CN102473666A - 晶片输送方法和晶片输送装置 - Google Patents

晶片输送方法和晶片输送装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102473666A
CN102473666A CN2010800336099A CN201080033609A CN102473666A CN 102473666 A CN102473666 A CN 102473666A CN 2010800336099 A CN2010800336099 A CN 2010800336099A CN 201080033609 A CN201080033609 A CN 201080033609A CN 102473666 A CN102473666 A CN 102473666A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
liquid
face
wafers
sprays
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800336099A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102473666B (zh
Inventor
宫井宽高
山本茂雄
关目浩成
富田弘一
原正敬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Precision Machining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Fine Tech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2009173508A external-priority patent/JP2011029401A/ja
Priority claimed from JP2009173210A external-priority patent/JP2011029390A/ja
Priority claimed from JP2009211484A external-priority patent/JP2011061120A/ja
Application filed by Sumitomo Metal Fine Tech Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Fine Tech Co Ltd
Publication of CN102473666A publication Critical patent/CN102473666A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102473666B publication Critical patent/CN102473666B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H01L21/6779—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks the workpieces being stored in a carrier, involving loading and unloading

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明提供一种晶片输送方法，包括：为了使在液体中叠层的多个晶片(90)的任意的彼此之间产生间隙，向多个晶片(90)的端面喷出上述液体的工序；和在产生了上述间隙的状态下，举起多个晶片(90)中的至少位于最上方的晶片(90)的工序。通过这样的结构，例如在利用线锯进行切断之后，无需借助人手就能够将晶片(90)一片一片地分离。

Description

晶片输送方法和晶片输送装置
技术领域
本发明涉及例如将用于太阳能电池材料的半导体晶片一片一片地输送的晶片输送方法和晶片输送装置。
背景技术
图27表示半导体晶片制造中使用线锯(wire saw)装置的切断工序(例如参照专利文献1)。该图所示的线锯装置900具备4个导向辊(guide roller)903和线(wire)904，是将半导体材料902切断为晶片状的装置。线904例如是施加了电镀的钢线，被架设于4个导向辊903，沿着图示的箭头的方向传送。半导体材料902例如在通过粘接剂与由玻璃构成的保持部件901接合的状态下被按压于线904。当线904超越半导体材料902而到达保持部件901时，半导体材料902的切断完成。在通过该切断而使得各个端缘与保持部件901接合的状态下，能够获得多个晶片。
但是，在结束切断后，最终需要使上述晶片成为一片一片分离的状态。在进行该分离作业之前，以清洗切断粉末和从保持部件901剥离为目的，将上述晶片浸渍于溶解清洗液、粘接剂的溶液中。当利用这些液体使上述晶片成为湿的状态时，相邻的上述晶片彼此容易粘上。在这样的情况下，难以使上述晶片成为一片一片分离的状态，例如作业者被迫进行通过手工作业来将上述半导体晶片一片一片拿起的作业。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2007-160431号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供例如在用线锯进行切断后，不经由人手就能够将半导体晶片一片一片分离的晶片输送方法和晶片输送装置。
用于解决课题的方法
本发明的第一方面提供一种晶片输送方法，包括：为了使在液体中叠层的多个晶片的任意的彼此之间(多个晶片的彼此的任意之间，多个晶片的任意相邻彼此之间)产生间隙，向上述多个晶片的端面喷出上述液体的工序；和在产生了上述间隙的状态下，举起上述多个晶片中的至少位于最上方的晶片的工序。
在本发明优选的实施方式中，喷出上述液体的工序包括：向上述晶片的上述端面延伸方向上的上述端面的中央喷出上述液体的第一工序。
在本发明优选的实施方式中，喷出上述液体的工序还包括：在上述晶片的上述端面延伸方向上从与上述端面重叠的位置向上述端面喷出上述液体的、与上述第一工序不同的第二工序。
在本发明优选的实施方式中，上述第一工序中的喷出上述液体的方向与上述第二工序中的喷出上述液体的方向相同。
在本发明优选的实施方式中，在上述第一和第二工序中喷出的上述液体，在上述晶片的叠层方向上从相同的位置喷出。
在本发明优选的实施方式中，喷出上述液体的工序还包括：从上述晶片的上述端面延伸方向上的上述端面的外侧向上述端面喷出上述液体的第三工序。
在本发明优选的实施方式中，在上述第三工序中，向位于上述最上方的晶片的上侧喷出上述液体。
在本发明优选的实施方式中，在上述晶片的叠层方向上，使在上述第一工序中喷出的上述液体，从比在上述第三工序中喷出上述液体的位置低的位置喷出。
在本发明优选的实施方式中，在喷出上述液体的工序中，以沿着上述晶片的叠层方向的扁平的形状喷出上述液体。
在本发明优选的实施方式中，喷出上述液体的工序在举起上述晶片的工序的前后持续执行。
在本发明优选的实施方式中，还包括：在吸附了上述多个晶片中位于最上方的晶片的状态下，利用使该晶片向晶片的面内方向滑动的吸附滑动机构，从上述最上方的晶片起依次输送上述晶片的工序。
在本发明优选的实施方式中，使用吸附传送带(conveyor)作为上述吸附滑动机构，该吸附传送带包括：相互分离的1对辊；被架设于上述1对辊、具有设置有多个孔的吸附区间的环形带；和能够使被上述环形带包围的空间减压的减压机构。
在本发明优选的实施方式中，上述吸附滑动机构的晶片吸附面以随着向晶片的滑动方向前方侧而成为上方位置的方式倾斜，上述最上方的晶片与上述晶片吸附面正对。
在本发明优选的实施方式中，在喷出上述液体的工序中，从上述晶片的滑动方向前方侧对上述多个晶片喷出上述液体。
在本发明优选的实施方式中，从相对上述多个晶片配置在晶片的滑动方向前方侧的分离用喷嘴，向被上述吸附滑动机构吸附的晶片的端面喷出上述液体。
在本发明优选的实施方式中，还包括：测定上述液体的温度，以使得该测定温度成为规定的温度范围的方式对上述液体进行加热的液体温度调整工序。
在本发明优选的实施方式中，上述规定的温度范围是30～50度。
本发明的第二方面提供一种晶片输送装置，包括：通过向在液体中叠层的多个晶片的端面喷出上述液体，使上述多个晶片的任意的彼此之间(多个晶片的任意相邻彼此之间)产生间隙的至少1个液体喷出机构；和在产生了上述间隙的状态下，能够接收上述多个晶片中的至少位于最上方的晶片的晶片接收机构。
在本发明优选的实施方式中，上述至少1个液体喷出机构包括第一液体喷出机构，该第一液体喷出机构向上述晶片的上述端面延伸方向上的上述端面的中央喷出上述液体。
在本发明优选的实施方式中，上述至少1个液体喷出机构还包括与上述第一液体喷出机构不同的第二液体喷出机构，该第二液体喷出机构在上述端面的延伸方向上配置于与上述端面重叠的位置，并且向上述端面喷出上述液体。
在本发明优选的实施方式中，上述第一和第二液体喷出机构均向相同的方向喷出上述液体。
在本发明优选的实施方式中，在上述晶片的叠层方向上，上述第一液体喷出机构和上述第二液体喷出机构位于相同位置。
在本发明优选的实施方式中，上述至少1个液体喷出机构还包括第三液体喷出机构，该第三液体喷出机构从上述端面延伸方向上的上述端面的外侧向上述端面喷出上述液体。
在本发明优选的实施方式中，上述第三液体喷出机构，还向上述位于最上方的晶片的上侧喷出上述液体。
在本发明优选的实施方式中，在上述晶片的叠层方向上，上述第一液体喷出机构位于比上述第三液体喷出机构低的位置。
在本发明优选的实施方式中，上述至少1个液体喷出机构中的任意机构沿着上述晶片的叠层方向喷出扁平形状的上述液体。
在本发明优选的实施方式中，上述晶片接收机构包括吸附滑动机构，该吸附滑动机构在吸附了上述多个晶片中的位于最上方的晶片的状态下，使该晶片向晶片的面内方向滑动。
在本发明优选的实施方式中，上述吸附滑动机构包括：相互分离的1对辊；和被架设于上述1对辊的环形带，在上述环形带设置有多个孔，该多个孔与被上述环形带包围且能够被减压的空间连接。
在本发明优选的实施方式中，上述至少1个液体喷出机构相对于上述多个晶片配置于上述晶片的滑动方向前方侧。
在本发明优选的实施方式中，还包括分离用喷嘴，该分离用喷嘴相对上述多个晶片配置在晶片的滑动方向前方侧，向被上述吸附滑动机构吸附的晶片的端面喷出上述液体。
在本发明优选的实施方式中，上述吸附滑动机构以晶片吸附面随着向晶片的滑动方向前方侧而成为上方位置(向上)的方式配置，上述多个晶片与上述晶片吸附面正对地配置。
在本发明优选的实施方式中，还包括：对上述液体进行加热的加热机构；测定上述液体的温度的温度测定机构；和以使得由上述温度测定机构得到的上述液体的测定温度成为规定的温度范围的方式对上述加热机构的驱动进行控制的控制机构。
在本发明优选的实施方式中，上述加热机构是浸于上述液体中的加热器。
本发明的其他特征和优点，参照附图，通过下面进行的详细说明，将变得更加明确。
附图说明
图1是表示本发明第一实施方式的晶片输送装置的整体概略图。
图2是表示图1所示的晶片输送装置的主要部分的截面图。
图3是从斜下方看图1所示的晶片输送装置的吸附传送带的主要部分的立体图。
图4是表示在本发明的晶片输送方法中使晶片上浮的工序的主要部分的截面图。
图5表示在本发明的晶片输送方法中使晶片上浮的工序的与图3同样的主要部分的立体图。
图6表示在本发明的晶片输送方法中吸附晶片的工序的与图3同样的主要部分的立体图。
图7是表示在本发明的晶片输送方法中吸附晶片的工序的主要部分的截面图。
图8是表示在本发明的晶片输送方法中使晶片滑动的工序的主要部分的截面图。
图9是表示在本发明的晶片输送方法中使晶片滑动的工序的与图3同样的主要部分的立体图。
图10是表示在本发明的晶片输送方法中将晶片传递(交接)到中继传送带的工序的主要部分的截面图。
图11是表示本发明第二实施方式的晶片输送装置的主要部分平面图。
图12是表示本发明第二实施方式的晶片输送装置的主要部分侧视图。
图13是表示本发明的晶片输送装置的一个例子的整体概略图。
图14是表示图13所示的晶片输送装置的主要部分的截面图。
图15是仅表示图13所示的晶片输送装置的一部分的结构的立体图。
图16是沿着图13的XVI-XVI线的主要部分的截面图。
图17是从图16的上侧看时的平面图。
图18是图13所示的晶片输送装置的吸附传送带的主要部分的立体图。
图19是表示在本发明的晶片输送方法中使晶片上浮的工序的主要部分的截面图。
图20表示在本发明的晶片输送方法中使晶片上浮的工序的与图18同样的主要部分的立体图。
图21表示在本发明的晶片输送方法中吸附晶片的工序的与图18同样的主要部分的立体图。
图22是表示在本发明的晶片输送方法中吸附晶片的工序的主要部分的截面图。
图23是表示在本发明的晶片输送方法中使晶片滑动的工序的主要部分的截面图。
图24是表示在本发明的晶片输送方法中使晶片滑动的工序的主要部分的立体图。
图25是表示在本发明的晶片输送方法中将晶片传递到中继传送带的工序的主要部分的截面图。
图26是表示本发明的晶片输送方法中的最终工序的主要部分的截面图。
图27是表示使用线锯装置的半导体材料的切断工序的立体图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明优选的实施方式具体地进行说明。
图1表示本发明第一实施方式的晶片输送装置。本实施方式的晶片输送装置10包括：晶片槽1、吸附传送带2、喷嘴31、海绵辊32、加热器41、温度传感器42、加热器控制部43、中继传送带5、装填传送带6和堆垛机(staker)7。
晶片槽1形成为铅直方向上方开口的容器状，用于将多个晶片90以浸于规定的液体91中的状态收容。多个晶片90以上下堆积的状态被浸于液体91中，成为相对于液体91的液面92以规定的角度倾斜的姿势。液体91例如是将适量的表面活性剂混入水中而成的。这些晶片90的数量例如是1000片左右。列举晶片90的一例尺寸，外形为156mm见方，厚度为0.14～0.18mm。多个晶片90以其位于最上方的晶片的上表面与后述的吸附传送带2的晶片吸附面223平行的方式堆积。最上方的晶片90的上表面与吸附传送带2的晶片吸附面223的距离例如为约30mm。
多个晶片90例如在晶片槽1的图中左方堆积后，通过传送带11被输送到晶片槽1的图中右方部分。被输送来的多个晶片90例如由升降机12可升降地操控。升降机12例如通过伺服电机(图示省略)以至少相当于晶片90的1个晶片厚度的精度自由升降。
吸附传送带2相当于本发明所述的吸附滑动机构的一例，在晶片槽1内设置于其下方部分浸于液体91中的位置。如图2所示，吸附传送带2包括1对辊21、1对环形带22和真空箱23。
1对辊21相互分离地平行配置，至少任一个与伺服电机(图示省略)等驱动源连结。在本实施方式中，图2所示的辊21以图中的逆时针方向旋转。
1对环形带22为环状的例如橡胶制的带状带，架设于1对辊21。如图3所示，1对环形带22相互平行地分离配置。如图2和图3所示，在各环形带22中作为其环绕方向的一部分的吸附区间221形成有多个孔222。各孔222在环形带22的厚度方向上贯通环形带22，由此液体91和空气能够通过。在本实施方式中，吸附区间221的环绕方向的尺寸与晶片90的环绕方向的尺寸大致相同。
如图2所示，真空箱23配置于环形带22的内侧空间，为截面矩形状的例如SUS制的箱体。真空箱23的高度方向的尺寸与环形带22的内侧彼此的间隔大致相同。因此，环形带22沿着真空箱23的上下表面滑动。各环形带22通过辊21的驱动，沿着图2中的箭头方向(逆时针方向)环绕。即，当辊21旋转驱动时，环形带22中的相对于真空箱23位于下侧的部分(晶片吸附面223)从图中左方向右方滑动。
真空箱23具有3个区划室231、232、233。这些区划室231、232、233沿着1对辊21分离的方向并列。在真空箱23形成有多个孔235。多个孔235设置于真空箱23的下侧部分，在本实施方式中，设置于真空箱23的下侧部分的大致整个面。在区划室231、232、233分别设置有吸气口234。
如图2明确地所示，吸附传送带2为相对于液体91的液面92稍微倾斜的姿势。更具体来讲，以吸附传送带2的右端比左端更靠上方的方式倾斜。
吸气口234经由软管24、阀门单元27、脱水槽25与泵26连接。软管24例如是由树脂构成的具有可挠性的配管部件。阀门单元27能够切换区划室231、232、233中的任意与泵26连接。脱水槽25用于从经由真空箱23吸引的空气分离液体91。泵26是用于将呈收容于环形带22中的形态的真空箱23内的空间减压的减压源，将其减压至能够通过吸附传送带2吸附晶片90的程度。
喷嘴31是喷出液体91的部件，产生液体91的喷流。该喷嘴31经由配管(图示省略)与喷出泵(图示省略)连接。在本实施方式中，如图2所示，喷嘴31相对于堆积的多个晶片90配置在图中右方，以向多个晶片90的端面喷出液体91的姿势设置。更具体来讲，如图3所示，作为来自喷嘴31的喷流碰撞晶片90端面的位置，是在高度方向上距离最上方的晶片数个晶片(5～6片左右)的位置，在进深方向上大致中央位置。从喷嘴31喷出的液体91的流量例如是9L/min左右。
海绵辊32是表面部分由海绵构成的辊。海绵辊32在吸附传送带2的正下方，相对于堆积的多个晶片90配置在图中右方。海绵辊32与未图示的例如电动机连结，能够旋转。在本实施方式中，海绵辊32通过托架相对于吸附传送带2固定。
如图1所示，加热器41浸于液体91中，例如配置在晶片槽1的壁面付近。作为该加热器41使用液体加热用加热器。当加热器41驱动时，液体91被加热，由此该液体91的温度上升。加热器41经由电缆与加热器控制部43连接，通过来自加热器控制部43的电信号控制其驱动。此外，例如也可以在加热器41的附近设置用于搅拌晶片槽1内的液体91的搅拌翼(图示省略)。在该情况下，通过上述搅拌翼的动作，能够使液体91的温度快速上升，并且能够实现液体91整体的温度的均匀化。
温度传感器42浸于液体91中，例如配置在晶片槽1的壁面付近。作为温度传感器42例如能够采用液温测定用的热敏电阻。来自温度传感器42的输出信号经由电缆被传送到加热器控制部43。
加热器控制部43用于向加热器41供给驱动电力，设置在晶片槽1的外部。加热器控制部43具有根据来自温度传感器42的电信号来控制加热器41的驱动的控制电路。由加热器控制部43进行的控制，能够列举例如以温度传感器42的测定温度在规定的温度范围的方式控制加热器41的驱动、即所谓反馈控制。
中继传送带5在吸附传送带2的下游侧，配置于液面92的上方。中继传送带5从吸附传送带2接收按后述的步骤被吸附的晶片90。
装填传送带6配置在中继传送带5的下游侧。装填传送带6用于将从中继传送带5接收的晶片90向堆垛机7装填。
堆垛机7用于将多个晶片90一片一片地收纳，具有在铅直方向上相互平行排列的多个匣(pocket)71。当从装填传送带6输送晶片90时，该晶片90被装填到某个匣71中。这样，通过未图示的升降机构使堆垛机7上升与匣71的一个对应的量。由此，成为能够装填下一个晶片90的状态。
接着，下面参照图4～图10，说明本发明的晶片输送方法的一例。
首先，如图4所示，使环形带22的吸附区间221位于堆积的晶片90的正上方。当吸附区间221在该位置时，真空箱23的多个孔235中的设置于区划室231、232的孔与吸附区间221重叠。另外，此时通过切换阀门单元27，使区划室231、232和泵26连接，而切断区划室233和泵26。与此同时，驱动泵26，使区划室231、232的内压成为负压。在此，通过驱动加热器41，预先使液体91的温度成为30～50度左右。
接着，从喷嘴31向晶片90的端面以规定的喷出压力喷出液体91(参照图3)。通过来自喷嘴31的喷出压力，在喷附有液体91的部位，液体91侵入晶片90彼此之间。于是，如图5所示，包括最上方的晶片90的多个晶片90以相互之间产生间隙的方式上浮。而且，最上方的晶片90接近环形带22的吸附区间221(晶片吸附面223)。此外，在堆积的晶片90周围的适当位置设置有用于使晶片90沿着与其面内方向垂直的方向上下移动的导向件(图示省略)。
在吸附传送带2，由于区划室231、232的内压为负压，因此位于吸附区间221的正下方附近的最上方的晶片90被吸引至上方。然后，如图6和图7所示，最上方的晶片90被吸附于吸附区间221。
接着，如图8和图9所示，停止从喷嘴31喷出液体91，通过驱动辊21，使环形带22逆时针方向环绕。由此，被吸附的晶片90向图中右方滑动。此时，使海绵辊32逆时针方向旋转。这样，滑动的晶片90从其前端起依次与海绵辊32的上方接触并通过海绵辊32的上方。由此，对晶片90向着与滑动方向相反的方向赋予抵抗力(阻力)。假设在误取了位于最上方的晶片90和位于其正下方的晶片90这两片晶片时，能够通过该抵抗力将下方的晶片90取下。进而，混入液体91中的表面活性剂适于促进液体91侵入2个晶片90彼此之间。
当环形带22环绕时，吸附区间221从与区划室231、232重叠的位置向与区划室232、233重叠的位置移动。此时，如图8明确地所示，通过切换阀门单元27，将区划室232、233与泵26连接，而隔断区划室231与泵26。由此，区划室232、233的内压成为负压，区划室231从其内压为较强的负压的状态解除。
接着，如图10所示，进一步使环形带22环绕。这样，被吸附的晶片90进一步向右方滑动，向中继传送带5传递。在图示的状态下，吸附区间221仅与区划室233重叠。此时，通过切换阀门单元27，将区划室233与泵26连接，而切断区划室231、232与泵26。
然后，晶片90经由中继传送带5、装填传送带6被装填到堆垛机7。另一方面，吸附传送带2进一步使环形带22环绕，并且通过切换阀门单元27，再次成为图示4所示的状态。然后，升降机12通过使堆积的多个晶片90上升与一个晶片的厚度相当的高度，成为能够吸附下一个晶片90的状态。通过依次重复上述的工序，能够将堆积的多个晶片90一片一片地输送，并能够装填到堆垛机7。
接着，对本实施方式的晶片输送方法和晶片输送装置10的作用进行说明。
多个晶片90在例如使用线锯的切断工序之后，由于经过清洗工序、粘接剂的溶解工序而成为湿的状态。当将这些湿的晶片90放置于大气中时，会相互粘贴，难以将其逐片分离。根据本实施方式，用加热器41将多个晶片90浸于其中的液体91加热，成为比常温高的温度。由此，液体91的粘度与加热前相比降低，促进液体91侵入相邻的晶片90彼此之间。其结果是，容易使多个晶片90中的位于最上方的晶片90与其正下方的相邻的晶片90分离，能够适于举起最上方的晶片90。
加热器41的驱动是根据液体91的温度(由温度传感器42获得的测定温度)由加热器控制部43控制的。因此，在从液体91中依次举起晶片90的作业工序中，能够将液体91的温度维持在所期望的温度范围。
在本实施方式中，在液体91中堆积的多个晶片90中，通过向这些晶片90的端面喷出液体91，使包括位于最上方的晶片90的多个晶片90之间产生间隙。即，由于最上方的晶片90和与其相邻的正下方的晶片90之间具有间隙，因此将晶片90彼此粘贴的状态消除，能够使位于最上方的晶片90适当地吸附于吸附传送带2。另外，如上所述，通过对多个晶片90浸于其中的液体91进行加热而成为粘度下降的状态，因此液体91变得易于侵入晶片90彼此之间。这与向晶片90的端面喷出液体相互作用，易于使晶片90之间产生间隙。
如果使用使晶片90滑动的吸附传送带2，则能够使所吸附的晶片90从堆积的多个晶片90的正上方顺利地退避。此时，多个晶片90大幅混乱的可能性较小。
多个晶片90以位于最上方的晶片的上表面与吸附传送带2的晶片吸附面223平行的方式堆积。因此，对于通过来自喷嘴31的液体喷出而上浮的最上方的晶片90的整个面，由吸附传送带2产生的吸附力大致均等地起作用。这种结构适于可靠地吸附位于最上方的晶片90。另外，晶片吸附面223以晶片90的滑动方向前方侧(图中右方)成为上方的方式倾斜，因此适于以较短的移动行程效率良好地输送晶片90。
喷嘴31相对于多个晶片90配置在晶片90的滑动方向前方侧(图中右方)，向堆积的晶片90的端面喷出液体91。即，从喷嘴31向与晶片90的滑动方向相反的方向喷出液体91。由此，能够抑制误将位于最上方的晶片90的正下方的晶片90搬运的情况。
通过依次将区划室231、232、233中的与吸附区间221不重叠的区划室与泵26隔断，能够防止由吸附区间221以外的部分将要吸附的晶片90以外的晶片90误吸附。
图11和图12表示本发明第二实施方式的晶片输送装置。该图所示的结构还具有分离用的2个喷嘴8，这点与上述的实施方式不同，而其他结构与上述的实施方式相同，所以省略图示。
喷嘴8夹着由图中箭头所示的输送最上方的晶片90的方向设置在两侧。来自喷嘴8的喷流向因来自喷嘴31的喷流而上浮的晶片90的端面喷出。
根据这样的实施方式，即使假设最上方的晶片90与第二个晶片90为紧贴状态，也能够通过来自喷嘴8的喷流使液体进入它们之间。通过液体侵入，能够促进最上方的晶片90与第二个晶片90的分离。因此，能够防止当通过上述喷嘴31的喷流使最上方的晶片90上浮时，导致第二个晶片90在粘贴于最上方的晶片90的状态下误上浮的情况。
图13表示本发明第三实施方式的晶片输送装置。本实施方式的晶片输送装置10包括：晶片槽1、吸附传送带2、多个喷嘴31、海绵辊32、加热器41、温度传感器42、加热器控制部43、中继传送带5、装填传送带6、堆垛机7、置台81和支撑部件82。
晶片槽1呈铅直方向上方开口的容器状，用于以浸于规定的液体91中的状态收容多个晶片90。多个晶片90被载置于后述的置台81，并且被支撑部件82导向。多个晶片90以上下堆积的状态被浸于液体91中，成为相对于液体91的液面92以规定的角度倾斜的姿势。液体91例如是将表面活性剂混入到水中而成的。这些晶片90的数量例如是1000片左右。列举晶片90的一例尺寸，外形为156mm见方，厚度为0.14～0.18mm。多个晶片90以其位于最上方的晶片的上表面与后述的吸附传送带2的晶片吸附面223平行的方式堆积。最上方的晶片90的上表面与吸附传送带2的晶片吸附面223的距离例如为15～35mm。
图15是仅将置台81和支撑部件82一部分透视化地表示的立体图。图16是沿着图13的XVI-XVI线的主要部分的截面图。图17表示从图16的上侧看时的平面图。
置台81用于载置多个晶片90。置台81例如由氯乙烯树脂或者玻璃环氧树脂构成。如图15、图16所示，置台81包括：底台部811、1对板状部件812、813和辅助支承部件814。底台部811是正方形状的平板状。底台部811的外形是与晶片90大致相同程度的大小，厚度例如是10mm。
1对板状部件812、813和辅助支承部件814都从底台部811向图15、图16的上方立起。1对板状部件812、813和辅助支承部件814是相互平行地配置并且沿着x1-x2方向延伸的长板状。1对板状部件812、813和辅助支承部件814都用于支承晶片90。即使仅配置1对板状部件812、813也能够支承多个晶片90，但是通过进一步配置辅助支承部件814，能够抑制晶片90向下方弯曲。1对板状部件812、813和辅助支承部件814的尺寸例如是长边为156mm、短边为15～35mm、厚度为2～10mm。
在置台81，通过由底台部811、1对板状部件812、813和辅助支承部件814夹着，形成2个空间815。空间815在x1-x2方向上贯通。另外，空间815向与底台部811相反的一侧即载置晶片90的一侧露出。
支撑部件82用于对多个晶片90进行导向，以使得多个晶片90不产生位置偏移。在本实施方式中，支撑部件82与置台81连结。
支撑部件82例如由玻璃环氧树脂或者不锈钢构成。如图15～图17所示，支撑部件82具有1对移动限制部821、822和移动限制部823、824。移动限制部821、822都相对于多个晶片90配置在方向x1一侧。通过这样配置移动限制部821、822，来限制多个晶片90向方向x1移动。移动限制部821、822是沿着晶片90的叠层方向延伸的长板状。移动限制部821、822彼此相互分离，其分离距离L1例如是101～140mm。另外，该分离距离比晶片90的宽度小。
移动限制部823相对于多个晶片90配置在方向y1一侧，移动限制部824相对于多个晶片90配置在方向y2一侧。通过这样配置移动限制部823、824，来限制多个晶片90在y1-y2方向上移动。移动限制部823、824是沿着晶片90的叠层方向延伸的长板状。移动限制部823与移动限制部821一体成型，移动限制部824与移动限制部824一体成型。
多个晶片90例如在晶片槽1的图13的左方堆积在置台81上且由支撑部件82导向的状态下，由传送带11输送到晶片槽1的图中右方部分。升降机12例如通过伺服电机(图示省略)以至少相当于晶片90的1个晶片厚度的精度自由升降。随着升降机12的升降，置台81、支撑部件82和晶片90升降。
吸附传送带2相当于本发明所述的吸附滑动机构的一个例子，在晶片槽1内设置于其下方部分浸于液体91中的位置。如图17所示，吸附传送带2的y1-y2方向上的大小L2比移动限制部821、822彼此的分离距离L1小，例如是100mm。如图14所示，吸附传送带2包括1对辊21、1对环形带22和真空箱23。
1对辊21相互分离地平行配置，至少任一个与伺服电机(图示省略)等驱动源连结。在本实施方式中，图14所示的辊21按图中逆时针方向旋转。
1对环形带22是呈环状的例如橡胶制的带状传动带，架设于1对辊21。如图18所示，1对环形带22相互平行地分离配置。如图14和图18所示，在各环形带22中的作为其环绕方向的一部分的吸附区间221形成有多个孔222。各孔222在环形带22的厚度方向上贯通环形带22，由此液体91和空气能够通过。在本实施方式中，吸附区间221的环绕方向的尺寸与晶片90的环绕方向的尺寸大致相同。
如图14所示，真空箱23配置在环形带22的内侧空间，是截面矩形状的例如SUS制的箱体。真空箱23的高度方向的尺寸与环形带22的内侧彼此的间隔大致相同。因此，环形带22沿着真空箱23的上下表面滑动。各环形带22通过辊21的驱动，沿着图14中的箭头方向(逆时针方向)环绕。即，当辊21旋转驱动时，环形带22中的相对于真空箱23位于下侧的部分(晶片吸附面223)从图中左方向右方滑动。
真空箱23具有3个区划室231、232、233。这些区划室231、232、233沿着1对辊21分离的方向并列。在真空箱23形成有多个孔235。多个孔235设置于真空箱23的下侧部分，在本实施方式中，设置于真空箱23的下侧部分的大致整个面。在区划室231、232、233分别设置有吸气口234。
如图14明确地所示，吸附传送带2成为相对于液体91的液面92稍微倾斜的姿势。更具体来讲，以吸附传送带2的右端位于左端的上方的方式倾斜。
吸气口234经由软管24、阀门单元27、脱水槽25与泵26连接。软管24例如是由树脂构成的具有可挠性的配管部件。阀门单元27能够切换区划室231、232、233中的任意与泵26连接。脱水槽25用于从经由真空箱23吸引的空气分离液体91。泵26是用于将呈收容于环形带22中的形态的真空箱23内的空间减压的减压源，将其减压至能够通过吸附传送带2吸附晶片90的程度。
多个喷嘴31是喷出液体91的部件，产生液体91的喷流。这些喷嘴31分别经由配管(图示省略)与喷出泵(图示省略)连接。在本实施方式中，如图14所示，喷嘴31相对于堆积的多个晶片90配置在图中右方，以向多个晶片90的端面93喷出液体91的姿势设置。喷嘴31都能够在晶片90的叠层方向上喷出扁平形状的液体91(图示省略)。从喷嘴31喷出的液体91的流量例如是9L/min左右。
使用图16、图17，对多个喷嘴31的详细的配置状态进行说明。在这些图中，将配置于y1-y2方向上的中央的喷嘴设为喷嘴311，与喷嘴311相邻的喷嘴设为喷嘴312，配置于y1-y2方向上的最外侧的喷嘴设为喷嘴313。
喷嘴311向在y1-y2方向(晶片90的端面93延伸的方向)上的晶片Wf的端面93的中央喷出液体91。作为来自喷嘴311的喷流碰撞晶片90的端面93的位置，是从多个晶片90的最上方的晶片起数个晶片(5～6片左右)的位置。喷嘴311喷出液体91的方向与方向x1一致。喷嘴312在y1-y2方向上配置于与晶片90的端面93重叠的位置。另外，如图16所示，喷嘴312在晶片90的叠层方向上配置于与喷嘴311相同的位置。喷嘴312向靠近晶片90的端面93的一端的部分喷出液体91。作为来自喷嘴312的喷流碰撞晶片90的端面93的位置，是从多个晶片90的最上方的晶片起数个晶片(5～6片左右)的位置。喷嘴312喷出液体91的方向也与方向x1一致。
如图16、图17所示，喷嘴313在y1-y2方向上配置于晶片90的端面93的外侧。如图16所示，喷嘴313在晶片90的叠层方向上，配置在喷嘴311、312上方。喷嘴313向晶片90的端面93的一端附近稍稍向上地喷出液体91。优选的是，喷嘴313以向着比多个晶片90的最上方的晶片更上侧、并且来自喷嘴313的喷流到达吸附传送带2的方式喷出液体91即可。由喷嘴313喷出的液体91的喷出方向相对于晶片90的面内方向例如成15～20度的角度。
海绵辊32是表面部分由海绵构成的辊。海绵辊32在吸附传送带2的正下方，相对于堆积的多个晶片90配置在图中右方。海绵辊32与未图示的例如电动机连结，能够旋转。在本实施方式中，海绵辊32通过托架相对于吸附传送带2固定。
如图13所示，加热器41浸于液体91中，例如配置在晶片槽1的壁面付近。作为该加热器41使用液体加热用的加热器。当加热器41驱动时，液体91被加热，使得该液体91的温度上升。加热器41经由电缆与加热器控制部43连接，通过来自加热器控制部43的电信号控制其驱动。
温度传感器42浸于液体91中，例如配置在晶片槽1的壁面付近。作为温度传感器42例如能够采用液温测定用的热敏电阻。来自温度传感器42的输出信号经由电缆被传送到加热器控制部43。
加热器控制部43用于向加热器41供给驱动电力，设置于晶片槽1的外部。加热器控制部43具有根据来自温度传感器42的电信号来控制加热器41的驱动的控制电路。作为由加热器控制部43进行的控制，例如能够列举以温度传感器42的测定温度成为规定的温度范围的方式控制加热器41的驱动、即所谓的反馈控制。
中继传送带5在吸附传送带2的下游侧配置于液面92的上方。中继传送带5按照后述的步骤从吸附传送带2接收被吸附的晶片90。
装填传送带6配置于中继传送带5的下游侧。装填传送带6用于将从中继传送带5接收的晶片90向堆垛机7装填。
堆垛机7用于将多个晶片90一片一片地收纳，具有在铅直方向上相互平行排列的多个匣71。当晶片90从装填传送带6被输送来时，将该晶片90装填到某个匣71。然后，通过未图示的升降机构，使堆垛机7上升与匣71的一个(段)相应的高度。由此，成为能够装填下一个晶片90的状态。
接着，下面参照图19～图26，说明本发明的晶片输送方法的一例。在图19～图25中，为了便于理解，省略置台81、支撑部件82的记载，但是实际上保持多个晶片90载置于置台81、并且由支撑部件82进行导向的状态不变地进行以下的工序。
首先，如图19所示，使环形带22的吸附区间221位于堆积的晶片90的正上方。此时，最上方的晶片90的上表面与吸附传送带2的晶片吸附面223的距离例如是15～35mm。当吸附区间221在该位置时，真空箱23的多个孔235中的设置在区划室231、232的孔与吸附区间221重叠。另外，此时通过切换阀门单元27，将区划室231、232与泵26连接，而切断区划室233与泵26。并且，驱动泵26，使区划室231、232的内压为负压。在此，通过驱动加热器41，预先使液体91的温度为30～50度左右。
接着，从多个喷嘴31向晶片90的端面93以规定的喷出压力喷出液体91(参照图16～图18)。通过来自喷嘴31的喷出压力，在喷附有液体91的部位，液体91侵入晶片90彼此之间和晶片90的最上部的上侧。于是，如图20所示，包括最上方的晶片90的多个晶片90以在相互之间产生间隙的方式上浮。而且，最上方的晶片90接近环形带22的吸附区间221(晶片吸附面223)。
在吸附传送带2，由于区划室231、232的内压为负压，因此位于吸附区间221的正下方附近的最上方的晶片90被吸引到上方。然后，如图21和图22所示，最上方的晶片90被吸附于吸附区间221。
接着，停止从喷嘴31喷出液体91。然后，如图23和图24所示，通过驱动辊21，使环形带22按逆时针方向环绕。由此，被吸附的晶片90向图中右方滑动。此时，使海绵辊32按逆时针方向旋转。这样，滑动的晶片90从其前端起依次与海绵辊32的上方连接并通过海绵辊32的上方。由此，对晶片90向着与滑动方向相反的方向赋予抵抗力(阻力)。在假设将位于最上方的晶片90和位于其正下方的晶片90这2个晶片误取出时，通过该抵抗力能够将下方的晶片90取下。进一步，混入在液体91中的表面活性剂适于促进液体91侵入2个晶片90彼此之间。此外，在本记载中停止从喷嘴31喷出液体91，但是也可以不停止从喷嘴31喷出液体91，而是继续进行以下的一系列工序。
当环形带22进行环绕时，吸附区间221从与区划室231、232重叠的位置向与区划室232、233重叠的位置移动。此时，如图23明确地所示，通过切换阀门单元27，将区划室232、233与泵26连接，切断区划室231与泵26。由此，区划室232、233的内压成为负压，区划室231从其内压为较强的负压的状态解除。
接着，如图25所示，进一步使环形带22环绕。这样，被吸附的晶片90进一步向右方滑动，传递到中继传送带5。在图示的状态下，吸附区间221仅与区划室233重叠。此时，通过切换阀门单元27，将区划室233与泵26连接，而切断区划室231、232与泵26。
然后，晶片90经由中继传送带5、装填传送带6被装填到堆垛机7。另一方面，吸附传送带2进一步使环形带22环绕，并且通过切换阀门单元27，再次成为图19所示的状态。然后，通过升降机12使堆积的多个晶片90上升与一片晶片的厚度相当的高度，成为能够吸附下一个晶片90的状态。通过依次重复上述的工序，能够将堆积的多个晶片90一片一片地输送，能够装填到堆垛机7。
于是，依次重复上述工序的结果，最终如图26所示，载置于置台81的晶片90的数量成为数片左右。当晶片90的数量达到数片左右时，从喷嘴31向晶片90的端面93喷出的液体91也浸入到载置了晶片90的置台81的空间815。因此，即使晶片90为数片，也能够以在相互之间产生间隙的方式上浮。然后，通过经过与上述相同的工序，能够将载置于置台81的晶片90大致全部装填到堆垛机7。
接着，对本实施方式的晶片输送方法和晶片输送装置10的作用进行说明。
多个晶片90在例如使用线锯的切断工序之后因经过清洗工序、粘接剂的溶解工序而成为湿的状态。当将这些湿的晶片90放置于大气中时，会相互粘贴，导致难以将其一片一片地分离。根据本实施方式，在液体91中堆积的多个晶片90中，通过对这些晶片90的端面93喷出液体91，使包括位于最上方的晶片90在内的多个晶片90之间产生间隙。即，在最上方的晶片90和与其相邻的正下方的晶片90之间存在间隙，因此将晶片90彼此粘贴的状态消除，能够使位于最上方的晶片90适当地吸附于吸附传送带2。
进一步，在本实施方式中，如图16、图17所示配置喷嘴31并且调整从喷嘴31喷出的液体91的方向，由此易于在多个晶片90彼此之间产生间隙。
根据发明者们的试验，采用本实施方式，与不设置喷嘴311的情况相比，易于使更多的晶片90彼此之间产生间隙，能够使晶片90更快地上浮。另外，与不设置喷嘴312或喷嘴313的情况相比，能够更可靠地使多个晶片90上浮。
此外，如该图所示，作为喷嘴31未必需要配置喷嘴311、312、313全部。例如，作为喷嘴31也可以仅配置喷嘴311、312，或者仅配置喷嘴311、313，或者仅配置喷嘴312、313。或者，作为喷嘴31，也可以仅配置喷嘴311，或者仅配置喷嘴312，或者仅配置喷嘴313。
喷嘴31都能够在晶片90的叠层方向上喷出扁平形状的液体91。由此，也能够易于使多个晶片90彼此之间产生间隙。
如图16、图17所示，多个晶片90由支撑部件82进行导向。特别是，多个晶片90由1对移动限制部821、822限制在方向x1上的移动。因此，即使从喷嘴31对晶片90向着方向x1喷出液体91，晶片90受到该液体91产生的力导致在方向x1上产生位置偏移的可能性也较小。这样的结构适于可靠地吸附位于最上方的晶片90。另外，通过1对移动限制部823、824，限制向着方向y1和方向y2的晶片90的移动。这样的结构也适于可靠地吸附位于最上方的晶片90。此外，在上述实施方式中，1对移动限制部821、822分别表示作为单独的板状部件的例子，但是1对移动限制部821、822也可以为一体部件中的2个部位。
吸附传送带2的y1-y2方向上的大小L2比移动限制部821、822彼此的分离距离L1小。因此，如图26所示，不被移动限制部821、822妨碍，吸附传送带2能够在多个晶片90的叠层方向上移动。这适于使吸附传送带2更接近多个晶片90的最上方的晶片。因此，通过吸附传送带2，能够更易于吸附该最上方的晶片90。
如果采用使晶片90滑动的吸附传送带2，则能够使吸附的晶片90从堆积的多个晶片90的正上方顺利地退避。此时，多个晶片90大幅混乱的可能性较小。
多个晶片90以位于最上方的晶片的上表面与吸附传送带2的晶片吸附面223平行的方式堆积。因此，对于通过来自喷嘴31的液体喷出而上浮的最上方的晶片90的整个面，由吸附传送带2产生的吸附力大致均等地起作用。这样的结构适于可靠地吸附位于最上方的晶片90。另外，晶片吸附面223以晶片90的滑动方向前方侧(图中右方)成为上方的方式倾斜，因此适于以较短的移动行程效率良好地输送晶片90。
喷嘴31相对于多个晶片90配置于晶片90的滑动方向前方侧(图中右方)，向堆积的晶片90的端面93喷出液体91。即，从喷嘴31向与晶片90的滑动方向相反的方向喷出液体91。因此，位于最上方的晶片90虽然从吸附传送带2受到向滑动方向前方移动的力，但是位于最上方的晶片90的正下方的晶片90，通过从喷嘴31喷出的液体91而受到向与上述滑动方向相反的方向的力。由此，能够抑制位于最上方的晶片90的正下方的晶片90被误搬运的情况。
多个晶片90浸于其中的液体91被加热器41加热，成为比常温高的温度。由于该液体91具有加热时粘度降低的性质，因此促进液体91侵入相邻的晶片90彼此之间。其结果是，易于使多个晶片90中的位于最上方的晶片90与在其正下方相邻的晶片90分离，能够适当地举起最上方的晶片90。
通过依次切断泵26与区划室231、232、233中与吸附区间221不重叠的区划室的连接，能够防止吸附区间221以外的部分将要吸附的晶片Wf以外的晶片90误吸附。
在置台81形成有空间815。通过使置台81为这样的结构，即使如图26所示那样载置于置台81的多个晶片90的片数较少，也能够更可靠地使这些晶片90彼此之间产生间隙。由此，能够由吸附传送带2吸附并输送多个晶片90中的位于下方的晶片。由此，能够减少不被吸附传送带2吸附而载置于置台81的状态的晶片90。
另外，在上述的工序中，在每次举起晶片90时，不停止从喷嘴31喷出液体91而持续地从喷嘴31喷出液体91的情况下，能够维持位于最上方的晶片90上浮的状态。因此，在晶片90返回至未上浮的状态后，不需要再次使晶片90上浮。其结果是，能够实现上述晶片的输送工序的效率化。
本发明的晶片输送方法和晶片输送装置，并不限于上述的实施方式。本发明的晶片输送方法和晶片输送装置的具体结构，可以自由进行各种设计变更。

Claims (14)

1.一种晶片输送方法，其特征在于，包括：
为了使在液体中叠层的多个晶片的任意的彼此之间产生间隙，向所述多个晶片的端面喷出所述液体的工序；和
在产生了所述间隙的状态下，举起所述多个晶片中的至少位于最上方的晶片的工序。
2.如权利要求1所述的晶片输送方法，其特征在于：
喷出所述液体的工序包括：向所述晶片的所述端面的延伸方向上的所述端面的中央喷出所述液体的第一工序。
3.如权利要求2所述的晶片输送方法，其特征在于：
喷出所述液体的工序还包括：在所述晶片的所述端面的延伸方向上从与所述端面重叠的位置向所述端面喷出所述液体的、与所述第一工序不同的第二工序。
4.如权利要求3所述的晶片输送方法，其特征在于：
喷出所述液体的工序还包括：从所述晶片的所述端面的延伸方向上的所述端面的外侧向所述端面喷出所述液体的第三工序。
5.如权利要求1所述的晶片输送方法，其特征在于，还包括：
在吸附了所述多个晶片中位于最上方的晶片的状态下，利用使该晶片向晶片的面内方向滑动的吸附滑动机构，从所述最上方的晶片起依次输送所述晶片的工序。
6.如权利要求5所述的晶片输送方法，其特征在于：
在喷出所述液体的工序中，从所述晶片的滑动方向前方侧对所述多个晶片喷出所述液体。
7.如权利要求1所述的晶片输送方法，其特征在于，还包括：
测定所述液体的温度，以使得该测定温度成为规定的温度范围的方式对所述液体进行加热的液体温度调整工序。
8.一种晶片输送装置，其特征在于，包括：
通过向在液体中叠层的多个晶片的端面喷出所述液体，使所述多个晶片的任意的彼此之间产生间隙的至少1个液体喷出机构；和
在产生了所述间隙的状态下，能够接收所述多个晶片中的至少位于最上方的晶片的晶片接收机构。
9.如权利要求8所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述至少1个液体喷出机构包括第一液体喷出机构，该第一液体喷出机构向所述晶片的所述端面的延伸方向上的所述端面的中央喷出所述液体。
10.如权利要求9所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述至少1个液体喷出机构还包括与所述第一液体喷出机构不同的第二液体喷出机构，该第二液体喷出机构在所述端面的延伸方向上配置于与所述端面重叠的位置，并且向所述端面喷出所述液体。
11.如权利要求10所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述至少1个液体喷出机构还包括第三液体喷出机构，该第三液体喷出机构从所述端面的延伸方向上的所述端面的外侧向所述端面喷出所述液体。
12.如权利要求8所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述晶片接收机构包括吸附滑动机构，该吸附滑动机构在吸附了所述多个晶片中的位于最上方的晶片的状态下，使该晶片向晶片的面内方向滑动。
13.如权利要求12所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述至少1个液体喷出机构相对于所述多个晶片配置于所述晶片的滑动方向前方侧。
14.如权利要求8所述的晶片输送装置，其特征在于，还包括：
对所述液体进行加热的加热机构；
测定所述液体的温度的温度测定机构；和
以使得由所述温度测定机构得到的所述液体的测定温度成为规定的温度范围的方式对所述加热机构的驱动进行控制的控制机构。
CN201080033609.9A 2009-07-24 2010-07-22 晶片输送方法和晶片输送装置 Expired - Fee Related CN102473666B (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009173508A JP2011029401A (ja) 2009-07-24 2009-07-24 ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2009-173210 2009-07-24
JP2009-173508 2009-07-24
JP2009173210A JP2011029390A (ja) 2009-07-24 2009-07-24 ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2009211484A JP2011061120A (ja) 2009-09-14 2009-09-14 ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2009-211484 2009-09-14
PCT/JP2010/062303 WO2011010683A1 (ja) 2009-07-24 2010-07-22 ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102473666A true CN102473666A (zh) 2012-05-23
CN102473666B CN102473666B (zh) 2014-09-03

Family

ID=43499155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080033609.9A Expired - Fee Related CN102473666B (zh) 2009-07-24 2010-07-22 晶片输送方法和晶片输送装置

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101370578B1 (zh)
CN (1) CN102473666B (zh)
WO (1) WO2011010683A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103538936A (zh) * 2012-07-16 2014-01-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于电池片的取片机构及具有其的传输***

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014207250A (ja) * 2011-08-12 2014-10-30 株式会社安永 ウェハ分離装置及びこれを用いたウェハの製造方法
EP2874183A1 (de) * 2013-11-15 2015-05-20 mechatronic Systemtechnik GmbH Vorrichtung zum wenigstens Entleeren eines Transportbehälters

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002254378A (ja) * 2001-02-22 2002-09-10 Hiroshi Akashi 液中ワーク取り出し装置
WO2009074317A1 (de) * 2007-12-11 2009-06-18 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und vorrichtung zum vereinzeln von wafern von einem waferstapel

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003292160A (ja) * 2002-04-01 2003-10-15 Hitachi Kiden Kogyo Ltd ガラス基板の取り出し装置
JP2010045057A (ja) * 2006-12-06 2010-02-25 Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd 液中ウェハ単離方法及び液中ウェハ単離装置
WO2008075970A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-26 Rec Scanwafer As Method and device for se aration of silicon wafers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002254378A (ja) * 2001-02-22 2002-09-10 Hiroshi Akashi 液中ワーク取り出し装置
WO2009074317A1 (de) * 2007-12-11 2009-06-18 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und vorrichtung zum vereinzeln von wafern von einem waferstapel

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103538936A (zh) * 2012-07-16 2014-01-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于电池片的取片机构及具有其的传输***
CN103538936B (zh) * 2012-07-16 2016-04-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于电池片的取片机构及具有其的传输***

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120025510A (ko) 2012-03-15
KR101370578B1 (ko) 2014-03-07
CN102473666B (zh) 2014-09-03
WO2011010683A1 (ja) 2011-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102388445B (zh) 晶片输送方法和晶片输送装置
KR101226733B1 (ko) 기판 반송 장치
KR100957615B1 (ko) 가공대상물 수납장치
JP5254114B2 (ja) ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
CN102473666B (zh) 晶片输送方法和晶片输送装置
CN101290418B (zh) 基板处理装置
JP5457113B2 (ja) ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
CN102300776B (zh) 板状体的载置方法及夹纸以及夹纸的供给装置
TWI329607B (zh)
TWI351370B (zh)
CN105270889A (zh) 脆性材料基板的搬送方法及搬送装置
JP5368222B2 (ja) ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2011061120A (ja) ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2010165928A (ja) ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
CN103596892B (zh) 板状玻璃物品的分离装置
JP2010265082A (ja) 板状ワークの分離供給設備
JP2015000475A (ja) セル単位のｇ２方式タッチセンサーが形成された単一の強化ガラス板の加工システム及びこれを用いた強化ガラス板の加工方法
CN207467063U (zh) Sensor模组覆膜机
JP4412577B2 (ja) 大型薄板用コンテナー
JP2007186321A (ja) 板材の搬送システム
JP5464696B2 (ja) 液中ウェーハ単離方法及び液中ウェーハ単離装置
JP2016047730A (ja) カップ状容器の反転装置
JP4685833B2 (ja) 板材搬送装置
JP3317280B2 (ja) 基板の整列移載システム及び整列移載方法
CN116408635A (zh) 无线耳机充电盒铁片和磁铁组装设备及其操作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140903

Termination date: 20160722

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee