上以将第一反应气体供给到第一挡板320a中。可以将第二反应气体提供到第三室313中，并且喷射开口313a可以形成在第三室313的侧壁上以将第二反应气体供给到第三挡板320c中。可以将净化气体供给到设置在第一室311与第三室313之间的第二室312与第四室314中。并且，喷射开口312a与314a可以形成在第二室312与第四室314的侧壁上以将净化气体供给到第二挡板320b与第四挡板320d中。
第一挡板320a到第四挡板320d中的每个都可以包括用于提供从喷嘴构件310供给到晶片的整个表面上的气体的隔离空间。可以通过设置在上板的底面上的分隔件309对第一挡板320a到第四挡板320d定界。
第一挡板320a至第四挡板320d可以在上板302下方呈辐射状，并且它们中的每个都可以具有围绕喷嘴构件310呈90度的角度的扇状结构。第一挡板320a至第四挡板320d可以相应地连接到喷嘴构件310的喷射开口311a、312a、313a与314a。第一挡板320a至第四挡板320d中的每个都具有面向支撑件200的开口状底部。
从喷嘴构件310提供的气体可以相应地供给到第一挡板320a至第四挡板320d中。例如，可以通过第一挡板320a至第四挡板320d的开口状底部将气体提供到晶片W上。可以将第一反应气体提供到第一挡板320a中，并且可以将第二反应气体提供到第三挡板320c中，并且可以将净化气体提供到定位在第一挡板320a与第三挡板320c之间的第二挡板320b与第四挡板320d中，以防止第一反应气体与第二反应气体混合并且净化保留在第二挡板320b与第四挡板320d内的非反应气体。
与此同时，本发明构思的实例实施方式将不限于此实例，其中第一挡板320a到第四挡板320d中的每个都具有呈90度的角度的扇状。例如，如果需要，在喷射件300中的挡板可以具有与前述实例不同的角度(例如，45度或180度)和/或不同的尺寸。
根据本发明构思的实例实施方式，由于支撑件200的旋转，晶片或基板可以顺序地经过设置在第一挡板320a至第四挡板320d下方的空间。如果晶片W经过第一挡板320a至第四挡板320d中的全部，那么原子层就可以沉积在晶片上。此外，通过重复此过程，便可以在晶片W上形成具有预定厚度的层。
图4A是放大喷射件的等离子体发生器的剖视图，以及图4B是示出其中图4A的等离子体发生器通过高度控制器下降的构造的剖视图。
等离子体发生器340、主要构件中的一个可以布置在喷射件300的至少一个挡板上并且构造为竖直地移动。在实例实施方式中，等离子体发生器340可以设置在第三挡板320c上，但是本发明构思的实例实施方式不限于此。换句话说，明显的是等离子体发生器340可以设置在其它挡板上。
参照图2A、图2B、图4A和图4B，等离子体发生器340可以装配在设置在第三挡板320c周围区域的上板302的开口304中。等离子体发生器340可以构造为独立于第三挡板320c竖直地移动。为了保持密封状态，可以通过波纹管380围绕等离子体发生器340。尽管在附图中未示出，但是在喷射件300设置在处理室中的情形中，等离子体发生器340可以连接到通过处理室的上盖设置的单独提升轴。定位在处理室外部的提升轴的一部分可以通过高度控制器350升高或降低。波纹管380可以构造为围绕穿过处理室的上盖的提升轴。在实例实施方式中，由于喷射件的上板构成处理室的上盖的一部分，因此波纹管380可以装配在开口304上以围绕等离子体发生器340。
等离子体发生器340可以布置在第三挡板320c上以通过第二反应气体产生等离子体，并且因此，能够提高第二反应气体的反应性以及增加第三挡板320c中的等离子体密度。这使得能够增加薄膜的沉积速率与层质量。
等离子体发生器340可以包括第一电极343和第二电极344，所述第一电极343可以被施加以高频功率以从气体产生等离子体，所述第二电极344可以***在第一电极343之间并且可以被施加以偏压功率。第一电极343与第二电极344可以安装在等离子体发生器340的本体部分341的底面342上以使得彼此共面。第一电极343与第二电极344可以彼此交替地布置并且彼此间隔以相同的间隔，并且它们中的每个都可以具有杆状。在实例实施方式中，第一电极343与第二电极344可以构造为具有与喷射件300的切线方向基本上相交的纵轴。例如，第一电极343与第二电极344可以布置为形成梳式结构或放射式结构。第二电极344可以被施加以另一高频功率。在其它实例实施方式中，如在图8中示出的，第一电极343与第二电极344可以彼此共面并且形成为具有线圈状结构。
在其它实例实施方式中，如在图9中示出的，第一电极343与第二电极344可以构造为具有与喷射件300的切线方向基本平行的纵轴。在此情形中，第一电极343与第二电极344可以与图2中的第一电极和第二电极正交。
等离子体发生器340的本体部分341的底面342可以形成为面向支撑件200。等离子体发生器340的本体部分341可以由绝缘、耐热与耐化学材料(例如石英或陶瓷)形成以防止处理室的内部环境受到第一电极343与第二电极344的影响。
在实例实施方式中，当晶片W穿过设有等离子体发生器340的第三挡板320c下方的空间时，晶片W的表面可以由自第二反应气体产生的等离子体处理。例如，如果将射频和偏压功率施加到等离子体发生器340的第一电极343与第二电极344并且通过喷嘴构件310的第三室313将第二反应气体施加到第三挡板320c时，第二反应气体可以通过感应磁场转换为等离子体，其可以由设置在第三挡板320c上的等离子体发生器340产生，然后可以将来自第二反应气体的等离子体供给到晶片W的表面上。
高度控制器350可以设置在处理室的外部并且构造为能够控制等离子体发生器340的竖直位置。这使得能够控制等离子体发生器340与晶片W之间的竖直空间。换句话说，根据本发明构思的实例实施方式，由于使用能够控制等离子体发生器340的竖直位置的高度控制器350，因此可以在形成薄膜过程中考虑诸如晶片的状态、气体的种类和/或处理环境的变化的处理参数来控制晶片与等离子体存在区域(例如，通过第三挡板提供)之间的空间。
图5是示出其中喷头板安装在第三挡板上的喷射件的修改实例的剖视图。
如图5中所示，喷射件300可以构造为具有设置在第三挡板320c中/上的喷头板390。在实例实施方式中，喷头板390可以在第三挡板320c下方与等离子体发生器340隔开以面向支撑件200。喷头板390可以包括多个喷射孔。
图6是示出设有喷头式等离子体发生器的喷射件的剖视图。
如图6中所示，等离子体发生器340可以是喷头式结构。例如，等离子体发生器340可以包括缓冲空间360和喷射孔362，第二反应气体将被供给到缓冲空间360，喷射孔362布置在电极343与电极344之间以将缓冲空间360与第三挡板320c连接。在通过图6描述的喷射件中，第二反应气体可以供给到缓冲空间360中并且然后通过喷射孔362供给到第三挡板320c中。
图7是示出喷射件的实例的剖视图，其中第一电极与第二电极装配在等离子体发生器的底面上以便提高到基板的可接近性。为了减少附图中的复杂性以及提供对本发明构思的实例实施方式的更好的理解，在图7中未示出高度控制器。
如图7中所示，第一电极343a与第二电极344a可以设置为穿过等离子体发生器340a的底面342，并且从底面342伸出的第一电极343a与第二电极344a的延伸部可以由绝缘材料349覆盖。
对于根据本发明构思的实例实施方式的沉积装置来说，等离子体发生器可以以半远程等离子体的方式装配到喷射件，并且因此，可以在等离子体发生器与晶片之间的距离在从几毫米到几厘米的范围内的情况下，执行包括直接将反应气体分解成自由基的薄膜形成处理。等离子体发生器可以通过同时地使用第一电极与第二电极来产生等离子体，并且因此，不需要向处理室提供额外的构件。
对于传统的单个装置来说，衬托器竖直移动以控制等离子体存在区域与晶片之间的空间。相比之下，对于通过本发明构思的前述实施方式示例的批处理式结构来说，等离子体发生器竖直移动以在薄膜的形成过程中考虑诸如晶片的状态、气体的种类和/或处理环境的可变化的处理参数来控制晶片与等离子体发生器之间的空间。
本发明构思可以应用到构造为相继将至少两种不同的气体喷射在晶片或基板上的装置，以便利用等离子体处理晶片或基板的表面。尽管已经作为本发明构思的实例描述了批处理式沉积装置，但是本发明构思的实例实施方式不限于此。例如，可以应用本发明构思来实现使用高密度等离子体(HDP)的沉积装置或任何使用等离子体的沉积或蚀刻装置。
根据本发明构思的实例实施方式，等离子体发生器的竖直位置构造为是可控制的。这使得能够选择性地调节等离子体发生器与基板之间的空间。
此外，等离子体发生器可以设置在挡板上以将反应气体转换成等离子体，并且因此能够提高反应气体的反应性，增加挡板中的等离子体密度。这使得能够增加薄膜的沉积速率与层质量。
此外，根据本发明构思的实例实施方式，可以将至少两种不同的气体喷射在基板或晶片上，并且因此，能够增加沉积处理或表面处理的效率。这使得能够以高可靠性增加在单元时间内要处理的基板或晶片的数量，并且提高了制造半导体器件的产量或生产率。
尽管已经具体地示出并且描述了本发明构思的实例实施方式，但是本领域中的技术人员将会理解的是，在不偏离所附权利要求精神和范围的情况下可以在本文中对形式和细节作出改变。

Claims (13)

1.一种等离子体处理装置，其包括：
处理室，其构造为执行等离子体的处理并且包括多个基板；
支撑件，其设置在所述处理室中，所述基板放置在与所述支撑件相同的高度上；
喷射件，其设置为面向所述支撑件并且包括多个挡板，使得能够以独立的方式将至少一种反应气体与一种净化气体喷射在所述基板上；以及
驱动件，其构造为使所述支撑件或所述喷射件旋转，使得所述喷射件的所述挡板能够相对于放置在所述支撑件上的多个所述基板盘旋，
其中，构造为喷射所述反应气体的所述喷射件包括等离子体发生器，其设置在至少一个所述挡板上，以将所述反应气体转换成等离子体。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述喷射件还包括构造为能够控制所述等离子体发生器的竖直位置的高度控制器，由此选择性地调节所述等离子体发生器与所述基板之间的间距。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述喷射件构造为具有用于将所述等离子体发生器装配到所述至少一个挡板上的开口，并且所述喷射件还包括围绕所述等离子体发生器以保持密封状态的波纹管。
4.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述等离子体发生器包括：
本体部分，其具有面向所述基板的底面；
第一电极，其设置在所述本体部分的所述底面上并且被施加以将气体转换成等离子体的高频功率；以及
第二电极，其设置在所述本体部分的所述底面上、处于所述第一电极之间，并且被施加以偏压功率。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第一电极与所述第二电极彼此共面并且形成放射状构造，由此在所述支撑件或所述喷射件的旋转过程中允许通过等离子体存在区域均匀地暴露所述基板。
6.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第一电极与所述第二电极布置为形成梳式构造。
7.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述等离子体发生器包括：
本体部分，其具有面向所述基板的底面；
第一电极，其设置在所述本体部分的所述底面上并且被施加以将气体转换成等离子体的高频功率；以及
第二电极，其设置在所述本体部分的所述底面上、处于所述第一电极之间，并且被施加以偏压功率，
其中，所述第一电极与所述第二电极布置在相同的高度处以形成线圈状构造。
8.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述喷射件包括：
上板，其成形为圆盘状；以及
分隔件，其设置在所述上板的底面上以对所述挡板定界。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述喷射件还包括喷嘴构件，所述喷嘴构件设置在所述上板的中心处并且构造为将所述至少一种反应气体与所述净化气体中的每个都喷射到相应的一个挡板中。
10.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述喷射件还包括设置为面向所述支撑件的喷头板，并且所述喷头板装配在设有所述等离子体发生器的所述挡板的下方并且与所述等离子体发生器隔开。
11.一种用于等离子体处理装置的喷射件，其包括：
上板，其成形为圆盘状；以及
喷嘴构件，其设置在所述上板的中心处以具有至少四个喷射开口，每个所述喷射开口都构造为以独立的方式喷射反应气体与净化气体中的相应一种；
至少四个挡板，它们设置在所述上板上以形成围绕所述喷嘴构件的放射状构造，所述至少四个挡板中的每个都连接到所述至少四个喷射开口中的相应一个上，以分别容纳相应的一种所述气体；以及
等离子体发生器，其设置在所述至少四个挡板的一个上以将所述反应气体转换成等离子体。
12.根据权利要求11所述的喷射件，其中，所述喷射件还包括构造为控制所述等离子体发生器的竖直位置的高度控制器。
13.根据权利要求11所述的喷射件，其中，所述喷射件构造为具有用于将所述等离子体发生器装配到所述挡板上的开口，并且所述喷射件还包括围绕所述等离子体发生器以保持密封状态的波纹管。
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