CN102770981A - 有机场致发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供改善元件的发光效率、充分确保驱动稳定性、且具有简单的构成的有机场致发光元件(有机EL元件)。该有机EL元件，在层叠于基板上的阳极和阴极之间具有有机层，在选自发光层、空穴传输层、电子传输层及空穴阻挡层中的至少一个的有机层中含有由下述式(1)表示的咔唑化合物。为在含有磷光发光性掺杂剂和主体材料的发光层中含有该咔唑化合物的情况下、含有咔唑化合物作为主体材料的有机场致发光元件。在式(1)中，X为C-Y或氮，Y为氢、烷基、环烷基或芳香族基团。n为2～4的整数，A为n价的芳香族基团，L为直接键合或2价的芳香族基团，R为氢、烷基或环烷基。

Description

有机场致发光元件
技术领域
本发明涉及有机场致发光元件用的有机场致发光元件用材料及使用了其的有机场致发光元件，详细而言，涉及对由有机化合物构成的发光层施加电场而发出光的薄膜型器件。
背景技术
一般而言，对有机场致发光元件(以下，称为有机EL元件)而言，作为其最简单的结构由发光层及夹持该层的一对对置电极构成。即，在有机EL元件中，利用如下现象：当在两电极间施加电场时，从阴极注入电子，从阳极注入空穴，它们在发光层中复合，放出光。
近年来，进行了使用有机薄膜的有机EL元件的开发。特别是为了提高发光效率，以提高由电极注入载流子的效率为目的，进行电极的种类的最优化，通过在电极间以薄膜的形式设置由芳香族二胺构成的空穴传输层和由8-羟基喹啉铝配合物(以下，称为Alq3)构成的发光层的元件的开发，由此与目前使用了蒽等的单晶的元件相比，进行了大幅的发光效率的改善，因此，以面向具有自发光·高速应答性这样的特征的高性能平板的实用化为目标不断发展。
另外，作为提高元件的发光效率的尝试，还研究不使用荧光而使用磷光。以上述的设有由芳香族二胺构成的空穴传输层和由Alq3构成的发光层的元件为代表的许多元件利用荧光发光，但通过使用磷光发光、即利用来自三重激发态的发光，与以往的使用了荧光(单重态)的元件相比，可期待3～4倍左右的效率提高。为了该目的，对以香豆素衍生物、二苯甲酮衍生物作为发光层进行了研究，但只得到极低的亮度。另外，作为利用三重态的尝试，对使用铕配合物进行了研究，但其也达不到高效率的发光。近年来，如专利文献1中举出的那样，以发光的高效率化、长寿命化为目的，进行了许多以铱配合物等的有机金属配合物为中心的磷光发光掺杂剂材料的研究。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2005-093159号公报
专利文献2：WO2005-057987号公报
专利文献3：特开2005-132820号公报
专利文献4：特开2004-071500号公报
为了得到高发光效率，与上述掺杂剂材料同时使用的主体材料变得重要。作为主体材料所提案的代表性的材料，可以举出专利文献2所介绍的咔唑化合物的4,4’-双(9-咔唑基)联苯(以下，称为CBP)。对CBP而言，在作为三(2-苯基吡啶)铱配合物(以下，称为Ir(ppy)3)所代表的绿色磷光发光材料的主体材料使用的情况下，CBP容易流出空穴、难以流出电子的特性，而且电荷注入平衡破坏，过剩的空穴在电子传输层侧流出，结果来自Ir(ppy)3的发光效率降低。
如上所述，为了在有机EL元件得到高发光效率，需要具有高的三重激发能、且在双电荷(空穴·电子)注入传输特性中取得了平衡的主体材料。进而，期望电化学性稳定、具备高耐热性的同时具备优异的非晶态稳定性的化合物，要求进一步的改良。
在专利文献1中，作为有机EL元件的主体材料公开有如以下所示的咔唑化合物。
Figure BDA00002050842700021
但是，由于该咔唑化合物在咔唑的3,6位上具有苯基，因此推定得不到充分的发光效率。
在专利文献2中，作为有机EL元件的主体材料公开有如以下所示的咔唑化合物。
Figure BDA00002050842700031
在专利文献3中，作为有机EL元件的主体材料公开有如以下所示的咔唑化合物。
Figure BDA00002050842700032
但是，上述化合物仅公开在9位连接了咔唑的化合物，未公开使用在1位连接了的化合物的有机EL元件的有用性。
在专利文献4中，作为有机EL元件的主体材料公开有如以下所示的咔唑化合物。
Figure BDA00002050842700033
但是，上述化合物仅仅公开在3位连接了咔唑的化合物，未公开使用在1位连接了的化合物的有机EL元件的有用性。
发明内容
为了将有机EL元件应用于平板显示器等的显示元件，需要在改善元件的发光效率的同时充分确保驱动时的稳定性。本发明，鉴于上述现状，目的在于提供具有高效率且高驱动稳定性的在实用上有用的有机EL元件及适于其的化合物。
本发明人等进行了潜心研究，结果发现：通过将经由连接基团在1位连接了2个以上的咔唑环的在9位具有特定的取代基的咔唑化合物作为有机EL元件来使用、显示优异的特性，以至完成了本发明。
本发明涉及有机场致发光元件，其为在基板上层叠阳极、有机层及阴极而成的有机场致发光元件，其特征在于，在选自由发光层、空穴传输层、电子传输层及空穴阻挡层组成的组中的至少一个层中使用了由通式(1)表示的咔唑化合物。
Figure BDA00002050842700041
在通式(1)中，X分别独立地表示C-Y或氮，Y分别独立地表示氢、碳数1～10的烷基、碳数3～11的环烷基、碳数6～18的芳香族烃基或碳数3～18的芳香族杂环基。n表示2～4的整数，A表示n价的碳数6～50的芳香族烃基或碳数3～50的芳香族杂环基，L分别独立地表示直接键合、不是稠环结构的2价的碳数6～10的芳香族烃基或碳数3～10的芳香族杂环基，R分别独立地表示氢、碳数1～10的烷基或碳数3～11的环烷基。其中，在L为直接键合的情况下，A不是稠环结构。
在通式(1)中，优选L为直接键合、由5元环或6元环构成的2价的芳香族烃基、由5元环或6元环构成的2价的芳香族杂环基中的任意，更优选为直接键合、亚苯基、由6元环构成的二价的芳香族杂环基中的任意。另外，在通式(1)，n为2～4，但优选为2或3。
另外，上述有机场致发光元件优选具有含有由通式(1)表示的咔唑化合物和磷光发光掺杂剂的发光层。
认为：由通式(1)表示的咔唑化合物，通过在1,9位取代单环的芳香族基团、具有两个以上用1位上的芳香族基团连接了的咔唑骨格，可以进行空穴、电子移动速度的微调整、以及电离电位(IP)、电子亲和能(EA)、三重态激发能量(T1)的各种能量值的控制。另外，认为：该咔唑化合物可以在氧化、还原、激发的各活性状态下使稳定性提高，同时具有良好的非晶特性。由以上可以实现驱动寿命长、耐久性高的有机EL元件。
附图说明
图1是表示有机EL元件一结构例的剖面图。
图2表示化合物A-1的1H-NMR图表。
具体实施方式
本发明的有机场致发光元件在特定的层中含有由上述通式(1)表示的咔唑化合物。在通式(1)中，n为2～4的整数，A为n价的碳数6～50的芳香族烃基或碳数3～50的芳香族杂环基。即，由通式(1)表示的咔唑化合物具有n个含咔唑基团在n价的基团A上键合了的结构。
在通式(1)中，X分别独立地表示C-Y或氮，Y表示氢、碳数1～10的烷基、碳数3～11的环烷基、碳数6～18的芳香族烃基或碳数3～17的芳香族杂环基。在Y存在多个的情况下，可以相同也可以不同。
在通式(1)中，X分别独立地表示C-Y或氮，但在X为氮的情况下，优选其数为1～3个，更优选为1～2个。
在通式(1)中，在X为C-Y的情况下，Y分别独立地表示氢、碳数1～10的烷基、碳数3～11的环烷基、碳数6～18的芳香族烃基或碳数3～17的芳香族杂环基。优选为氢、碳数1～6的烷基、碳数3～8的环烷基、碳数6～14的芳香族烃基或碳数3～13的芳香族杂环基。在为芳香族烃基或芳香族杂环基的情况下，优选不是稠环结构。
作为烷基或环烷基的具体例，可以举出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、环己基、甲基环己基等，可以为直链也可以为支链。优选为碳数1～6的烷基或环己基、甲基环己基。具体而言，为甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环己基、甲基环己基。
作为芳香族烃基或芳香族杂环基的具体例，可以举出从苯、萘、芴、蒽、菲、荧蒽、芘、屈、吡啶、嘧啶、三嗪、吲哚、喹啉、异喹啉、喹喔啉、萘啶、咔唑、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并呋喃、二苯并呋喃、呫吨、二苯并对二噁英、吩噁嗪、苯并噻吩、二苯并噻吩、噻吨、噻蒽、吩噁噻、酚噻嗪或连接了多个这些芳香环的芳香族化合物中除去氢而产生的1价的基团等。作为上述连接了多个芳香环的芳香族化合物的具体例，可以举出例如从联苯、三联苯、联吡啶、联嘧啶、双三嗪、双三嗪基苯、联萘、苯基吡啶、二苯基吡啶、二苯基嘧啶、二苯基三嗪、苯基咔唑、吡啶基咔唑等除去氢而产生的1价的基团等，键合位置没有限定，可以为末端的环，也可以为中央部的环。
作为优选的芳香族烃基或芳香族杂环基的具体例，为从苯、吡啶、嘧啶、三嗪、咔唑、二苯并呋喃、二苯并对二噁英、吩噁嗪、二苯并噻吩、噻蒽、酚噻嗪或连接了多个这些芳香环的芳香族化合物中除去氢而产生的1价的基团，更优选为从苯、吡啶、嘧啶、三嗪、二苯并呋喃、二苯并噻吩或连接了多个这些芳香环的芳香族化合物除去氢而产生的1价的基团。
在通式(1)中，多个R分别独立地表示氢、碳数1～10的烷基或碳数3～11的环烷基。优选为氢、碳数1～6的烷基、碳数3～8的环烷基。作为烷基或环烷基的具体例，可以举出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、环己基、甲基环己基等。优选的R为氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环己基、甲基环己基，更优选为氢。
在通式(1)中，n表示2～4的整数。优选n为2或3，更优选为2。
在通式(1)中，A表示n价的碳数6～50的芳香族烃基或碳数3～50的芳香族杂环基。优选为n价的碳数6～36的芳香族烃基或碳数3～36的芳香族杂环基。
在A为芳香族烃基或芳香族杂环基的情况下，作为芳香族烃基或芳香族杂环基的具体例，可以举出从苯、萘、芴、蒽、菲、荧蒽、芘、屈、吡啶、嘧啶、三嗪、吲哚、喹啉、异喹啉、喹喔啉、萘啶、咔唑、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并呋喃、二苯并呋喃、咕吨、二苯并对二噁英、吩噁嗪、苯并噻吩、二苯并噻吩、噻吨、噻蒽、吩噁噻、酚噻嗪或连接了多个这些芳香环的芳香族化合物中除去n个氢而产生的n价的基团等。优选为从苯、萘、芴、蒽、菲、荧蒽、芘、屈、吡啶、嘧啶、三嗪、吲哚、喹啉、异喹啉、喹喔啉、萘啶、咔唑、吖啶、苯并呋喃、二苯并呋喃、吩噁嗪、苯并噻吩、二苯并噻吩、酚噻嗪或连接了多个这些芳香环的芳香族化合物中除去n个氢而产生的n价的基团，更优选为从苯、吡啶、嘧啶、三嗪、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩或连接了多个这些芳香环而成的芳香族化合物中除去n个氢而产生的n价的基团。在连接了多个上述芳香环的情况下，它们可以相同也可以不同。作为从连接了多个上述芳香环的芳香族化合物中除去n个氢而产生的n价的基团的具体例，可以举出例如从联苯、三联苯、联吡啶、联嘧啶、双三嗪、双三嗪基苯、联萘、苯基吡啶、二苯基吡啶、二苯基嘧啶、二苯基三嗪、苯基咔唑、吡啶基咔唑等中除去氢而产生的基团，与键合的L或咔唑的1位的连接位置没有限定，可以为末端的环也可以为中央部的环。上述芳香族烃基或芳香族杂环基也可以具有取代基，在具有取代基的情况下，作为优选的取代基，为碳数1～4的烷基、碳数3～6的环烷基、碳数1～2的烷氧基、乙酰基或碳数6～24的二芳基氨基。在具有取代基的情况下，取代基的总数为1～10。优选为1～6，更优选为1～4。另外，在上述芳香族烃基或芳香族杂环基具有2个以上的取代基的情况下，它们可以相同也可以不同。另外，在上述芳香族烃基或芳香族杂环基的碳数的计算中，在具有取代基的情况下，包括该取代基的碳数。
在此，由连接了多个芳香环的芳香族化合物产生的基团，在2价的基团的情况下，例如由由下述式表示。
Figure BDA00002050842700081
(Ar1～Ar6表示芳香环。)
在通式(1)中，在L为直接键合的情况下，A为不是稠环结构的n价的芳香族烃基或n价的芳香族杂环基。在此，所谓不是稠环结构，是指在多个芳香环连接的情况下，最初与通式(1)中的n个咔唑环的1位连接的芳香环不是稠环结构，未与咔唑环连接的芳香环也可以为稠环，但A为单环或连接了多个单环的n价的基团。
在通式(1)中，L表示直接键合、不是稠环结构的2价的碳数6～10的芳香族烃基或碳数3～10的芳香族杂环基，优选为直接键合、由5元环或6元环构成的2价的芳香族烃基、由5元环或6元环构成的2价的芳香族杂环基中的任意，更优选为直接键合、亚苯基、由6元环构成的2价的芳香族杂环基中的任意。作为芳香族烃基或芳香族杂环基的具体例，可以举出从吡咯、咪唑、呋喃、噻吩、噁唑、噻唑、吡唑、苯、吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、三嗪中除去2个氢而产生的2价的基团。优选从苯、吡咯、呋喃、噻吩、吡啶、嘧啶、三嗪中除去2个氢而产生的基团，更优选从苯、吡啶、嘧啶、三嗪中除去2个氢而产生2价的基团。上述2价的芳香族烃基或芳香族杂环基也可以具有取代基，在具有取代基的情况下，作为优选的取代基，为碳数1～4的烷基、碳数3～6的环烷基、碳数1～2的烷氧基或乙酰基。
在通式(1)中，作为优选的A，从以下所示的芳香族化合物中除去n个氢而形成。需要说明的是，在具有稠环和单环连接了的结构的芳香族化合物的情况下，优选为从单环除去n个氢而形成的基团。上述芳香族化合物也可以具有取代基，在具有取代基的情况下，作为优选的取代基，为碳数1～4的烷基、碳数3～6的环烷基、碳数1～2的烷氧基或乙酰基。
Figure BDA00002050842700091
将由通式(1)表示的咔唑化合物的具体例示于以下，但并不限定于此。
Figure BDA00002050842700121
Figure BDA00002050842700131
Figure BDA00002050842700141
Figure BDA00002050842700151
Figure BDA00002050842700161
Figure BDA00002050842700171
Figure BDA00002050842700181
Figure BDA00002050842700191
Figure BDA00002050842700201
Figure BDA00002050842700211
Figure BDA00002050842700221
Figure BDA00002050842700241
Figure BDA00002050842700251
上述由通式(1)表示的咔唑化合物，通过在基板上将阳极、多个有机层及阴极层叠而成的有机EL元件的至少一个有机层中含有，提供优异的有机场致发光元件。作为使其含有的有机层，发光层、空穴传输层、电子传输层或空穴阻挡层是合适的。更优选的是，作为含有磷光发光掺杂剂的发光层的主体材料而使其含有为宜。
接着，对本发明的有机EL元件进行说明。
本发明的有机EL元件，在层叠于基板上的阳极和阴极之间具有具有至少一个发光层的有机层，且至少一个有机层含有上述咔唑化合物。有利的是，在发光层中与磷光发光掺杂剂一起含有由通式(1)表示的咔唑化合物。
接着，对于本发明的有机EL元件的结构一边参照附图一边进行说明，但本发明的有机EL元件的结构并不限定于任何图示的结构。
图1是表示一般的有机EL元件的结构例的剖面图，分别为1表示基板、2表示阳极、3表示空穴注入层、4表示空穴传输层、5表示发光层、6表示电子传输层、7表示阴极。在本发明的有机EL元件中也可以与发光层邻接而具有激子阻挡层，另外，在发光层和空穴注入层之间也可以具有电子阻挡层。激子阻挡层也可以***到发光层的阳极侧、阴极侧的任意，也可以同时***两侧。在本发明的有机EL元件中，具有基板、阳极、发光层及阴极作为必须的层，但在必须的层以外的层中可以具有空穴注入传输层、电子注入传输层，进而可以在发光层和电子注入传输层之间具有空穴阻挡层。需要说明的是，空穴注入传输层是指空穴注入层和空穴传输层的任一者或两者，电子注入传输层是指电子注入层和电子传输层的任一者或两者。
需要说明的是，也可以为与图1相反的结构，即，可在基板1上依次阴极7、电子传输层6、发光层5、空穴传输层4、阳极2的顺序层叠，此时，也可以根据需要追加层或省略层。
-基板-
本发明的有机EL元件，优选被支承于基板。该基板没有特别的限定，为以往以来有机EL元件中常用的基板即可，例如可以使用由玻璃、透明塑料、石英等构成的基板。
-阳极-
作为有机EL元件中的阳极，优选使用以功函数大的(4eV以上)金属、合金、导电性化合物及它们的混合物作为电极物质的阳极。作为这样的电极物质的具体例，可以举出Au等的金属、CuI、氧化铟锡(ITO)、SnO2、ZnO等的导电性透明材料。另外，也可用IDIXO(In2O3-ZnO)等的非晶质可制作透明导电膜的材料。对阳极而言，可以将这些电极物质通过蒸镀、溅射等的方法，形成薄膜，用光刻法形成所期望的形状的图案，或者在不大需要图案精度的情况下(100μm以上左右)，也可以在上述电极物质的蒸镀、溅射时经由所期望的形状的掩膜而形成图案。或者，在使用如有机导电性化合物那样可涂布物质的情况下，还可以使用印刷方式、涂覆方式等湿式成膜法。在从该阳极取出发光的情况下，优选使透过率大于10%，另外，作为阳极的薄层电阻优选为数百Ω/□以下。进而，膜厚也取决于材料，但通常在10～1000nm、优选在10～200nm的范围内选择。
-阴极-
另一方面，作为阴极，可以使用以功函数小的(4eV以下)金属(称为电子注入性金属)、合金、导电性化合物及它们的混合物作为电极物质的阴极。作为这样的电极物质的具体例，可以举出钠、钠-钾合金、镁、锂、镁/铜混合物、镁/银混合物、镁/铝混合物、镁/铟混合物、铝/氧化铝(Al2O3)混合物、铟、锂/铝混合物、稀土类金属等。其中，从电子注入性及对氧化等的耐久性的观点考虑，优选电子注入性金属和功函数的值比其大的稳定的金属即第二金属的混合物，例如镁/银混合物、镁/铝混合物、镁/铟混合物、铝/氧化铝(Al2O3)混合物、锂/铝混合物、铝等。阴极可以通过将这些电极物质通过蒸镀、溅射等浮动方法形成薄膜来制作。另外，作为阴极的薄层电阻优选为数百Ω/□以下，膜厚通常在10nm～5μm，优选在50～200nm的范围选择。需要说明的是，为了使发出的光透过，有机EL元件的阳极或阴极的任一者如果为透明或半透明，则发光亮度提高，为适宜的。
另外，在阴极上以1～20nm的膜厚制作上述金属后，在其上制作在阳极的说明中举出的导电性透明材料，由此可以制作透明或半透明的阴极，通过应用其，可以制作阳极和阴极的两者具有透过性的元件。
-发光层-
发光层为磷光发光层，含磷光发光掺杂剂和主体材料。作为磷光发光掺杂剂材料，含有包含选自钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂及金中的至少一种的金属的有机金属配合物即可。这种有机金属配合物在上述现有专利文献等中是公知的，可选择使用这些有机金属配合物。
作为优选的磷光发光掺杂剂，可以举出具有Ir等的贵金属元素作为中心金属的Ir(ppy)3等的配合物类、(Bt)2Iracac等的配合物类、(Btp)Ptacac等的配合物类。将这些配合物类的具体例示于以下，但并不限定于下述的化合物。
Figure BDA00002050842700281
Figure BDA00002050842700291
上述磷光发光掺杂剂在发光层中含有的量在1～40重量%、优选在5～30重量%的范围为宜。
作为发光层中的主体材料，优选使用上述由通式(1)表示的咔唑化合物。但是，在将该咔唑化合物用于发光层以外的其它任意的有机层中的情况下，发光层中使用的材料也可以为咔唑化合物以外的其它的主体材料。另外，可以并用咔唑化合物和其它的主体材料。进而，也可以并用多种公知的主体材料。
作为可以使用的公知的主体化合物，优选为具有空穴传输能、电子传输能、且防止发光的长波长化、另外具有高玻璃化转变温度的化合物。
这样的其它的主体材料，可通过许多的专利文献等而得知，因此可以从中选择。作为主体材料的具体例，没有特别限定，可以举出吲哚衍生物、咔唑衍生物、***衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨基取代查尔酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氮烷衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二亚甲基系化合物、卟啉系化合物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯基苯醌衍生物、硫代吡喃二氧化物衍生物、萘并苝等的杂环四甲酸酐、酞菁衍生物、以8-羟基喹啉衍生物的金属配合物或金属酞菁、苯并噁唑或苯并噻唑衍生物的金属配合物为代表的各种金属配合物、聚硅烷系化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺系共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩衍生物、聚亚苯基衍生物、聚亚苯基亚乙烯基衍生物、聚芴衍生物等高分子化合物等。
-注入层-
所谓注入层，是指为了驱动电压降低、发光亮度提高而设置在电极和有机层间的层，具有空穴注入层和电子注入层，也可以存在于阳极和发光层或空穴传输层之间、及阴极和发光层或电子传输层之间。注入层可以根据需要设置。
-空穴阻挡层-
所谓空穴阻挡层，广义上具有电子传输层的功能，由具有传输电子的功能同时传输空穴的能力极小的空穴阻止材料构成，通过传输电子同时阻挡空穴，可以使电子和空穴的复合概率提高。
在空穴阻挡层中优选使用由通式(1)表示的咔唑化合物，但在其它的任意的有机层中使用咔唑化合物的情况下，也可以使用公知的空穴阻挡层材料。另外，作为空穴阻挡层材料，可以根据需要使用后述的电子传输层的材料。
-电子阻挡层-
所谓电子阻挡层，由具有传输空穴的功能同时传输电子的能力极小的材料构成，通过传输空穴同时阻挡电子，可以使电子和空穴复合的概率提高。
作为电子阻挡层的材料，可以根据需要使用后述的空穴传输层的材料。电子阻挡层的膜厚优选为3～100nm，更优选为5～30nm。
-激子阻挡层-
所谓激子阻挡层，为用于阻挡由于在发光层内空穴和电子复合而产生的激子在电荷传输层中扩散的层，通过本层的***可有效地将激子约束在发光层内，可以使元件的发光效率提高。激子阻挡层可以邻接于发光层而***阳极侧、阴极侧的任意侧，也可以同时***两侧。
作为激子阻挡层的材料，例如可以举出1,3-二咔唑基苯(mCP)、双(2-甲基-8-羟基喹啉合)-4-苯基苯酚铝(III)(BAlq)。
-空穴传输层-
所谓空穴传输层。由具有传输空穴功能的空穴传输材料构成，空穴传输层可以设置单层或多层。
作为空穴传输材料，为具有空穴的注入或传输、电子的阻隔性的任意的材料，也可以为有机物、无机物的任意。在空穴传输层优选使用由通式(1)表示的咔唑化合物，但可以从以往公知的化合物中选择任意的化合物使用。作为可以使用的公知的空穴传输材料，例如可以举出***衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨基取代查尔酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氮烷衍生物、苯胺系共聚物、还有导电性高分子低聚物、特别是噻吩低聚物等，但优选使用卟啉化合物、芳香族叔胺化合物及苯乙烯基胺化合物，更优选使用芳香族叔胺化合物。
-电子传输层-
所谓电子传输层，由具有传输电子功能的材料构成，电子传输层可以设置单层或多层。
作为电子传输材料(也存在兼备空穴阻止材料的情况)，只要具有将由阴极注入的电子传达到发光层的功能即可。在电子传输层优选使用本发明涉及的由通式(1)表示的咔唑化合物，但可以从以往公知的化合物中选择使用任意的化合物，例如可以举出硝基取代芴衍生物、二苯基苯醌衍生物、硫代吡喃二氧化物衍生物、碳二亚胺、亚芴基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷及蒽酮衍生物、噁二唑衍生物等。进而，上述噁二唑衍生物中，将噁二唑环的氧原子取代为硫原子的噻二唑衍生物、具有作为吸电子基团而已知的喹喔啉环的喹喔啉衍生物，也可以作为电子传输材料来使用。进而也可以使用将这些材料导入了高分子链、或以这些材料作为高分子的主链的高分子材料。
以下，通过实施例进一步详细地说明本发明，但本发明当然并不限定于这些实施例，只要不超出本发明的主旨，就可以以各种方式实施。
通过以下所示的路径合成成为磷光发光元件用材料的咔唑化合物。需要说明的是，化合物编号对应上述化学式所带的编号。
合成例1
化合物A-1的合成
Figure BDA00002050842700321
在氮气氛下，加入2-溴苯肼盐酸盐150.0g(0.671mol)、邻苯二甲酸酐190.0g(1.3mol)、甲苯4500ml，在120℃下一边进行加热一边搅拌一晩。将反应溶液冷却至室温后，过滤出析出的淡黄色固体。通过加热冲洗对得到的淡黄色固体进行精制，得到淡黄色粉末的中间体(1)181.0g(0.57mol、收率71%)。
在氮气氛下，加入中间体(1)126.0g(0.40mol)、三苯基铋350.0g(0.80mol)、乙酸铜108.0g(0.60mol)、脱水二氯甲烷3000ml，在冰浴中进行搅拌。以内温不成为5℃以上地缓慢添加三乙胺41.3ml(0.30mol)，在50℃下一边进行加热一边搅拌一晩。将反应溶液冷却至室温后，过滤出析出的淡黄色固体，用重结晶对得到的淡黄色固体进行精制，得到淡黄色粉末的中间体(2)72.0g(0.18mol、收率45%)。
在氮气氛下，加入中间体(2)30.0g(0.076mol)、脱水苯1500ml，在室温下一边进行搅拌一边加入氯化铝50.8g(0.38mol)后，在室温下搅拌3小时。一边搅拌一边加入氢氧化钠水溶液900ml。将反应溶液冷却至室温后，一边搅拌一边加入蒸馏水(1000ml)和甲苯(1000ml)。用蒸馏水(3×1000ml)对有机层进行清洗。用无水硫酸镁干燥有机层后，过滤分离硫酸镁，减压蒸馏除去溶剂。用硅胶柱层析对得到的残渣进行精制，以白色固体的形式得到中间体(3)8.0g(0.033mol、收率43%)。
在氮气氛下，加入中间体(3)21.0g(0.085mol)、碘代苯87.0g(0.43mol)、碘化铜(I)65.0g(0.34mol)、三磷酸钾72.4g(0.34mol)、脱水1,4-二噁烷250ml，在室温下一边搅拌一边加入反式-1,2-环己二胺38.9g(0.34mol)后。在90℃下搅拌2小时。将反应溶液冷却至室温后，使用硅藻土过滤后，减压除去溶剂。用硅胶柱层析对得到的残渣进行精制，以无色液体的形式得到中间体(4)17.7g(0.055mol、收率65%)。
在氮气氛下，加入中间体(4)17.0g(0.053mol)、脱水四氢呋喃300ml，在-60℃一边进行搅拌一边加入正丁基锂41.6ml(0.069mol)，在-60℃下搅拌1小时。然后，在-60℃下加入三甲氧基硼烷9.4ml(0.085mol)，在室温下搅拌1小时。进一步加入2M盐酸50ml，搅拌1小时后，一边搅拌一边加入蒸馏水(200ml)和甲苯(200ml)。用蒸馏水(100ml×3)对有机层进行清洗。用无水硫酸镁对有机层进行干燥后，过滤分离硫酸镁，减压蒸馏除去溶剂。用硅胶柱层析对得到的残渣进行精制，以白色固体的形式得到中间体(5)9.1g(0.032mol、收率60%)。
在氮气氛下，加入1,3-二碘代苯4.3g(0.013mol)、中间体(5)9.0g(0.031mol)、四(三苯基膦)钯(0)0.81g(0.00052mol)、甲苯30ml及乙醇6ml，在室温下一边进行搅拌一边加入2M氢氧化钠水溶液20ml。在90℃下搅拌15小时后，冷却至室温，用蒸馏水(100ml×3)对有机层进行清洗。用无水硫酸镁对有机层进行干燥之后，过滤分离硫酸镁，减压蒸馏除去溶剂。用硅胶柱层析、晶析及重结晶对得到的残渣进行精制，由此以白色固体的形式得到化合物A-12.2g(0.0039mol、收率30%)。
将APCI-TOFMS、m/z 561[M+H]+、1H-NMR测定结果(测定溶剂：THF-d8)示于图2。
实施例1
在形成有由膜厚110nm的ITO构成的阳极的玻璃基板上用真空蒸镀法在真空度4.0×10-5Pa下使各薄膜层叠。首先，在ITO上形成20nm厚的酞菁铜(CuPc)。接着，形成20nm厚的4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)作为空穴传输层。接着，在空穴传输层上，由不同的蒸镀源共蒸镀作为主体材料的化合物A-1和作为掺杂剂的三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)3)，形成30nm厚的发光层。此时，Ir(ppy)3的浓度为10wt%。接着，形成10nm厚的BAlq作为空穴阻挡层。接着，形成40nm厚的三(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq3)作为电子传输层。进而，在电子传输层上形成1nm厚的氟化锂(LiF)作为电子注入层。最后，在电子注入层上形成70nm厚的铝(Al)作为电极，制作有机EL元件。
在得到的有机EL元件上连接外部电源、施加直流电压，结果确认具有如表1所示的发光特性。
实施例2
作为发光层的主体材料使用化合物A-8，除此之外与实施例1同样地制作有机EL元件。
实施例3
作为发光层的主体材料使用化合物A-19，除此之外与实施例1同样地制作有机EL元件。
实施例4
作为发光层的主体材料使用化合物B-31，除此之外与实施例1同样地制作有机EL元件。
实施例5
作为发光层的主体材料使用化合物C-4，除此之外与实施例1同样地制作有机EL元件。
实施例6
作为发光层的主体材料使用化合物D-1，除此之外与实施例1同样地制作有机EL元件。
实施例7
作为发光层的主体材料使用化合物E-3，除此之外与实施例1同样地制作有机EL元件。
比较例1
作为实施例2中的发光层的主体材料使用mCP，除此之外与实施例1同样地制作有机EL元件。
比较例2
作为发光层的主体材料使用化合物H-1，除此之外与实施例1同样地制作有机EL元件。
Figure BDA00002050842700351
对于实施例2～7及比较例1～2中得到的有机EL元件，与实施例1同样地进行评价，结果确认具有如表1所示的发光特性。需要说明的是，实施例2～7及比较例1～2中得到的有机EL元件的发光光谱的极大波长均为540nm，鉴定为得到来自Ir(ppy)3的发光。
在表1中，亮度、电压及发光效率，表示在20mA/cm2下的驱动时的值。
[表1]
Figure BDA00002050842700361
相对于比较例1及比较例2，实施例1的初期特性提高。由此，判定：通过将具有经由连接基团在1位连接了2个以上的咔唑环的在9位具有特定的取代基的咔唑化合物的材料用于有机EL元件，有机EL元件特性得到改善。同样，实施例2～7的EL元件特性良好，在此也示出由通式(1)表示的咔唑化合物的优越性。
产业上的可利用性
在本发明的有机EL元件，在发光特性、驱动寿命以及耐久性中处于可以满足实际应用的水平，在向平板显示器(移动电话显示元件、车载显示元件、OA计算机显示元件、电视机等)、利用作为面发光体的特征的光源(照明、复印机的光源、液晶显示器、仪器类的背光源)、显示板、标志灯等的应用中，其技术价值大。

Claims (4)

1.一种有机场致发光元件，其为在基板上层叠阳极、有机层及阴极而成的有机场致发光元件，其特征在于，在选自由发光层、空穴传输层、电子传输层及空穴阻挡层组成的组中的至少一个的层中含有由通式(1)表示的咔唑化合物，
Figure FDA00002050842600011
通式(1)中，X分别独立地表示C-Y或氮，Y分别独立地表示氢、碳数1～10的烷基、碳数3～11的环烷基、碳数6～18的芳香族烃基或碳数3～18的芳香族杂环基；n表示2～4的整数，A表示n价的碳数6～50的芳香族烃基或碳数3～50的芳香族杂环基，L表示直接键合、不是稠环结构的2价格的碳数6～10的芳香族烃基或碳数3～10的芳香族杂环基，R分别独立地表示氢、碳数1～10的烷基或碳数3～11的环烷基；其中，在L为直接键合的情况下，A不是稠环结构。
2.根据权利要求1所述的有机场致发光元件，其特征在于，在通式(1)中，L为直接键合、由5元环或6元环构成的2价的芳香族烃基、或由5元环或6元环构成的2价的芳香族杂环基的任意。
3.根据权利要求1所述的有机场致发光元件，其特征在于，在通式(1)中，L为直接键合、亚苯基或由6元环构成的2价的芳香族杂环基的任意，且n为2或3。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于，含有由通式(1)表示的咔唑化合物的层为含有磷光发光掺杂剂的发光层。
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