CN102487082A - 横向沟槽金属氧化物半导体器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种横向沟槽金属氧化物半导体器件；包括源极和漏极，漏极漂移区为纵向，其两侧为场氧化层，下方为N+层。本发明具有深沟槽结构的金属氧化物半导体将漂移区由横向变为纵向，可以有效减小单元尺寸，减少器件开态电阻。采用了深接触孔结构，可以进一步缩小器件尺寸并减小器件串联电阻。最终可以将器件的开态电阻减小25％，同时可以有效抑制kirk效应。
Description
技术领域
本发明涉及一种集成电路结构，具体涉及一种横向沟槽金属氧化物半导体器件。
背景技术
横向扩散金属氧化物半导体器件是电源管理电路中的关键器件，被广泛应用于便携设备，电脑周边电路和汽车电子等领域。如图1所示，目前横向扩散金属氧化物半导体的开态电阻受横向漂移区长度限制，单元尺寸已经接近极限。具有深沟槽结构的金属氧化物半导体将漂移区由横向变为纵向，可以有效减小单元尺寸，减少器件开态电阻。但是目前的漏极区域宽度一般为1微米左右，且漏极下方的串联电阻较大限制了器件开态电阻的减少。同时漏极区域有源区宽度缩小也会导致基区展宽(Kirk)效应增加。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种横向沟槽金属氧化物半导体器件，它可以有效减小单元尺寸，减少器件开态电阻。
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种横向沟槽金属氧化物半导体器件；包括源极和漏极，漏极漂移区为纵向，其两侧为场氧化层，下方为N+层。
本发明的有益效果在于：具有深沟槽结构的金属氧化物半导体将漂移区由横向变为纵向，可以有效减小单元尺寸，减少器件开态电阻。采用了深接触孔结构，可以进一步缩小器件尺寸并减小器件串联电阻。最终可以将器件的开态电阻减小25％，同时可以有效抑制kirk效应。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是现有横向沟槽金属氧化物半导体器件示意图；
图2是本发明实施例所述的横向沟槽金属氧化物半导体器件示意图；
图3是本发明实施例所述加入N型埋层的示意图。
具体实施方式
如图2所示，本发明实施例所述的结构为一种具有深沟槽结构的金属氧化物半导体，包括源极和漏极，漏极漂移区为纵向，其两侧为场氧化层，下方为N+层，本结构可以有效减小单元尺寸，减少器件开态电阻。本发明中采用了深接触孔结构，可以进一步缩小器件尺寸并减小器件串联电阻。最终可以将器件的开态电阻减小25％。
如图3所示，本发明还可以在漏极下方加入N型埋层可以提高漏区的结深提高器件的击穿电压。同时不增加器件尺寸。
本发明并不限于上文讨论的实施方式。以上对具体实施方式的描述旨在于为了描述和说明本发明涉及的技术方案。基于本发明启示的显而易见的变换或替代也应当被认为落入本发明的保护范围。以上的具体实施方式用来揭示本发明的最佳实施方法，以使得本领域的普通技术人员能够应用本发明的多种实施方式以及多种替代方式来达到本发明的目的。
Claims (2)
1.一种横向沟槽金属氧化物半导体器件；包括源极和漏极，其特征在于，漏极漂移区为纵向，其两侧为场氧化层，下方为N+层。
2.如权利要求1所述的横向沟槽金属氧化物半导体器件，其特征在于，在漏极下方有N型埋层。
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