DE102017112127A1

DE102017112127A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Info

Publication number: DE102017112127A1
Application number: DE102017112127.7A
Authority: DE
Inventors: Petrus Sundgren; Wolfgang Schmid
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2017-06-01
Filing date: 2017-06-01
Publication date: 2018-12-06
Also published as: US20210005786A1; WO2018219681A1; US11063182B2

Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben (1), das eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer ersten Halbleiterschicht (101) eines ersten Leitungstyps, einer zweiten Halbleiterschicht (102) und eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (103) aufweist, wobei die aktive Schicht (103) zwischen der ersten Halbleiterschicht (101) und der zweiten Halbleiterschicht (102) angeordnet ist.
Ferner weist das optoelektronische Bauelement eine Aussparung (150) in der ersten Halbleiterschicht (101) auf.
Weiterhin ist eine Vorderseite (10A) zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung,
eine erste elektrische Anschlussschicht (121) und eine zweite elektrische Anschlussschicht (122), die an einer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite (10B) angeordnet sind vorgesehen, wobei die erste elektrische Anschlussschicht (121) zumindest teilweise in der Aussparung (150) angeordnet ist.
Eine Kontaktzone (180) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps, grenzt an die Aussparung (150) an.
Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements (1) angegeben.

Description

Es wird ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben. Bei dem optoelektronischen Bauelement kann es sich insbesondere um ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement handeln, das in Betrieb elektromagnetische Strahlung, zum Beispiel Licht, emittiert.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement anzugeben, das eine verbesserte Effizienz aufweist.
Eine weitere Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements anzugeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst das optoelektronische Bauelement eine Halbleiterschichtenfolge, die eine erste Halbleiterschicht eines ersten Leitungstyps, eine zweite Halbleiterschicht und eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht aufweist. Dabei ist die aktive Schicht zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Vorzugsweise sind die Halbleiterschichten beispielsweise epitaktisch aufgewachsen. Die aktive Schicht umfasst bevorzugt einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, einen Einfach-Quantentopf (SQW, single quantum well) oder, besonders bevorzugt, eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung. Die Bezeichnung „Quantentopfstruktur“ schließt hierbei alle Dimensionen hinsichtlich der Quantisierung ein. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen. Beispiele für MQW-Strukturen sind in den Druckschriften WO 01/39282 , US 5,831,277 , US 6,172,382 B1 und US 5,684,309 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst das optoelektronische Bauelement eine Aussparung in der ersten Halbleiterschicht. Die Aussparung kann beispielsweise die Form eines Grabens, eines Zylinder oder eines Kegelstumpfes aufweisen. Die Zylinderachse oder die Kegelstumpfachse ist bevorzugt orthogonal zur Haupterstreckungsebene angeordnet. Die Haupterstreckungsebene verläuft vorzugsweise quer, insbesondere senkrecht zur Wachstumsrichtung und/oder zur Stapelrichtung der Halbleiterschichtenfolge.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst das optoelektronische Bauelement eine Vorderseite, die zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist. Das heißt, das optoelektronische Bauelement ist bevorzugt zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in Richtung der Vorderseite ausgelegt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst das optoelektronische Bauelement eine erste elektrische Anschlussschicht und eine zweite elektrische Anschlussschicht, die an einer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite angeordnet sind. Damit ist es möglich, eine ununterbrochene Emissionsfläche auf der Vorderseite des optoelektronischen Bauelements auszubilden. Die erste elektrische Anschlussschicht ist, zumindest teilweise in der Aussparung angeordnet. Das heißt, die elektronische Kontaktierung erfolgt von der Rückseite des optoelektronischen Bauelements. Die elektrischen Anschlussschichten können beispielsweise aus einem Metall gebildet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst das optoelektronische Bauelement eine Kontaktzone eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps, wobei die Kontaktzone an die Aussparung angrenzt. Diese Kontaktzone kann beispielsweise einen p-Leitungstyp aufweisen und zur Injektion von Löchern vorgesehen sein. Insbesondere kann diese Kontaktzone einen elektrisch leitfähigen Kontaktpfad von der in der Aussparung angeordneten ersten elektrischen Anschlussschicht zu der zweiten Halbleiterschicht bilden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst das optoelektronische Bauelement,

- eine Halbleiterschichtenfolge, die eine erste Halbleiterschicht eines ersten Leitungstyps, eine zweite Halbleiterschicht und eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht aufweist, wobei die aktive Schicht zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist,
- eine Aussparung in der ersten Halbleiterschicht,
- eine Vorderseite, die zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist,
- eine ersten elektrischen Anschlussschicht und einer zweiten elektrischen Anschlussschicht, die an einer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite angeordnet sind, wobei die
- erste elektrische Anschlussschicht, zumindest teilweise in der Aussparung angeordnet ist,
- und eine Kontaktzone eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps, wobei die Kontaktzone an die Aussparung angrenzt.

Einem hier beschriebenen optoelektronischen Bauelement liegt dabei unter anderem die Überlegung zugrunde, dass für eine hohe Effizienz des optoelektronischen Bauelements eine ununterbrochene Fläche zur Auskopplung der erzeugten Strahlung vorteilhaft ist. Zweckmäßigerweise sind dazu die elektrischen Anschlussschichten auf einer der Auskoppelfläche gegenüberliegenden Rückseite anzuordnen, wobei zumindest eine elektrische Anschlussschicht sich bis in eine Aussparung der ersten Halbleiterschicht erstreckt oder weitergehend durch eine Durchkontaktierung in Form einer die erste Halbleiterschicht durchdringenden Aussparung geführt wird. Dabei können an den Seitenflächen einer solchen Aussparung Defektstellen in der Halbleiterschicht auftreten, was zu einer Erhöhung einer nichtstrahlenden Rekombination von Ladungsträgern und damit einer Effizienzminderung des optoelektronischen Bauelements führen kann.
Das hier beschriebene optoelektronische Bauelement macht nun unter anderem von der Idee Gebrauch, in einer an eine solche Aussparung angrenzenden Umgebung den Leitungstyp gezielt etwa durch Dotierung so anzupassen, dass vorteilhafterweise eine Raumladungszone erzeugt wird, die eine nichtstrahlende Rekombination von Ladungsträgern sowie eine Reabsorption von elektromagnetischer Strahlung, vermindert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform durchdringt die Aussparung die erste Halbleiterschicht quer zu ihrer Haupterstreckungsebene vollständig. Das heißt die Tiefe der Aussparung quer zur Haupterstreckungsebene der ersten Halbleiterschicht ist größer oder zumindest gleich der Dicke der ersten Halbleiterschicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements wird mittels der Kontaktzone vom zweiten Leitungstyp eine nichtstrahlende Rekombination in der Umgebung der Aussparung unterdrückt. An den Seitenflächen einer Aussparung, die die aktive Zone quer zu ihrer Haupterstreckungsebene durchdringt, kann die Dichte von Defekten erhöht sein, wodurch sich die Wahrscheinlichkeit für nichtstrahlende Rekombinationsvorgänge erhöht. Die Kontaktzone schafft eine Raumladungszone, die die Ladungsträger fern hält von diesem Bereich, wodurch sich die Rekombination der Ladungsträger weiter in den aktiven Bereich verschiebt und entsprechend die Wahrscheinlichkeit für eine nichtstrahlende Rekombination verringert wird. Dadurch wird vorteilhaft die optische Effizienz des optoelektronischen Bauelements erhöht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform kann es vorteilhaft vermieden werden, einen pn-Übergang an einer Außenkante der Halbleiterschichtenfolge auszubilden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die erste Halbleiterschicht einen n-Leitungstyp auf und die zweite Halbleiterschicht einen p-Leitungstyp. Ein p-Leitungstyp kann beispielsweise durch eine Dotierung eines Halbleitermaterials mit Fremdatomen aus der dritten Hauptgruppe des Periodensystems hergestellt werden.
Ein n-Leitungstyp kann beispielsweise durch eine Dotierung eines Halbleitermaterials mit Fremdatomen aus der fünften Hauptgruppe des Periodensystems hergestellt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht eine größere Bandlücke auf, als die aktive Schicht. Dadurch ergibt sich eine räumliche Begrenzung für die Ladungsträger in der aktiven Schicht und eine erhöhte Rekombinationswahrscheinlichkeit in der aktiven Schicht. Zudem wird die Wahrscheinlichkeit einer Reabsorption von aus der aktiven Schicht emittierter elektromagnetischer Strahlung in der ersten und der zweiten Halbleiterschicht vorteilhaft verringert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Kontaktzone eine Dotierung mit einem Dotierstoff des zweiten Leitungstyps auf. Das bedeutet, die Kontaktzone ist ein Bereich in den vorhandenen Halbleiterschichten, in die ein Dotierstoff des zweiten Leitungstyps eingebracht wurde.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Kontaktzone eine Dotierung auf, die Zink oder Magnesium enthält oder aus Zink und/oder Magnesium besteht. Zink oder Magnesium eignen sich insbesondere für die Herstellung der Kontaktzone durch Diffusion.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Halbleiterschicht erster Art und die Halbleiterschicht zweiter Art so hoch dotiert, dass eine Diffusion des Dotierstoffes aus der Kontaktzone in die erste und die zweite Halbleiterschicht unterdrückt oder sogar verhindert wird. Somit ist die vertikale Ausdehnung der Kontaktzone auf die vertikale Ausdehnung der aktiven Schicht begrenzt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements befindet sich zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten elektrischen Anschlussschicht zumindest teilweise eine elektrisch isolierende Trennschicht. Die elektrisch isolierende Trennschicht kann beispielsweise aus einem Dielektrikum, wie beispielsweise einem SiO₂ oder einem Si₃N₄, gebildet sein oder bestehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bedeckt die elektrisch isolierende Trennschicht zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten elektrischen Anschlussschicht auch die Seitenwände der Aussparung und einen Teil ihrer Bodenfläche. Das heißt, die erste elektrische Anschlussschicht steht nur noch stellenweise in Kontakt mit der Kontaktzone. Durch die Abdeckung der Seitenwände der Aussparung mit einem Dielektrikum erhöht sich die Reflektivität der Seitenwände für die in der aktiven Schicht emittierte elektromagnetische Strahlung und die Auskoppeleffizienz des optoelektronischen Bauelements wird vorteilhaft erhöht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Stromfluss von der Kontaktzone zur ersten Halbleiterschicht unterdrückt, insbesondere wird der Stromfluss durch die zwischen der Kontaktzone und der ersten Halbleiterschicht gebildete Raumladungszone unterdrückt. Mit anderen Worten ist die Flussspannung des Übergangs von der Kontaktzone zur aktiven Schicht und die Flussspannung des Übergangs von der Kontaktzone zur zweiten Halbleiterschicht geringer als die Flussspannung des Übergangs von der Kontaktzone zur ersten Halbleiterschicht. Dies verhindert auch einen Kurzschluss der Kontaktzone mit der zweiten elektrischen Anschlussschicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist auf der zweiten Halbleiterschicht eine Stromaufweitungsschicht aufgebracht. Diese Stromaufweitungsschicht kann beispielsweise aus einem transluzenten oder transparenten, elektrisch leitfähigen Material ausgebildet sein, vorzugsweise einem TCO (Transparent Conductive Oxide) wie beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO). Durch die hohe elektrische Leitfähigkeit, wird der Strom von den lokal begrenzten Kontaktzonen gleichmäßig auf der gesamten Bauelementfläche verteilt und so die Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung in der aktiven Schicht, über das gesamte Bauelement hinweg, vorteilhaft homogenisiert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht strukturiert. Diese Strukturierung kann beispielsweise in Form kleiner Pyramiden ausgeführt sein und dient dazu, die Lichtwellenleitereigenschaften des optoelektronischen Bauelements zu verringern. Auch andere regelmäßige und unregelmäßige geometrische Formen sind nützlich zur Strukturierung der Oberfläche. Damit erhöht sich vorteilhaft die Auskoppeleffizienz des optoelektronischen Bauelements.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist auf der zweiten Halbleiterschicht eine Trägerschicht aufgebracht. Die Trägerschicht ist aus einem für die in der aktiven Schicht erzeugte, elektromagnetische Strahlung durchlässigem Material. Der Träger kann beispielsweise zur mechanischen Stabilisierung des optoelektronischen Bauelements dienen. Die Grenzfläche zwischen dem Träger und dem optoelektronischen Bauelement kann zur Verbesserung der Lichtauskopplung strukturiert sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements durchdringt die Aussparung die erste Halbleiterschicht und die aktive Schicht quer zu ihrer Haupterstreckungsebene vollständig. Gegenüber einer die aktive Schicht nur teilweise durchdringenden Aussparung kann das beispielsweise einen Vorteil in einem Ätzprozess darstellen, da damit die Anforderungen an die Kontrolle der Ätztiefe vorteilhaft reduziert sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Reabsorption von elektromagnetischer Strahlung im Bereich der Kontaktzone unterdrückt. Durch das Vorhandensein der Kontaktzone wird in diesem lokal begrenzten Bereich der Aufbau der aktiven Schicht gestört, wodurch sich die Bandlücke des Halbleitermaterials in diesem Bereich durch eine Durchmischung der Quantentopfstrukturen (Quantum Well Intermixing) vergrößert. Dies hat zur Folge, dass die Reabsorptionswahrscheinlichkeit für elektromagnetische Strahlung in diesem Bereich vorteilhaft abnimmt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die zweite Halbleiterschicht den gleichen Leitungstyp auf wie die erste Halbleiterschicht. Somit findet eine Injektion von Ladungsträgern direkt von der Kontaktzone in die aktive Schicht statt. Die zweite Halbleiterschicht dient zum Einschluss der Ladungsträger in der aktiven Schicht und somit einer Erhöhung der Rekombinationswahrscheinlichkeit.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements basiert zumindest eine Halbleiterschicht auf einem Phosphid-Verbindungs-Halbleitermaterial. „Auf Phosphid-Verbindungs-Halbleitermaterial basierend“ bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge oder zumindest ein Teil davon, besonders bevorzugt zumindest die aktive Schicht und/oder der Aufwachssubstratwafer, vorzugsweise Al_nGa_mIn_1-n-mP oder As_nGa_mIn_1-n-mP umfasst, wobei 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n+m ≤ 1 ist. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al bzw. As, Ga, In, P), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können. Vorteilhafterweise ermöglichen die vorliegend beschriebenen Ausführungsformen und Ausführungsbeispiele die Ausbildung einer auf einem Phosphid-Verbindungs-Halbleitermaterial basierenden Halbleiterschichtenfolge, die frei von Arsen ist. Damit wird der Einsatz schlecht umweltverträglicher Arsenverbindungen vermieden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements basiert zumindest eine Halbleiterschicht auf einem Arsenid-Verbindungs-Halbleitermaterial. „Auf Arsenid-Verbindungs-Halbleitermaterial basierend“ bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge oder zumindest ein Teil davon, besonders bevorzugt zumindest die aktive Schicht und/oder der Aufwachssubstratwafer, vorzugsweise Al_nGa_mIn_1-n-mAs umfasst, wobei 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n+m ≤ 1 ist. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al bzw. As, Ga, In), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements basiert zumindest eine Halbleiterschicht auf einem Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial. „Auf Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial basierend“ bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge oder zumindest ein Teil davon, besonders bevorzugt zumindest die aktive Zone und/oder der Aufwachssubstratwafer, ein Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial, vorzugsweise Al_nGa_mIn_1-n-mN aufweist oder aus diesem besteht, wobei 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n+m ≤ 1 ist. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, N), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.
Vorteilhafterweise ermöglichen die vorliegend beschriebenen Ausführungsformen und Ausführungsbeispiele die Ausbildung einer auf einem Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial basierenden Halbleiterschichtenfolge, die frei von Arsen ist. Damit wird der Einsatz schlecht umweltverträglicher Arsenverbindungen vermieden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die zur Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehene Vorderseite frei von elektrischen Anschlussschichten. Dadurch entsteht ein rückseitenkontaktierbares optoelektronisches Bauelement, das auf seiner Vorderseite eine ununterbrochene Emissionsfläche aufweist. Dieser Aufbau ist beispielsweise vorteilhaft für die Herstellung von sehr kleinen optoelektronischen Bauelementen, bei denen die elektrischen Kontakte ansonsten eine relativ zu ihrer Emissionsfläche große Fläche einnehmen würden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird die Kontaktzone mittels Diffusion oder Ionenimplantation hergestellt. Dabei eignen sich beispielsweise insbesondere Zink oder Magnesium als Dotierstoffe.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des optoelektronischen Bauelements ergeben sich aus den folgenden, in Zusammenhang mit den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen.
Es zeigen:

1 einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel,
2A einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel,
2B einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel,
2C einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel,
2D einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel,
2E einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel,
2F einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel,
2G einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem achten Ausführungsbeispiel,
3A einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem neunten Ausführungsbeispiel,
3B einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem zehnten Ausführungsbeispiel,
4 einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem elften Ausführungsbeispiel,
5 einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem zwölften Ausführungsbeispiel,
6A bis 6E schematische Querschnitte durch ein optoelektronisches Bauelement bei verschiedenen Schritten eines Verfahrens seiner Herstellung,
7 einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem dreizehnten Ausführungsbeispiel,
8 einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem vierzehnten Ausführungsbeispiel,
9 eine schematische Draufsicht der Kontaktstruktur eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel, und
10 eine schematische Draufsicht der Kontaktstruktur eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1. Das optoelektronische Bauelement 1 umfasst eine Halbleiterschichtenfolge 10 mit einer ersten Halbleiterschicht 101, welche n-dotiert ist, einer zweiten Halbleiterschicht 102, welche p-dotiert ist und einer aktiven Schicht 103. Die aktive Schicht 103 ist dabei zwischen der ersten Halbleiterschicht 101 und der zweiten Halbleiterschicht 102 angeordnet. Das optoelektronische Bauelement weist eine Aussparung 150 auf, die die erste Halbleiterschicht 101 quer zu ihrer Haupterstreckungsebene vollständig durchdringt.
Zur Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements 1 sind auf einer Rückseite 10B des optoelektronischen Bauelements 1 eine erste elektrische Anschlussschicht 121 und eine zweite elektrische Anschlussschicht 122 angebracht. Diese elektrischen Anschlussschichten können beispielsweise aus einem Metall wie zum Beispiel Aluminium gebildet sein. Die zweite elektrische Anschlussschicht 122 kontaktiert eine vorzugsweise hoch n-dotierte Halbleiteranschlussschicht 123. Die erste elektrische Anschlussschicht 121 ist weitergehend zumindest teilweise in der Aussparung 150 angeordnet.
Zwischen der ersten elektrischen Anschlussschicht 121 und der ersten Halbleiterschicht 101 liegt eine elektrisch isolierende Trennschicht 131, die vorzugsweise aus Siliziumdioxid gebildet ist. Die Kombination einer solchen elektrisch isolierenden Trennschicht 131 und einer ersten elektrischen, vorzugsweise metallischen Anschlussschicht 121 besitzt vorteilhaft gute optische Reflexionseigenschaften. Dadurch wird die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 1 erhöht.
Die Halbleiterschichtenfolge 10 umfasst ferner eine Kontaktzone 180, die im Bereich um die Aussparung 150 angeordnet ist. Diese Kontaktzone 180 bildet einen Bereich innerhalb der Halbleiterschichtenfolge 10, der durch eine p-Dotierung gekennzeichnet ist. Die Kontaktzone 180 bildet einen Kontaktpfad zwischen der ersten elektrischen Anschlussschicht 121 und der zweiten Halbleiterschicht 102. Durch die Kontaktzone 180 entsteht weiterhin eine Raumladungszone, die einen direkten Stromfluss von der ersten elektrischen Anschlussschicht 121 in die erste Halbleiterschicht 101 verhindert und den Rekombinationsvorgang der injizierten Ladungsträger in der aktiven Schicht 103 verschiebt beziehungsweise in der Umgebung der Aussparung 150 unterdrückt. In der Umgebung der Aussparung 150 befinden sich herstellungsbedingt viele Defektstellen, die als Rekombinationszentren für nichtstrahlende Vorgänge dienen. Somit lässt sich durch eine Verdrängung der Ladungsträger aus diesem Bereich die strahlende Rekombinationswahrscheinlichkeit vorteilhafterweise erhöhen.
2A zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 1 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1. Das hier gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht dem in 1 gezeigten ersten Ausführungsbeispiel, unterscheidet sich aber von dem ersten Ausführungsbeispiel in der Tiefe der Aussparung 150. Die Aussparung 150 durchdringt nicht nur die erste Halbleiterschicht 101 quer zu ihrer Haupterstreckungsebene vollständig, sondern auch die aktive Schicht 103. Dies kann beispielsweise einen Vorteil in einem Ätzprozess darstellen, da damit die Anforderungen an die Kontrolle der Ätztiefe vorteilhaft reduziert sind.
2B zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 1 gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel. Dieses Ausführungsbeispiel entspricht dem in 2A gezeigten zweiten Ausführungsbeispiel, unterscheidet sich aber von diesem Ausführungsbeispiel darin, dass die Oberfläche der Vorderseite des Bauelements 10A auf der Auskoppelseite aufgeraut ist. Diese
Oberflächenstrukturierung dient vor allem einer Erhöhung der Auskoppeleffizienz und einer Verminderung von nachteiligen Lichtwellenleitereigenschaften der Bauelementoberfläche. Zur Strukturierung eignen sich beispielsweise pyramidenförmige Strukturen. Auch andere geometrische Formen können sich dabei als nützlich erweisen.
2C zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 1 gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel. Das hier gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht dem in 2A gezeigten zweiten Ausführungsbeispiel, unterscheidet sich aber von dem zweiten Ausführungsbeispiel durch eine zusätzliche transparente Trägerschicht 140. In diesem Ausführungsbeispiel ist auf der zweiten Halbleiterschicht 102 eine transparente Trägerschicht 140 aufgebracht. Diese Trägerschicht 140 kann einer erhöhten mechanischen Stabilität des optoelektronischen Bauelements 1 dienen.
2D zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 1 gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel. Das hier gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht dem in 2C gezeigten vierten Ausführungsbeispiel, unterscheidet sich aber von dem vierten Ausführungsbeispiel durch eine zusätzlich aufgeraute Grenzfläche zwischen der transparenten Trägerschicht 140 und der zweiten Halbleiterschicht 102. Durch diese Strukturierung erhöht sich vorteilhaft die optische Auskoppeleffizienz des optoelektronischen Bauelements 1.
2E zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 1 gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel. Das hier gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht dem in 2A gezeigten zweiten Ausführungsbeispiel, unterscheidet sich aber von dem zweiten Ausführungsbeispiel durch eine zusätzliche Stromaufweitungsschicht 140. Diese Stromaufweitungsschicht 140 ist auf der zweiten Halbleiterschicht 102 angeordnet und ist beispielsweise aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Oxid, wie zum Beispiel Indiumzinnoxid (ITO, Indium Tin Oxide) gebildet. Durch die hohe elektrische Leitfähigkeit dieser Stromaufweitungsschicht 160 werden die Ladungsträger vorteilhaft gleichmäßig über der Bauelementoberfläche in die Halbleiterschichtenfolge injiziert und es wird so eine homogenere Leuchtdichte erzielt.
2F zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 1 gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel. Das hier gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht dem in 2E gezeigten sechsten Ausführungsbeispiel, unterscheidet sich aber von dem sechsten Ausführungsbeispiel durch eine zusätzliche transparente Trägerschicht 140. Auf der zweiten Halbleiterschicht ist zunächst eine Stromaufweitungsschicht 160 aufgebracht, worauf eine transparente Trägerschicht 140 angeordnet ist.
2G zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 1 gemäß einem achten Ausführungsbeispiel. Das hier gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht dem in 2F gezeigten siebten Ausführungsbeispiel, unterscheidet sich aber von dem siebten Ausführungsbeispiel durch eine zusätzlich strukturierte Grenzfläche zwischen der zweiten Halbleiterschicht 102 und der Stromaufweitungsschicht 160. Durch diese Grenzflächenstrukturierung erhöht sich vorteilhafterweise die Auskoppeleffizienz des optoelektronischen Bauelements 1.
3A zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 1 gemäß einem neunten Ausführungsbeispiel. Das hier gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht dem in 1 gezeigten ersten Ausführungsbeispiel, unterscheidet sich aber von dem ersten Ausführungsbeispiel durch die unterschiedliche Dotierung der zweiten Halbleiterschicht 102. In diesem Ausführungsbeispiel ist sowohl die erste Halbleiterschicht 101 als auch die zweite Halbleiterschicht 102 n-dotiert und die Kontaktzone 180 p-dotiert. Bedingt durch die Raumladungszone der p-dotierten Kontaktzone 180 ist nun sowohl der Übergang von der Kontaktzone 180 zur zweiten Halbleiterschicht 102 als auch der Übergang von der Kontaktzone 180 zur ersten Halbleiterschicht 101 blockiert. Dadurch erfolgt eine direkte Injektion der positiven Ladungsträger von der Kontaktzone 180 in die aktive Schicht 103. Die n-dotierte zweite Halbleiterschicht 102 dient beispielsweise zum verbesserten lokalen Einschluss der Ladungsträger in der aktiven Schicht 103.
3B zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 1 gemäß einem zehnten Ausführungsbeispiel. Das hier gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht dem in 3A gezeigten neunten Ausführungsbeispiel, unterscheidet sich aber von dem neunten Ausführungsbeispiel durch eine erhöhte Dotierstoffkonzentration in den beiden n-dotierten Halbleiterschichten 101 und 102. Die Dotierstoffkonzentration in den beiden n-Halbleiterschichten 101 und 102 ist dabei so hoch gewählt, dass eine Diffusion der p-Dotierstoffe aus der Kontaktzone 180 in die erste Halbleiterschicht 101 und in die zweite Halbleiterschicht 102 unterdrückt oder verhindert wird. Da durch die hohe Dotierstoffkonzentration in der ersten Halbleiterschicht 101 und in der zweiten Halbleiterschicht 102 eine Diffusion des p-Dotierstoffes der Kontaktzone 180 an die Oberfläche 10A des optoelektronischen Bauelements 1 unterdrückt oder verhindert wird, können die Schichten dieses Bauelements mit Vorteil dünner ausgeprägt und so der Herstellungsaufwand für das Bauelement insgesamt verringert werden.
4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 1 gemäß einem elften Ausführungsbeispiel. Das hier gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht dem in 1 gezeigten ersten Ausführungsbeispiel, unterscheidet sich aber von dem ersten Ausführungsbeispiel durch eine größere Ausdehnung der elektrisch isolierenden Trennschicht 131 im Bereich der Aussparung 150. Die elektrisch isolierende Trennschicht 131 bedeckt in diesem Ausführungsbeispiel auch die Seitenwände der Aussparung 150 und einen Teil der Bodenfläche. Es bleibt also nur ein kleiner Teil der elektrischen Anschlussschicht 121 in Kontakt mit der Kontaktzone 180. Durch die Bekleidung der Seitenflächen und eines Teils der Bodenfläche der Aussparung 150 mit der elektrisch isolierenden Trennschicht 131 erreicht man eine bessere Reflexionseigenschaft an dieser Grenzfläche und erhöht somit vorteilhaft die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 1.
5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 1 gemäß einem zwölften Ausführungsbeispiel. Bis auf eine zusätzliche Halbleiterkontaktschicht 170 stimmt dieses Ausführungsbeispiel mit dem ersten Ausführungsbeispiel überein. Die Halbleiterkontaktschicht 170 ist beispielsweise aus einem hoch p-dotierten Galliumphosphid oder einem hoch p-dotiertem Aluminiumgalliumarsenid gebildet. Sie dient vor allem einer Reduktion des Übergangswiderstandes von der ersten elektrischen Anschlussschicht 121 zur Kontaktzone 180.
Die 6A bis E zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 1 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel in schematischen Schnittdarstellungen bei verschiedenen Schritten des Verfahrens. 6A zeigt eine Halbleiterschichtenfolge 10 mit einer ersten Halbleiterschicht 101, einer zweiten Halbleiterschicht 102 und einer aktiven Schicht 103, zudem einer hoch dotierten Halbleiteranschlussschicht 123 und einer elektrisch isolierenden Trennschicht 131. Die Vorderseite 10A des Bauelements ist zur Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen. Im ersten Verfahrensschritt wird in diese Halbleiterschichtenfolge eine Aussparung 150 eingebracht.
6B zeigt den nächsten Verfahrensschritt, in welchem auf eine Rückseite 10B des optoelektronischen Bauelements eine zweite elektrisch isolierende Trennschicht 132 aufgebracht wird.
6C zeigt das Bauelement nach einem gerichteten Ätzprozess, in welchem vorzugsweise die parallel zur Haupterstreckungsebene des Schichtenstapels liegenden Bereiche der elektrisch isolierenden Trennschichten 131 und 132 angeätzt werden. Dabei verbleiben an den Seitenwänden der Aussparung 150 Reste der zweiten elektrisch isolierenden Trennschicht 132.
6D zeigt einen weiteren Verfahrensschritt, in dem die Kontaktzone 180 mittels Diffusion hergestellt wird. 6E zeigt einen Verfahrensschritt, in welchem die elektrischen Kontaktschichten aufgebracht werden. Dabei wird die erste elektrische Anschlussschicht 121 teilweise in der Aussparung 150 angeordnet und die zweite elektrische Anschlussschicht 122 direkt auf der hoch n-dotierten Halbleiteranschlussschicht 123 aufgebracht.
7 zeigt eine weitere Ausführungsvariante für ein optoelektronisches Bauelement 1, das nach dem in den 6A bis 6E beschriebenen Verfahren hergestellt wurde. Zusätzlich weist das in 7 gezeigte optoelektronische Bauelement 1 eine Halbleiterkontaktschicht 170 am Übergang der ersten elektrischen Anschlussschicht 121 zur Kontaktzone 180 auf. Diese Halbleiterkontaktschicht 170 ist beispielsweise aus InAlGaAs:p+ oder InGaP:p+ oder InGaAs gebildet. Dadurch wird vorteilhaft der Übergangswiderstand von der ersten elektrischen Anschlussschicht 121 zur Kontaktzone 180 verringert.
8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 1 gemäß einem vierzehnten Ausführungsbeispiel. Das hier gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht dem in 1 gezeigten ersten Ausführungsbeispiel, unterscheidet sich aber von dem ersten Ausführungsbeispiel in der Tiefe der Aussparung 150 und einer zusätzlichen Halbleiteranschlussschicht 124. Die Halbleiteranschlussschicht 124 kann beispielsweise einen niedrig n-dotierten Halbleiter auf InGaAlP-Basis umfassen. Die Kontaktzone 180 erstreckt sich von der ersten elektrischen Anschlussschicht 121 bis in die zweite Halbleiterschicht 102. Die Aussparung 150 durchdringt die erste Halbleiterschicht 101 nicht, sondern sie durchdringt lediglich die elektrisch isolierende Trennschicht 131 quer zu ihrer Haupterstreckungsebene. Dies kann beispielsweise einen Vorteil für die Effizienz des optoelektronischen Bauteils 1 darstellen, da damit im Vergleich zu einer tieferen, die erste Halbleiterschicht 101 vollständig durchdringenden Aussparung die Seitenflächen der Aussparung und in der Folge dort entstehende Defektstellen vorteilhaft reduziert werden können.
9 zeigt eine schematische Draufsicht der Kontaktstrukturen eines optoelektronischen Bauelements 1 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel. Die erste elektrische Anschlussschicht 121 ist von der zweiten elektrischen Anschlussschicht 122 mittels einer elektrisch isolierenden Trennschicht 131 getrennt. Das fingerförmige Kontaktlayout hat eine vorteilhaft geringe Ausdehnung bei einer vergleichsweise großen Kontaktfläche.
10 zeigt eine schematische Draufsicht der Kontaktstruktur eines optoelektronischen Bauelements 1 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. In diesem Ausführungsbeispiel bleibt ein Großteil der elektrischen Anschlussschichten unter einer elektrisch isolierenden Trennschicht 131 vergraben. Die Kontaktierung erfolgt mittels Durchkontaktierungen in Form von Zylindern, Kegeln oder Kegelstümpfen.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugszeichenliste

1: optoelektronisches Bauelement
10: Halbleiterschichtenfolge
10A: Vorderseite
10B: Rückseite
101: erste Halbleiterschicht
102: zweite Halbleiterschicht
103: aktive Schicht
121: erste elektrische Anschlussschicht
122: zweite elektrische Anschlussschicht
123: hoch dotierte Halbleiteranschlussschicht
124: niedrig dotierte Halbleiteranschlussschicht
131: elektrisch isolierende Trennschicht
132: zweite elektrisch isolierende Trennschicht
140: Trägerschicht
150: Aussparung
160: Stromaufweitungsschicht
170: Halbleiterkontaktschicht
180: Kontaktzone

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

WO 0139282 [0004]
US 5831277 [0004]
US 6172382 B1 [0004]
US 5684309 [0004]

Claims

Optoelektronisches Bauelement (1) mit - einer Halbleiterschichtenfolge (10), die eine erste Halbleiterschicht (101) eines ersten Leitungstyps, eine zweite Halbleiterschicht (102) und eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (103) aufweist, wobei die aktive Schicht (103) zwischen der ersten Halbleiterschicht (101) und der zweiten Halbleiterschicht (102) angeordnet ist, - einer Aussparung (150) in der ersten Halbleiterschicht (101), - einer Vorderseite (10A), die zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, - einer ersten elektrischen Anschlussschicht (121) und einer zweiten elektrischen Anschlussschicht (122), die an einer der Vorderseite (10A) gegenüberliegenden Rückseite (10B) angeordnet sind, wobei die - erste elektrische Anschlussschicht (121), zumindest teilweise in der Aussparung (150) angeordnet ist, - und einer Kontaktzone (180) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps, wobei die Kontaktzone (180) an die Aussparung (150) angrenzt.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß Anspruch 1, bei dem die Aussparung (150) die erste Halbleiterschicht (101) quer zu ihrer Haupterstreckungsebene vollständig durchdringt.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine nichtstrahlende Rekombination in der Umgebung der Aussparung (150) mittels der Kontaktzone (180) vom zweiten Leitungstyp unterdrückt ist.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die erste Halbleiterschicht (101) einen n-Leitungstyp aufweist und die zweite Halbleiterschicht (102) einen p-Leitungstyp aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Bandlücke der ersten Halbleiterschicht (101) und die Bandlücke der zweiten Halbleiterschicht (102) größer ist als die Bandlücke der aktiven Schicht (103).
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Kontaktzone (180) eine Dotierung mit einem Dotierstoff des zweiten Leitungstyps aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Dotierstoff Zink oder Magnesium enthält oder der Dotierstoff Zink oder Magnesium ist.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die erste Halbleiterschicht (101) und die zweite Halbleiterschicht (102) so hoch dotiert sind, dass eine Diffusion des Dotierstoffs aus der Kontaktzone (180) in die erste Halbleiterschicht (101) und eine Diffusion des Dotierstoffs aus der Kontaktzone (180) in die zweite Halbleiterschicht (102) verhindert wird.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem sich zwischen der ersten Halbleiterschicht (101) und der ersten elektrischen Anschlussschicht (121) zumindest teilweise eine elektrisch isolierende Trennschicht (131) befindet.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die elektrisch isolierende Trennschicht (131) zwischen der ersten Halbleiterschicht (101) und der ersten elektrischen Anschlussschicht (121) die Seitenwände der Aussparung (150) und einen Teil ihrer Bodenfläche bedeckt.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Stromfluss von der Kontaktzone (180) zur ersten Halbleiterschicht (101) unterdrückt ist.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem auf der zweiten Halbleiterschicht (102) eine Stromaufweitungsschicht (160) aufgebracht ist.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (102) strukturiert ist.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem auf der zweiten Halbleiterschicht (102) eine für die in der aktiven Schicht (103) erzeugte elektromagnetische Strahlung durchlässige Trägerschicht (140) aufgebracht ist.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Aussparung (150) die erste Halbleiterschicht (101) und die aktive Schicht (103) quer zu ihrer Haupterstreckungsebene vollständig durchdringt.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Reabsorption von elektromagnetischer Strahlung im Bereich der Kontaktzone (180) unterdrückt ist.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zweite Halbleiterschicht (102) den gleichen Leitungstyp aufweist wie die erste Halbleiterschicht (101).
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zumindest eine Halbleiterschicht auf einem Phosphid-Verbindungs-Halbleitermaterial basiert.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zur Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehene Vorderseite (10A) frei von elektrischen Anschlussschichten ist.
Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Kontaktzone (180) mittels Diffusion oder Ionenimplantation hergestellt wird.