CN102738413A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的有机电致发光器件，包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光功能层、电子传输层、电子注入层以及阴极，所述空穴传输层和电子传输层采用电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料，所述空穴传输层和所述电子传输层采用的所述双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-4与1×10-2cm2V-1s-1之间。本发明采用电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的材料，且对应空穴及电子传输材料本身的电子传输性能与空穴传输迁移率相近，且空穴材料的空穴迁移率与电子传输材料的电子迁移率也相近，确保了有效的电荷复合平衡性能相近，从而保证了电荷的复合平衡。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件技术领域，特别是一种传输层、主体材料均采用双极性材料的有机电致发光器件，本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）以其超薄、视角宽、主动发光等优点，可应用于显示及照明领域。其中发光效率及寿命是制约OLED产品化的主要瓶颈。OLED是有机半导体材料在电场作用下，通过电子与空穴的注入和复合发光的技术。其原理是用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，然后迁移到有机发光层，二者相遇形成激子并导致有机分子发光。其中，电荷的注入及传输直接影响复合区域载流子的浓度和载流子平衡，是决定器件性能的重要因素。因此，改善电荷的注入效率及平衡，对于提高器件发光效率、延长器件寿命具有重要意义。
中国专利文献200810113673.2公开了一种有机材料及其在有机电致发光器件中的应用，该文献中公开了双极性材料可以应用于电子传输层。
中国专利文献CN101321755A公开了一种有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件，该有机电致发光元件采用如下化合物作为发光层的主体材料，从而改善了元件的发光效率同时充分确保驱动时的稳定性：
然而，上述两篇对比文件中公开的有机电致发光器件的使用寿命和效率都还有很大改进空间。原因在于：众所周知，有机发光器件为电子与空穴注入、传输、复合发光型器件。电荷的有效注入及平衡是影响器件效率及稳定性的关键。早在1999年，H.Aziz,et al等研究表明，空穴进入电子传输层，是导致OLED器件衰减的重要原因，人们一直研究电化学性能稳定的电子传输材料，但是效果不尽如人意。同时也有人提出在发光层与电子传输层间加入空穴阻挡层的方法，但该方案，增加了器件的复杂度，且加入的材料一般能级宽，容易造成器件工作电压高。综上所述，现有技术尚不能完善地解决电荷注入及平衡问题，从而导致现有技术中的有机电致发光器件的使用寿命和效率较低。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种使用寿命较高且效率较高的有机电致发光器件。
为此，本发明提供一种有机电致发光器件，包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光功能层、电子传输层、电子注入层以及阴极，其特征在于：所述空穴传输层和电子传输层采用电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料，所述空穴传输层和所述电子传输层采用的所述双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-4与1×10-2cm2V-1s-1之间。
所述发光功能层的主体材料采用电子轨道及空穴轨道分布在不同基团上或电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料，所述主体材料采用的双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-5与1×10-2cm2V-1s-1之间。
所述空穴传输层和所述电子传输层采用的所述双极性材料的空穴及电子迁移率均在5×10-4与5×10-3cm2V-1s-1之间。
所述主体材料采用的双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-4与5×10-3cm2V-1s-1之间。
包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光功能层、电子传输层、电子注入层以及阴极，其特征在于：所述空穴传输层和电子传输层采用电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料。
所述发光功能层的主体材料采用电子轨道及空穴轨道分布在不同基团上或电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料。
所述空穴传输层或电子传输层包含式（I）所示的蒽衍生物，或式（II）所示的1，2－苯并［a］蒽衍生物：
所述式（I）和所述式（II）中，X和Y分别独自选自4～20个碳原子的环合亚芳香基团或4～20个碳原子的取代环合亚芳香基团，A1和A2分别独自选自氢原子或分别独自选自2～50个碳原子的取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的氨基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的咔唑基，且A1和A2不同时选自氢原子；所述式（I）中的R7和R8分别选自氢原子、甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正已基、正庚基、正辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环已基、4-甲基环已基、甲氧基、乙氧基、苯基、2－甲基苯基、3－甲基苯基、4－甲基苯基、2，4－二甲基苯基、2，5－二甲基苯基、2，6－二甲基苯基、对叔丁基苯基、对甲氧基苯基、联苯基、1－萘基、2－萘基、4－甲基－1－萘基、3－甲基－2－萘基、4－甲基－1－蒽基、1－蒽基、2－蒽基、9－蒽基、1－菲基、2－菲基、3－菲基、4－菲基、9－菲基、1－并四苯基、2－并四苯基、9－并四苯基、、1－芘基、2－芘基或4－芘基中的一种。
所述通式（I）中的X和Y分别独自选自亚苯基、2－甲基亚苯基、2，3－二甲基亚苯基、2，5－二甲基亚苯基、2，6－二甲基亚苯基、亚萘基、2－甲基亚萘基、3－甲基亚萘基、5－甲基亚萘基、6－甲基亚萘基、1，3－二甲基亚萘基、1，4－二甲基亚萘基、1，5－二甲基亚萘基、1，6－二甲基亚萘基、1，7－二甲基亚萘基、2，3－二甲基亚萘基、2，4－二甲基亚萘基、2，5－二甲基亚萘基、2，6－二甲基亚萘基、2，7－二甲基亚萘基，亚蒽基，甲基亚蒽基，二甲基亚蒽基，三甲基亚蒽基，四甲基亚蒽基，亚荧蒽基，甲基亚荧蒽基，二甲基亚荧蒽基，三甲基亚荧蒽基，四甲基亚荧蒽基，亚菲基，甲基亚菲基，二甲基亚菲基，三甲基亚菲基，四甲基亚菲基，亚并四苯基，甲基亚并四苯基，二甲基亚并四苯基，亚芘基，甲基亚芘基，二甲基亚芘基，三甲基亚芘基或四甲基亚芘基中的一种。
所述通式（I）中的A1和A2分别独立选自式（1）至式（8）所示基团：
R1～R5选自氢原子、甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正已基、正庚基、正辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环已基、4－甲基环已基、甲氧基、乙氧基、苯基、2－甲基苯基、3－甲基苯基、4－甲基苯基、2，4－二甲基苯基、2，5－二甲基苯基、2，6－二甲基苯基、对叔丁基苯基、对甲氧基苯基、联苯基、1－萘基、2－萘基、4－甲基－1－萘基、3－甲基－2－萘基、4－甲基－1－蒽基、1－蒽基、2－蒽基、9－蒽基、1－菲基、2－菲基、3－菲基、4－菲基、9－菲基、1－并四苯基、2－并四苯基、9－并四苯基、、1－芘基、2－芘基或4－芘基中的一种。
所述电子传输层或空穴传输层中包含结构式为下述C1-C6中任一种的化合物：
所述空穴传输层或电子传输层包含结构式为下述E1-E49中任一种的化合物：
所述发光功能层的所述主体材料包含通式（III）的化合物：
其中，R11-R14分别独自选自氮、氢或甲基中的一种，X1-X4分别独自选自三嗪基、苯基、吡啶基或菲基的一种。
所述发光功能层的所述主体材料包含通式III的化合物，所述通式III为：
其中Ar1为缺电子的杂环芳香基团或富电子的芳香胺或杂环芳香基团，Ar2、Ar3、Ar4分别选自C6-C60的芳香基团或杂环芳香基团，所述芳香基团或所述杂环芳香基团选自C1-C60的烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳杂环基或二芳基胺基取代基中的一种。
所述Ar1选自以下基团中的一种：
所述主体材料为具有下述PH-1到PH-4中的任一种结构式的化合物：
所述发光功能层的主体材料选自具有下述YH-1到YH-7中任一种结构式的化合物：
所述发光功能层为红黄、绿光、黄光、蓝光或橙光的单色发光层或其中两种或两种以上单色发光层形成的复合发光层。
所述发光功能层包括从空穴传输层至电子传输层依次设置的蓝色光发光层、激子阻挡层和黄色光发光层。
所述发光功能层包括从空穴传输层至电子传输层依次设置黄色光发光层、激子阻挡层和蓝色光发光层。
所述发光功能层中的客体材料占发光功能层材料的0.5-20wt%。
制备权利要所述的有机电致发光器件的方法，包括以下步骤：
步骤一：对玻璃基板进行清洗、烘干后，在该玻璃基板上镀上一层阳极材料；
步骤二：在所述阳极材料上依次镀上空穴传输层、发光功能层、电子传输层、电子注入层、阴极，所述空穴传输层、所述电子传输层以及所述发光功能层的主体材料都为双极性材料。
本发明提供的有机电致发光器件，具有以下优点：
1．本发明提供的有机电致发光器件，包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光功能层、电子传输层、电子注入层以及阴极，所述空穴传输层和电子传输层采用电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料，所述空穴传输层和所述电子传输层采用的所述双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-4与1×10-2cm2V-1s-1之间。有机电致发光器件中，载流子传输及复合不平衡，会造成器件性能的降低。例如当空穴的能力要比电子能力强时部分空穴容易传递到电子传输层，破坏了电子传输材料的分子结构，从而影响了器件的寿命与稳定性。本发明的所述空穴传输层和电子传输层采用电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料，并且所述空穴传输层和所述电子传输层采用的所述双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-4与1×10-2cm2V-1s-1之间，即本发明采用电子传输性能与空穴传输迁移率相近双极性材料，确保了有效的电荷复合平衡性能相近，从而保证了电荷的复合平衡；同时该类双极性材料的电化学性能稳定，即使空穴进入该层，也不会造成破坏，从而提高了所述有机电致发光器件的使用寿命和效率。
2.本发明提供的有机电致发光器件，所述发光功能层的主体材料采用电子轨道及空穴轨道分布在不同基团上或电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料，所述主体材料采用的双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-5与1×10-2cm2V-1s-1之间。发光功能层的主体材料选用电子轨道及空穴轨道分布在不同基团上的双极性材料，并且所述主体材料采用的双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-5与1×10-2cm2V-1s-1之间，从而使得空穴及电子的传输及复合更加匹配，从而使得复合区域分布宽，激子浓度低，有效防止了发光淬灭。
附图说明
图1为对比例2-1至2-3以及实施例2-4至2-9中的有机电致发光器件结构示意图；
图2为对比例3-1至3-3以及实施例3-4至3-9中的有机电致发光器件结构示意图。
具体实施方式
本发明的有机电致发光器件，阳极可以采用无机材料或有机导电聚合物。无机材料一般为氧化铟锡（ITO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟锌（IZO）等金属氧化物或金、铜、银等功函数较高的金属，优选ITO；有机导电聚合物优选为聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸钠（以下简称PEDOT/PSS）、聚苯胺（以下简称PANI）中的一种。
电子注入层采用金属单质或金属的氧族元素或者卤族元素的化合物，或者金属合金。
阴极一般采用铝、银等导电性好的金属材料，或者金属导电氧化物。
发光染料可以为荧光染料，也可以为磷光染料，或者两者的组合。
所述基板可以是硬质基板，如玻璃，或是柔性基片，所述柔性基片可采用聚酯类、聚酰亚胺类化合物材料或者薄金属片。所述器件封装可采用本领域技术人员已知的任意合适方法。
本发明可以为白光OLED器件，也可以为单色OLED器件，可用于照明或者显示领域。
下面将给出若干实施例，并结合附图具体解释本发明的技术方案。应当注意到，下面的实施例仅用于帮助理解发明，而不是对本发明的限制。
对比例1-1至对比例1-3、实施例1-4至实施例1-9为绿光器件，其中，对比例1-1到1-3是现有技术，实施例1-4至1-9是本发明提供的绿光器件的实施例。
对比例2-1至对比例2-3、实施例2-4至实施例2-9为白光器件，其中，对比例2-1到2-3是现有技术，实施例2-4至2-9是本发明提供的白光器件的实施例，其结构如附图1所示，所述发光功能层包括从空穴传输层至电子传输层依次设置的蓝色光发光层、激子阻挡层和黄色光发光层。
对比例3-1至对比例3-3、实施例3-4至实施例3-20为另一种白光器件，其中对比例3-1到3-3是现有技术，实施例3-4至3-20是本发明提供的白光器件的实施例，其结构如附图2所示，所述发光功能层包括从空穴传输层至电子传输层依次设置黄色光发光层、激子阻挡层和蓝色光发光层。
本发明的所有实施例中空穴传输层和电子传输层采用电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料，空穴传输层和电子传输层采用的所述双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-4与1×10-2cm2V-1s-1之间，优选地，所述主体材料采用的双极性材料的空穴及电子迁移率均在5×10-4与5×10-3cm2V-1s-1之间。
本发明的所有实施例中所述发光功能层的主体材料采用电子轨道及空穴轨道分布在不同基团上或电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料，所述主体材料采用的双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-5与1×10-2cm2V-1s-1之间，优选地，所述主体材料采用的双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-4与5×10-3cm2V-1s-1之间。
本发明的发光功能层可以是红黄、绿光、黄光、蓝光或橙光的单色发光层，也可以是其中两种或两种以上单色发光层形成的复合发光层，以下实施例中对发光功能层颜色的选择并不构成对本发明的限制。
对比例1-1
本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、绿色发光层、电子传输层、电子注入层、金属阴极、以及其中各层采用的材料以及各层的厚度为：ITO（150nm）/TCTA（40nm）/CBP(30nm)：10%GD/Alq3(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
本对比例中，TCTA的结构式为：
本对比例中，CBP的结构式为：
本对比例中，GD的结构式为：
本对比例中，Alq3的结构式为：
对比例1-2
本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、绿色发光层、电子传输层、电子注入层、金属阴极、以及其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/TCTA（40nm）/YH-1(30nm)：10%GD/Alq3(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述TCTA、所述及GD所述的结构式与对比例1中的相同。YH-1结构如下：
对比例1-3
本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、绿色发光层、电子传输层、电子注入层、金属阴极、以及其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E3（40nm）/YH-1(30nm)：10%GD/Alq3(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述YH-1、GD\NPB及Alq3的结构式与对比例1中的相同。E3的结构式如下：
实施例1-4
本实施例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、绿色发光层、电子传输层、电子注入层、金属阴极、以及其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/TCTA（40nm）/YH-1(30nm)：10%GD/C1(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E3薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法蒸镀绿色发光层，YH-1与GD的蒸镀速率比为10:1，YH-1与GD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
D.在绿色发光层之上，继续蒸镀一层C1材料作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
E.在上述电子传输层C1之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm，Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例1-5
本实施例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、绿色发光层、电子传输层、电子注入层、金属阴极、以及其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E10（40nm）/YH-2(30nm)：10%GD/C3(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E10薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法蒸镀绿色发光层，YH-2与GD的蒸镀速率比为10:1，YH-2与GD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
D.在绿色发光层之上，继续蒸镀一层C3材料作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
E.在上述电子传输层C3之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm，Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例1-6
本实施例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、绿色发光层、电子传输层、电子注入层、金属阴极、以及其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E15（40nm）/YH-3(30nm)：10%GD/C4(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E15薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法蒸镀绿色发光层，YH-3与GD的蒸镀速率比为10:1，YH-3与GD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
D.在绿色发光层之上，继续蒸镀一层C4材料作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
E.在上述电子传输层C4之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm，Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例1-7
本实施例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、绿色发光层、电子传输层、电子注入层、金属阴极、以及其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E17（40nm）/YH-4(30nm)：10%GD/C4(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E17薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法蒸镀绿色发光层，YH-4与GD的蒸镀速率比为10:1，YH-4与GD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
D.在绿色发光层之上，继续蒸镀一层C4材料作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
E.在上述电子传输层C4之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm，Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例1-8
本实施例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、绿色发光层、电子传输层、电子注入层、金属阴极、以及其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E20（40nm）/YH-5(30nm)：10%GD/C6(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E20薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法蒸镀绿色发光层，YH-5与GD的蒸镀速率比为10:1，YH-5与GD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
D.在绿色发光层之上，继续蒸镀一层C6材料作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
E.在上述电子传输层C6之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm，Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例1-9
本实施例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、绿色发光层、电子传输层、电子注入层、金属阴极、以及其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E32（40nm）/YH-6(30nm)：10%GD/C6(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E32薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法蒸镀绿色发光层，YH-6与GD的蒸镀速率比为10:1，YH-6与GD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
D.在绿色发光层之上，继续蒸镀一层C6材料作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
E.在上述电子传输层C6之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm，Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
表一1-1至1-9的实验数据
由上表可以看出，当空穴传输层、电子传输层以及发光功能层的主体材料同时选用双极性材料时，器件具有较好的效率及寿命。
对比例2-1
如图1所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、蓝色发光层、激子阻挡层、黄色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/NPB（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-3（6nm）/YH-3(30nm)：10%YD/Alq3(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
本对比例中NPB、AND、BD以及YD的结构式与对比例1-1中的相同。
对比例2-2
如图1所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、蓝色发光层、激子阻挡层、黄色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/NPB（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-2（6nm）/YH-2(30nm)：10%YD/C1(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
本对比例中NPB、AND、BD以及YD的结构式与对比例1-1中的相同。
对比例2-3
如图1所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、蓝色发光层、激子阻挡层、黄色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E3（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-3（6nm）/YH-3(30nm)：10%YD/Alq3(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
本对比例中NPB、AND、BD以及YD的结构式与对比例1-1中的相同。
实施例2-4
如图1所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、蓝色发光层、激子阻挡层、黄色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E33（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-1（6nm）/YH-1(30nm)：10%YD/E7(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
本对比例中AND、BD以及YD的结构式与对比例1-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E33薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行蓝色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在蓝色发光层之上蒸镀单独的YH-1材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀黄色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-1与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-1与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在黄色发光层之上，继续蒸镀一层改为E7作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例2-5
如图1所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、蓝色发光层、激子阻挡层、黄色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E39（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-2（6nm）/YH-2(30nm)：10%YD/E40(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
本对比例中AND、BD以及YD的结构式与对比例1-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E39薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行蓝色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在蓝色发光层之上蒸镀单独的YH-2材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀黄色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-2与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-2与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在黄色发光层之上，继续蒸镀一层改为E40作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例2-6
如图1所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、蓝色发光层、激子阻挡层、黄色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/C5（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-5（6nm）/YH-5(30nm)：10%YD/E13(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
本对比例中AND、BD以及YD的结构式与对比例1-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如C5薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行蓝色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在蓝色发光层之上蒸镀单独的YH-5材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀黄色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-5与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-5与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在黄色发光层之上，继续蒸镀一层改为E13作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例2-7
如图1所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、蓝色发光层、激子阻挡层、黄色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E37（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-7（6nm）/YH-7(30nm)：10%YD/E41(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
本对比例中AND、BD以及YD的结构式与对比例1-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E37薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行蓝色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在蓝色发光层之上蒸镀单独的YH-7材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀黄色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-7与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-7与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在黄色发光层之上，继续蒸镀一层改为E41作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例2-8
如图1所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、蓝色发光层、激子阻挡层、黄色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/C2（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-2（6nm）/YH-2(30nm)：10%YD/E42(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
本对比例中AND、BD以及YD的结构式与对比例1-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如C2薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行蓝色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在蓝色发光层之上蒸镀单独的YH-2材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀黄色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-2与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-2与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在黄色发光层之上，继续蒸镀一层改为E42作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例2-9
如图1所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、蓝色发光层、激子阻挡层、黄色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E38（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-3（6nm）/YH-3(30nm)：10%YD/E43(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
本对比例中AND、BD以及YD的结构式与对比例1-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如C2薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行蓝色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在蓝色发光层之上蒸镀单独的YH-2材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀黄色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-2与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-2与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在黄色发光层之上，继续蒸镀一层改为E42作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
表二2-1至2-9的实验数据
由上表可以看出，当空穴传输层、电子传输层以及发光功能层的主体材料同时选用双极性材料时，器件具有较好的效率及寿命。
对比例3-1
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）TAPC（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-3（6nm）/YH-3(30nm)：10%YD/Alq3(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
本对比例中，NPB的结构式为：
本对比例中，AND的结构式为：
本对比例中，BD的结构式为：
本对比例中，YD的结构式为：
本对比例中，TAPC的结构式为：
本对比例中，YH-3的结构式为：
对比例3-2
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/TAPC（40nm）/AND(10nm):5%BD（10nm）/YH-3（6nm）/YH-1(30nm)：10%YD/C1(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本对比例中，所述NPB、所述AND、所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同，YH-1的结构式为：
对比例3-3
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：ITO（150nm）/E3（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-3（6nm）/YH-3(30nm)：10%YD/Alq3(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本对比例中，所述AND、所述BD、所述YD以及所述YH-3的结构式与对比例2-1中的相同。
实施例3-4
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：ITO（150nm）/E33（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-1（6nm）/YH-1(30nm)：10%YD/E8(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E33薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-1材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-1与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-1与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E8作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-5
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：ITO（150nm）/E34（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/PH-2（6nm）/YH-2(30nm)：10%YD/E9(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E34薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-2材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-2与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-2与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E9作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-6
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：ITO（150nm）/C5（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-5（6nm）/YH-5(30nm)：10%YD/E11(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如C5薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-5材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-5与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-5与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E11作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-7
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：ITO（150nm）/E36（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-7（6nm）/YH-7(30nm)：10%YD/E41(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E36薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-7材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-7与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-7与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E41作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-8
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：ITO（150nm）/EC2（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-2（6nm）/YH-2(30nm)：10%YD/E42(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如C2薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-2材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-2与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-2与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E42作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-9
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E38（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-3（6nm）/YH-3(30nm)：10%YD/E43(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E38薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-3材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-3与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-3与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E43作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-10
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E39（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-7（6nm）/YH-7(30nm)：10%YD/E44(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E39薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-7材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-7与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-7与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E44作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-11
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E12（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-6（6nm）/YH-6(30nm)：10%YD/E45(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E12薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-6材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-6与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-6与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E45作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-12
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E13（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-4（6nm）/YH-4(30nm)：10%YD/E46(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E13薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-4材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-4与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-4与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E46作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-13
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E14（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-7（6nm）/YH-7(30nm)：10%YD/E47(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E14薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-7材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-7与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-7与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E47作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-14
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/C4（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-2（6nm）/YH-2(30nm)：10%YD/E21(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如C4薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-2材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-2与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-2与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E21作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-15
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E16（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/PH-4（6nm）/PH-4(30nm)：10%YD/E22(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E16薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-1材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-1与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-1与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E22作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-16
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E17（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-4（6nm）/YH-4(30nm)：10%YD/E23(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E17薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-4材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-4与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-4与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E23作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-17
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E18（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-1（6nm）/YH-1(30nm)：10%YD/E24(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E18薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-1材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-1与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-1与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E24作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-18
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/C1（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-4（6nm）/YH-4(30nm)：10%YD/E25(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如C1薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-4材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-4与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-4与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E25作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-19
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E35（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-1（6nm）/YH-1(30nm)：10%YD/E26(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E35薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-1材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-1与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-1与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E26作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
实施例3-20
如图2所示，本对比例提供的有机电致发光器件依次包括以下各层：透明阳极、空穴传输层、黄色发光层、激子阻挡层、蓝色发光层、电子传输层、电子注入层及金属阴极。其中各层采用的材料以及各层的厚度为：
ITO（150nm）/E37（40nm）/ADN(10nm):5%BD（10nm）/YH-6（6nm）/YH-6(30nm)：10%YD/E27(20nm)/LiF（0.5nm）/Al（150nm）。
在本实施例中，所述AND，所述BD以及所述YD的结构式与对比例2-1中的相同。
制备本实施例有机电致发光器件的具体制备方法如下：
A.利用去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃基片上蒸镀一层ITO阳极材料，膜厚为150nm；
B.把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，如E37薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为40nm；
C.再采用双源共蒸的方法进行黄色发光层的蒸镀掺杂，AND和BD的蒸镀速率比为100：5，蒸镀膜厚为10nm；
D.在黄色发光层之上蒸镀单独的YH-6材料作为发光功能层，厚度6nm；
E.在激子阻挡层上蒸镀蓝色发光层，采用两源共蒸的方法进行，YH-6与YD的蒸镀速率比为10:1，YH-6与YD的重量百分比浓度为10％，蒸镀膜厚为30nm；
F.在蓝色发光层之上，继续蒸镀一层改为E27作为电子传输层，其蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀膜厚为20nm；
G.在上述电子传输层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s，厚度为150nm。
表三3-1至3-20的实验数据
由上表可以看出，当空穴传输层、电子传输层以及发光功能层的主体材料同时选用双极性材料时，器件具有较好的效率及寿命。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之内。
Claims (20)
1.有机电致发光器件，包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光功能层、电子传输层、电子注入层以及阴极，其特征在于：所述空穴传输层和电子传输层采用电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料，所述空穴传输层和所述电子传输层采用的所述双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-4与1×10-2cm2V-1s-1之间。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述发光功能层的主体材料采用电子轨道及空穴轨道分布在不同基团上或电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料，所述主体材料采用的双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-5与1×10-2cm2V-1s-1之间。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述空穴传输层和所述电子传输层采用的所述双极性材料的空穴及电子迁移率均在5×10-4与5×10-3cm2V-1s-1之间。
4.根据权利要求2或3所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述主体材料采用的双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-4与5×10-3cm2V-1s-1之间。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述空穴传输层或电子传输层包含式（I）所示的蒽衍生物，或式（II）所示的1，2－苯并［a］蒽衍生物：
所述式（I）和所述式（II）中，X和Y分别独自选自4～20个碳原子的环合亚芳香基团或4～20个碳原子的取代环合亚芳香基团，A1和A2分别独自选自氢原子或分别独自选自2～50个碳原子的取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的氨基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的咔唑基，且A1和A2不同时选自氢原子；所述式（I）中的R7和R8分别选自氢原子、甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正已基、正庚基、正辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环已基、4－甲基环已基、甲氧基、乙氧基、苯基、2－甲基苯基、3－甲基苯基、4－甲基苯基、2，4－二甲基苯基、2，5－二甲基苯基、2，6－二甲基苯基、对叔丁基苯基、对甲氧基苯基、联苯基、1－萘基、2－萘基、4－甲基－1－萘基、3－甲基－2－萘基、4－甲基－1－蒽基、1－蒽基、2－蒽基、9－蒽基、1－菲基、2－菲基、3－菲基、4－菲基、9－菲基、1－并四苯基、2－并四苯基、9－并四苯基、1－芘基、2－芘基或4－芘基中的一种。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述通式（I）中的X和Y分别独自选自亚苯基、2-甲基亚苯基、2，3-二甲基亚苯基、2，5-二甲基亚苯基、2，6-二甲基亚苯基、亚萘基、2-甲基亚萘基、3-甲基亚萘基、5-甲基亚萘基、6-甲基亚萘基、1，3-二甲基亚萘基、1，4-二甲基亚萘基、1，5－二甲基亚萘基、1，6－二甲基亚萘基、1，7－二甲基亚萘基、2，3－二甲基亚萘基、2，4－二甲基亚萘基、2，5－二甲基亚萘基、2，6－二甲基亚萘基、2，7－二甲基亚萘基，亚蒽基，甲基亚蒽基，二甲基亚蒽基，三甲基亚蒽基，四甲基亚蒽基，亚荧蒽基，甲基亚荧蒽基，二甲基亚荧蒽基，三甲基亚荧蒽基，四甲基亚荧蒽基，亚菲基，甲基亚菲基，二甲基亚菲基，三甲基亚菲基，四甲基亚菲基，亚并四苯基，甲基亚并四苯基，二甲基亚并四苯基，亚芘基，甲基亚芘基，二甲基亚芘基，三甲基亚芘基或四甲基亚芘基中的一种。
7.根据权利要求5或6所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述通式（I）中的A1和A2分别独立选自式（1）至式（8）所示基团：
其中，R1～R5分别独立地选自氢原子、具有1～20个碳原子数的烷烃、具有1～20个碳原子数烷氧烃或具有6～20个碳原子数的芳香基；R4和R5相互键合成环，或者R4或R5分别与X或Y键合成环。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于：R1～R5选自氢原子、甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正已基、正庚基、正辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环已基、4-甲基环已基、甲氧基、乙氧基、苯基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，5－二甲基苯基、2，6－二甲基苯基、对叔丁基苯基、对甲氧基苯基、联苯基、1－萘基、2－萘基、4－甲基－1－萘基、3－甲基－2－萘基、4－甲基－1－蒽基、1－蒽基、2－蒽基、9－蒽基、1－菲基、2－菲基、3－菲基、4－菲基、9－菲基、1－并四苯基、2－并四苯基、9－并四苯基、、1－芘基、2－芘基或4－芘基中的一种。
9.根据权利要5-8中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述电子传输层或空穴传输层中包含结构式为下述C1-C6中任一种的化合物：
10.根据权利要求5-8中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述空穴传输层或电子传输层包含结构式为下述E1-E49中任一种的化合物：
11.根据权利要求1-10中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述发光功能层的所述主体材料包含通式（III）的化合物，
通式（III）为：
其中Ar1为缺电子的杂环芳香基团或富电子的芳香胺或杂环芳香基团，Ar2、Ar3、Ar4分别选自C6-C60的芳香基团或杂环芳香基团，所述芳香基团或所述杂环芳香基团选自C1-C60的烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳杂环基或二芳基胺基取代基中的一种。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述Ar1选自以下基团中的一种：
13.根据权利要求11或12所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述主体材料为具有下述PH-1到PH-4中的任一种结构式的化合物：
14.根据权利要求1-10中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述发光功能层的所述主体材料包含通式（IV）的化合物：
其中，R11-R14分别独自选自氮、氢或甲基中的一种，X1-X4分别独自选自三嗪基、苯基、吡啶基或菲基的一种。
15.根据权利要14所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述发光功能层的主体材料选自具有下述YH-1到YH-7中任一种结构式的化合物：
16.根据权利要1-15中任一所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述发光功能层为红黄、绿光、黄光、蓝光或橙光的单色发光层或其中两种或两种以上单色发光层形成的复合发光层。
17.根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述发光功能层包括从空穴传输层至电子传输层依次设置的蓝色光发光层、激子阻挡层和黄色光发光层。
18.根据权利要16所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述发光功能层包括从空穴传输层至电子传输层依次设置黄色光发光层、激子阻挡层和蓝色光发光层。
19.根据权利要1-18中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述发光功能层中的客体材料占发光功能层材料的0.5-20wt％。
20.制备权利要1所述的有机电致发光器件的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一：对玻璃基板进行清洗、烘干后，在所述玻璃基板上镀上一层阳极材料；
步骤二：在所述阳极材料上依次镀上空穴传输层、发光功能层、电子传输层、电子注入层、阴极，所述空穴传输层、所述电子传输层以及所述发光功能层的主体材料都为双极性材料，形成所述有机电致发光器件；
所述空穴传输层和电子传输层采用电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料，所述空穴传输层和所述电子传输层采用的所述双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-4与1×10-2cm2V-1s-1之间；
所述发光功能层的主体材料采用电子轨道及空穴轨道分布在不同基团上或电子轨道与空穴轨道分布在相同基团上的双极性材料，所述主体材料采用的双极性材料的空穴及电子迁移率均在1×10-5与1×10-2cm2V-1s-1之间形成所述的有机电致发光器件；
步骤三：对所述有机电致发光器件进行封装，并测试。
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