CN102806217A - 用有机溶剂进行硅片清洗的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用有机溶剂进行硅片清洗的方法，涉及硅片清洗技术，依次进行以下步骤：a硅片从砂浆液中取出后，立即放入50－100摄氏度的热水中超声清洗，清洗10－30分钟；b之后，硅片放入有机清洗液YB中，在温度为30－75摄氏度时进行超声清洗，清洗30分钟以上；其中：所述有机清洗液YB为有机溶物乙醇与丙酮为溶质的水溶液；所述超声波的频率28－40kHz，功率为2500－3000W。本发明的有益效果是：此方法可以轻松的把硅片表面的脏污清洗干净，并且保留了硅片原有的机械损伤层。经检测，使硅片在后段酸制绒过程中反射率多降低2%左右。不仅清洗效率提高，而且不会引入杂质离子，减少了清洗成本与污染。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能级硅片的制造技术领域，特别涉及硅片清洗技术。
背景技术
太阳能级硅片由于制成后下段为太阳能电池制绒段，在酸制绒过程中主要依靠硅片的晶体缺陷和硅片表面损伤层，所以在硅片清洗时既要将硅片表面脏污清洗干净，并且不能破坏硅片表面损伤层。
目前硅片的清洗方法为：酸洗或者碱洗与硅片反应的硅片清洗方法。无论是酸性溶液还是碱性溶液都一定会破坏硅片制造过程中留下的机械损伤层，但在后段的酸制绒过程中，酸液主要依靠硅片的晶体缺陷和机械损伤层来进行制绒，所以呈酸性或者碱性的无机清洗液无法保证制绒效果。
而使用有机清洗剂，就可克服以上存在的缺陷。
发明内容
本发明的目的是提供一种用有机溶剂进行硅片清洗的方法，此方法可以轻松的把硅片表面的脏污清洗干净，并且保留了硅片原有的机械损伤层，使硅片在后段酸制绒过程中反射率多降低2%左右。不仅清洗效率提高，而且不会引入杂质离子，减少了清洗成本与污染。
为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：
用有机溶剂进行硅片清洗的方法，其特征在于依次进行以下步骤：a硅片从砂浆液中取出后，立即放入50－100摄氏度的热纯水中超声清洗，清洗10－30分钟；b之后，硅片放入有机清洗液YB中，在温度为30－75摄氏度时进行超声清洗，清洗30分钟以上；其中：所述有机清洗液YB为有机溶物乙醇与丙酮为溶质的水溶液；在溶液混合时，乙醇的浓度为95%以上，乙醇在溶液体积中所占比例为44%－75%，丙酮的浓度为99%以上，丙酮在溶液体积中所占比例为10%以上，其余为纯水；所述超声波的频率28－40kHz，功率为1000－3000W。
进一步：
所述超声波的频率是40kHz；功率是2500-3000W。
本发明的有益效果是：由于，第一步主要清洗了硅片表面所残留的金属屑和砂浆，第二步主要清洗了硅片表面的油污和有机溶剂，从而此方法可以轻松的把硅片表面的脏污清洗干净，并且保留了硅片原有的机械损伤层。经检测，使硅片在后段酸制绒过程中反射率多降低2%左右。不仅清洗效率提高，而且不会引入杂质离子，减少了清洗成本与污染。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，并使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例对本发明作进一步详细的说明。
实施例：
首先硅片在切片后应该立即放入50至100摄氏度的热水中进行超声清洗，清洗好的硅片应该立即放入到温度在45到75摄氏度的YB清洗液中超声清洗。YB清洗液应在常温下配制，配制所需溶剂为乙醇和丙酮，乙醇在溶液体积中所占比例为45%至75%，丙酮在溶液体积中所占比例为10%以上。
YB超声清洗的时间根据硅片情况而定。在硅片从砂浆液中取出来后暴露空气中的时间超过半小时以上，而且表面脏污比较多的情况下，时间为45分钟以上；在硅片从砂浆液中取出后立即清洗，且表面脏污较少情况下，时间为30分钟以上。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.用有机溶剂进行硅片清洗的方法，其特征在于依次进行以下步骤：a硅片从砂浆液中取出后，立即放入50－100摄氏度的热纯水中超声清洗，清洗10－30分钟；b之后，硅片放入有机清洗液YB中，在温度为30－75摄氏度时进行超声清洗，清洗30分钟以上；其中：所述有机清洗液YB为有机溶物乙醇与丙酮为溶质的水溶液；在溶液混合时，乙醇的浓度为95%以上，乙醇在溶液体积中所占比例为44%－75%，丙酮的浓度为99%以上，丙酮在溶液体积中所占比例为10%以上，其余为纯水；所述超声波的频率28－40kHz，功率为1000－3000W。
2.根据权利要求1所述的用有机溶剂进行硅片清洗的方法，其特征在于：所述的超声波的频率是40kHz；功率是2500-3000W。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2012102984487A CN102806217A (zh) | 2012-08-21 | 2012-08-21 | 用有机溶剂进行硅片清洗的方法 |
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| CN2012102984487A CN102806217A (zh) | 2012-08-21 | 2012-08-21 | 用有机溶剂进行硅片清洗的方法 |
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| CN2012102984487A Pending CN102806217A (zh) | 2012-08-21 | 2012-08-21 | 用有机溶剂进行硅片清洗的方法 |
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