CN102403755A

CN102403755A - 充电装置

Info

Publication number: CN102403755A
Application number: CN2011102634347A
Authority: CN
Inventors: 宇都野纪久生
Original assignee: Lapis Semiconductor Co Ltd
Current assignee: Lapis Semiconductor Co Ltd
Priority date: 2010-09-07
Filing date: 2011-09-07
Publication date: 2012-04-04
Anticipated expiration: 2031-09-07
Also published as: CN102403755B; US20120056578A1; US8823328B2; JP5619540B2; JP2012060733A

Abstract

本发明提供一种充电装置，能够在不使电路面积或功耗增加的情况下，与多个电池电压对应地防止过充电。在本发明的充电装置中，根据与二次电池的能够充电的电压对应地决定的选择信号，选择至少两个判定电位之中的一个，对该选择的判定电位和基于逆流防止部的下游的电位的比较电位进行比较，当检测到满充电状态时，切断向该逆流防止部的充电电流的供给。

Description

充电装置

技术领域

本发明涉及防止二次电池的过充电的充电装置。

背景技术

在对通过进行充电从而能够作为电池重复使用的所谓的二次电池(也称为蓄电池、充电式电池)进行充电的情况下，以往采用了用于防止二次电池的破坏或损伤的过充电对策。例如，在专利文献1中，公开了如下装置：在电池(二次电池)的端子间电压成为预定值以上时，使与太阳电池并联连接的N沟道型的功率MOSFET导通，将从太阳电池向电池的充电电流切断，由此，防止电池的过充电。

[专利文献1]：日本特开平9-261861号公报。

但是，近年来，也存在如下情况：二次电池的种类增加，在一个***中使用电池电压（cell voltage）彼此不同的多个二次电池。在这样的***中，根据应用的类别或***的动作状况而适当切换二次电池进行使用，所以，需要能够与二次电池的各自的电池电压对应的充电装置。当要构成能够与多个电池电压对应的电路时，电路面积的增加或功耗的增加成为问题。例如，在构成能够与较高的电池电压对应的电路的情况下，增大降压电路的降压值即可，但是，为了以小电流增大降压值，需要增大构成降压电路的晶体管的栅极长度，所以，电路面积变大。另外，为了在不增大晶体管的栅极长度的情况下增大降压值，需要增大电流值，所以，功耗增加。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种在不使电路面积或功耗增加的情况下能够与多个电池电压对应地防止过充电的充电装置。

本发明提供一种将所输入的充电电流经由逆流防止部向二次电池供给的充电装置，其特征在于，包括：比较检测部，根据与二次电池的能够充电的电压对应地决定的选择信号，选择至少两个判定电位之中的一个，对该选择的判定电位和基于所述逆流防止部的下游的电位的比较电位进行比较，对满充电状态进行检测；切断部，在所述比较检测部检测到满充电状态时，切断向所述逆流防止部的所述充电电流的供给。

根据本发明的充电装置，在不使电路面积或功耗增加的情况下就能够与多个电池电压对应地防止过充电。

附图说明

图1是将第一实施例的充电装置的结构与太阳电池以及二次电池一起示出的框图。

图2是示出将包括充电装置的半导体芯片、太阳电池以及二次电池搭载在印刷基板的***结构的框图。

图3是示出第一实施例的变形例的充电装置的结构的框图。

图4是示出将图3的充电装置中的VDD以及VDD2电压与比较输出电压的时序图(time chart)。

图5是将第二实施例的充电装置的结构与太阳电池以及二次电池一起示出的框图。

附图标记说明：

1 充电装置

2 太阳电池

3 二次电池

4 二次电池

10 逆流防止部

20 降压部

30 放电部(切断部)

40 比较部(比较检测部)

79 切换部

100 半导体芯片

200 印刷基板。

具体实施方式

以下，参照附图详细地对本发明的实施例进行说明。

<第一实施例>

图1是将本实施例的充电装置1的结构与太阳电池2以及二次电池3一起示出的框图。充电装置1是防止从作为充电电流供给源的太阳电池2输入到输入端子81的充电电流的逆流并且向与输出端子82连接的二次电池3提供该充电电流的充电装置，是还具有防止二次电池3的过充电的功能的充电装置。充电装置1包括逆流防止部10、降压部20、放电部30以及比较部40。

逆流防止部10是防止从二次电池3向太阳电池2的电流的逆流的电路。以下，将逆流防止部10的太阳电池2的一侧称为上游，将逆流防止部10的二次电池3的一侧称为下游。

降压部20是如下电路：从二次电池3的端子电位VBAT下降例如1V等的预定电位，生成降压电位pos，并将其供给到比较部40。以比较部40能够进行正常的比较处理的方式，将低于比较部40的动作电位的电位(降压电位pos)供给到比较部40。以下，也将降压电位pos称为比较电位pos。

降压部20由PMOS晶体管21、电阻22以及恒流源23构成。PMOS晶体管21的源极与二次电池3连接，漏极与电阻22的一端连接，栅极与漏极连接。电阻22的一端与恒流源23连接，另一端与PMOS晶体管21的漏极连接。电阻22的该一端的电位作为降压电位pos被供给到比较部40。

放电部30是如下电路：在来自比较部40的输出电位out为例如低电平等的预定的电位的情况下，将从太阳电池2输出的充电电流向接地电位放电。由此，能够切断针对二次电池3的充电电流，防止二次电池3的过充电。以下，也将放电部30称为切断部30。

比较部40对从降压部20供给的降压电位pos与自身生成的判定电位进行比较，将与比较结果对应的输出电位out向放电部30供给。

比较部40包括恒流源41、耗尽型NMOS晶体管(以下，称为DMOS)42、增强型PMOS晶体管(以下，称为PMOS)43以及44、增强型NMOS晶体管(以下，称为NMOS)45至48、选择信号输入端子49以及反相器（inverter）50。

由恒流源41、DMOS42、PMOS43以及44、NMOS45至48构成差动的比较电路。详细地以如下方式构成。

恒流源41的一端与基准电位(gnd)连接，另一端在节点n1与DMOS42的源极连接。

DMOS42的源极在节点n1与恒流源41连接，栅极与接地电位连接，漏极与PMOS43的漏极连接。这样，DMOS42进行源极跟随器连接。PMOS43的源极与太阳电池2连接，栅极与漏极连接，漏极与DMOS42的漏极连接。这样，DMOS42与PMOS43串联连接。以下，将DMOS42与PMOS43串联连接而成的电流路径称为基准电流支路。基准电流支路包括DMOS42的源极-漏极路径。

PMOS44的源极与太阳电池2连接，栅极与漏极连接，漏极在节点n2与NMOS45的漏极连接。NMOS45的源极与NMOS46的漏极连接，栅极与降压部20的输出(电阻22的一端)连接，漏极在节点n2与PMOS44的漏极连接。NMOS46的源极在节点n1与恒流源41连接，栅极与选择信号输入端子49连接，漏极与NMOS45的源极连接。这样，PMOS44、NMOS45、NMOS46串联连接。以下，将PMOS44、NMOS45、NMOS46串联连接而成的电流路径称为第一判定电流支路。第一判定电流支路包括NMOS45的源极-漏极路径。

NMOS47的源极与NMOS48的漏极连接，栅极与降压部20的输出(电阻22的一端)连接，漏极在节点n2与PMOS44的漏极连接。NMOS48的源极与恒流源41连接，栅极经由反相器50与选择信号输入端子49连接，漏极与NMOS47的源极连接。这样，PMOS44、NMOS47、NMOS48串联连接。以下，将PMOS44、NMOS47、NMOS48串联连接而成的电流路径称为第二判定电流支路。第二判定电流支路包括NMOS47的源极-漏极路径。另外，第一判定电流支路与第二判定电流支路并联连接。

对选择信号输入端子49输入用于使NMOS46以及NMOS48的任意一方导通的选择信号。NMOS46以及NMOS48分别是利用选择信号进行导通/截止的开关。选择信号被直接输入到NMOS46的栅极，并且，选择信号经由反相器50被输入到NMOS48的栅极。在选择信号是高电平的情况下，NMOS46导通，在选择信号为低电平的情况下，NMOS48导通。这样，NMOS46作为用于选择NMOS45以及NMOS47中的NMOS45侧的开关进行动作，NMOS48作为用于选择NMOS47的开关进行动作。以下，也将由选择信号输入端子49和反相器50构成的结构称为选择部。

对这样构成的比较部40的比较结果进行表示的节点n2的电位作为输出电位out供给到放电部30。

以下，对充电装置1的动作进行说明。此处，对使DMOS42的阈值电压为Vtd、使NMOS45的阈值电压为Vt45、使NMOS47的阈值电压为Vt47、并且Vt47比Vt45大的情况的例子进行说明。阈值电压是使源极-漏极间的导通开始的栅极电压。

DMOS42进行源极跟随器连接，所以，DMOS42的源极所连接的节点n1的电位成为－Vtd。在Vtd是例如－0.6V的情况下，节点n1的电位成为0.6V。

在对选择信号输入端子49输入了高电平的选择信号的情况下，NMOS46导通，NMOS48截止。由此，NMOS45以及NMOS47中的NMOS45被选择，将作为节点n1的电位的－Vtd(例如，0.6V)供给到NMOS45的源极。

因此，在从降压部20向NMOS45的栅极供给的降压电位pos是作为节点n1的电位的－Vtd与NMOS45的阈值Vt45之和以上的情况下，NMOS45导通。利用该和所得到的电位是用于判定是否进行放电处理的判定电位Vj。

在Vtd为例如－0.6V、Vt45为例如0.7V的情况下，判定电位Vj成为1.3V(=0.7V+{－(－0.6V)})。降压电位pos成为作为判定电位Vj的1.3V以上时，NMOS45导通。判定电位Vj也被认为是DMOS42的阈值Vtd的绝对值与NMOS45的阈值Vt45之和。

当NMOS45导通时，作为节点n2的电位的输出电位out成为低电平。低电平的输出电位out被供给到放电部30，放电部30将来自太阳电池2的充电电流向接地电位放电。并且，在NMOS45为截止状态时，输出电位out是高电平，放电部30不进行放电。

利用所述动作，在降压电位pos成为作为判定电位Vj的1.3V以上时，进行放电处理，所以，能够防止二次电池3被过充电。

在将低电平的选择信号输入到选择信号输入端子49的情况下，NMOS48导通，NMOS46截止。由此，NMOS45以及NMOS47中的NMOS47被选择，将作为节点n1的电位的－Vtd(例如，0.6V)供给到NMOS47的源极。

因此，在从降压部20向NMOS47的栅极供给的降压电位pos成为作为节点n1的电位的－Vtd与NMOS47的阈值Vt47之和以上的情况下，NMOS47导通。由该和所得到的电位为用于判定是否进行放电处理的判定电位Vj。

在Vtd为例如－0.6V、Vt47为例如1.0V的情况下，判定电位Vj成为1.6V(=1.0V+{－(－0.6V)})。降压电位pos成为作为判定电位Vj的1.6V以上时，NMOS47导通。

当NMOS47导通时，作为节点n2的电位的输出电位out成为低电平。低电平的输出电位out被供给到放电部30，放电部30将来自太阳电池2的充电电流向接地电位放电。

利用所述动作，当降压电位pos成为作为判定电位Vj的1.6V以上时，进行放电处理，所以，能够防止二次电池3被过充电。

这样，对选择信号输入端子49输入高以及低的任意一方的电平的信号，由此，能够选择用于判定是否进行放电处理的判定电位Vj。在上述的例子的情况下，能够选择1.3V和1.6V的任意一个作为判定电位Vj。

如上述那样，根据本实施例的充电装置1，选择阈值电压彼此不同的两个NMOS晶体管中的一个，由此，能够从两个电位之中选择用于判定是否进行放电处理的判定电位Vj，所以，能够进行与电池电压彼此不同的两种二次电池对应的过充电防止处理。通过做成所述结构，由此，在不需要使降压部的降压值比以往增加的情况下，也能够抑制电路面积的增加。

图2是示出在印刷基板200上搭载有包括充电装置1的半导体芯片100、太阳电池2以及二次电池3的***结构的框图。

充电装置1能够构成为LSI等的半导体芯片100的一部分。半导体芯片100、太阳电池2以及二次电池3搭载在例如印刷基板200上。在半导体芯片100内设置有控制部110，该控制部110对二次电池3的类别进行判别并且将与该类别对应的选择信号S1向充电装置1通知。在充电装置1中，根据选择信号S1的信号电平来选择判定电位Vj。也可以以从半导体芯片100的外部进行供给的方式对选择信号输入端子49(图1)输入选择信号S1。

<第一实施例的变形例>

图3是示出本实施例的充电装置1的结构的框图。以下，主要对与第一实施例不同的部分进行说明。本实施例的充电装置1防止对较大容量的二次电池3(第一供给目的地)与较小容量的二次电池4(第二供给目的地)的过充电，并且，在二次电池3与二次电池4之间切换充电电流的供给目的地并进行充电。充电装置1包括切换部79。以下，对切换部79的结构进行说明。

VDD电位检测部80的输入与VDD连接，其输出与反相器82、二输入或门（2OR）84连接并且与比较部40的lo输入连接。VDD2电位检测部81的输入与VDD2连接，其输出与二输入或门83、二输入或门84连接。反相器82的输出与二输入或门83的输入连接。

PMOS70的漏极经由逆流防止部10与太阳电池2连接，栅极与反相器60的输出连接，源极与二次电池4连接。二输入或门83的输出经由反相器60被输入到PMOS70的栅极。

PMOS71的源极经由逆流防止部10与太阳电池2连接，栅极与由PMOS73以及NMOS74构成的反相器75的输出连接，漏极与PMOS72的漏极连接。PMOS72的漏极与PMOS71的漏极连接，栅极与由PMOS76以及NMOS77构成的反相器78的输出连接，源极与二次电池3连接。这样，PMOS71、PMOS72串联连接。二输入或门84的输出分别被输入到反相器75以及反相器78。

并且，关于PMOS71至72构成的结构，也能够以一个PMOS构成，但是，做成上述那样的结构，由此，即使在二次电池4的充电电压VDD比二次电池3的充电电压VDD2小的情况下，也起到不从VDD2向VDD流过电流这样的效果。在二次电池3的充电电压VDD2比预定的值低的情况下，VDD2电位检测部81的输出成为低电平，PMOS70、PMOS71以及PMOS72由VDD电位检测部80的输出进行控制。在该状态下，在二次电池4的充电电压VDD比预定的值低的情况下，VDD电位检测部80的输出成为低电平，PMOS70导通，PMOS71以及PMOS72截止。在二次电池4的充电电压VDD比预定的值高的情况下，VDD电位检测部80的输出成为高电平，PMOS70截止，PMOS71以及PMOS72导通。即，根据VDD电位检测部80的输出电平，二次电池3以及二次电池4的任意一方选择性地被充电。在二次电池3的充电电压VDD2比预定的值高的情况下，VDD2电位检测部81的输出成为高电平，不依赖VDD电位检测部80的输出，PMOS70、PMOS71以及PMOS72全部导通，二次电池3以及二次电池4同时被充电。

图4是示出充电装置1的二次电池4的充电电压VDD以及二次电池3的充电电压VDD2电压、VDD电位检测部80以及VDD2电位检测部81的输出、反相器82的输出、二输入或门83以及84的输出的时序图。以下，参照图4对充电装置1的动作进行说明。

此处，对使DMOS42的阈值电压为Vtd、使NMOS45的阈值电压为Vt45、使NMOS47的阈值电压为Vt47、并且Vt47比Vt45大的情况的例子进行说明。另外，二次电池4与二次电池3相比是容量较小但耐压较高的二次电池。

在作为充电开始时刻的时刻T0，二次电池3以及二次电池4没有充分地被充电，VDD电位检测部80以及VDD2电位检测部81的输出都是低电平。反相器82的输出成为高电平，二输入或门83的输出也成为高电平，PMOS70导通、二输入或门84的输出成为低电平，PMOS71以及PMOS72截止，所以，二次电池4被充电。二次电池4的充电电压在图4中被示出为VDD。NMOS48也导通，但是，降压电位pos比判定电位Vj小。所以，NMOS47成为截止状态，所以，来自比较部40的输出电位out是高电平，放电部30不进行放电。

当VDD电位检测部80的输出是低电平时，NMOS48导通，NMOS46截止。即，阈值电压较高的NMOS47侧被选择，所以，判定电位Vj被设定得较高。该情况下的判定电位Vj是例如1.6V(=1.0V+{－(－0.6V)})。

二次电池4被慢慢地充电，当在时刻T1该电压值VDD到达VH时，VDD电位检测部80的输出成为高电平，反相器82的输出成为低电平，二输入或门83的输出也成为低电平，PMOS70截止，二输入或门84的输出成为高电平，PMOS71以及PMOS72导通，所以，二次电池3被充电。二次电池3的充电电压在图4中示出为VDD2。NMOS46也导通，但是，降压电位pos比判定电位Vj小。所以，NMOS45成为截止状态，所以，来自比较部40的输出电位out是高电平，放电部30不进行放电。在VDD电位检测部80的输出是高电平时，NMOS46导通，NMOS48截止。即，阈值电压较低的NMOS45侧被选择，所以，判定电位Vj被设定得较低。该情况下的判定电位Vj是例如1.3V(=0.7V+{－(－0.6V)})。二次电池3被慢慢地充电，在此期间，二次电池4中被充电的电荷由于以VDD为电源的***的功耗而慢慢地被放电，在时刻T2，该电压值VDD到达VL时，VDD电位检测部80的输出成为低电平，反相器82的输出成为高电平，二输入或门83的输出也成为高电平，PMOS70导通，二输入或门84的输出成为低电平，PMOS71以及PMOS72截止，所以，二次电池4被充电。NMOS48也导通，但是，降压电位pos比判定电位Vj小。所以，NMOS47成为截止状态，所以，来自比较部40的输出电位out是高电平，放电部30不进行放电。

T2时刻以后也重复与上述同样的动作。利用所述动作，较小容量的二次电池4重复进行充放电，较大容量的二次电池3被慢慢地充电。

当二次电池3的电压到达VDD2电位检测部81的阈值VF时，VDD2电位检测部81的输出成为高电平，不依赖VDD电位检测部80的输出，二输入或门83以及二输入或门84的输出成为高电平。PMOS70和PMOS71以及PMOS72都导通，二次电池3与二次电池4同时被充电。

二次电池3与二次电池4同时被继续充电，当二次电池4的电压值VDD到达VH时，VDD电位检测部80的输出成为高电平，NMOS46导通。进而，二次电池3与二次电池4的充电继续进行，当二次电池4的电压值VDD到达VC1时，来自降压部20的降压电位pos变得比判定电位Vj大，来自比较部40的输出电位out成为低电平，放电部30进行放电，二次电池4的电压值VDD稳定为VC1的电位。根据二次电池4的充电电压VDD的电位电平，在二次电池3与二次电池4之间彼此切换充电目的地，与此连动地也切换判定电位Vj的值。此处，如果以降压部20的降压电位pos＋比较部40的NMOS47被选择的情况下的判定电位Vj之和比VDD电位检测部80的高侧阈值VH高的方式对NMOS47的阈值Vt47进行设定，则能够使二次电池4的充电电压VDD在VH与VL(图4)之间增减，并且在不利用放电部30使充电电流进行放电的情况下，能够慢慢地将二次电池3充电。这样，对于本实施例的充电装置1来说，防止过充电，并且，在两个二次电池3以及4之间切换充电目的地并进行充电。较小容量的二次电池4从充电开始起在短时间内被充电，所以，能够用作使***早期启动的电源。但是，在将二次电池4用作***的初始动作用的电源的情况下，该电压VDD降低，所以，在将二次电池4用作电源的期间内，对较大容量的二次电池3进行充电。这样，能够将较小容量的二次电池4用作***的初始动作用的电源，并且将较大容量的二次电池3慢慢地充电，在二次电池3被充分地充电后，能够将二次电池3用作***的正常动作时的电源。根据充电装置1的所述结构，能够实现***的早期动作和正常动作时的稳定动作。

<第二实施例>

图5是将本实施例的充电装置1的结构与太阳电池2以及二次电池3一起示出的框图。以下，主要对与第一实施例不同的部分进行说明。本实施例的充电装置1不包括图1所示的选择信号输入端子49以及反相器50，在比较部40内包括NMOS51以及52、选择信号输入端子53至55。

NMOS46的栅极与选择信号输入端子53连接。NMOS48的栅极与选择信号输入端子54连接。关于NMOS45至48的其他连接与第一实施例相同。

NMOS51的源极与NMOS52的漏极连接，栅极与降压部20的输出(电阻22的一端)连接，漏极在节点n2与PMOS44的漏极连接。NMOS52的源极在节点n1与恒流源41连接，栅极与选择信号输入端子55连接，漏极与NMOS51的源极连接。这样，PMOS44、NMOS51、NMOS52串联连接。以下，将PMOS44、NMOS51、NMOS52串联连接而成的电流路径称为第三判定电流支路。第三判定电流支路包括NMOS51的源极-漏极路径。

以下，对充电装置1的动作进行说明。此处，对使DMOS42的阈值电压为Vtd、使NMOS45的阈值电压为Vt45、使NMOS47的阈值电压为Vt47、使NMOS51的阈值电压为Vt51、并且Vt51比Vt47大、Vt47比Vt45大的情况下的例子进行说明。

在仅对选择信号输入端子53至55之中的53输入了高电平的选择信号的情况下，NMOS46导通，NMOS48以及52截止。由此，NMOS45、47以及51之中的NMOS45被选择，作为节点n1的电位的－Vtd(例如0.6V)被供给到NMOS45的源极。

因此，在从降压部20向NMOS45的栅极供给的降压电位pos成为由作为节点n1的电位的－Vtd与NMOS45的阈值Vt45之和得到的判定电位Vj以上的情况下，NMOS45导通。

在Vtd为例如－0.6V、Vt45为例如0.7V的情况下，判定电位Vj成为1.3V(=0.7V+{－(－0.6V)})。在降压电位pos成为作为判定电位Vj的1.3V以上时，NMOS45导通。

当NMOS45导通时，作为节点n2的电位的输出电位out成为低电平。低电平的输出电位out供给到放电部30，放电部30将来自太阳电池2的充电电流向接地电位放电。

利用所述动作，当降压电位pos成为作为判定电位Vj的1.3V以上时，进行放电处理，所以，能够防止二次电池3被过充电。

在仅对选择信号输入端子53至55之中的54输入了高电平的选择信号的情况下，NMOS48导通，NMOS46以及52截止。由此，NMOS45、47以及51之中的NMOS47被选择，将作为节点n1的电位的－Vtd(例如0.6V)供给到NMOS47的源极。

因此，在从降压部20向NMOS47的栅极供给的降压电位pos成为由作为节点n1的电位的－Vtd与NMOS47的阈值Vt47之和得到的判定电位Vj以上的情况下，NMOS47导通。

在Vtd为例如－0.6V、Vt45为例如1.0V的情况下，判定电位Vj成为1.6V(=1.0V+{－(－0.6V)})。在降压电位pos成为作为判定电位Vj的1.6V以上时，NMOS47导通。

在仅对选择信号输入端子53至55之中的55输入了高电平的选择信号的情况下，NMOS52导通，NMOS46以及48截止。由此，NMOS45、47以及51之中的NMOS51被选择，将作为节点n1的电位的－Vtd(例如0.6V)供给到NMOS51的源极。

因此，在从降压部20向NMOS51的栅极供给的降压电位pos成为由作为节点n1的电位的－Vtd与NMOS51的阈值Vt51之和得到的判定电位Vj以上的情况下，NMOS51导通。

在Vtd为例如－0.6V、Vt51为例如1.5V的情况下，判定电位Vj成为2.1V(=1.5V+{－(－0.6V)})。当降压电位pos成为作为判定电位Vj的2.1V以上时，NMOS51导通。

当NMOS51导通时，作为节点n2的电位的输出电位out成为低电平。低电平的输出电位out被供给到放电部30，放电部30将来自太阳电池2的充电电流向接地电位放电。

利用所述动作，当降压电位pos成为作为判定电位Vj的2.1V以上时，进行放电处理，所以，能够防止二次电池3被过充电。

如上述那样，根据本实施例的充电装置1，通过向选择信号输入端子53至55输入选择信号，能够选择三个判定电位Vj之中的一个进行设定。由此，也能够与电池电压彼此不同的3种二次电池对应。

在第一实施例、其变形例以及第二实施例中，在比较部40中使用了PMOS43以及44，但是，代替这些也可以使用电阻。另外，代替这些也可以使用恒流源。

在第一实施例、其变形例以及第二实施例中，将比较部40中的PMOS43的栅极与其漏极连接，将PMOS44的栅极与其漏极连接，但是，也可以将PMOS44的栅极与PMOS43的漏极连接。

在第一实施例、其变形例以及第二实施例中，对PMOS43以及44的各自的源极输入太阳电池2的输出电位VSC，但是，也可以将这些源极与未图示的其他电源连接。

在第一实施例、其变形例以及第二实施例中，使充电的对象为二次电池，但是，充电的对象也可以是电容器。

在第一实施例、其变形例以及第二实施例中，使电压供给源为太阳电池，但是，电压供给源也可以是太阳电池以外的电源。

在第二实施例中是使用阈值电压彼此不同的三个NMOS并选择三个判定电位之中的一个来进行设定的结构，但是，也可以是使用阈值电压彼此不同的四个以上的NMOS并选择四个以上的判定电位之中的一个来进行设定的结构。

Claims

1.一种充电装置，将所输入的充电电流经由逆流防止部向二次电池供给，其特征在于，包括：

比较检测部，根据与二次电池的能够充电的电压对应地决定的选择信号，选择至少两个判定电位之中的一个，对该选择的判定电位和基于所述逆流防止部的下游的电位的比较电位进行比较，对满充电状态进行检测；

切断部，在所述比较检测部检测到满充电状态时，切断向所述逆流防止部的所述充电电流的供给。

2.如权利要求1所述的充电装置，其特征在于，

所述比较检测部包括：经由共同的恒流源连接在所述逆流防止部的上游的电位和基准电位之间的基准电流支路以及至少两个判定电流支路；选择所述判定电流支路之一的选择部，

所述基准电流支路包括具有与所述基准电位连接的栅极的第一场效应晶体管的源极-漏极路径，

各个所述判定电流支路包括具有与所述比较电位连接的栅极的第二场效应晶体管的源极-漏极路径、以及与其串联连接并且在被所述选择部选择时导通的开关，

所述第二场效应晶体管的各自的源极-漏极间导通开始栅极电压彼此不同。

3.如权利要求2所述的充电装置，其特征在于，

所述第一场效应晶体管是耗尽型场效应晶体管，

所述第二场效应晶体管是增强型场效应晶体管。

4.如权利要求1所述的充电装置，其特征在于，

所述基准电位是接地电位。

5.如权利要求1所述的充电装置，其特征在于，

包括降压部，该降压部将所述逆流防止部的下游的电位降压预定电压并且将其作为所述比较电位。

6.如权利要求1所述的充电装置，其特征在于，

所述切断部使所述充电电流进行放电，由此，切断所述充电电流的向所述逆流防止部的供给。

7.如权利要求1所述的充电装置，其特征在于，

所述逆流防止部的下游被分为第一供给目的地和第二供给目的地，

所述充电装置还包括根据所述比较检测部的检测结果将所述充电电流的供给目的地在所述第一供给目的地和所述第二供给目的地之间彼此进行切换的切换部。

8.如权利要求7所述的充电装置，其特征在于，

所述比较检测部将所述检测结果作为所述选择信号。