CN103119002B - 压电陶瓷、压电陶瓷部件及使用该压电陶瓷部件的压电装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种全新的压电陶瓷，该压电陶瓷具有将Li、Na、K、Nb和O作为构成元素的含碱铌酸类钙钛矿结构，其可以在1000℃左右容易地进行烧结，且不会使压电特性大幅降低。对于具有将Li、Na、K、Nb和O作为构成元素的含碱铌酸类钙钛矿结构的压电陶瓷，通过有意图地使Li3NbO4结晶相析出，能够在不是通常需要的1050℃以上的烧制温度，而是在1000℃左右进行烧制。

Description

压电陶瓷、压电陶瓷部件及使用该压电陶瓷部件的压电装置
技术领域
本发明涉及不含铅等重金属元素的含碱铌酸类钙钛矿结构的压电陶瓷、及使用该压电陶瓷的压电发声体、压电传感器、压电致动器、压电变压器、压电超声波电动机等压电陶瓷部件、以及使用该压电陶瓷部件的压电装置。
背景技术
压电陶瓷是将电能转换为机械能、将机械能转换为电能的一种压电材料，大多被应用于电子器件。作为该压电陶瓷，公知的有，例如：含有PbTiO3－PbZrO3两种成分的二成分类的含铅压电陶瓷（以下，称为“PZT”。）、将Pb（Mg1／3Nb2／3）O3或Pb（Zn1／3Nb2／3）O3作为第三成分具有的三成分类的含铅压电陶瓷。这些PZT具备高压电效果，因此，作为压电陶瓷部件被广泛使用。但是，对于以PZT为主成分的压电陶瓷，存在生产工序时的PbO的挥发、曝露于酸性雨中导致的Pb成分的流出等、环境负荷高的问题。
因此，正在寻求不含铅的非铅类压电陶瓷。作为非铅类压电陶瓷的公开例，例如，在Nature，432（4），2004，pp.84－87（非专利文献1）和Applied Physics Letters85（18），2004，pp.4121－41232（非专利文献2）中，公开有具有含碱铌酸类钙钛矿结构，且具有与PZT匹敌的压电效果的压电陶瓷。
这些具有含碱铌酸类钙钛矿结构的压电陶瓷，在特开2002－068835号公报（专利文献1）、特开2003－342069号公报（专利文献2）和特开2004－300012号公报（专利文献3）中也已公开。专利文献2、3的压电陶瓷以Li、Na、K、Nb、Ta、Sb和O为主成分，用通式｛Lix［Na1－yKy］1－x｝a｛Nb1－z－wTazSbw｝bO3（式中、x、y、z、w、a和b表示摩尔比，0≤x≤0.2、0≤y≤1、0≤z≤0.4、0≤w≤0.2、a≤0.95、b≤1.05。）表示，具有高压电特性（压电常数、机电耦合系数等）。另外，如特开2008－169113号公报（专利文献4）中所公开的那样，相对于用上述通式表示的主成分的化合物1mol，作为添加元素添加0.001mol～0.15mol的Ag，由此，能够使压电常数、机电耦合系数、相对介电常数、介电损耗、居里温度中的任一个以上的特性提高。
但是，用上述的通式表示的压电陶瓷中，锑（Sb）属于重金属，担心对人体的毒性。因此，理想的是不含锑的压电陶瓷。另外，虽然可以利用钽（Ta）使居里温度降低提高压电陶瓷的介电常数，且提高压电常数等特性，但其反面是，要获得致密的陶瓷，必要的烧制温度就会上升。
这样，具有不含Sb和Ta而将Li、Na、K、Nb和O作为构成元素的含碱铌酸类钙钛矿结构的压电陶瓷（以下，称为“LNKN”。），具有优异的压电特性，而烧结性比含铅压电陶瓷差。例如，作为LNKN的一种的Li0.06Na0.47K0.47NbO3，如非专利文献2所记载，向其极化轴方向的位移特性d33为235pC／N，显示优异的特性，但要获得致密的烧结体需要在1050℃～1100℃进行烧制。当在高烧制温度下进行烧制时，碱金属元素容易蒸发，成为压电效果劣化的原因。因此，为了获得具有足够高的压电效果的陶瓷，需要精密地控制烧制温度。
在特开2008－207999号公报（专利文献5）中，公开有一种技术，其通过使用混合有Li2CO3、LiBO2、Li2B4O7的烧结助剂，以低烧结温度获得致密的烧结体。但是，Li2CO3在烧制后作为Li2O残存于烧结体中，因此陶瓷的电阻降低。另外，LiBO2和Li2B4O7成为使压电特性降低的原因。
另外，在特开2004－115293号公报（专利文献6）中，公开有一种压电陶瓷，其通过以（K、Na）（Nb、Ta）O3的B位元素（Nb、Ta）比化学计量比过剩的方式调节初始原料的组成并且添加CuO，实现了烧结性的改善。但是，在该压电陶瓷中，要获得致密的烧结体，也需要1050℃以上的烧结温度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:（日本）特开2002－068835号公报
专利文献2:（日本）特开2003－342069号公报
专利文献3:（日本）特开2004－300012号公报
专利文献4:（日本）特开2008－169113号公报
专利文献5:（日本）特开2008－207999号公报
专利文献6:（日本）特开2004－115293号公报
非专利文献
非专利文献1:Nature，432（4），2004，pp.84－87
非专利文献2:Applied Physics Letters85（18），2004，pp.4121－4123
发明内容
如上所述，要获得LNKN的致密的烧结体，需要设定为1050℃～1100℃的烧制温度，因此，LNKN作为在1000℃左右能够获得致密的烧结体且具有高压电特性的含铅压电陶瓷的替代是不充分的。例如，在利用LNKN作为将贵金属或贱金属作为电极具有的层叠压电陶瓷部件用的压电陶瓷的情况下，理想的是为了抑制内部电极的收缩将烧制温度设定为1000℃程度，但在1000℃程度获得LNKN的致密的烧结体的技术至今尚未可知。
本发明的各种实施方式，其目的在于，提供一种不损害压电特性，在1000℃左右可烧结的以LNKN为主成分的陶瓷化合物。
本发明人发现，通过在具有将Li、Na、K、Nb和O作为构成元素的含碱铌酸类钙钛矿结构的压电陶瓷中使Li3NbO4结晶相析出，该压电陶瓷能够在1000℃左右进行致密地烧结。
本发明的一方面提供一种压电陶瓷，其在以具有将Li、Na、K、Nb和O作为构成元素的含碱铌酸类钙钛矿结构的压电陶瓷为主成分的陶瓷中，保持用组成式Li3NbO4表示的结晶相。
发明效果
根据本发明的实施方式，提供一种能够不损害压电特性可在1000℃左右进行烧结的以LNKN为主成分的陶瓷化合物。
附图说明
图1是表示ABO3型钙钛矿结构的结晶构造的示意图。
图2是表示本发明的压电装置的一例的侧面图。
图3是表示本发明的压电装置的一例的示意剖面图。
图4是表示本发明的压电装置的一例的平面图。
图5是表示本发明的压电装置的一例的示意剖面图。
图6是表示试样No.1和试样No.2的各自的烧结密度的烧结温度依存性的图。
图7是表示试样No.1（上段）及试样No.2（下段）的X射线衍射轮廓的图。
图8是表示试样No.2～No.6的X射线衍射轮廓的图。
符号说明
101：压电陶瓷层
102：第一电极
103：第二电极
104：第一端子电极
105：第二端子电极
106：基板
107：弹性体
108：接点
具体实施方式
本申请基于日本国专利申请2010-288242号主张优先权。在该申请中记载的内容通过参照作为整体被引入本申请说明书。
本发明的各种实施方式的压电陶瓷材料，将Li、Na、K、Nb和O作为其构成元素，以具有含碱铌酸类钙钛矿结构的压电陶瓷（即，LNKN）为主成分。含碱铌酸类钙钛矿结构为ABO3型的钙钛矿结构的一种，在A位含有K、Na、Li等碱金属元素，在B位含有Nb。图1是表示钙钛矿结构的示意图。如图1所示，钙钛矿结构具有在B位的周围配位有6个O、在A位的周围配位有12个O而成的单元结构，通过该单元结构周期性连续而形成结晶。在钙钛矿结构中，在占据A位的元素和占据B位的元素的组成比（摩尔比）为按照钙钛矿结构的化学计量比的1:1时，所有的位位置由对应的元素占据，获得稳定的结构。但是，LNKN的烧结体的组成因K、Na、Li的熔析和煅烧（Calcining）工序或烧制（烧成）工序的K、Na、Li的挥发等，可自按照化学计量比的组成最大变动2％左右。这些构成元素的变动量根据其原材料、合成时期、合成工序而变化。
于是，在初始配合中，将占据A位的元素（K、Na、Li）的原材料相对占据B位的元素的原材料的配合比率设定为比根据化学计量比规定的理想的配合比率高，使得最终获得的烧结体的占据A位的元素和占据B位的元素的组成比为1：1的化学计量比。但是，要使最终获得的LNKN具有高压电效果，优选将烧结后的A位含有的元素和B位含有的元素的组成比设定为0.98＜A／B＜1.01的范围。但是，在提高占据A位的K、Na、Li元素的原材料的配合比率时，K2O、Na2O、Li2O等氧化物和K2CO3、Na2CO3、Li2CO3等碳酸化合物析出，有时使得到的压电陶瓷的比电阻率降低，或产生潮解性。
在本发明的一实施方式中，通过在由LNKN构成的主成分中使Li3NbO4析出，可获得具有高烧结性的压电陶瓷。在一个方式中，配合Li2CO3等Li的原材料，使Li比LNKN的化学计量比过剩，由此，能够在由LNKN构成的主成分中使Li3NbO4析出。在一方式中，作为初始原料的Li2CO3，可以使用将市售的Li2CO3经由球磨机进行24小时预备粉碎而使平均粒径为1μm以下的原料。市售的Li2CO3的多数平均粒径为5μm以上，在使用这种平均粒径为5μm以上的Li2CO3时，难以使Li3NbO4析出。在本发明的实施方式的压电陶瓷中，通过在由LNKN构成的主成分中使Li3NbO4析出，在1000℃左右容易进行烧结，与不含Li3NbO4结晶相的压电陶瓷相比较，能够获得压电特性不被损害的压电陶瓷。在本发明的实施方式的压电陶瓷中，认为在以1比1含有碱成分和铌的钙钛矿结构的主成分中，相比该主成分碱成分过剩的Li3NbO4结晶相析出，由此，在烧结时能够用过剩的Li补充从钙钛矿结构中挥发的碱成分，由此，增强烧结性。
在一实施方式中，Li3NbO4结晶相也可以是在ICSD（Inorganic CrystalStructure Database）中记载于PDF－01－082－1198或PDF－01－075－0902的立方晶类的结晶相。一实施方式的Li3NbO4结晶相的晶格常数为或。其中，关于晶格常数及其各自的衍射线强度比，由于Li3NbO4结晶相的结晶性、结晶结构内的损耗因子等，有时例如小数点2位数以后的晶格常数发生变化，但不成为本发明的障碍。
本发明一个实施方式的压电陶瓷也可以是用组成式｛Lix［NayK1－y］1 －x｝aNbO3（其中，式中0.0＜x≤0.20、0≤y≤1、1.0≤a≤1.01。）表示的压电陶瓷。一个实施方式的压电陶瓷用组成式｛Lix［NayK1－y］1－x｝aNbO3（其中，式中0.03≤x≤0.10、0.40≤y≤0.60、1.0≤a≤1.01。）表示。通过将本发明的实施方式的压电陶瓷的构成元素的组成比设定为在这些组成式所示的范围内，能够获得与含铅压电陶瓷的压电特性同程度的特性，并且，能够在1000℃左右进行致密地烧制。因此，能够提供一种在压电器件中使用的可代替含铅压电陶瓷的不含铅的压电陶瓷。
本发明一个实施方式的压电陶瓷，也可以相对于由用｛Lix［NayK1－y］1－x｝aNbO3表示的LNKN构成的主成分100mol，含有换算成Ag2O在0.1mol以上至0.5mol范围的Ag。由此，能够进一步促进Li3NbO4结晶相的析出，能够不损害压电特性而更容易地进行烧结。在一个方式中，所含有的Ag相对于主成分100mol，换算成Ag2O在0.1mol以上0.25mol以下的范围。由此，能够抑制伴随Ag的含量的增加而比电阻率降低。通过添加Ag2O，Li3NbO4结晶相的Li的一部分被Ag置换且被置换的（Li，Ag）3NbO4结晶相析出，但起到与仅析出Li3NbO4结晶相的情况下同样的效果。这是因为，Li3NbO4结晶相和（Li，Ag）3NbO4结晶相，决定结晶类、晶格常数等的作为结晶的物理特性的对称性相等。
虽然在专利文献4中公开了对含有Ta和Sb的主成分添加Ag的技术方案，而本发明的实施方式的压电陶瓷在不含Ta、Sb这一点上与专利文献4所公开的压电陶瓷有区别。
本发明的一个方式的压电陶瓷含有至少一种作为第一过渡元素的Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn。由此，能够控制烧结温度，或控制粒子的成长，从而控制高电场化的绝缘破坏。
本发明一个方式的压电陶瓷，至少含有一种作为第二过渡元素的Y、Zr、Mo、Ru、Rh、Pd。由此，能够控制烧结温度，或控制粒子的成长，从而控制高电场化的绝缘破坏。
本发明一个方式的压电陶瓷，至少含有一种作为第三过渡元素的La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、W、Re、Os、Ir、Pt、Au。由此，能够控制烧结温度，或控制粒子的成长，从而控制高电场化中的绝缘破坏。
本发明一个方式的压电陶瓷，含有从第一过渡元素和第二过渡元素中分别选择的元素、从第一过渡元素和第三过渡元素中分别选择的元素、从第二过渡元素和第三过渡元素中分别选择的元素、或从第一过渡元素、第二过渡元素和第三过渡元素中分别选择的元素。
下面，参照图2～图5，对使用本发明的一个实施方式的压电陶瓷的压电陶瓷部件、和使用压电陶瓷部件的压电装置进行说明。图2的压电陶瓷部件具备：板状的压电陶瓷层101、第一电极102和第二电极103。该第一电极102和第二电极103隔着压电陶瓷层101相对配置。压电陶瓷层101由本发明的一个实施方式的压电陶瓷构成，具体而言，由析出了用组成式Li3NbO4表示的结晶相的LNKN构成。在一个方式中，压电陶瓷层101通过将压电陶瓷的原料混合粉与黏合剂（binder）进行混合，制成将该混合物成形为板状的成形体，再将该成形体进行烧制而制造。接着，在该压电陶瓷层101的两面，涂敷使用有Cu、Ag、Au、Pt等导电体的导电膏，通过将该导电膏进行烧结，形成第一电极102和第二电极103而制造。压电陶瓷层101在1000℃左右进行致密地烧制，因此，与使用不含Li3NbO4结晶相的现有的LNKN的情况比较，批量生产性优异。
图3是表示本发明一个实施方式的层叠式压电陶瓷部件的示意剖面图。如图所示，本发明一个实施方式的层叠式压电陶瓷部件包括：压电陶瓷层101、多个第一电极102和多个第二电极103、与第一电极102的各个电连接的第一端子电极104、与第二电极103的各个电连接的第二端子电极105。第一电极102的各个与相邻的第二电极103隔着压电陶瓷层101相对配置。该层叠式压电陶瓷部件作为例如层叠压电致动器使用。该压电陶瓷层101能够在1000℃左右进行致密地烧制，因此本发明一个实施方式的层叠式压电陶瓷部件与使用不含Li3NbO4结晶相的现有LNKN的同种部件相比较，批量生产性优异。
图4是表示本发明一个实施方式的压电表面弹性波滤波器（SAW滤波器）的示意图。如图所示，本发明一个实施方式的压电表面弹性波滤波器具备：基板106、形成于基板106上的压电陶瓷层101、与基板106上的压电陶瓷层101在大致同一面上相对配置的第一电极102和第二电极103。压电陶瓷层101能够在1000℃左右进行致密地烧制，因此，本发明一个实施方式的压电表面弹性波滤波器与使用不含Li3NbO4结晶相的现有LNKN的同种的滤波器相比较，批量生产性优异。
图5表示使用了本发明一个实施方式的屈曲型的压电致动器的开关元件的示意剖面图。如图所示，本发明一个实施方式的开关元件具备：基板106、形成于基板106上的第一电极102、形成于第一电极102上的压电陶瓷层101、形成于压电陶瓷层101上的第二电极103、弹性体107和接点108。压电陶瓷层101能够在1000℃左右进行致密地烧制，因此，使用本发明一个实施方式的屈曲型的压电致动器的开关元件，与使用不含Li3NbO4结晶相的现有LNKN的同种的开关元件相比较，批量生产性优异。
实施例
下面，说明本发明的实施例，但本发明不限定于该实施例。首先，作为主成分即LNKN的初始原料，准备纯度99％以上的Li2CO3、Na2CO3（或NaHCO3）、K2CO3（或KHCO3）和Nb2O5，在组成式｛Lix［Na1－yKy］1－x｝aNbO3（其中，式中0.0≤x≤0.20、0≤y≤1、1.0≤a≤1.01。）中，以达到x＝0.066、y＝0.557、a＝1.0的化学计量比的方式称量上述各原料。作为初始原料的Li2CO3，使用将市售的Li2CO3通过球磨机进行24小时预备粉碎调整为平均粒径成为1μm以下的原料。另外，作为用于使Li3NbO4结晶相析出的初始原料，相对于主成分的LNKN100mol称量0.2mol的Li2CO3。接着，将所称量的主成分的原料和用于使Li3NbO4结晶相析出的原料用球磨机进行约24小时湿式混合，获得混合物。接着，使该混合物在约100℃的气氛中干燥后，在700℃～1000℃进行煅烧获得煅烧粉。接着，将该煅烧粉通过球磨机进行约24小时湿式粉碎，在约100℃的气氛中进行干燥，获得粉碎粉。然后，为了确认含有Ag的效果，将在所得到的粉碎粉中，相对于主成分LNKN100mol添加0.1mol、0.25mol、0.50mol、1.00mol的Ag2O的粉碎粉，在球磨机中分别进行约24小时湿式混合。接着，使该混合物分别在约100℃的气氛中干燥从而获得Ag2O含量不同的4种Ag2O混合粉碎粉。接着，在该Ag2O混合粉碎粉中分别添加有机黏合剂进行混合，使该混合物通过60网眼的筛子进行粒度的调节。接着，对该粒度被调整后的混合物分别以1000kg／cm2的压力进行单轴成型，获得直径10mm、厚度0.5mm的圆板状的成型体。接着，将该各个成形体在大气中以960℃～1100℃进行烧制，由此，获得Ag的含量不同的4种压电陶瓷的烧结体（相当于表1的试样No.3～No.6）。
另外，在制作相当于这些试样No.3～No.6的压电陶瓷的工序中省略Ag2O的混合工序，制作不含Ag2O的压电陶瓷（与表1的试样No.2相当）。另外，在制作相当于该试样No.2的压电陶瓷的工序中，省略混合用于使Li3NbO4结晶相析出的Li2CO3的工序，制作不含用于使Li3NbO4结晶相析出的过剩的Li2CO3（但是，含有作为主成分LNKN的原料的Li2CO3）的压电陶瓷（相当于表1的试样No.1）。
接着，在通过如上操作所获得的六种压电陶瓷各自的两表面涂敷银膏，将该银膏在850℃进行烧结形成银电极。接着，对形成有该银电极的压电陶瓷的各个，在绝缘性的油中通过直流电压施加15分钟的矫顽电场（coercive electric field）以上的约3～4kV／mm的电场，由此实施极化处理。之后，将各资料静置一晩上，由此，获得压电陶瓷的试样No.1～No.6。这样操作所制作的压电陶瓷的试样No.1～No.6的组成如表1记载。
表1
试样No.1 x y 过剩Li2CO3(mol％) Ag2O含有量(mol％)
※1 0.066 0.557 0 0
2 0.066 0.557 0.2 0
3 0.066 0.557 0.2 0.1
4 0.066 0.55 0.2 0.25
5 0.066 0.557 0.2 0.5
※6 0.06 0.557 0.2 1.00
在表1所记载的试样中，※表示的是在本发明的范围外的试样。
接着，在多个烧制温度下制作与比较例的试样No.1和作为本发明的实施例的试样No.2具有相同组成的压电陶瓷，测定在各烧制温度下所制作的烧结体的烧结密度。图6是表示通过这样操作而测定的烧结密度的烧制温度依存性的图表。如图6所示的那样，可知关于与试样No.1具有相同组成的压电陶瓷，如果不将烧制温度提高到1080℃，就不能进行致密地烧结，但在与过剩地添加有Li2CO3的试样No.2具有相同的组成的压电陶瓷中，从1000℃左右开始进行烧结可提高烧结密度。另外，两者都是在1080℃以上的温度下进行烧制时，试样发生了部分的熔解。因此，判断为在1080℃以上时不能获得均匀的烧结体。
接着，进行如下操作，确认表1记载的试样No.1～No.6中是否含有Li3NbO4结晶相。首先，将从各试样剥离了电极的试样使用玛瑙研钵在乙醇中进行30分钟粉碎。对该粉碎后的试样分别通过X射线衍射法测定XRD。在该测定中，作为X射线衍射计使用日本理学社制RINT－2500PC，利用集中法进行测定。线源为Cu－Kα线，施加电压设为50kV，施加电流设为100mA。在测定方法中使用2θ／θ法，在10°≤2θ≤60°的范围内用Fixed Time法以0.02°间隔按每一秒进行测量。
图7的上段表示通过这样操作所测定的试样No.1的X射线衍射轮廓，图7的下段表示试样No.2的X射线衍射轮廓。图7中放大表示成为10°≤2θ≤35°的衍射轮廓的背景附近的峰值。如图7表明的那样，在试样No.2的轮廓中，可确认显现出用☆（星形符号）表示的Li3NbO4结晶相的峰值。
图8表示试样No.2～No.6的X射线衍射轮廓。图8的参照标记a的图形是试样No.2的轮廓，参照标记b的图形是试样3的轮廓，参照标记c的图形是试样4的轮廓，参照标记d的图形是试样5的轮廓，参照标记e的图形是试样6的轮廓。如图示可知，在含有Ag2O的压电陶瓷中，在Ag2O的含量越增加，Li3NbO4结晶相的析出量越增加。因此，通过含有Ag2O，能够在主相LNKN使Li3NbO4结晶相析出。
接着，对试样1～6的各试样，以电子信息技术产业协会标准即JEITAEM－4501为准则通过共振－***振法进行表2所示的各电特性的测定。该测定使用阻抗分析仪（横河?HP日本公司（Hewlett-Packard Japan,Ltd）制：YHP4194A）进行。另外，对于压电d33常数，使用d33仪表（中国科学院声学研究所制：ZJ－6B）进行压电特性的评价。对于试样No.1和试样No.2，对在1000℃和1080℃烧制的试样分别测定各系数，对于试样No.3～6，测定在1000℃烧制的试样的各系数。ε33 T／ε0表示在极化处理中施加有电场的方向的极化处理后的相对介电常数，kp表示极化处理后的圆板状压电陶瓷的径向的机电耦合常数，Y11 E表示极化处理中与施加有电场的方向垂直的方向上的杨氏模量，d31表示在极化处理中与施加有电场的方向垂直的方向的压电常数，d33表示在极化处理中相对于施加有电场的方向平行的方向的压电常数。
[表2]
试样No.1的在1000℃烧制的试样的电阻率低，在极化处理中发生绝缘破坏，因此不能进行压电特性的评价。对于试样No.2，在1000℃下烧制的试样和在1080℃烧制的试样均能够进行极化处理。而且可确认，即使在1000℃的烧结，也具有与试样No.1的在1080℃烧制的试样相比不逊色的高压电特性。因此，对于作为本发明的实施例的试样2，可确认通过以相比LNKN的化学计量比将Li2CO3过剩地配合使Li3NbO4结晶相析出，由此在1000℃左右能够获得致密的烧结体，与按照LNKN的化学计量比配合的情况（试样1）相比较，压电特性未损害。
对于试样No.3～6，同样地，在1000℃烧结后，确认也能够获得足够致密的烧结体。其中，确认在试样No.3、4中，不损害其机电耦合常数而杨氏模量降低，压电陶瓷更容易变形。其结果是，确认d33提高。而且，在试样No.5中也确认机电耦合系数未被损害。对于试样No.6而言，相对介电常数和机电耦合系数也大幅降低，杨氏模量也上升了，因此，压电常数与d31、d33均大幅降低。
由以上结果可知，作为含有Ag2O的压电陶瓷的含有Ag2O的量，优选相对于成为主成分的LNKN100mol，换算成Ag2O为0.1mol以上0.5mol以下。而且另外，对于在用上述实施例中表示的以外的组成式｛Lix［Na1 －yKy］1－x｝aNbO3（其中，式中0.0＜x≤0.20、0≤y≤1、1.0≤a≤1.01。）表现的范围的压电陶瓷，以同样的步骤，试验本发明的效果，结果获得了同样的效果。

Claims (10)

1.一种压电陶瓷，其具有以Li、Na、K、Nb和O作为构成元素的含碱铌酸类钙钛矿结构，该压电陶瓷的特征在于：
保持有以组成式Li3NbO4表示的结晶相，以组成式｛Lix［NayK1－y］1 －x｝aNbO3表示，其中，式中0＜x≤0.20，0≤y≤1，1.0≤a≤1.01。
2.如权利要求1所述的压电陶瓷，其特征在于：
将Ag换算成Ag2O，相对于100mol的权利要求2所述的压电陶瓷，使其含有0.1mol以上0.5mol以下。
3.一种压电陶瓷部件，其第一电极和第二电极隔着压电陶瓷层相对，该压电陶瓷部件的特征在于：
所述压电陶瓷层由权利要求1或2所述的压电陶瓷形成。
4.一种压电陶瓷部件，其第一电极和第二电极隔着压电陶瓷层交替层叠有多层，具有与所述第一电极电连接的第一端子电极、和与所述第二电极电连接的第二端子电极，该压电陶瓷部件的特征在于：
所述压电陶瓷层由权利要求1或2所述的压电陶瓷形成。
5.一种压电陶瓷部件，其具备具有压电陶瓷层的基板，在该压电陶瓷层的上部，第一电极和第二电极相对配置，该压电陶瓷部件的特征在于：
所述压电陶瓷层由权利要求1或2所述的压电陶瓷形成。
6.一种压电陶瓷部件，其第一电极和第二电极在具有压电陶瓷层的基板上交替地相对配置有多层，具有与所述第一电极电连接的第一端子电极、和与所述第二电极电连接的第二端子电极，该压电陶瓷部件的特征在于：
所述压电陶瓷层由权利要求1或2所述的压电陶瓷形成。
7.一种压电装置，其特征在于：
使用权利要求3所述的压电陶瓷部件。
8.一种压电装置，其特征在于：
使用权利要求4所述的压电陶瓷部件。
9.一种压电装置，其特征在于：
使用权利要求5所述的压电陶瓷部件。
10.一种压电装置，其特征在于：
使用权利要求6所述的压电陶瓷部件。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5704725B2 (ja) * 2012-08-24 2015-04-22 太陽誘電株式会社 圧電セラミックス及び圧電素子
JP6039715B2 (ja) * 2015-02-18 2016-12-07 太陽誘電株式会社 圧電セラミックス及び圧電素子
US11889767B2 (en) * 2019-03-14 2024-01-30 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multilayer piezoelectric ceramic and method for manufacturing same, multilayer piezoelectric element, as well as piezoelectric vibration apparatus
RU2728056C1 (ru) * 2019-07-24 2020-07-28 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" Бессвинцовый пьезоэлектрический керамический материал
JP2021158249A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 太陽誘電株式会社 圧電素子及びその製造方法
KR20220011528A (ko) * 2020-07-21 2022-01-28 삼성전자주식회사 유전체, 그 제조방법, 및 이를 포함하는 디바이스
JP2022074304A (ja) * 2020-11-04 2022-05-18 太陽誘電株式会社 圧電素子及びその製造方法、並びに圧電振動装置
CN113560110B (zh) * 2021-08-04 2023-04-14 湖南省美程陶瓷科技有限公司 一种陶瓷-金属复合雾化片及其制备方法
JP2023090233A (ja) * 2021-12-17 2023-06-29 太陽誘電株式会社 圧電／誘電体セラミックス、圧電素子及び発音体

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1032057A1 (en) * 1999-02-24 2000-08-30 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Alkali metal-containing niobate-based piezoelectric material composition and a method for producing the same
JP2009114049A (ja) * 2007-10-19 2009-05-28 Ngk Insulators Ltd 圧電／電歪磁器組成物及び圧電／電歪素子
WO2010128647A1 (ja) * 2009-05-08 2010-11-11 太陽誘電株式会社 圧電セラミックスおよびその製造方法ならびに圧電デバイス

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5630713B2 (zh) * 1973-04-04 1981-07-16
JPS5630713A (en) * 1979-08-22 1981-03-27 Hitachi Ltd Large capacity transformer
JP4417536B2 (ja) * 2000-07-31 2010-02-17 京セラ株式会社 圧電磁器および圧電素子
JP4929522B2 (ja) 2000-08-25 2012-05-09 株式会社豊田中央研究所 圧電磁器組成物
JP4631246B2 (ja) 2002-03-20 2011-02-16 株式会社豊田中央研究所 圧電磁器組成物及びその製造方法並びに圧電素子及び誘電素子
JP4001363B2 (ja) * 2002-04-11 2007-10-31 Ｔｄｋ株式会社 圧電磁器
EP1382588B9 (en) * 2002-07-16 2012-06-27 Denso Corporation Piezoelectric ceramic composition and method of production of same
JP4156461B2 (ja) 2002-07-16 2008-09-24 株式会社デンソー 圧電磁器組成物及びその製造方法並びに圧電素子
JP4398635B2 (ja) 2002-09-24 2010-01-13 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 圧電セラミックス
JP4163068B2 (ja) * 2003-01-23 2008-10-08 株式会社デンソー 圧電磁器組成物，及び圧電素子
JP5022926B2 (ja) 2003-01-23 2012-09-12 株式会社デンソー 圧電磁器組成物，及び圧電素子
CN100371298C (zh) * 2004-06-17 2008-02-27 株式会社电装 晶粒取向陶瓷及其制造方法
CN101421202A (zh) * 2006-04-13 2009-04-29 株式会社村田制作所 陶瓷粉末及陶瓷粉末的制造方法
JP2008207999A (ja) 2007-02-27 2008-09-11 Konica Minolta Holdings Inc 圧電磁器組成物の製造方法
JP5021452B2 (ja) * 2007-02-27 2012-09-05 日本碍子株式会社 圧電／電歪磁器組成物および圧電／電歪素子
JP5044437B2 (ja) * 2007-03-20 2012-10-10 日本碍子株式会社 圧電／電歪磁器焼結体の製造方法
EP2045846B1 (en) * 2007-10-03 2017-06-07 NGK Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition and piezoelectric/electrostrictive device
US8022604B2 (en) * 2007-10-19 2011-09-20 Ngk Insulators, Ltd. (Li, Na, K)(Nb, Ta)O3 type piezoelectric/electrostrictive ceramic composition containing 30-50 mol% Ta and piezoelectric/electrorestrictive device containing the same
JP2009242230A (ja) * 2008-03-14 2009-10-22 Nagoya Institute Of Technology アルカリニオブ酸ペロブスカイト結晶の製造方法
KR100966595B1 (ko) * 2008-04-11 2010-06-29 한국세라믹기술원 페로브스카이트 구조를 가지는 무연계 압전 세라믹스 및 그제조방법
JP2010225705A (ja) * 2009-03-20 2010-10-07 Nippon Soken Inc 積層型圧電素子及びその製造方法
JP2010288242A (ja) 2009-05-12 2010-12-24 Sony Chemical & Information Device Corp アンテナ装置
US9090512B2 (en) * 2009-11-26 2015-07-28 Toyama Prefecture Anisotropically shaped powder and method for producing the same
US8961679B2 (en) * 2010-05-20 2015-02-24 Agency For Science, Technology And Research Method for preparing a lead-free piezoelectric thin film

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1032057A1 (en) * 1999-02-24 2000-08-30 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Alkali metal-containing niobate-based piezoelectric material composition and a method for producing the same
JP2009114049A (ja) * 2007-10-19 2009-05-28 Ngk Insulators Ltd 圧電／電歪磁器組成物及び圧電／電歪素子
WO2010128647A1 (ja) * 2009-05-08 2010-11-11 太陽誘電株式会社 圧電セラミックスおよびその製造方法ならびに圧電デバイス

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Publication number Publication date
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