CN102351186A - 一种表面具有金属镀层的硅料回收方法 - Google Patents

一种表面具有金属镀层的硅料回收方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102351186A
CN102351186A CN2011102026144A CN201110202614A CN102351186A CN 102351186 A CN102351186 A CN 102351186A CN 2011102026144 A CN2011102026144 A CN 2011102026144A CN 201110202614 A CN201110202614 A CN 201110202614A CN 102351186 A CN102351186 A CN 102351186A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon material
metal plating
acid
recovery method
metal coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011102026144A
Other languages
English (en)
Inventor
金利民
郜勇军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZHEJIANG XI-SHENG ELECTRONIC Co Ltd
Original Assignee
ZHEJIANG XI-SHENG ELECTRONIC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZHEJIANG XI-SHENG ELECTRONIC Co Ltd filed Critical ZHEJIANG XI-SHENG ELECTRONIC Co Ltd
Priority to CN2011102026144A priority Critical patent/CN102351186A/zh
Publication of CN102351186A publication Critical patent/CN102351186A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及一种表面具有金属镀层的硅料回收方法,该方法是将带有金属镀层的硅料经过下列处理步骤:A:采用纯氢氟酸浸泡一定时间,直到表层的金属镀层发生脱落现象后停止;B:采用王水煮泡一定时间;C:采用普通的硅材料清洗工艺清洗;D:采用离子水超洗。采用本发明,可以有效地将硅料表面具有的金属镀层去除,达到重新回收利用的目的。

Description

一种表面具有金属镀层的硅料回收方法
技术领域
本发明涉及一种表面具有金属镀层的硅料回收方法。
背景技术
目前,对于用重掺测试仪测试,有响声,表现为重掺的一种表面具有金属镀层的废硅料,通常情况下当废料处理,没有进行回收利用。
发明内容
本发明的目的是提供能去除表面金属,回收硅料的一种表面具有金属镀层的硅料回收方法。
本发明采取的技术方案是:一种表面具有金属镀层的硅料回收方法,其特征在于将带有金属镀层的硅料经过下列处理步骤:
A:采用纯氢氟酸浸泡一定时间,直到表层的金属镀层发生脱落现象后停止;
B:采用王水煮泡一定时间;
C:采用普通的硅材料清洗工艺清洗;
D:采用离子水超洗。
所述的纯氢氟酸为工业级,体积浓度比为55~56%。
所述的采用纯氢氟酸浸泡时间在5~10天。
所述的王水为工业级硝酸和盐酸按体积1∶3配比制成,配比前硝酸的体积浓度比为62~63%,配比前盐酸的体积浓度比为36~38%。
所述的采用王水煮泡一定时间,是指将硅料放入王水至浸没,加热至100~120℃,保持时间在1小时以上。
采用本发明,可以有效地将硅料表面具有的金属镀层去除,达到重新回收利用的目的。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。
本发明将带有金属镀层的硅料经过下列处理步骤:
一、采用体积浓度比为55~56%,工业级的纯氢氟酸浸泡5~10天,直到表层的金属镀层发生脱落现象后停止。
二、制作王水,以工业级硝酸和盐酸按体积1∶3配比制成,配比前硝酸的体积浓度比为62~63%,配比前盐酸的体积浓度比为36~38%。
三、将硅料放入王水至浸没,并加热至100~120℃,保持时间在1小时以上,然后取出。
四、采用普通的硅材料清洗工艺清洗,即经过离子水清洗→离子水超声→烘干。
五、采用离子水超洗。
通过上述步骤,可以有效地将硅料表面具有的金属镀层去除,达到重新回收利用的目的。

Claims (5)

1.一种表面具有金属镀层的硅料回收方法,其特征在于将带有金属镀层的硅料经过下列处理步骤:
A:采用纯氢氟酸浸泡一定时间,直到表层的金属镀层发生脱落现象后停止;
B:采用王水煮泡一定时间;
C:采用普通的硅材料清洗工艺清洗;
D:采用离子水超洗。
2.根据权利要求1所述的一种表面具有金属镀层的硅料回收方法,其特征在于纯氢氟酸为工业级,体积浓度比为55~56%。
3.根据权利要求1所述的一种表面具有金属镀层的硅料回收方法,其特征在于采用纯氢氟酸浸泡时间在5~10天。
4.根据权利要求1所述的一种表面具有金属镀层的硅料回收方法,其特征在于王水为工业级硝酸和盐酸按体积1∶3配比制成,配比前硝酸的体积浓度比为62~63%,配比前盐酸的体积浓度比为36~38%。
5.根据权利要求1所述的一种表面具有金属镀层的硅料回收方法,其特征在于采用王水煮泡一定时间,是指将硅料放入王水至浸没,加热至100~120℃,保持时间在1小时以上。
CN2011102026144A 2011-07-15 2011-07-15 一种表面具有金属镀层的硅料回收方法 Pending CN102351186A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011102026144A CN102351186A (zh) 2011-07-15 2011-07-15 一种表面具有金属镀层的硅料回收方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011102026144A CN102351186A (zh) 2011-07-15 2011-07-15 一种表面具有金属镀层的硅料回收方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102351186A true CN102351186A (zh) 2012-02-15

Family

ID=45574871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011102026144A Pending CN102351186A (zh) 2011-07-15 2011-07-15 一种表面具有金属镀层的硅料回收方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102351186A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102989723A (zh) * 2012-10-24 2013-03-27 嘉兴嘉晶电子有限公司 同时含有高低阻的硅料清洗方法
CN103373732A (zh) * 2012-04-16 2013-10-30 浙江晟辉科技有限公司 一种硅料去金属杂质装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1851016A (zh) * 2006-05-30 2006-10-25 姜益群 硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法
CN101054722A (zh) * 2007-05-29 2007-10-17 晶湛(南昌)科技有限公司 一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法
CN101054178A (zh) * 2007-06-04 2007-10-17 厦门大学 多晶硅的除硼方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1851016A (zh) * 2006-05-30 2006-10-25 姜益群 硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法
CN101054722A (zh) * 2007-05-29 2007-10-17 晶湛(南昌)科技有限公司 一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法
CN101054178A (zh) * 2007-06-04 2007-10-17 厦门大学 多晶硅的除硼方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103373732A (zh) * 2012-04-16 2013-10-30 浙江晟辉科技有限公司 一种硅料去金属杂质装置
CN102989723A (zh) * 2012-10-24 2013-03-27 嘉兴嘉晶电子有限公司 同时含有高低阻的硅料清洗方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101817006A (zh) 一种太阳能硅片的表面清洗方法
CN107039241B (zh) 一种超薄硅的化学切割方法
CN103111434A (zh) 一种蓝宝石加工最终清洗工艺
CN103887369B (zh) 一种硅片镀膜色差片的返工方法
CN107775521A (zh) 一种太阳能级单晶硅片表面处理方法
JP2011071494A5 (ja) 半導体基板の再生方法
CN102351186A (zh) 一种表面具有金属镀层的硅料回收方法
CN101694013A (zh) 增加太阳能锗衬底片强度的腐蚀方法
CN101498055A (zh) 一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法
CN102698989A (zh) 硅片预清洗方法
CN103681239B (zh) 一种清洗单晶硅片表面的方法
CN104051578B (zh) 一种太阳电池用多晶硅片的气相刻蚀制绒方法
CN103633202A (zh) 蓝宝石基板的再生方法
CN102806217A (zh) 用有机溶剂进行硅片清洗的方法
CN104445206A (zh) 一种硅块表面氮化硅的清洗方法
CN102744230A (zh) 一种粘污太阳能硅片的清洗方法
CN104028503B (zh) 硅原材料的清洗方法
CN103042009B (zh) 一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法
CN103382578A (zh) 单晶硅片表面的处理方法
CN104451871A (zh) 一种提升多晶硅料品质的方法
CN102225563B (zh) 木片洁净化处理的方法
CN103230894A (zh) 锗酸铋晶片的清洗工艺
CN106252201A (zh) 一种硅片的水清洗方法和***
CN103701423A (zh) 石英晶体频率片清洗工艺
CN109183077A (zh) 一种电解精炼钛阴极种板的处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120215