CN101498055A - 一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法，该方法是将太阳能级单晶硅棒置于氢氟酸配比浓度较低的酸液中浸泡，除去损伤层，消除棒的应力后，再用抛光设备对太阳能级单晶硅棒表面进行机械打磨抛光。采用本发明，由于对酸的浓度及纯度要求不高，因此可以使用一些废酸液生产，提高了利用率，降低了成本；同时，腐蚀时间不需要精确把握，不会出现蚀坑现象，提高了成品率。

Description

一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法
所属技术领域
本发明涉及一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法。
背景技术
目前，我们在对太阳能级单晶硅棒进行抛光时，通常采用酸液腐蚀方法，即将太阳能级单晶硅棒置于浓度在99％以上的酸液中浸泡，这种方法不仅对酸的浓度要求高，使用几次后就作为废酸处理，废酸处理难度大，环保性差，且成本高，而且在浸泡过程中需要经常翻动，并需精确掌握腐蚀时间，否则腐蚀过度，易出现蚀坑现象，产品质量的一致性差。
发明内容
本发明的目的是提供提高酸液利用率，且产品质量一致性及成品率高的一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法。
本发明采取的技术方案是：一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法，其特征在于将太阳能级单晶硅棒置于氢氟酸配比浓度较低的酸液中浸泡，除去损伤层，消除棒的应力后，再用抛光设备对太阳能级单晶硅棒表面进行机械打磨抛光。
所述的氢氟酸配比浓度较低的酸液为氢氟酸和硝酸比为1：5～8的酸液。
采用本发明，由于对酸的腐蚀性要求不高，因此可以使用一些废酸液生产，提高了利用率，降低了成本；同时，腐蚀时间不需要精确把握，不会出现蚀坑现象，提高了成品率。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。
1、将太阳能级单晶硅棒置于氢氟酸和硝酸比为1：8的酸液，即氢氟酸配比浓度较低的酸液中浸泡5～20分钟后，除去损伤层，消除棒的应力。
2、用轴向抛光机对太阳能级单晶硅棒表面进行机械打磨抛光，直致抛光成镜面为止。

Claims (2)

1、一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法，其特征在于将太阳能级单晶硅棒置于氢氟酸配比浓度较低的酸液中浸泡，除去损伤层，消除棒的应力后，再用抛光设备对太阳能级单晶硅棒表面进行机械打磨抛光。
2、根据权利要求1所述的一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法，其特征在于氢氟酸配比浓度较低的酸液为氢氟酸和硝酸比为1：5～8的酸液。
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