CN103000778A - 发光二极管结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光二极管结构及其制造方法，发光二极管结构包括：一基板，其上具有第一半导体层、发光层及第二半导体层，且发光层及第一半导体层依序堆栈于该第二半导体层上；第一接触电极，位于第一半导体层与该基板之间，并具有突出部延伸至第二半导体层中；阻障层，顺应性覆盖于第一接触电极上，且暴露出突出部分的顶部；电流阻挡组件，位于阻障层上，并围绕突出部分的至少一部分的侧壁；以及第二接触电极，位于第一半导体层及第一接触电极之间，藉由阻障层与第一接触电极电性隔离。

Description

发光二极管结构及其制造方法

技术领域

本发明涉及发光二极管结构，尤其涉及一种能改善电流聚集的发光二极管结构及其制造方法。

背景技术

发光二极管(light emitting diode，以下皆简称为LED)具有高亮度、体积小、重量轻、不易破损、低耗电量和寿命长等优点，所以被广泛地应用各式显示产品中，其发光原理为，当施予二极管顺向偏压时，p型区的多数载子电洞会往n型区移动，而n型区的多数载子电子则往p型区移动，最后电子与电洞两载子会在p-n接面的空乏区复合，此时因电子由传导带移转至价带后丧失能阶，同时以光子的模式释放出能量而产生光。

在传统的水平式LED装置中，接触电极设计为水平位向，容易产生电流聚集的问题。例如，电子在n型外延层和p型外延层中横向流动不等的距离，而导致LED的发光不均。此外，LED的接触电极势必要覆盖在发光面上，损失了发光面积，仅有约65％的发光面积可被利用。

使用垂直式LED装置可改善水平式LED装置所遭遇的上述问题。在垂直式LED结构中，两个电极分别位于LED的n型外延层和p型外延层的两侧，由于全部的p型外延层皆可作第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少横向流动的电流，可以改善平面结构的电流分布问题，提高发光效率，同时也可解决p型接触电极的遮光问题，提升LED结构的发光面积。

一般的垂直式LED结构的n型接触电极设置于LED芯片的上表面上。一般而言，越多的金属接触电极设置于LED芯片表面上，可让LED芯片的电流分布更均匀。然而，设置于垂直式LED结构的芯片表面上的金属接触电极会有吸光及阻挡光萃取的问题。再者，由于电子载子及电洞载子会相互吸引的关系，亦容易在n型接触电极附近发生电流聚集，导致LED芯片发光不均。

基于上述，为克服上述问题，业界亟需一种创新的发光二极管制程与结构来解决上述问题。

发明内容

本发明实施例提供一种发光二极管结构，包括：一基板，其上具有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层，其中此发光层及此第一半导体层依序堆栈于此第二半导体层上，且此第一及此第二半导体层具有相反的导电型态；一第一接触电极，位于第一半导体层与此基板之间，并具有一突出部分延伸至此第二半导体层中；一阻障层，顺应性覆盖于第一接触电极上，且暴露出此突出部分的顶部；一电流阻挡组件，位于此阻障层上，并围绕此突出部分的至少一部分的侧壁；以及一第二接触电极，位于此第一半导体层及此第一接触电极之间，与第一半导体层直接接触，且藉由此阻障层与此第一接触电极电性隔离。

本发明实施例亦提供一种发光二极管结构的制造方法，包括：提供一第一基板，其上具有一第一半导体层；形成一第一开口于此第一半导体层中；形成一块状元件于此第一开口中；依序形成一发光层及一第二半导体层于此第一半导体上，其中此第二半导体层具有与此第一半导体层相反的掺杂型态；形成一电流阻挡组件，其中形成此电流阻挡组件的步骤中包含移除至少一部分的此块状元件，以形成一暴露出此第一半导体层的第二开口，且其中至少一部分的此第二开口被此电流阻挡组件所围绕；形成一第一接触电极于此第二半导体层的上表面上；形成一阻障层顺应性覆盖此第一接触电极及此第二开口；形成一第二接触电极覆盖此第一接触电极及此第二开口；以及形成一第二基板于此第二接触电极上，并移除此第一基板。

为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A～1P显示为依照本发明一实施例的发光二极管结构的制造方法于各种中间制程的剖面图。

图2A～2D显示为依照本发明另一实施例的发光二极管结构的制造方法于各种中间制程的剖面图。

图3A～3C显示为依照本发明又一实施例的发光二极管结构的制造方法于各种中间制程的剖面图。

附图标记：

102：成长基板            104：缓冲层

106：第一半导体层        108：开口

110：块状元件            112：电流阻挡组件

114：发光层              116：第二半导体层

118：图案化光阻层        120：开口

122：填充材料            124：接触电极

126：阻障层              128：接触电极

130：金属结合层          140：承载基板

144：导电垫              205：开口

212：电流阻挡组件        312：电流阻挡组件

320：开口

具体实施方式

本发明接下来将会提供许多不同的实施例以实施本发明中不同的特征。各特定实施例中的组成及配置将会在以下作描述以简化本发明。这些为实施例并非用于限定本发明。此外，在本说明书的各种例子中可能会出现重复的组件符号以便简化描述，但这不代表在各个实施例和/或图示之间有何特定的关联。此外，一第一组件形成于一第二组件“上方”、“之上”、“之下”或“上”可包含实施例中的该第一组件与第二组件直接接触，或也可包含该第一组件与第二组件之间还有其它额外组件使该第一组件与第二组件无直接接触。

本发明实施例是提供高发光效率的LED结构及其制造方法。在此LED结构中的LED芯片，可有效改善电流聚集的问题，且避免接触电极设置于LED芯片表面上来吸光或阻挡光萃取。

参见图1A～1P，其显示依照本发明一实施例的发光二极管结构的制造方法于各种中间制程的剖面图。

参见图1A，首先为提供一成长基板102，其可为任何适合一发光二极管半导体层成长的基板，例如：氧化铝基板(蓝宝石基板)、碳化硅基板、或砷化镓基板等。成长基板102上配置有缓冲层104及第一半导体层。缓冲层104的材质可为GaN、AlN、AlGaN或前述的组合，其可提供于其上形成的第一半导体层106在成长时具有良好的缓冲效果而不易破裂。第一半导体层106可例如为n型掺杂的外延层，例如GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、AlGaAs或前述的组合。缓冲层104及第一半导体层106可由任意的外延成长方法形成，例如化学气相外延法(chemical vapor deposition，CVD)、有机金属化学气相外延法(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)、离子增强化学气相外延法(plasma enhanced chemical vapordeposition，PECVD)、(molecular beam epitaxy)分子束外延法、氢化物气相外延法(hydride vapor phase epitaxy)、或溅镀法(sputter)。在一实施例中，第一半导体层106的厚度可为约0.1～5.0μm。

参见图1B，于第一半导体层106中形成至少一开口108。在一实施例中，开口108可为方形、三角形、圆形、椭圆形、多边形或其它任意形状，其半径可为约50～150μm。

接着，参见图1C，于开口108中形成块状元件110。在一实施例中，块状元件110可突出第一半导体层106外或甚至块状元件110的顶部可高于或对齐于随后形成于第一半导体层106上的第二半导体层116(参见图1E)的上表面。在此实施例中，块状元件110可具有约1.0～10.0μm的高度。在另一实施例中，块状元件110的顶部可不超过第一半导体层106的上表面(未显示)。块状元件110可由沉积制程(例如化学气相沉积、物理气相沉积、蒸镀、溅镀)沉积后，再经微影蚀刻制程形成。块状元件110的材质可包含各种具有高阻值的材料，例如氧化硅、氮化硅、氧化锌或前述的组合。块状元件110可为梯形柱体、方形柱体、圆柱体、角锥形柱体或其它任意立体形状。

参见图1D，以块状元件110为罩幕对第一半导体层106进行布植程序，形成电流阻挡组件112。布植程序可包含掺杂硅及镁等掺质使第一半导体层106中被布植的区域成为具有高阻值的区块，此布植程序可包含例如离子轰击法。此外，在此布植程序中，除硅及镁外，亦可布植例如氩或氧等元素至第一半导体中。

参见图1E，依序形成发光层114及第二半导体层116于第一半导体层106上。发光层114可为半导体发光层，且可包含有多重量子阱(multiple quantum well，MQW)结构。发光层114的材质可选自III-V族的化学元素、II-VI族的化学元素、IV族的化学元素、IV-IV族的化学元素。第二半导体层116可具有与第一半导体层106相反的导电型态。例如，第二半导体层116可为p型外延层。第二半导体层116的材质亦可选自III-V族的化学元素、II-VI族的化学元素、IV族的化学元素、IV-IV族的化学元素或前述的组合，例如GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、AlGaAs或前述的组合。发光层114及第二半导体层116皆可由任意的外延成长方法形成，例如化学气相外延法、有机金属化学气相外延法、离子增强化学气相外延法、分子束外延法、氢化物气相外延法、或溅镀法。第二半导体层116的厚度可为0.1～5.0μm。值得注意的是，第二半导体层与第一半导体层的导电型态亦可交换。例如第一半导体层106为n型外延层，第二半导体层116为p型外延层。

在块状元件110突出于第一半导体层106外的实施例中，第二半导体层116可外延成长至其上表面高于或对齐于块状元件110的顶部。如第二半导体层116的上表面高于块状元件110的顶部，可以例如化学机械研磨移除过剩的第二半导体层116，以达到所欲的第二半导体层116的厚度并暴露出块状元件110。

在块状元件110的顶部不超过第一半导体106的上表面的实施例中，由于在块状元件110上的外延品质会明显劣于在第一半导体层106上的外延品质，在发光层114及第二半导体层116外延形成之后，块状元件110上仅会具有一极薄且外延品质不佳的外延层，或甚至块状元件110仍有部分暴露于外。因此，此极薄且品质不佳的外延层将不会妨碍随后用以移除块状元件110的蚀刻制程，并可于此蚀刻制程中一并被移除。

值得注意的是，在一实施例中，图1C中所示的布植程序，亦可待发光层114及第二半导体层116再进行。在此实施例中，此布植程序可仅施予至第一半导体层106；或施予至第一半导体层106及发光层114；或同时施予至第一半导体层106、发光层114及第二半导体层116；亦或仅施予至第二半导体层116。因此，所形成的电流阻挡组件112除了类似于图1D中所示，仅形成于第一半导体层106中；亦可同时形成于第一半导体层106及发光层114中(未显示)；或同时形成于第一半导体层106、发光层114及第二半导体层116中(未显示)；亦或仅形成于第二半导体层中116(未显示)。

参见图1F，形成图案化光阻层118于第二半导体层116上。图案化光阻层118盖整个第二半导体层116，仅暴露出块状元件110。接着，参见图1G，以蚀刻制程移除块状元件110，形成开口120。开口120可具有对应于块状元件110的形状。蚀刻制程可包含湿蚀刻制程或干蚀刻制程。在一实施例中，由于湿蚀刻制程会有侧蚀(undercut)的现象产生，可能在移除块状元件110的同时，亦对开口120顶部附近的第二半导体层116有部分蚀刻，进而扩大开口120的顶部，如此亦有利于在随后于开口120中沉积阻障层126及接触电极128时减少气泡或缺陷产生。接着，参见图1H，移除图案化光阻层118。

接着，参见图1I，于开口120中形成凸出于第二半导体层116外的填充材料122。在一实施例中，填充材料122可与块状元件110由相同或类似的材质及方法形成。填充材料122的顶部与第二半导体层116的上表面之间可具有约0.001～0.5μm的高度差，此高度差系可决定随后形成的接触电极124的厚度。

例如，参见图1J，接触电极124形成于第二半导体层116上。接触电极124可包含奥姆接触材料(例如：钯、铂、镍、金、银、或其组合)、透明导电材料(例如：氧化镍、氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌铝、或氧化锌锡)、反射层或前述的组合。例如，接触电极124可为奥姆接触材料与反射层的结合，以反射由发光层114所发出来的光，增加光萃取效率。在一实施例中，接触电极124尚可包含一绝缘保护层(未显示)，此绝缘保护层可由氮化硅、氧化硅、其它介电材料或前述的组合。再者，在一实施例中，接触电极124与开口120的顶部具有至少5μm的水平间隔，或例如5～20μm，较佳为约10μm。亦即，接触电极124自开口120的位置内缩了至少5μm。如此，可有效减少电子载子及电洞载子在接触电极124附近结合的机率。

接着，参见图1K，形成阻障层126顺应性地覆盖开口120的侧壁、接触电极124及第二半导体层116的表面。阻障层126可包含氮化硅、氧化硅、其它介电材料或前述的组合。阻障层126的厚度可为0.01～0.5μm。阻障层126可在由化学气相沉积或物理气相沉积等沉积方法顺应性形成于开口120的底部及侧壁上后，再经由微影蚀刻制程移除阻障层126的位于开口120底部的部分。

接着，参见图1L，形成接触电极128于开口120中。在一实施例中，接触电极128可完全覆盖接触电极124及第二半导体层116。如此，接触电极128可包形成于开口120中的突出部分及覆盖于第二半导体层116及接触电极124上的水平部分。接触电极128的突出部分藉由阻障层126与第二半导体层116及发光层114电性隔离，仅经由开口120底部与第一半导体层106电性接触。接触电极128的水平部分藉由阻障层126与接触电极124电性隔离。接触电极128可包含奥姆接触材料(例如：钯、铂、镍、金、银、或其组合)、透明导电材料(例如：氧化镍、氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌铝、或氧化锌锡)或前述的组合。

接着，参见图1M，形成金属结合层130于接触电极128上。金属结合层130可包含Au、Sn、In、前述的合金或前述的组合。金属结合层130的厚度可为0.5～10μm。接着，参见图1N，结合承载基板140于金属结合层130上。承载基板140可为一封装基板，其上具有已配置好的电路，以使接触电极128电性连结至外部电路。

接着，参见图1O，将成长基板102移除。在一实施实施例中，可以激光剥离制程将成长基板102剥离(lift-off)。在另一实施例中，可以湿蚀刻制程将成长基板102移除。缓冲层104亦可在移除成长基板102时一并予以移除。

最后，参见图1P，于承载基板140上的靠近侧边的位置移除部分的第一半导体层106、发光层114及第二半导体层116以形成一缺口。此缺口暴露出部分的接触电极128，于暴露的接触电极124上形成导电垫144，形成如本发明实施例所提供的发光二极管结构。

在此发光二极管结构中，第二半导体层116、发光层114及第一半导体层106依序堆栈于承载基板140上。接触电极128包含延伸至第一半导体层106中的突出部分及位于第二半导体层116及承载基板140之间的水平部分。阻障层126顺应性覆盖于接触电极124上，但暴露出接触电极128的突出部分的顶部。电流阻挡组件112位于阻障层126上，并围绕接触电极128的突出部分至少一部分的侧壁，阻挡接触电极128附近的电流直接向垂直方向流动，而更多的电流为横向移动，进而降低电流在接触电极128附近聚集的现象。接触电极124位于接触电极128及第二半导体层116之间，与第二半导体层116直接接触，且藉由阻障层126与接触电极128电性隔离。接触电极124藉由导电垫144与外部电路电性连接，接触电极128则藉由金属结合层130及承载基板140中的电路与外部电路电性连接。

参见图2A～2C，其显示依照本发明另一实施例的发光二极管结构的制造方法于各种中间制程的剖面图。在本实施例中，相同的标号代表与前述实施例由相同或类似的材料形成。

首先，参见图2A，依照如图1A至1C的步骤形成于类似于图1C的结构，成长基板102上具有缓冲层104及第一半导体层106，第一半导体层106中具有块状元件110，其突出于第一半导体层106外或不超过第一半导体层106的上表面。本实施例与前述实施例不同的是，未进行离子布植程序，而是直接以块状元件110为罩幕，以微影蚀刻制程移除块状元件110附近的区域，形成开口205，如图2B所示。在本实施例中，开口205即为电流阻挡组件212预定形成的区域。

接着，参见图2C，形成电流阻挡组件212于开口205中，电流阻挡组件212可由沉积制程(例如化学气相沉积、物理气相沉积、蒸镀、溅镀)沉积后，再经微影蚀刻制程形成。电流阻挡组件212的材质可包含各种具有高阻值的氧化物的材料，例如介电常数例如氧化硅、氮化硅、氧化锌或前述的组合。电流阻挡组件212可为梯形柱体、方形柱体、圆柱体、角锥形柱体或其它任意立体形状。

随后，继续进行与图1E至图1P相同的步骤，形成完整的发光二极管结构，如图2D所示。在此发光二极管结构中，电流阻挡组件212系形成在与前述实施例中的电流阻挡组件112类似的位置，但系由不同材质形成。此外，电流阻挡组件212系仅形成于第一半导体层106中。

参见图3A～3C，其显示依照本发明又一实施例的发光二极管结构的制造方法于各种中间制程的剖面图。在本实施例中，相同的标号代表与前述实施例由相同或类似的材料形成。

首先，参见图3A，依照如图1A至1C的步骤形成于类似于图1C的结构，成长基板102上具有缓冲层104及第一半导体层106，第一半导体层106中具有块状元件110，其突出于第一半导体层106外或不超过第一半导体层106的上表面。本实施例与前述实施例不同的是，未进行离子布植程序，而是直接以非等向性蚀刻移除块状元件110的中央部分，形成开口320，且剩余的块状元件即可用于作为电流阻挡组件312。如图3B所示，开口320被剩余的块状元件312(即电流阻挡组件)所围绕，且其底部系暴露出第一半导体层106。块状元件110的材质可包含各种具有高阻值的材料，例如氧化硅、氮化硅、氧化锌或前述的组合。

接着，外延成长发光层114及第二半导体层116于第一半导体层106上，并继续进行如图1I至图1P相同的步骤，形成如图3C所示的完整的发光二极管结构。值得注意的是，移除块状元件110的中央部分的步骤可如同前述实施例所述的布植程序，在形成发光层114及第二半导体层116后才进行。依照蚀刻条件的不同，可控制电流阻挡组件的大小及形状。例如，在本实施例中所形成的电流阻挡组件312可为梯形柱体、方形柱体、圆柱体、角锥形柱体或其它任意立体形状，且其仅可形成于第一半导体层106中，或同时形成于第一半导体层106及发光层114中(未显示)，亦或同时形成于第一半导体层106、发光层114及第二半导体层116中(未显示)。

在此发光二极管结构中，电流阻挡组件212形成在与前述实施例中的电流阻挡组件112类似的位置，但是由不同材质形成。此外，电流阻挡组件312可仅形成于第一半导体层106中，或同时形成于第一半导体层106及发光层114中(未显示)，亦或同时形成于第一半导体层106、发光层114及第二半导体层116中(未显示)。此外，值得注意的是，在本实施例中，填充材料122较佳使用与电流阻挡组件312具有不同蚀刻选择比的材料，以在移除填充材料122时，不会损伤到电流阻挡组件312。

在本发明实施例所提供的发光二极管结构中，由于在接触电极128与第一半导体层106的接面附近具有高阻值的电流阻挡组件112、212、312，可阻挡电流直接向垂直方向流动，而更多的电流为横向移动，进而降低电流在接触电极128附近聚集的现象。此外，由于接触电极128与接触电极124的突出部分具有5～20μm的水平间隔，可有效减少电子载子及电洞载子在接触电极124附近结合的机率。再者，接触电极124配置于LED结构的内部，亦可避免接触电极在LED结构表面上吸光或阻挡光萃取的问题。如上述，本发明实施例所提供的发光二极管结构可有效改善电流聚集而发光不均的问题，并可提高发光效率。

虽然本发明已以数个较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的普通技术人员，当可作任意更动与润饰，而不脱离本发明的精神和范围。

Claims (26)

1.一种发光二极管的结构，包括：

一基板，其上具有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层，其中该发光层及该第一半导体层依序堆栈于该第二半导体层上，且该第一及该第二半导体层具有相反的导电型态；

一第一接触电极，位于第一半导体层与该基板之间，并具有一突出部分延伸至该第二半导体层中；

一阻障层，顺应性覆盖于该第一接触电极上，且暴露出该突出部分的顶部；

一电流阻挡组件，位于该阻障层上，并围绕该突出部分的至少一部分的侧壁；以及

一第二接触电极，位于该第一半导体层及该第一接触电极之间，与该第一半导体层直接接触，且藉由该阻障层与该第一接触电极电性隔离。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的结构，其中该电流阻挡组件包含由硅、镁或前述的组合所掺杂的第一半导体层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管的结构，其中该电流阻挡组件包含氩或氧离子。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的结构，其中该电流阻挡组件包含由硅、镁或前述的组合所掺杂的第二半导体层。

5.根据权利要求4所述的发光二极管的结构，其中该电流阻挡组件包含氩或氧离子。

6.根据权利要求1所述的发光二极管的结构，其中该电流阻挡组件包含氧化硅、氮化硅、氧化锌或前述的组合。

7.根据权利要求6所述的发光二极管的结构，其中该电流阻挡组件位于该第一半导体层中。

8.根据权利要求6所述的发光二极管的结构，其中该电流阻挡组件位于该第一半导体层及该发光层中。

9.根据权利要求6所述的发光二极管的结构，其中该电流阻挡组件位于该第一半导体层、该发光层中及该第二半导体层中。

10.根据权利要求1所述的发光二极管的结构，其中该第一接触电极及该第二接触电极之间具有至少5μm的间隔。

11.一种发光二极管结构的制造方法，包括：

提供一第一基板，其上具有一第一半导体层；

形成一第一开口于该第一半导体层中；

形成一块状元件于该第一开口中；

依序形成一发光层及一第二半导体层于该第一半导体上，其中该第二半导体层具有与该第一半导体层相反的掺杂型态；

形成一电流阻挡组件，其中形成该电流阻挡组件的步骤中包含移除至少一部分的该块状元件，以形成一暴露出该第一半导体层的第二开口，且其中至少一部分的该第二开口被该电流阻挡组件所围绕；

形成一第一接触电极于该第二半导体层的上表面上；

形成一阻障层顺应性覆盖该第一接触电极及该第二开口；

形成一第二接触电极覆盖该第一接触电极及该第二开口；以及

形成一第二基板于该第二接触电极上，并移除该第一基板。

12.根据权利要求11所述的发光二极管结构的制造方法，其中该电流阻挡组件包含经一布植程序掺杂硅及镁的第一半导体层。

13.根据权利要求12所述的发光二极管结构的制造方法，其中该形成该电流阻挡组件的步骤还包含：

在形成该第二开口之前，以该块状元件为罩幕对该第一半导体层进行该布植程序；及

在形成该发光层及该第二半导体层后，移除该块状元件。

14.根据权利要求12所述的发光二极管结构的制造方法，其中该形成该电流阻挡组件的步骤还包含：

在形成该第二开口之前，以该块状元件为罩幕对该第一半导体层、该发光层及该第二半导体层进行一布植程序；及

在形成该发光层及该第二半导体层后，移除该块状元件。

15.根据权利要求12所述的发光二极管结构的制造方法，其中该布植程序还包含布植氧或氩。

16.根据权利要求12所述的发光二极管结构的制造方法，其中该布植程序包含离子轰击法。

17.根据权利要求11所述的发光二极管结构的制造方法，其中该电流阻挡组件包含经一布植程序掺杂硅及镁的第二半导体层。

18.根据权利要求17所述的发光二极管结构的制造方法，其中该形成该电流阻挡组件的步骤还包含：

在形成该发光层及该第二半导体层后，以该块状元件为罩幕对该第二半导体层进行一布植程序；及

移除该块状元件，以形成该第二开口。

19.根据权利要求17所述的发光二极管结构的制造方法，其中该布植程序还包含布植氧及氩。

20.根据权利要求11所述的发光二极管结构的制造方法，其中该电流阻挡组件包含氧化硅、氮化硅、氧化锌或前述的组合。

21.根据权利要求20所述的发光二极管结构的制造方法，其中该形成该电流阻挡组件的步骤还包含：

在形成该第二开口之前，以一微影蚀刻制程于该块状元件附近形成一第三开口；及

形成该电流阻挡组件于该第三开口中。

22.根据权利要求20所述的发光二极管结构的制造方法，其中该形成该电流阻挡组件的步骤包含仅移除一部分的该块状元件，以使剩余的该块状元件形成该电流阻挡组件。

23.根据权利要求11所述的发光二极管结构的制造方法，其中该块状元件的顶部高于或对齐于该第一半导体层的上表面。

24.根据权利要求11所述的发光二极管结构的制造方法，其中该块状元件的顶部低于该第二半导体层的上表面。

25.根据权利要求24所述的发光二极管结构的制造方法，其中形成该发光层及该第二半导体层时，该发光层及该第二半导体层实质上不会覆盖该块状元件的顶部。

26.根据权利要求11所述的发光二极管结构的制造方法，其中该第一接触电极及该第二接触电极之间具有至少5μm的间隔。

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