CN102568733B - 一种薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉及制备方法。本发明的磁粉整体为片状,采用核壳结构,壳均匀包覆在片状的核外;核的材料采用软磁金属,为Co、Fe、Ni、Fe-Si-Al合金中的一种,壳的材料为MnZn铁氧体、NiZn铁氧体、MgZn铁氧体、NiCuZn铁氧体中的一种。具体制备方法是:配制含有FeCl2和MeCl2的第一反应液,含有KOH的第二反应液,含有基质粉末的混合液,其中Me为壳的材料,基质粉末为核的材料;然后将第一反应液和第二反应液匀速加入混合液中,形成磁粉液,过滤、洗涤、烘干后得到产物。本发明对低频的信号产生滤除作用,能用于更高的频率抗干扰。本发明方法工艺简单、易于实现。

Description

一种薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉的制备方法
技术领域
本发明属于软磁抗电磁干扰材料领域,涉及一种薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉的制备方法,用于制作抗电磁干扰磁芯。
背景技术
随着电子技术和通信技术的发展,电子器件的使用频率已向高频方向发展,其电磁干扰的频率也向高频发展,因而目前急需抗电磁干扰宽频化。
铁氧体是常用的抗EMI(抗电磁干扰)材料之一,其制作的干扰抑制元件对低频有用信号不会产生抑制,而对高频干扰信号具有吸收与反射抑制功能,因而能对电磁干扰起到很好的抑制作用。然而,由于铁氧体材料的磁谱曲线遵循Snoek规律:fr反比于μr,对于铁氧体遭块体来讲高频限值一般在100MHz以下,很难同时满足fr和μr都高的要求,从而产生了铁氧体抑制元件的有效抑制带宽较窄的现象,难以对宽带干扰进行有效抑制。
铁氧体纳米化和薄膜化能使铁氧体的使用频率往高频方向发展。纳米级铁氧体与块体在磁性能上有着极大的区别,在抗EMI上它能使铁氧体的频带往高频方向移动。同样被证明的是铁氧体的薄膜化也能提高材料的截止频率。
与铁氧体材料相比,块状软磁合金虽然具有较高的饱和磁化强度,易调的磁晶各向异性,但由于其电导率大,在高频电磁场作用下,软磁合金产生强烈的涡流效应,并由此产生反向的感生磁场,将材料屏蔽起来,结果是合金在交变磁场中磁化深度很浅,截止频率很低,一旦工作频率超过截止频率时,合金磁导率实部和虚部急剧降低。因而软磁合金材料无法在高频带内应用。通常块状软磁合金的使用频率只有几十kHz左右,远远低于铁氧体的应用频带。
发明内容
本发明的目的就是针对现有技术的不足,提供一种双磁性复合宽频抗电磁干扰磁粉的制备方法,通过结构上的薄膜形式,提高抗电磁干扰的频率。
本发明的薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉整体为片状,采用核壳结构,壳均匀包覆在片状的核外。
核的材料采用软磁金属,为Co、Fe、Ni、Fe-Si-Al合金中的一种;核的厚度为0.5~5μm、横截面面积为50~500μm2
壳的材料为MnZn铁氧体、NiZn铁氧体、MgZn铁氧体、NiCuZn铁氧体中的一种;壳的厚度小于等于1μm,铁氧体晶粒尺寸小于等于100nm。
本发明方法的具体步骤是:
步骤(1).采用蒸馏水配制第一反应液,第一反应液中含有FeCl2和MeCl2,其中FeCl2的浓度为0.04~0.06mol/L、MeCl2的总浓度为0.02~0.03mol/L,Me为Mn和Zn、Ni和Zn、Mg和Zn、Ni和Cu和Zn中的一种,Me2+的总浓度为Fe2+浓度的二分之一,第一反应液在放置过程中采用氮气保护;
步骤(2).采用蒸馏水配制第二反应液,第二反应液中含有KOH,KOH的浓度为第一反应液Fe2+和Me2+浓度总和的1.8~2.2倍;
步骤(3).将基质粉末加入蒸馏水中,得到浓度为0.1~1kg/L的混合液;所述的基质粉末为片状Co、Fe、Ni、Fe-Si-Al合金中一种,厚度为0.5~5μm、横截面面积为50~500μm2
步骤(4).混合液在60~90℃下进行机械搅拌,机械搅拌转速为300~500转/min,同时通过蠕动泵同时加入第一反应液和第二反应液,第一反应液和第二反应液以相同的固定流速加入,加入的第一反应液和第二反应液与混合液的体积比为100:100:1~10,第一反应液和第二反应液在30~180min时间内加完,第一反应液在加入过程中采用氮气保护;
步骤(5).完全加入第一反应液和第二反应液后继续反应2~5min,然后停止搅拌,形成磁粉液;
步骤(6).将磁粉液过滤后,用蒸馏水洗涤过滤产物至中性;
步骤(7).将洗涤后的过滤产物烘干,研磨后得到薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉。
铁氧体的电阻率高,增加了整体材料的电阻率,优化了材料的高频特性。在高频条件下,软磁铁氧体壳起主要的抗干扰作用。铁氧体呈薄膜形状,可以进一步提高铁氧体的使用频率。铁氧体薄膜晶粒尺寸在纳米级,能进一步减少涡流,提高使用频率。同时,纳米铁氧体的具有尺寸效应,对高频电磁波具有良好的吸收特性。由于软磁金属和铁氧体都具有软磁特性,尺寸都在微米级,因此,它们的磁性具有磁耦合使用,具有一定的相互增强作用。
本发明设计的复合材料性能,由软磁合金和铁氧体薄膜材料的性能及两者所采用的复合形式相关。这种设计能将低频优势和高频优势有机结合起来,并充分发挥了各自的优点,从而拓宽了使用频带。软磁合金的初始磁导率相对较高,其截止频率相对较低。同时,它们的电阻率相对较低,在较高的频率下就会产生趋肤效应。因此具有较好的低频特性,能对低频的信号产生滤除作用。本发明采用的形状为片状,可以有效的减小了高频下的涡流产生,使软磁金属能用于更高的频率抗干扰。同时,片状软磁合金为制备铁氧体薄膜提供了良好的基底材料。本发明方法工艺简单、易于实现。
附图说明
图1本发明中薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉的结构示意图;
图2为各实施例复合磁芯的磁导率实部μ′示意图;
图3为各实施例复合磁芯的磁导率虚部μ″示意图。
具体实施方式
如图1所示,一种薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉整体为片状,采用核壳结构,壳2均匀包覆在片状的核1外。
核1的材料采用软磁金属,为Co、Fe、Ni、Fe-Si-Al合金中的一种;核的厚度为0.5~5μm、横截面面积为50~500μm2
壳2的材料为MnZn铁氧体、NiZn铁氧体、MgZn铁氧体、NiCuZn铁氧体中的一种;壳的厚度小于等于1μm,铁氧体晶粒尺寸小于等于100nm。
具体制备方法的实施例如下:
实施例1.
步骤(1).采用蒸馏水配制含有FeCl2、NiCl2和ZnCl2的第一反应液,其中FeCl2的浓度为0.04mol/L、NiCl2的浓度为0.01mol/L、ZnCl2的浓度为0.01mol/L,第一反应液在放置过程中采用氮气保护;
步骤(2).采用蒸馏水配制含有KOH的第二反应液,KOH的浓度为0.12mol/L;
步骤(3).将厚度为0.5~1μm、横截面面积为50~500μm2的片状Co粉末加入蒸馏水中,得到Co的浓度为0.5kg/L的混合液;
步骤(4).混合液在60℃下进行机械搅拌,机械搅拌转速为500转/min,同时用30min的时间通过蠕动泵以相同流速同时滴入第一反应液和第二反应液,滴入的第一反应液和第二反应液与混合液的体积比为10:10:1,第一反应液在加入过程中采用氮气保护;
步骤(5).完全加入第一反应液和第二反应液后继续反应2min,然后停止搅拌,形成磁粉液;
步骤(6).将磁粉液过滤后,用蒸馏水洗涤过滤产物至中性;
步骤(7).将洗涤后的过滤产物烘干,研磨后得到薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉。
将得到的薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉中加入3%的PVA粘结剂,搅拌均匀后压制成8mm×5mm×6mm(外径×内径×高度)抗干扰磁芯。用射频阻抗分析仪对抗干扰磁芯在1MHz~1.8GHz范围内的磁性能进行了检测。如图2和3中的曲线1。结果显示复合后的磁粉使用频宽大于800MHz,并在高频段有较强的磁吸收特性,复合材料的截止频率明显升高。
实施例2.
步骤(1).采用蒸馏水配制含有FeCl2、MnCl2和ZnCl2的第一反应液,其中FeCl2的浓度为0.06mol/L、MnCl2的浓度为0.015mol/L、ZnCl2的浓度为0.015mol/L,第一反应液在放置过程中采用氮气保护;
步骤(2).采用蒸馏水配制含有KOH的第二反应液,KOH的浓度为0.162mol/L;
步骤(3).将厚度为0.5~1μm、横截面面积为50~500μm2的片状Ni粉末加入蒸馏水中,得到Ni的浓度为0.1kg/L的混合液;
步骤(4).混合液在80℃下进行机械搅拌,机械搅拌转速为400转/min,同时用90min的时间通过蠕动泵以相同流速同时滴入第一反应液和第二反应液,滴入的第一反应液和第二反应液与混合液的体积比为100:100:1,第一反应液在加入过程中采用氮气保护;
步骤(5).完全加入第一反应液和第二反应液后继续反应3min,然后停止搅拌,形成磁粉液;
步骤(6).将磁粉液过滤后,用蒸馏水洗涤过滤产物至中性;
步骤(7).将洗涤后的过滤产物烘干,研磨后得到薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉。
将得到的薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉中加入5%的PVA粘结剂,搅拌均匀后压制成8mm×5mm×6mm(外径×内径×高度)抗干扰磁芯。用射频阻抗分析仪对抗干扰磁芯在1MHz~1.8GHz范围内的磁性能进行了检测。如图2和3中的曲线2。结果显示复合后的磁粉使用频宽大于800MHz,并在高频段有较强的磁吸收特性,复合材料的截止频率明显升高。
实施例3.
步骤(1).采用蒸馏水配制含有FeCl2、NiCl2、CuCl2、ZnCl2的第一反应液,其中FeCl2的浓度为0.06mol/L、NiCl2的浓度为0.01mol/L、CuCl2的浓度为0.01mol/L、ZnCl2的浓度为0.01mol/L,第一反应液在放置过程中采用氮气保护;
步骤(2).采用蒸馏水配制含有KOH的第二反应液,KOH的浓度为0.198mol/L;
步骤(3).将厚度为0.5~1μm、横截面面积为50~500μm2的片状Fe粉末加入蒸馏水中,得到Fe的浓度为1kg/L的混合液;
步骤(4).混合液在70℃下进行机械搅拌,机械搅拌转速为300转/min,同时用180min的时间通过蠕动泵以相同流速同时滴入第一反应液和第二反应液,滴入的第一反应液和第二反应液与混合液的体积比为100:100:5,第一反应液在加入过程中采用氮气保护;
步骤(5).完全加入第一反应液和第二反应液后继续反应4min,然后停止搅拌,形成磁粉液;
步骤(6).将磁粉液过滤后,用蒸馏水洗涤过滤产物至中性;
步骤(7).将洗涤后的过滤产物烘干,研磨后得到薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉。
将得到的薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉中加入10%的PVA粘结剂,搅拌均匀后压制成8mm×5mm×6mm(外径×内径×高度)抗干扰磁芯。用射频阻抗分析仪对抗干扰磁芯在1MHz~1.8GHz范围内的磁性能进行了检测。如图2和3中的曲线3。结果显示复合后的磁粉使用频宽大于800MHz,并在高频段有较强的磁吸收特性,复合材料的截止频率明显升高。
实施例4.
步骤(1).采用蒸馏水配制含有FeCl2、MgCl2和ZnCl2的第一反应液,其中FeCl2的浓度为0.05mol/L、MgCl2的浓度为0.0125mol/L、ZnCl2的浓度为0.0125mol/L,第一反应液在放置过程中采用氮气保护;
步骤(2).采用蒸馏水配制含有KOH的第二反应液,KOH的浓度为0.15mol/L;
步骤(3).将厚度为0.5~1μm、横截面面积为50~500μm2的片状Fe-Si-Al合金粉末加入蒸馏水中,得到Fe-Si-Al合金浓度为0.1kg/L的混合液;
步骤(4).混合液在90℃下进行机械搅拌,机械搅拌转速为300转/min,同时用150min的时间通过蠕动泵以相同流速同时滴入第一反应液和第二反应液,滴入的第一反应液和第二反应液与混合液的体积比为100:100:6,第一反应液在加入过程中采用氮气保护;
步骤(5).完全加入第一反应液和第二反应液后继续反应5min,然后停止搅拌,形成磁粉液;
步骤(6).将磁粉液过滤后,用蒸馏水洗涤过滤产物至中性;
步骤(7).将洗涤后的过滤产物烘干,研磨后得到薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉。
将得到的薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉中加入8%的PVA粘结剂,搅拌均匀后压制成8mm×5mm×6mm(外径×内径×高度)抗干扰磁芯。用射频阻抗分析仪对抗干扰磁芯在1MHz~1.8GHz范围内的磁性能进行了检测。如图2和3中的曲线4。结果显示复合后的磁粉使用频宽大于800MHz,并在高频段有较强的磁吸收特性,复合材料的截止频率明显升高。

Claims (1)

1.一种薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉的制备方法,所述的薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉整体为片状,采用核壳结构,壳均匀包覆在片状的核外;所述的核的材料采用软磁金属,为Co、Fe、Ni、Fe-Si-Al合金中的一种;核的厚度为0.5~5                                                、横截面面积为50~500;所述的壳的材料为MnZn铁氧体、NiZn铁氧体、MgZn铁氧体、NiCuZn铁氧体中的一种;壳的厚度小于等于1,铁氧体晶粒尺寸小于等于100;其特征在于所述薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉的具体制备方法是:
步骤(1)、采用蒸馏水配制第一反应液,第一反应液中含有FeCl2和MeCl2,其中FeCl2的浓度为0.04~0.06mol/L、MeCl2的总浓度为0.02~0.03mol/L, Me为Mn和Zn、Ni和Zn、Mg和Zn、Ni和Cu和Zn中的一种,Me2+的总浓度为Fe2+浓度的二分之一, 第一反应液在放置过程中采用氮气保护;
步骤(2)、采用蒸馏水配制第二反应液,第二反应液中含有KOH,KOH的浓度为第一反应液Fe2+和Me2+浓度总和的1.8~2.2倍;
步骤(3)、将基质粉末加入蒸馏水中,得到浓度为0.1~1kg/L的混合液;所述的基质粉末为片状Co、Fe、Ni、Fe-Si-Al合金中一种,厚度为0.5~5、横截面面积为50~500
步骤(4)、混合液在60~90℃下进行机械搅拌,机械搅拌转速为300~500转/min,同时通过蠕动泵同时加入第一反应液和第二反应液,第一反应液和第二反应液以相同的固定流速加入,加入的第一反应液和第二反应液与混合液的体积比为100:100:1~10,第一反应液和第二反应液在30~180min时间内加完,第一反应液在加入过程中采用氮气保护;
步骤(5)、完全加入第一反应液和第二反应液后继续反应2~5min,然后停止搅拌,形成磁粉液;
步骤(6)、将磁粉液过滤后,用蒸馏水洗涤过滤产物至中性;
步骤(7)、将洗涤后的过滤产物烘干,研磨后得到薄膜复合宽频抗电磁干扰磁粉。
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