CN103308870A - 磁检测装置及其制造方法 - Google Patents

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CN103308870A CN201310038476XA CN201310038476A CN103308870A CN 103308870 A CN103308870 A CN 103308870A CN 201310038476X A CN201310038476X A CN 201310038476XA CN 201310038476 A CN201310038476 A CN 201310038476A CN 103308870 A CN103308870 A CN 103308870A
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Abstract

本发明的目的在于提供一种尤其是能够将磁检测装置相对于安装基板平行地稳定设置的磁检测装置及其制造方法。一种磁检测装置(1),其具备用于检测外部磁场的方向的磁传感器,且在安装面上具有多个电极焊盘,该磁检测装置(1)的特征在于,在安装面(12)上形成有绝缘层(7),在绝缘层(7)上形成有多个开口部(8),多个电极焊盘(9)形成在多个开口部(8)内,在多个开口部(8)中,至少在位于安装面(12)的周围部(12a)的多个周围开口部(8a)上分别形成从周围开口部(8a)连通到磁检测装置的侧面(1a~1d)的开放部(13)。

Description

磁检测装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及具备用于检测外部磁场的方向的磁传感器的磁检测装置的尤其是安装面的结构。
背景技术
作为用于检测外部磁场的方向的磁传感器,例如存在用于检测地磁的方位的地磁传感器。
具有地磁传感器的磁检测装置是在基板上具备所述地磁传感器且被封装化的装置。所述基板的背面相当于与安装基板进行安装的安装面,如图8(a)、(现有的磁检测装置的后视图)所示,在安装面30设有涂敷在基板的背面上的抗蚀剂层22,在所述抗蚀剂层22上形成有多个开口部23。并且,电极焊盘31在各开口部23内分别露出。如图8(a)所示,通过将多个电极焊盘31排列在安装面30上,能够实现基板安装的高密度化。
图8(a)所示的磁检测装置的侧面24相当于制造工序中的切断面。即,为了同时制造多个磁检测装置,而使用比构成各磁检测装置的基板大的基板(大基板),在大基板上搭载多个磁传感器等并模制后,将大基板按各个磁检测装置进行切断。此时的切断面相当于各磁检测装置的侧面24。
【在先技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开2001-7246号公报
【专利文献2】日本特开2002-100711号公报
【专利文献3】日本特开2008-277661号公报
【专利文献4】日本特开2006-295156号公报
【发明的概要】
【发明要解决的课题】
然而,在将大基板按各磁检测装置进行切断时,若如图8(a)所示那样切断位置D从规定的位置偏离,则如图8(b)、(现有的磁检测装置的局部放大后视图)所示,位于安装面30的周围部的至少一部分的周围开口部(图8(a)、(b)中标注符号23a)与磁检测装置的侧面24之间的间隔变窄,或者在周围开口部23a形成连通到侧面24的连通部(缺欠部)25。需要说明的是,图8(b)所示的侧面24是在图8(a)所示的切断位置D切断时的侧面。
如图8(b)所示,当在切断位置D形成侧面24时,周围开口部23a的最接近侧面24的位置与侧面24之间的最小宽度变得非常小,其结果是,所述最小宽度附近的抗蚀剂层22(在图8(b)中标注符号22a)的面积变得非常小,因此存在容易产生抗蚀剂剥落的问题。
当抗蚀剂层22剥落时,如图8(c)(磁检测装置的主视图)所示,在磁检测装置26的安装面30与安装基板27之间夹入抗蚀剂层22的剥离部,从而磁检测装置26相对于安装基板27容易以斜着倾斜的状态安装。需要说明的是,图8(c)、(d)所示的符号29为焊料层。
另外,当在周围开口部23a形成有连通到侧面24的连通部(缺欠部)25时,如图8(d)(磁检测装置的主视图)所示,用于将电极焊盘31与安装基板27的导电连接部之间接合的焊料膏28容易从连通部25向侧面24的外方流出。此时,在图8(a)所示的位于图示右侧的周围开口部23a中,焊料膏28容易经由连通部25而向侧面24的外方流动,但在图8(a)所示的位于图示左侧的周围开口部23a中,未形成连通部25而焊料膏28难以向侧面24的外方流动。因此,在焊料膏28容易流动的周围开口部23a内的电极焊盘31与安装基板27的导电连接部之间以及焊料膏28不流动的周围开口部23a内的电极焊盘31与安装基板27的导电连接部之间,向高度方向的间隔(间距)发生变化。因此,如图8(d)所示,磁检测装置26相对于安装基板27容易以斜着倾斜的状态安装。需要说明的是,在图8(d)中,将向外方流出的焊料膏28与焊料层29区别表示,该焊料层29将磁检测装置26与安装基板27之间接合。
如图8(c)、(d)所示,当磁检测装置26相对于安装基板27以斜着倾斜的状态安装时,无法通过内置在磁检测装置26内的地磁传感器精度良好地检测地磁的方位,从而产生检测精度的降低或检测精度不均。
在上述的各专利文献中,在设有具备用于使电极焊盘向安装面露出的开口部的抗蚀剂层的结构中,都未公开当切断位置从规定的位置偏离时,用于降低抗蚀剂剥落或焊料膏的流出的安装面的结构。
发明内容
因此,本发明用解决上述现有的课题,其目的在于提供一种尤其是能够使磁检测装置相对于安装基板平行地稳定设定的磁检测装置及其制造方法。
【用于解决课题的手段】
本发明提供一种磁检测装置,其具备用于检测外部磁场的方向的磁传感器,且在安装面上具有多个电极焊盘,所述磁检测装置的特征在于,
在所述安装面上形成有绝缘层,在所述绝缘层上形成有多个开口部,所述多个电极焊盘形成在所述多个开口部内,
在所述多个开口部中,至少在位于安装面的周围部的周围开口部上形成有开放部,该开放部从所述周围开口部连通到所述磁检测装置的侧面。由此,能够使周围开口部的最接近侧面的位置与侧面之间的最小宽度尺寸比以往扩宽,且能够使最小宽度附近的绝缘层的面积比以往增大。因此,能够比以往更加抑制绝缘层从安装面剥落或欠缺等不良情况。并且,在将磁检测装置安装到安装基板上时,能够使剩余的焊料膏从周围开口部朝向开放部流出。通过以上,能够将磁检测装置平行地安装在安装基板上,能够通过磁传感器高精度地检测外部磁场的方向,且能够降低精度不均。
在本发明中,优选所述绝缘层为抗蚀剂层。在本发明中,能够有效地抑制抗蚀剂剥落。
另外,在本发明中,优选所述磁检测装置具有基板、在所述基板的与所述安装面相反侧的面上配置的所述磁传感器及集成电路、覆盖所述磁传感器及所述集成电路的罩构件,
所述多个电极焊盘与在所述基板上设置的各配线层电连接,
所述磁检测装置的侧面由所述基板的侧面及所述罩构件的侧面构成。
另外,在本发明中,优选所述多个开口部及所述多个电极焊盘分别以大致圆形形状形成。能够简单地形成各开口部及各电极焊盘,且能够使各周围开口部与侧面之间的最小宽度尺寸比以往扩宽,从而能够有效地增大所述最小宽度附近的绝缘层的面积,能够有效地抑制绝缘层的剥落。
另外,在本发明中,优选所述磁传感器为地磁传感器。
另外,本发明提供一种磁检测装置的制造方法,所述磁检测装置具备用于检测外部磁场的方向的磁传感器,且在安装面上具有多个电极焊盘,所述磁检测装置的制造方法的特征在于,包括:
绝缘层形成在将构成多个所述磁检测装置的各安装面一体化的背面上,相对于该绝缘层在所述各安装面的位置上分别形成用于形成所述多个电极焊盘的多个开口部,此时,在各安装面上形成的所述多个开口部中,至少在位于各安装面的周围部的周围开口部上形成从所述开口部到达切断部的位置的开放部的工序;
在所述多个开口部分别形成所述电极焊盘的工序;
按各磁检测装置将所述背面切断的工序。
由此,在按各磁检测装置进行切断时,即使切断位置从切断部略微偏离,也能够使作为切断面的各磁检测装置的侧面与各周围开口部的最接近侧面的位置之间的最小宽度尺寸比以往扩宽,从而能够使最小宽度附近的绝缘层的面积比以往增大。因此,能够比以往更加抑制绝缘层从安装面剥落或欠缺等不良情况。另外,在将磁检测装置安装到安装基板上时,能够使剩余的焊料膏从各周围开口部大致均匀地向开放部流出。通过以上,能够将磁检测装置平行地安装在安装基板上,通过磁传感器能够高精度地检测外部磁场的方向,且能够降低精度不均。
另外,在本发明中,与以往相比,能够扩宽切断位置的允许范围,因此,能够使制造工序容易化。
在本发明中,优选通过所述开放部将形成在隔着所述切断部相邻的所述各安装面上的各周围开口部之间一体地连结。由此,能够简单地形成开放部,并且,即使切断位置略微偏离,在相邻的各安装面上形成的各周围开口部双方也能够适当设置连通到侧面(相当于切断位置的切断面)的开放部。
另外,在本发明中,优选所述磁检测装置具有基板、在所述基板的与所述安装面相反侧的面上配置的所述磁传感器及集成电路、覆盖所述磁传感器及所述集成电路的罩构件,
所述基板是将多个所述磁检测装置一体化的尺寸的大基板,在所述大基板的各磁检测装置的位置配置所述磁传感器及所述集成电路,
按各磁检测装置将所述大基板切断。
通过上述方法,能够简单地制造多个封装化了的磁检测装置。
【发明效果】
根据本发明,能够使周围开口部的最接近侧面的位置与侧面之间的最小宽度尺寸比以往扩宽,从而能够使最小宽度附近的绝缘层的面积比以往增大。因此,能够比以往更加抑制绝缘层从安装面剥落或欠缺等不良情况。并且,在将磁检测装置安装到安装基板上时,能够使剩余的焊料膏从周围开口部朝向开放部流出。通过以上,能够将磁检测装置平行地安装在安装基板上,能够通过磁传感器高精度地检测外部磁场的方向,且能够降低精度不均。
附图说明
图1(a)是本实施方式中的磁检测装置的主视图,图1(b)是表示图1(a)所示的磁检测装置的安装面的后视图,图1(c)是将图1(b)所示的安装面的一部分放大而示出的局部放大后视图。
图2(a)是将在本实施方式的安装面的绝缘层上形成的周围开口部和开放部放大而示出的局部放大后视图,尤其是用于与现有那样没有开放部的方式相比来说明本实施方式的效果的图,图2(b)是表示另一实施方式的周围开口部的形状的局部后视图。
图3是表示本实施方式中的磁检测装置及将磁检测装置安装在安装基板上的状态的局部放大纵剖视图。
图4是本实施方式中的磁检测装置的框图。
图5是表示本实施方式中的磁检测装置的制造工序的一工序图(表示安装面的图)。
图6是表示图5所示的工序的下一工序的一工序图(表示安装面的图)。
图7是表示另一实施方式的磁检测装置的制造工序图(表示安装面的图)。
图8(a)是表示现有的磁检测装置的安装面的后视图,图8(b)是将图8(a)所示的安装面的一部分放大而示出的局部放大后视图,图8(c)、(d)是用于说明现有的磁检测装置的问题点的主视图。
【符号说明】
A切断部
B切断位置
1磁检测装置
1a~1e(磁检测装置的)侧面
2基板
2a(基板的)表面
2b(基板的)背面
3磁传感器
4集成电路
5罩构件
6、7绝缘层
8开口部
8a周围开口部
8b内侧开口部
9电极焊盘
10、11配线层
12安装面
12a周围部
13、14开放部
15安装基板
16导电连接部
19焊料层
20焊料膏
20a(焊料膏的)剩余量
21大基板
具体实施方式
图1(a)是本实施方式中的磁检测装置的主视图,图1(b)是表示图1(a)所示的磁检测装置的安装面的后视图,图1(c)是将图1(b)所示的安装面的一部分放大而示出的局部放大后视图。另外,图2(a)是将在本实施方式的安装面的绝缘层上形成的周围开口部和开放部放大而示出的局部放大后视图,尤其是用于与现有那样没有开放部的方式相比来说明本实施方式的效果的图。另外,图2(b)是表示另一实施方式的周围开口部的形状的局部后视图。另外,图3是表示本实施方式中的磁检测装置及将磁检测装置安装在安装基板上的状态的局部放大纵剖视图。另外,图4是本实施方式中的磁检测装置的框图。
本实施方式中的具备磁传感器的磁检测装置1例如构成为搭载于便携式电话等携带设备上的地磁检测装置(地磁传感器)。
各图所示的X轴方向及Y轴方向表示在水平面内正交的两个方向,Z轴方向表示相对于所述水平面正交的方向。
如图1、图3所示,磁检测装置1具有:基板2;搭载在基板2的表面(上表面)2a上的磁传感器3及集成电路4(ASIC);覆盖磁传感器3及集成电路4的表面的罩构件5;在基板2的背面(下表面)2b上设置的配线层6;在背面2b上形成的绝缘层7;在绝缘层7上形成的开口部8;从所述开口部8露出且与所述配线层6电连接的电极焊盘9。
如图3的实线所示,磁传感器3可以设置在基板2表面上,或者如图3的虚线所示,磁传感器3可以与集成电路4重叠设置。
在基板2的表面2a上形成有配线层10,各配线层10的前端的连接端部10a与集成电路4的电极部4a经由导电粘接剂而电连接。
如图4所示,磁传感器3与集成电路4之间电连接,通过磁传感器3得到的检测信号由集成电路4进行控制。
磁传感器3如上述那样例如为地磁传感器,如图4所示,地磁传感器具备X轴传感器3a、Y轴传感器3b及Z轴传感器3c。这样,通过使用能够进行三轴检测的磁传感器3,从而能够检测地磁的方位。
在本实施方式中,磁传感器3的结构没有限定。例如,磁传感器3中可以使用磁阻效应元件(GMR元件、TMR元件等)或霍尔元件。
如图3所示,在基板2上设有从表面2a连通到背面2b的内部配线层11,经由内部配线层11将集成电路4和电极焊盘9电连接(也参照图4)。
如图3所示,在基板2的背面2a形成有绝缘层7。绝缘层7例如为抗蚀剂层。如图1(b)、图3所示,在绝缘层7上形成有多个开口部8。并且,多个电极焊盘9一个一个地设置在各开口部8内。
如图1(b)所示,各开口部8及各电极焊盘9以大致圆形形状形成。需要说明的是,开口部8中,对于周围开口部8a而言,如后述的那样与开放部连续连结,因此周围开口部8a的轮廓严格来说不是圆形形状,而是圆弧状。大致为圆形形状是由于,在圆形以外,还可以为因制造误差等从圆形略微变形的形状,并且还包括周围开口部8a的外周那样的圆弧状的方式。
各电极焊盘9是在与安装基板进行安装的安装面12露出的平面电极焊盘(LGA;Landgrid array),俯视下(Z方向观察)形成为大致圆形形状。各电极焊盘9的外周部位于比各开口部8的外周靠内侧的位置,从而各电极焊盘9的面积比各开口部8的面积形成得小。
在图3中,各电极焊盘9的厚度与绝缘层7的厚度相同,但只要与安装基板之间能够适当地进行安装,则对厚度尺寸没有特别地限定。
如图1(b)所示,在绝缘层7上形成的多个开口部8中,多个周围开口部8a位于安装面12的周围部12a。在此,周围部12a表示安装面12中的磁检测装置1的X1侧面1a附近、X2侧面1b附近、Y1侧面1c附近及Y2侧面1d附近。需要说明的是,在安装面12的形状不是矩形形状,而是其它的多边形形状的情况下,是指各边附近,另外,在安装面具有曲面的情况下,是指沿着曲面的侧面附近。或者,如图1(b)所示,在安装面12的中央附近设有开口部(称为内侧开口部8b),但也可以将位于比内侧开口部8b靠外侧的位置的开口部8定义为周围开口部8a。
如图1(b)所示,周围开口部8a以包围安装面12的X1侧面1a附近、X2侧面1b附近、Y1侧面1c附近及Y2侧面1d附近的方式形成,但周围开口部8a或内侧开口部8b的配置、个数与在安装基板15的表面上形成的导电连接部16的配置对应而变更。
如图1(b)所示,在多个周围开口部8a分别形成有连通到任一侧面1a~1d的开放部13。在此,各开放部13朝向距各周围开口部8a近的侧面形成。图1(c)所示的周围开口部8a在安装面12内设置在X2-Y2侧的角部,在周围开口部8a上设有连通到X2侧面1b的开放部13和连通到Y2侧面1d的开放部13。需要说明的是,开放部13的个数相对于各周围开口部8a设有一个以上。
各开放部13以与孔状的各周围开口部8a一体化的槽形状形成。各开放部13的深度尺寸与各周围开口部8a的深度尺寸相同。各开口部8及各开放部13将绝缘层6沿膜厚方向贯通,配线层6的一部分从各开口部8露出。
如图1(c)所示,各开放部13的宽度尺寸t1比各周围开口部8a的最大宽度尺寸(直径)t2形成得小。另外,在图1(b)、(c)中,各开放部13形成为固定宽度,但也可以以宽度变化的方式形成。
若绝缘层7为抗蚀剂,则各开放部13可以使用光刻技术而与各周围开口部8a一起形成,另外,在绝缘层7不是抗蚀剂的情况下,可以使用光刻技术及蚀刻技术而与各周围开口部8a一起形成。
需要说明的是,虽然在内侧开口部8b上未形成与侧面连通的开放部,但如图1(b)的虚线所示,具有能够形成开放部14的空间,且即使焊料膏在开放部14流出,只要不经由流出的焊料膏与安装基板15之间引起短路而成为不能使用的状态,则就可以在内侧开口部8b上设置连通到侧面的开放部14。
如图3所示,在安装基板15的表面形成有配线层17,在配线层17的端部设有导电连接部16。另外,导电连接部16以外的配线层17上由抗蚀剂等绝缘层18覆盖。
并且,如图3所示,磁检测装置1的各电极焊盘9和安装基板15的各导电连接部16经由焊料层19电连接。
如图1(a)、图3所示,磁传感器3及集成电路4的表面由罩构件5覆盖,磁检测装置1被封装化。例如,罩构件5为封装用模制树脂。
在本实施方式中,磁检测装置1的侧面1a~1d由基板2及罩构件5的各侧面构成。
在本实施方式的磁检测装置1中,在安装面12上设置的绝缘层7上设有多个开口部8,电极焊盘9在各开口部8内露出。多个开口部8中,在位于安装面12的周围部12a的多个周围开口部8上连通有连通到距离上近的侧面1a~1d的开放部13。
图2(a)所示的X2侧面1b的位置与后述的制造方法所示的切断部A的位置大致一致,周围开口部8a从侧面1b向内侧(X1侧)离开最小距离L1。
然而,当切断位置B在其移动宽度的范围内比切断部A向X1侧偏离时,通过切断位置B形成的侧面1e比本来的侧面1b更接近周围开口部8a。在此,图3所示的侧面1e设置在未形成与周围开口部8a连通的开放部13的方式(图8(a)、(b)所示的现有例)中的与周围开口部8a的圆周相接的位置(由虚线表示的圆周与侧面1e相接)。
由图2(a)的斜线表示的区域C是指在将现有例那样未形成有连通到周围开口部8a的开放部13的结构与实施方式那样形成有连通到周围开口部8a的开放部13的结构对比时,在本实施方式中不存在但在现有例的结构中存在的绝缘层7的区域。
在由斜线表示的绝缘层7的区域C中,周围开口部8a的最接近侧面1e的位置与侧面1e之间的最小宽度尺寸非常窄,在图2(a)中成为零,区域C成为逐渐变细的形状而面积变得非常小。因此,在区域C中,容易产生绝缘层7剥落或欠缺的不良情况。
与此相对,在本实施方式中,形成从周围开口部8a连通到侧面1b、1e的开放部13,由此即使切断位置B向X1侧偏离而形成为侧面1e,通过设置开放部13的侧壁部13a、13b,也使周围开口部8a与侧面1e之间的最小宽度尺寸成为L2,从而能够使最小宽度尺寸L2比现有例增大。因此,在本实施方式中,能够使最小宽度附近的绝缘层7的面积比现有例形成得大。因此,即使切断位置B向接近周围开口部8a的方向(最大限度如图2(a)所示,直到与周围开口部8a的由虚线表示的圆周相接的位置)偏离,在本实施方式中,开放部13的侧壁部13a、13b也会残留,从而能够降低绝缘层7剥落或欠缺的不良情况。
另外,在本实施方式中,如图1(b)所示,通过在全部的周围开口部8a设置连通到任一侧面1a~1d的开放部13,由此,如图1(c)所示,安装基板15与导电连接部16的接合中使用的焊料膏20的剩余量20a被从周围开口部8a内向开放部13内引导。例如在本实施方式中,通过回流方式进行钎焊,而此时,能够使熔解了的焊料膏20的剩余量20a从各周围开口部8a向开放部13流出。并且,由于开放部13连通到侧面,因此在焊料膏的涂敷量多的部位,能够将剩余量20a经由开放部13适当地引导到侧面的外方。因此,能够将各电极焊盘9与各导电连接部16之间的接合部分中的焊料膏的量调整成在哪个接合部分都大致同等。
通过以上,如图1(a)所示,能够将磁检测装置1与安装基板15的表面15a平行地安装,能够通过磁传感器3高精度地检测地磁的方位,且与以往相比能够降低精度不均。
在本实施方式中,优选绝缘层7为抗蚀剂层。能够将绝缘层7以所期望的厚度形成,并且在绝缘层7上能够简单且适当地形成由规定的形状及尺寸构成的多个开口部8及多个开放部13。并且,在本实施方式中,即便使绝缘层7为抗蚀剂层,且即便如图2(a)中说明的那样切断位置B从本来的切断部A的位置偏离,也能够使周围开口部8a与侧面1e之间的最小宽度尺寸L2比以往大,因此,在本实施方式中能够使最小宽度附近的绝缘层7(抗蚀剂层)的面积比现有例形成得大。因此,能够有效地抑制抗蚀剂剥落。
另外,在本实施方式中,优选各开口部8及各电极焊盘9以大致圆形形状形成。如图2(a)所示,通过将周围开口部8a的外周形成为大致圆形形状(圆弧状),能够比以往更有效地增大周围开口部8a与侧面1e之间的最小宽度尺寸L2。例如,各周围开口部8a也可以不是大致圆形形状(圆弧状),而如图2(b)所示,各周围开口部8a的外周壁面8a1中的至少接近磁检测装置的侧面1a~1d的外周壁面8a1也可以由相对于磁检测装置的侧面1a~1d呈直线状或曲面状的倾斜面形成。图2(b)所示的周围开口部8a为菱形,菱形的周围开口部8a的外周壁面中的接近侧面1b、1d的外周壁面8a1、8a1相对于侧面1b、1d倾斜。并且,开放部13从周围开口部8a形成到侧面1b、1d(图2(b)所示的虚线表示在周围开口部8a未形成开放部13的现有例的方式)。但是,将周围开口部8a形成为图1(b)、(c)、图2(a)所示的圆形形状比形成为图2(b)所示的形状更能够简单地形成周围开口部8a,因此更加适合。
接着,对本实施方式的磁检测装置1的制造方法进行说明。
首先,在本实施方式中,在将构成多个磁检测装置1的各基板2一体化的尺寸的大基板的表面上安装多个磁传感器3及多个集成电路4。各磁传感器3及各集成电路4分别安装在各磁检测装置1的位置。
并且,将图3所示的罩构件5形成在各磁传感器3及各集成电路4的表面上。罩构件5在各磁检测装置1之间一体化而形成。罩构件5为模制树脂,在多个磁传感器3及多个集成电路4的表面上能够成形出由模制树脂构成的罩构件5。
如图5所示,在大基板21的背面21b形成有例如由抗蚀剂层构成的绝缘层7,在所述绝缘层7上使用光刻技术而形成多个开口部8。图5所示的虚线表示切断部A,由切断部A区分的各区域构成各磁检测装置1的各安装面12。
如图5所示,在各安装面12上形成的多个开口部8中,在位于各安装面12的周围部的多个周围开口部8a上,到达切断部A的位置的开放部13与各周围开口部8a同时形成。各周围开口部8a及开放部13是在绝缘层7上形成的孔(洞)。图3所示的配线层6从各周围开口部8a露出。
如图5所示,通过开放部13将形成在隔着切断部A而相邻的各安装面12上的各周围开口部8a之间一体地连结。例如图7所示,若切断部A具有某程度的宽度,且将与各周围开口部8a连续的各开放部13的端部13c以进入到切断部A的宽度内的方式形成,则也可以未必如图5所示那样通过开放部13将隔着切断部A相邻的周围开口部8a之间一体地连结。若从图7所示的切断部A将大基板21切断,则在各安装面12形成的各周围开口部8a上能够形成连通到各磁检测装置1的侧面的开放部13。但是,若切断位置为从切断部A略微偏离的程度,则没有问题,但若如图7所示那样切断位置B从切断部A的偏离变大,则在图7的图示右侧排列的各周围开口部8a上形成未连通到磁检测装置1的侧面而在中途终止的开放部13。因此,如图5所示,在隔着切断部A相邻的各安装面12上形成的各周围开放部8a之间通过开放部13一体地连结的情况能够扩宽切断位置偏离的允许范围,因此优选。
接着,如图6所示,在各周围开口部8a内形成电极焊盘9。另外,若具有图1(b)所示的内侧开口部8b,则在内侧开口部8b中也形成电极焊盘9。如上所述,由于配线层6的一部分在各开口部8内露出,因此电极焊盘9重叠而形成在配线层6上。另外,电极焊盘9的材质没有特别限定,但例如可以由通过涂敷Ag糊剂或Cu糊剂以及使它们热固化而得到的导电层来形成。
另外,在图5、图6中,将各开口部8及各电极焊盘9形成为大致圆形形状,但对形状没有限定。然而,形成为大致圆形形状优选。
接着,沿着切断部A将大基板21及罩构件按各磁检测装置1进行切断(切割)。此时,如图6所示,即使切断位置B从本来的切断部A偏离,根据本实施方式的磁检测装置的制造方法,在各磁检测装置1的安装面12形成的各周围开口部8a上也能够分别形成连通到磁检测装置1的侧面的开放部13。因此,在将各磁检测装置1通过回流钎焊而安装到安装基板15上时,能够使剩余的焊料膏从各周围开口部8a向开放部13流出。
另外,如图2(a)中说明的那样,即使切断位置B从本来的侧面1b向X1侧偏离而形成为侧面1e,通过形成开放部13的侧壁部13a、13b,也能够将周围开口部8a与侧面1e之间的最小宽度尺寸形成为L2,从而能够使最小宽度尺寸比现有例大。因此,在本实施方式中,能够使最小宽度附近的绝缘层7的面积比现有例形成得大。因此,即使切断位置B向接近周围开口部8a的方向略微偏离,也能够降低绝缘层7剥落或欠缺的不良情况。
通过以上,能够将本实施方式的磁检测装置1平行地安装在安装基板15的表面上。并且,在本实施方式中,能够使切断位置的允许范围比以往扩宽,因此能够使制造工序容易化。
需要说明的是,在本实施方式中,周围开口部8a为多个,但即使为一个。也比以往具有效果。
本实施方式中的磁检测装置1在地磁传感器以外也能够任用。但是,被适用于三轴加速度传感器或速度传感器等需要正确地得知外部磁场的方向的磁检测装置。

Claims (8)

1.一种磁检测装置,其具备用于检测外部磁场的方向的磁传感器,且在安装面上具有多个电极焊盘,所述磁检测装置的特征在于,
在所述安装面上形成有绝缘层,在所述绝缘层上形成有多个开口部,所述多个电极焊盘形成在所述多个开口部内,
在所述多个开口部中,至少在位于安装面的周围部的周围开口部上形成有开放部,该开放部从所述周围开口部连通到所述磁检测装置的侧面。
2.根据权利要求1所述的磁检测装置,其中,
所述绝缘层为抗蚀剂层。
3.根据权利要求1所述的磁检测装置,其中,
所述磁检测装置具有基板、在所述基板的与所述安装面相反侧的面上配置的所述磁传感器及集成电路、覆盖所述磁传感器及所述集成电路的罩构件,
所述多个电极焊盘与设置在所述基板上的各配线层电连接,
所述磁检测装置的侧面由所述基板的侧面及所述罩构件的侧面构成。
4.根据权利要求1所述的磁检测装置,其中,
所述多个开口部及所述多个电极焊盘分别以大致圆形形状形成。
5.根据权利要求1所述的磁检测装置,其中,
所述磁传感器为地磁传感器。
6.一种磁检测装置的制造方法,所述磁检测装置具备用于检测外部磁场的方向的磁传感器,且在安装面上具有多个电极焊盘,所述磁检测装置的制造方法的特征在于,包括:
绝缘层形成在将构成多个所述磁检测装置的各安装面一体化的背面上,相对于该绝缘层在所述各安装面的位置上分别形成用于形成所述多个电极焊盘的多个开口部,此时,在各安装面上形成的所述多个开口部中,至少在位于各安装面的周围部的周围开口部上形成从所述开口部到达切断部的位置的开放部的工序;
在所述多个开口部分别形成所述电极焊盘的工序;
按各磁检测装置将所述背面切断的工序。
7.根据权利要求6所述的磁检测装置的制造方法,其中,
通过所述开放部将形成在隔着所述切断部相邻的所述各安装面上的各周围开口部之间一体地连结。
8.根据权利要求6所述的磁检测装置的制造方法,其中,
所述磁检测装置具有基板、在所述基板的与所述安装面相反侧的面上配置的所述磁传感器及集成电路、覆盖所述磁传感器及所述集成电路的罩构件,
所述基板是将多个所述磁检测装置一体化的尺寸的大基板,在所述大基板的各磁检测装置的位置上配置所述磁传感器及所述集成电路,
按各磁检测装置将所述大基板切断。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104793152A (zh) * 2014-01-16 2015-07-22 北京嘉岳同乐极电子有限公司 一种高灵敏芯片传感器
WO2015113184A1 (zh) * 2014-01-29 2015-08-06 北京嘉岳同乐极电子有限公司 高灵敏磁传感器及其制作方法
CN105607014A (zh) * 2014-11-17 2016-05-25 精工爱普生株式会社 磁计量装置及其制造方法以及气室及其制造方法
CN105793672A (zh) * 2013-12-27 2016-07-20 日立金属株式会社 磁传感器、使用该磁传感器的磁编码器、透镜镜筒、相机、以及磁传感器的制造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1444016A (zh) * 2002-03-07 2003-09-24 阿尔卑斯电气株式会社 检测装置
JP2004138558A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Sony Corp 磁気方位測定装置
JP2004239828A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Fukuoka Prefecture フラックスゲート磁界センサ
CN1598609A (zh) * 2003-07-18 2005-03-23 雅马哈株式会社 磁传感器及其制造方法
CN1674270A (zh) * 2004-03-24 2005-09-28 雅马哈株式会社 半导体装置、磁传感器和磁传感器单元
US20060231949A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Chang-Yong Park Semiconductor module and method of forming a semiconductor module

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04266038A (ja) * 1991-02-21 1992-09-22 Sharp Corp Lsiチップの実装構造
JPH08264928A (ja) * 1995-03-22 1996-10-11 Nec Corp はんだバンプ形成用パッド
KR100225655B1 (ko) * 1997-10-23 1999-10-15 윤종용 반도체 패키지의 인쇄회로기판 실장 구조
JP3826831B2 (ja) * 2002-04-17 2006-09-27 松下電器産業株式会社 半導体装置の組立方法
JP3850755B2 (ja) * 2002-05-29 2006-11-29 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100787228B1 (ko) * 2006-06-12 2007-12-21 삼성전자주식회사 2축 지자기 센서 및 그 제작방법
JP2008053347A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Seiko Epson Corp デバイス及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2009130271A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Panasonic Corp 半導体装置とその製造方法
JP5142967B2 (ja) * 2008-12-10 2013-02-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2010237058A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sanyo Electric Co Ltd センサ装置およびその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1444016A (zh) * 2002-03-07 2003-09-24 阿尔卑斯电气株式会社 检测装置
JP2004138558A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Sony Corp 磁気方位測定装置
JP2004239828A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Fukuoka Prefecture フラックスゲート磁界センサ
CN1598609A (zh) * 2003-07-18 2005-03-23 雅马哈株式会社 磁传感器及其制造方法
CN1674270A (zh) * 2004-03-24 2005-09-28 雅马哈株式会社 半导体装置、磁传感器和磁传感器单元
US20060231949A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Chang-Yong Park Semiconductor module and method of forming a semiconductor module

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105793672A (zh) * 2013-12-27 2016-07-20 日立金属株式会社 磁传感器、使用该磁传感器的磁编码器、透镜镜筒、相机、以及磁传感器的制造方法
CN104793152A (zh) * 2014-01-16 2015-07-22 北京嘉岳同乐极电子有限公司 一种高灵敏芯片传感器
CN104793152B (zh) * 2014-01-16 2019-02-15 北京嘉岳同乐极电子有限公司 一种高灵敏芯片传感器
WO2015113184A1 (zh) * 2014-01-29 2015-08-06 北京嘉岳同乐极电子有限公司 高灵敏磁传感器及其制作方法
CN106104290A (zh) * 2014-01-29 2016-11-09 北京嘉岳同乐极电子有限公司 高灵敏磁传感器及其制作方法
CN105607014A (zh) * 2014-11-17 2016-05-25 精工爱普生株式会社 磁计量装置及其制造方法以及气室及其制造方法

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