CN102318091A - Led引线框封装、使用led引线框封装的led封装及制造led封装的方法 - Google Patents

Led引线框封装、使用led引线框封装的led封装及制造led封装的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102318091A
CN102318091A CN2010800077963A CN201080007796A CN102318091A CN 102318091 A CN102318091 A CN 102318091A CN 2010800077963 A CN2010800077963 A CN 2010800077963A CN 201080007796 A CN201080007796 A CN 201080007796A CN 102318091 A CN102318091 A CN 102318091A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sealant
led
fluorescence coating
heat dissipation
dissipation base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010800077963A
Other languages
English (en)
Inventor
T·T·阮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nepes Led Corp
Original Assignee
Nepes Led Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/381,409 external-priority patent/US8039862B2/en
Priority claimed from US12/381,408 external-priority patent/US8058667B2/en
Application filed by Nepes Led Corp filed Critical Nepes Led Corp
Publication of CN102318091A publication Critical patent/CN102318091A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种LED引线框封装、使用该LED引线框封装的LED封装，及制造该LED封装的方法。在LED封装的制造过程中，在至少两个环形突起和至少一个环形凹槽上设置液体透明树脂材料，所述环形突起具有尖锐的上边缘和倾斜侧壁，所述环形凹槽形成于所述至少两个环形突起中的两个突起之间，因此，可在一个工序中利用表面张力，很容易地形成具有凸状弯曲的密封层。

Description

LED引线框封装、使用LED引线框封装的LED封装及制造LED封装的方法
技术领域
本发明涉及发光二极管(LED)引线框封装、使用该LED引线框封装的LED封装，以及制造该LED封装的方法，更特别地，涉及一种可以降低的制造成本容易地制造的LED引线框封装、使用该LED引线框封装的LED封装以及制造该LED封装的方法。
背景技术
发光二极管(LED)是一种半导体照明装置，与常规照明装置相比，具有多种优点。例如，LED具有较长的使用寿命、体积小巧、功率消耗少以及无汞污染。因此，LED代替了常规照明装置而被频繁用作新型照明装置。
为了提高LED封装的光输出，通常在LED封装的外部光学层上引入凸透镜结构。在常规LED封装中，所述凸透镜结构为预先制造，然后安装在常规LED封装上。由于额外制造所述凸透镜结构以及其组装工序，为此需要额外的制造工序以及组装装置。另外，将事先制造的凸透镜结构安装在常规LED封装上时，在凸透镜结构与已经在LED封装上形成的密封层之间可能会形成不希望有的空气层。另外，根据常规技术，当在LED管芯上形成密封层以保护LED管芯时，难以在密封层的外表面形成凸状弯曲。因此，根据常规技术的制造LED封装的方法的制造产率相对较低，生产成本较高。
为了提供发出白光的白光LED，一般在蓝光LED管芯或紫外光(UV)LED管芯上直接涂敷荧光层。例如，使用蓝光LED管芯时，荧光材料中产生的具有各种波长的光可以互相混合，或具有各种波长的光可与蓝光LED管芯发出的蓝色激发光混合，从而发出白光。但是，在LED管芯上直接涂敷荧光层时，由于LED管芯和荧光层之间彼此非常靠近，荧光材料发出的光进入LED管芯，并被LED管芯吸收。
因此，建议在LED管芯与荧光层之间设置透明隔离物(spacer)，以使荧光层发出的光入射到LED管芯上或LED管芯附近的衬底上，从而降低光吸收的几率。图1说明了美国专利号5,959,316公开的上述技术的一个示例。参考图1，LED管芯60安装在衬底62上，荧光层66通过覆盖LED管芯60的隔离物64与LED管芯60隔开。另外，在荧光层66外形成保护层68。但是，在该结构中，荧光层66发出的光也可能入射到LED管芯60上和衬底62上，因此几乎无法不受干扰而被吸收。
发明内容
技术问题
本发明提供一种发光二极管(LED)引线框封装和使用该LED引线框封装的LED封装，能够以降低的制造成本很容易地被制造。
问题的解决方案
本发明还提供一种LED封装，其中，荧光材料发出的光入射到LED管芯上并被吸收，从而降低了光吸收损失。
本发明还提供一种制造LED封装的方法，能够以降低的制造成本很容易地制造LED封装。
根据本发明的一个方面，本发明提供一种引线框封装，包括：
散热底座；
围绕所述散热底座布置的多个电极；
围绕所述散热底座和多个电极，以固定所述散热底座和多个电极的绝缘支撑部分；
沿所述绝缘支撑部分的上表面的圆周轮廓形成的至少两个环形突起；以及
在所述至少两个环形突起之间形成的至少一个环形凹槽。
根据本发明的一个方面，提供了包括上述引线框封装的发光二极管(LED)封装。
例如，所述LED封装包括：
贴附在散热底座的底面的至少一个LED管芯；
电连接所述至少一个LED管芯与多个电极的多条电线；以及
覆盖LED管芯并且包含具有凸形外表面的至少一层的密封层结构，
其中，所述密封层结构的至少一层的边缘延伸到所述至少两个环形突起的相应的一个环形突起上。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造LED封装的方法，所述方法包括：
提供引线框封装，所述引线框封装包括：散热底座；围绕所述散热底座布置的多个电极；围绕所述散热底座和多个电极以固定所述散热底座和多个电极的绝缘支撑部分；沿所述绝缘支撑部分的上表面的圆周轮廓形成的至少两个环形突起；以及在所述至少两个环形突起中的两个环形突起之间形成的至少一个环形凹槽，
将至少一个LED管芯贴附在所述散热底座的底面上；将所述LED管芯与多个电极电连接；以及
形成具有凸形外表面以覆盖LED管芯的至少一层，
其中，密封层结构的至少一层的边缘延伸到所述至少两个环形突起的相应的一个环形突起上。
附图说明
本发明的上述及其他特征和优点将通过结合附图详细说明本发明示例性的实施例而变得更加明显，其中：
图1为根据常规技术的白光发光二极管(LED)的一个实例的剖面图；
图2为根据本发明一个实施例的LED引线框封装结构的立体图；
图3为图2所示LED引线框封装的俯视图；
图4为根据本发明一个实施例的图2所示的LED引线框封装的散热底座和多个电极而非绝缘支撑部分的布置的立体图；
图5为图2所示LED引线框封装的结构剖面图；
图6为根据本发明一个实施例的LED封装的结构剖面图；
图7为根据本发明另一个实施例的LED封装的结构剖面图；以及
图8和图9为根据本发明一个实施例的制造LED封装的方法的原理的剖视示意图。
具体实施方式
现在将结合附图更加充分地描述本发明，附图中显示了本发明的示例性实施例。附图中相同的附图标记表示相同的元件，为了方便和清晰描述，放大了元件的尺寸。
图2为根据本发明一个实施例的发光二极管(LED)引线框封装20的结构的立体图。参考图2，LED引线框封装20包括散热底座2、围绕散热底座2布置的四个电极1和围绕散热底座2和多个电极1以固定散热底座2和多个电极1的绝缘支撑部分3。在本实施例中，LED引线框封装20包括四个电极1；但是，本发明并不限于此，LED引线框封装20可包括一个或多个电极1。绝缘支撑部分3可由绝缘塑料材料例如聚邻苯二甲酰胺(PPA)制成。
图3为图2所示LED引线框封装20的俯视图。参考3，LED引线框封装20包括沿径向布置的四个相同的金属电极1。所述四个电极1可分别以90度角围绕散热底座2的中心轴布置，并从散热底座2的中心轴沿径向伸出。图4为散热底座2和四个电极1而非绝缘支撑部分3的布置的示意性立体图。参考图4，所述四个电极1的上表面与散热底座2的最高点处于相同高度。另外，如图2至图4所示，电极1的第一端部可以朝向散热底座2侧面的圆周，电极1的第二端部可以设置为从绝缘支撑部分3的外壁伸出。所述电极1的上表面可涂敷例如高反光材料，比如银或铝。
另外，如图4所示，所述散热底座2可具有空腔形状的反射杯10。反射杯10的底面可涂敷高反光材料，例如银或铝。反射杯10的上表面处于散热底座2的最高点。即，反射杯10的上表面可以在与电极1的上表面相同的高度上形成。
如图4所示，散热底座2和多个电极1由围绕两者的绝缘支撑部分3固定。为此，电极1、散热底座2和绝缘支撑部分3可以通过一个工序，例如注射模塑工序一体成型。
图5为图2所示LED引线框封装20的结构剖面图。参考图5和图2，所述LED引线框封装20可进一步包括沿绝缘支撑部分3的上表面的圆周轮廓形成的至少两个环形突起，即，环形突起11、12、13和14，以及分别在环形突起11、12、13和14中的两个环形突起之间形成的至少一个环形凹槽，即，环形凹槽15、16和17。多个环形突起11、12、13和14和多个环形凹槽15、16和17可以在绝缘支撑部分3的上表面同心形成。如图5所示，可以形成有尖锐边缘和倾斜侧壁的多个环形突起11、12、13和14。
多个环形突起11、12、13和14和多个环形凹槽15、16和17可由与绝缘支撑部分3相同的PPA塑料制成，并可作为绝缘支撑部分3的一部分。例如，可以通过传递模塑工序在绝缘支撑部分3的上表面形成多个环形突起11、12、13和14和多个环形凹槽15、16和17。或者，多个环形突起11、12、13和14和多个环形凹槽15、16和17可以在注射模塑工序期间形成，在该工序中，多个电极1、散热底座2和绝缘支撑部分3一体成型。在图5中，形成四个环形突起和三个环形凹槽，但是环形突起和环形凹槽的数量可根据本发明的实施例进行不同选择。
在LED封装的制造过程中使用具有上述结构的，包括多个环形突起11、12、13和14和多个环形凹槽15、16和17的LED引线框封装20时，可以很容易地形成具有多层结构的密封层。图6为根据本发明一个实施例使用LED引线框封装20的LED封装30的结构剖面图。参考图6，LED封装30包括贴附在散热底座2的底面的LED管芯4、电连接LED管芯4与电极1的多条电线6、在散热底座2的反射杯10上形成的覆盖LED管芯4的密封层7、覆盖密封层7的荧光层8，以及覆盖荧光层8的光学透镜层9。
LED管芯4可以用例如管芯粘合材料5固定在散热底座2的底面，即，散热底座2的反射杯10的底面。所述管芯粘合材料5的实例为银膏和焊料。在本实施例中，LED封装30包括布置在散热底座2的底面的一个LED管芯4；但是，本发明并不限于此，LED封装30可以包括布置在散热底座2的底面的多个LED管芯4。例如，可以在散热底座2的底面布置选自由紫外光LED、蓝光LED、绿光LED和红光LED组成的组中的至少一种。
密封层7、荧光层8和光学透镜层9构成多层密封层结构。为了有效的光输出，密封层7、荧光层8和光学透镜层9可以具有凸形外表面。另外，为了防止荧光层8发出的光入射到LED管芯4上并被LED管芯4吸收，在可见光的波长带中，密封层7的有效折射率可以小于荧光层8的有效折射率。
荧光层8在紫外光、蓝光或绿光激发下发出可见光。为此，荧光层8可由混合物制成，在该混合物中，透明材料，例如，玻璃、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或硅树脂与荧光材料均匀混合。所述荧光材料的实例包括至少一种在紫外光、蓝光或绿光的激发下发出不同波长的可见光的荧光材料。例如，荧光材料可为选自由发出不同波长的可见光例如蓝光、绿光、黄光、橙光或红光的各种荧光材料组成的组中的至少一种。绿色、黄色、橙色和红色荧光材料可以至少部分吸收蓝光或绿光，或完全吸收紫外光，而在绿色、黄色、橙色和红色的波长范围内发出具有峰值波长的光谱。同样，蓝色荧光材料可以通过完全吸收紫外光从而在蓝色范围内发出具有峰值波长的光谱。
通过使用荧光层8，可以提供发出白光的LED封装30。例如，LED管芯4在450nm至480nm的波长范围内发出蓝光时，荧光层8可被蓝光激发，发出具有黄色峰值波长的光。然后，黄光与剩余蓝光混合，从而形成白光。另外，荧光层8可以包括各种荧光材料，该荧光材料在LED管芯4发出的具有激发波长的光的激发下发出各种波长的光。这种情况下，当各种波长的光混合时，发出白光。例如，LED管芯4发出在380nm至450nm范围的近紫外线时，荧光层8可以包括在近紫外线的激发下分别发出具有蓝色、绿色和红色峰值波长的光的蓝色、绿色和红色荧光材料。然后，当蓝光、绿光和红光混合时，形成白光。
根据本发明的当前实施例，密封层7、荧光层8和光学透镜层9的尺寸及其上表面的曲率可以通过多个环形突起11、12、13和14和多个环形凹槽15、16和17很容易地调整。如图6所示，密封层7的边缘延伸到环形突起11，荧光层8的边缘延伸到环形突起12，光学透镜层9的边缘延伸到环形突起13。当密封层7、荧光层8和光学透镜层9的边缘分别限定到环形突起11、12和13时，密封层7、荧光层8和光学透镜层9的尺寸可以容易地被限定。另外，通过调整限定到相应的环形突起11、12和13的密封层7、荧光层8和光学透镜层9的材料的量，可以容易地确定密封层7、荧光层8和光学透镜层9的上表面的曲率。
下文将对上文所述的制造LED封装30的方法进行详细说明。首先，利用例如注射模塑工序制造LED引线框封装20，该LED引线框封装20包括：散热底座2、围绕散热底座2布置的多个电极1、围绕散热底座2和多个电极1以固定散热底座2和多个电极1的绝缘支撑部分3、在绝缘支撑部分3的上表面形成的多个环形突起11、12、13和14，以及分别在多个环形突起11、12、13和14中的两个环形突起之间形成的多个环形凹槽15、16和17。然后，将至少一个LED管芯4用管芯粘合材料5贴附在散热底座2的底面上，并且通过多条电线6将LED管芯4与多个电极1互相电连接。
接下来，在散热底座2的反射杯10中填充液体透明树脂材料，以覆盖LED管芯4。例如，液体透明树脂材料可为硅树脂。可以提供足够量的液体透明树脂材料直至液体透明树脂材料被限定到所述环形突起11内。然后，液体透明树脂材料的外表面在环形突起11的尖锐的上边缘内由于表面张力形成凸面。例如，如图8所示，环形突起11内设置有足够量的透明树脂材料18时，由于受到表面张力而形成凸形外表面。凸形外表面的曲率可由透明树脂材料18的量确定。即使使用了过多透明树脂材料18并且因此透明树脂材料18溢出环形突起11，透明树脂材料18可再次被限定在环形突起12内，如图9所示。透明树脂材料的外表面以这种方式达到预期的曲率时，液体透明树脂材料18通过加热或紫外线照射而硬化，从而形成密封层7。因此，可以容易地限定密封层7的尺寸和曲率。
然后，与荧光材料均匀混合的另一种液体透明树脂材料在密封层7上形成以覆盖密封层7。例如，液体硅树脂和荧光材料均匀混合的混合物可以在密封层7上形成。将混合物限定到环形突起12，并且由于表面张力在环形突起12的尖锐上边缘内形成凸形外表面。混合物的外表面达到预期的曲率之后，液体混合物通过加热或紫外线照射而硬化，从而形成荧光层8。
最后，另一种液体透明树脂材料在荧光层8上形成以覆盖荧光层8。例如，液体透明树脂材料可以为硅树脂。荧光层8上的液体透明树脂材料限定到第三个环形突起13上，并且由于表面张力在第三个环形突起13的尖锐上边缘内形成凸形外表面。然后，荧光层8上的液体透明树脂材料硬化从而形成光学透镜层9。如此，可以形成具有预期的尺寸和预期的外表面曲率的密封层7、荧光层8和光学透镜层9。
图7为根据本发明另一个实施例的LED封装40的结构剖面图。与图6所示的LED封装30不同，图7所示的LED封装40包括在荧光层8下方的两个密封层，即，第一密封层7和第二密封层7a。即，在荧光层8和第一密封层7之间还形成透明的第二密封层7a。图7所示的LED封装40的结构的其余部分与图6所示的LED封装30的结构相同。因此，将省略LED封装40的结构的其余部分的说明。
参考图7，第一密封层7、第二密封层7a、荧光层8和光学透镜层9共同形成多层密封层结构。为了有效的光输出，所述第一密封层7、第二密封层7a、荧光层8和光学透镜层9可具有凸形外表面。另外，为了防止荧光层8发出的光入射到LED管芯4上并被LED管芯4吸收，在可见光的波长中，第二密封层7a的有效折射率小于荧光层8的有效折射率，并且也小于第一密封层7的有效折射率。
如图7所示，第一密封层7的边缘延伸到环形突起11上，第二密封层7a的边缘延伸到环形突起12上，荧光层8的边缘延伸到环形突起13上，光学透镜层9的边缘延伸到第四环形突起14上。通过将第一密封层7、第二密封层7a、荧光层8和光学透镜层9的边缘分别限定到多个环形突起11、12、13和14上，第一密封层7、第二密封层7a、荧光层8和光学透镜层9的尺寸可以很容易地被限定。另外，通过分别调整限定到多个环形突起11、12、13和14内的用于第一密封层7、第二密封层7a、荧光层8和光学透镜层9的材料的量，可以很容易地确定第一密封层7、第二密封层7a、荧光层8和光学透镜层9的上表面的曲率。
图7所示的LED封装40的密封层结构可以通过使用上述制造LED封装30的方法形成。所述LED封装40与30之间的区别在于，在第一密封层7上形成荧光层8之前，形成第二密封层7a。即，首先采用上述方法形成第一密封层7，然后在第一密封层7上形成液体透明树脂材料以覆盖第一密封层7。例如，液体透明树脂材料可为硅树脂。与第一密封层7相比，形成的液体透明树脂材料具有较小的有效折射率。例如，可在液体硅树脂中添加用于调整有效折射率的添加剂。第一密封层7上的液体透明树脂材料被限定到环形突起12内，并且由于表面张力在环形突起12的尖锐上边缘内形成凸形外表面。然后，通过采用加热或紫外线照射硬化第一密封层7上的液体透明树脂材料，可以形成第二密封层7a。接下来，以与上述相同的方式，在第二密封层7a上顺序地形成荧光层8和光学透镜层9。然而，填充荧光层8的材料使其限定在环形突起13内，填充光学透镜层9的材料使其限定在环形突起14内。
使用液体材料顺序形成上述的第一密封层7、第二密封层7a、荧光层8和光学透镜层9，但某些层还可采用单独工序预先制备。
例如，所述荧光层8可以事先形成。这种情况下，在反射杯10内形成第一密封层7以覆盖LED管芯4。然后，在预先制备的具有凹面内部和凸面外部的荧光层8的凹面内部内设置用于形成第二密封层7a的液体透明树脂。然后，将填充有透明树脂材料的荧光层8翻转，并放置在第一密封层7上，然后通过采用加热或紫外线照射硬化透明树脂材料。然后，在第一密封层7和荧光层8之间形成第二密封层7a，荧光层8可紧密地固定在第一密封层7上。然后，如上所述，可以在荧光层8上形成光学透镜层9。
或者，可以预先制备荧光层8和光学透镜层9。这种情况下，预先制备的荧光层8以上述方式固定在第一密封层7上。然后，预先制备的光学透镜层9可以贴附在荧光层8上。并且可以仅预先制备光学透镜层9。这种情况下，采用液体材料顺序形成第一密封层7、第二密封层7a和荧光层8，然后将预先制备的光学透镜层9贴附在荧光层8上。
为了制造白光LED封装，可以使用如上所述的包括荧光层8的多层密封层结构。但是，当制造发出预定波长的光的彩色LED封装时，发出该波长的光的LED管芯4可以贴附在散热底座2的底面上，并且在LED管芯4上可以仅形成一个透明密封层。例如，如图8所示，透明树脂材料18可以限定在第一至第四环形突起11至14的其中之一内，然后硬化，从而完成彩色LED封装。
尽管已经参考本发明的示例性实施例，对本发明进行了详细解释和说明，但本领域技术人员能够理解，在不偏离以下权利要求所定义的本发明的精神和范围内，可以对本发明进行各种形式和细节的改变。

Claims (25)

1.一种引线框封装，其特征在于，包括：
散热底座；
围绕所述散热底座布置的多个电极；
围绕所述散热底座和多个电极，以固定所述散热底座和多个电极的绝缘支撑部分；
沿所述绝缘支撑部分的上表面的圆周轮廓形成的至少两个环形突起；以及
在所述至少两个环形突起之间形成的至少一个环形凹槽。
2.根据权利要求1所述的引线框封装，其特征在于，所述绝缘支撑部分由聚邻苯二甲酰胺PPA塑料制成。
3.根据权利要求1所述的引线框封装，其特征在于，布置所述多个电极使所述电极的第一端部朝向散热底座的侧面，所述电极的第二端部从绝缘支撑部分的外壁伸出。
4.根据权利要求1所述的引线框封装，其特征在于，所述散热底座包括反射杯，其中，所述反射杯的底面涂敷有反光材料。
5.根据权利要求1所述的引线框封装，其特征在于，所述至少两个环形突起各自包括尖锐的上边缘和倾斜侧壁。
6.根据权利要求1所述的引线框封装，其特征在于，所述散热底座、多个电极和绝缘支撑部分通过注射模塑工序一体成型。
7.根据权利要求1所述的引线框封装，其特征在于，所述环形突起和环形凹槽通过传递模塑工序在绝缘支撑部分的上表面形成。
8.一种发光二极管LED封装，其特征在于，包含权利要求1至7中任一项所述的引线框封装。
9.根据权利要求8所述的LED封装，其特征在于，所述LED封装包含：
贴附在散热底座的底面的至少一个LED管芯；
电连接所述至少一个LED管芯与多个电极的多条电线；以及
覆盖LED管芯并且包含具有凸形外表面的至少一层的密封层结构，其中，所述密封层结构的至少一层的边缘延伸到所述至少两个环形突起的相应的一个环形突起上。
10.根据权利要求9所述的LED封装，其特征在于，所述LED管芯包含选自由紫外光LED、蓝光LED、绿光LED和红光LED组成的组中的至少一种。
11.根据权利要求9所述的LED封装，其特征在于，所述密封层结构包含至少一个透明密封层。
12.根据权利要求9所述的LED封装，其特征在于，所述至少一层的上表面的曲率通过调整用于所述密封层结构的至少一层的材料的量而确定。
13.根据权利要求9所述的LED封装，其特征在于，所述密封层结构包含：
透明且直接覆盖LED管芯的第一密封层；
覆盖第一密封层的荧光层；以及
覆盖荧光层的光学透镜层。
14.根据权利要求13所述的LED封装，其特征在于，在可见光的波长带内，所述第一密封层的有效折射率小于所述荧光层的有效折射率。
15.根据权利要求13所述的LED封装，其特征在于，所述密封层结构进一步包含透明且形成于所述第一密封层和所述荧光层之间的第二密封层。
16.根据权利要求15所述的LED封装，其特征在于，在可见光的波长带内，所述第二密封层的有效折射率小于所述第一密封层的有效折射率和所述荧光层的有效折射率。
17.根据权利要求16所述的LED封装，其特征在于，所述荧光层通过将荧光材料均匀混合在玻璃、聚碳酸酯PC、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA或硅树脂内而形成。
18.根据权利要求17所述的LED封装，其特征在于，所述荧光材料在紫外光、蓝光或绿光的激发下发出可见光。
19.根据权利要求18所述的LED封装，其特征在于，所述荧光材料包含至少一种在紫外光、蓝光或绿光的激发下发出不同波长的可见光的荧光材料。
20.一种制造LED封装的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供引线框封装，所述引线框封装包括：散热底座；围绕所述散热底座布置的多个电极；围绕所述散热底座和多个电极以固定所述散热底座和多个电极的绝缘支撑部分；沿所述绝缘支撑部分的上表面的圆周轮廓形成的至少两个环形突起；以及在所述至少两个环形突起中的两个环形突起之间形成的至少一个环形凹槽；
将至少一个LED管芯贴附在所述散热底座的底面上；将所述LED管芯与多个电极电连接；以及
形成具有凸形外表面以覆盖LED管芯的至少一层；
其中，密封层结构的至少一层的边缘延伸到所述至少两个环形突起的相应的一个环形突起上。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，形成所述密封层结构包括：
在散热底座上提供液体透明树脂材料以覆盖LED管芯；以及
通过硬化所述液体透明树脂材料形成第一密封层，其中，在所述多个环形突起中的一个环形突起的尖锐的上边缘内，所述第一密封层具有由表面张力形成的凸形外表面。
22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
在所述第一密封层上提供液体透明树脂材料以覆盖所述第一密封层；
通过硬化所述第一密封层上的所述液体透明树脂材料形成第二密封层；
在所述第二密封层上提供液体透明树脂材料以覆盖所述第二密封层，其中，在所述液体透明树脂材料中均匀混合有荧光材料；
通过硬化混合有荧光材料的液体透明树脂材料形成荧光层；
在所述荧光层上提供液体透明树脂材料以覆盖所述荧光层；以及
通过硬化荧光层上的液体透明树脂材料形成光学透镜层。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，在所述多个环形突起中的另一个环形突起的尖锐的上边缘内，所述第二密封层具有由表面张力形成的凸形外表面，在所述多个环形突起中的另一个环形突起的尖锐的上边缘内，所述荧光层具有由表面张力形成的凸形外表面，在所述多个环形突起中的另一个环形突起的尖锐的上边缘内，所述光学透镜层具有由表面张力形成的凸形外表面。
24.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
在所述第一密封层上提供均匀混合有荧光材料的液体透明树脂材料以覆盖所述第一密封层；
通过硬化混合有荧光材料的液体透明树脂材料形成荧光层；
在所述荧光层上提供液体透明树脂材料以覆盖所述荧光层；以及
通过硬化所述荧光层上的液体透明树脂材料形成光学透镜层。
25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，在所述多个环形突起中的另一个环形突起的尖锐的上边缘内，所述荧光层具有由表面张力形成的凸形外表面，在所述多个环形突起中的另一个环形突起的尖锐的上边缘内，所述光学透镜层具有由表面张力形成的凸形外表面。
CN2010800077963A 2009-03-10 2010-02-24 Led引线框封装、使用led引线框封装的led封装及制造led封装的方法 Pending CN102318091A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/381,409 US8039862B2 (en) 2009-03-10 2009-03-10 White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same
US12/381,408 US8058667B2 (en) 2009-03-10 2009-03-10 Leadframe package for light emitting diode device
US12/381,409 2009-03-10
US12/381,408 2009-03-10
PCT/KR2010/001134 WO2010104276A2 (en) 2009-03-10 2010-02-24 Led leadframe package, led package using the same, and method of manufacturing the led package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102318091A true CN102318091A (zh) 2012-01-11

Family

ID=42728911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010800077963A Pending CN102318091A (zh) 2009-03-10 2010-02-24 Led引线框封装、使用led引线框封装的led封装及制造led封装的方法

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP2406835A4 (zh)
JP (1) JP2012520565A (zh)
KR (1) KR101111256B1 (zh)
CN (1) CN102318091A (zh)
AU (1) AU2010221920A1 (zh)
RU (1) RU2488195C2 (zh)
SG (1) SG173518A1 (zh)
TW (1) TW201044646A (zh)
WO (1) WO2010104276A2 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103378267A (zh) * 2012-04-12 2013-10-30 隆达电子股份有限公司 发光二极管封装件
CN103515517A (zh) * 2012-06-20 2014-01-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组
CN103515502A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管装置
CN105591015A (zh) * 2014-11-10 2016-05-18 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装和包括该发光器件封装的照明***
CN106257696A (zh) * 2015-06-17 2016-12-28 三星电子株式会社 半导体发光装置
CN106784260A (zh) * 2016-11-30 2017-05-31 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种直下式led背光源的制作方法
CN108574035A (zh) * 2017-03-14 2018-09-25 现代自动车株式会社 用于车辆的外部发光二极管封装
CN109585632A (zh) * 2019-02-14 2019-04-05 旭宇光电（深圳）股份有限公司 大功率远程荧光粉型白光led散热封装
JP7445120B2 (ja) 2020-02-21 2024-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102130236A (zh) * 2010-12-31 2011-07-20 北京大学深圳研究生院 一种led芯片的封装方法及封装器件
TW201238086A (en) * 2011-03-03 2012-09-16 Lextar Electronics Corp Chip package structure
CN102185042A (zh) * 2011-03-28 2011-09-14 北京大学深圳研究生院 Led封装方法、封装器件、光调节方法及***
US9159886B2 (en) 2011-04-19 2015-10-13 Intellectual Discovery Co., Ltd. Lighting apparatus with a carrier layer
US8721097B2 (en) * 2011-05-19 2014-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. LED lamp with improved light output
TWI418742B (zh) * 2011-06-30 2013-12-11 Lextar Electronics Corp 發光元件的封裝結構
KR101148780B1 (ko) * 2011-11-16 2012-05-24 김종율 엘이디 패키지 및 이의 제조방법
KR101287484B1 (ko) * 2012-03-07 2013-07-19 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR20130103080A (ko) * 2012-03-09 2013-09-23 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 조명장치
KR20130110997A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ용 렌즈 및 그 제조방법
TWI474517B (zh) * 2012-05-28 2015-02-21 Lextar Electronics Corp 發光裝置及其製造方法
KR101321101B1 (ko) * 2012-06-01 2013-10-23 주식회사 코스텍시스 기판 및 이를 이용한 소자 패키지
US9608177B2 (en) 2013-08-27 2017-03-28 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and backlight unit having the same
KR101504309B1 (ko) * 2013-08-27 2015-03-20 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지 및 이를 갖는 백라이트 유닛
KR102188500B1 (ko) 2014-07-28 2020-12-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치
CN112467010B (zh) * 2020-11-13 2022-03-22 中山市聚明星电子有限公司 二极管封装工艺及封装二极管
KR102338707B1 (ko) * 2021-06-14 2021-12-13 주식회사 소룩스 광원 및 조명장치
KR102634521B1 (ko) 2023-10-31 2024-02-07 장연식 통증 완화 약물 주입시스템

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070063321A1 (en) * 2003-05-28 2007-03-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
CN101015071A (zh) * 2004-09-10 2007-08-08 首尔半导体株式会社 具多模造树脂的发光二极管封装
CN101080822A (zh) * 2004-12-16 2007-11-28 首尔半导体株式会社 具有散热片支撑环的引线框、使用所述引线框制造发光二极管封装的方法和通过所述方法制造的发光二极管封装
CN101246938A (zh) * 2007-01-24 2008-08-20 克里公司 用于固态发光器件的基于导线架的包装件以及形成该包装件的方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2231951C2 (ru) * 2001-10-31 2004-07-10 Салдаев Александр Макарович Система капельного орошения
JP4211359B2 (ja) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP4174823B2 (ja) * 2003-03-27 2008-11-05 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
RU2267188C2 (ru) * 2003-06-23 2005-12-27 Федорова Галина Владимировна Светодиодное полупроводниковое устройство в корпусе для поверхностного монтажа
JP2005026400A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US20060012298A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. LED chip capping construction
EP1825524A4 (en) * 2004-12-16 2010-06-16 Seoul Semiconductor Co Ltd CONNECTION GRID COMPRISING A THERMAL DISSIPATOR SUPPORT RING, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING USING THE SAME, AND LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING MADE THEREBY
RU2355068C1 (ru) * 2004-12-16 2009-05-10 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Рамка с выводами, имеющая поддерживающее теплоотвод кольцо, способ изготовления корпуса светоизлучающего диода с ее использованием и корпус светоизлучающего диода, изготовленный этим способом
US8106584B2 (en) * 2004-12-24 2012-01-31 Kyocera Corporation Light emitting device and illumination apparatus
WO2006095949A1 (en) * 2005-03-11 2006-09-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Led package having an array of light emitting cells coupled in series
KR101161384B1 (ko) * 2005-03-29 2012-07-02 서울반도체 주식회사 직렬접속된 발광셀 어레이를 갖는 발광다이오드 칩을탑재한 발광다이오드 패키지
CN100435361C (zh) * 2005-05-31 2008-11-19 新灯源科技有限公司 半导体发光元件封装结构
US20070001182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
MY152857A (en) 2005-09-01 2014-11-28 Dominant Opto Tech Sdn Bhd Surface mount optoelectronic component with lens
US20080029775A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Lustrous Technology Ltd. Light emitting diode package with positioning groove
WO2008105527A1 (ja) * 2007-03-01 2008-09-04 Nec Lighting, Ltd. Ｌｅｄ装置及び照明装置
JP4689637B2 (ja) * 2007-03-23 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070063321A1 (en) * 2003-05-28 2007-03-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
CN101015071A (zh) * 2004-09-10 2007-08-08 首尔半导体株式会社 具多模造树脂的发光二极管封装
CN101080822A (zh) * 2004-12-16 2007-11-28 首尔半导体株式会社 具有散热片支撑环的引线框、使用所述引线框制造发光二极管封装的方法和通过所述方法制造的发光二极管封装
CN101246938A (zh) * 2007-01-24 2008-08-20 克里公司 用于固态发光器件的基于导线架的包装件以及形成该包装件的方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103378267B (zh) * 2012-04-12 2016-12-21 隆达电子股份有限公司 发光二极管封装件
CN103378267A (zh) * 2012-04-12 2013-10-30 隆达电子股份有限公司 发光二极管封装件
CN103515517A (zh) * 2012-06-20 2014-01-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组
CN103515517B (zh) * 2012-06-20 2016-03-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组
CN103515502A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管装置
US10347803B2 (en) 2014-11-10 2019-07-09 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light system including the same
CN105591015A (zh) * 2014-11-10 2016-05-18 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装和包括该发光器件封装的照明***
CN105591015B (zh) * 2014-11-10 2020-05-01 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装和包括该发光器件封装的照明***
US10566502B2 (en) 2015-06-17 2020-02-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
CN106257696A (zh) * 2015-06-17 2016-12-28 三星电子株式会社 半导体发光装置
CN106257696B (zh) * 2015-06-17 2020-07-28 三星电子株式会社 半导体发光装置
CN106784260A (zh) * 2016-11-30 2017-05-31 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种直下式led背光源的制作方法
CN108574035A (zh) * 2017-03-14 2018-09-25 现代自动车株式会社 用于车辆的外部发光二极管封装
CN109585632A (zh) * 2019-02-14 2019-04-05 旭宇光电（深圳）股份有限公司 大功率远程荧光粉型白光led散热封装
WO2020015429A1 (zh) * 2019-02-14 2020-01-23 旭宇光电（深圳）股份有限公司 大功率远程荧光粉型白光led散热封装
JP7445120B2 (ja) 2020-02-21 2024-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010104276A2 (en) 2010-09-16
KR20100106297A (ko) 2010-10-01
JP2012520565A (ja) 2012-09-06
RU2488195C2 (ru) 2013-07-20
TW201044646A (en) 2010-12-16
EP2406835A2 (en) 2012-01-18
RU2011134604A (ru) 2013-04-20
KR101111256B1 (ko) 2012-02-22
SG173518A1 (en) 2011-09-29
WO2010104276A3 (en) 2010-11-25
AU2010221920A1 (en) 2011-09-29
EP2406835A4 (en) 2013-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102318091A (zh) Led引线框封装、使用led引线框封装的led封装及制造led封装的方法
US8039862B2 (en) White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same
EP2064752B1 (en) Light emitting package and method of making same
US8610255B2 (en) Light emitting device package
KR101195595B1 (ko) 램프 커버 및 이를 이용한 ｌｅｄ 램프
AU2005239406B2 (en) Light emitting diode component
JP5290368B2 (ja) ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子およびその製造方法、ｌｅｄ照明装置、光源
JP5947478B2 (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
US20150069454A1 (en) Light emitting device package
CN103307481A (zh) 发光装置以及使用该发光装置的照明装置和照明器具
US20160126427A1 (en) An LED Module and its Manufacturing Process
CN103700758A (zh) 一种led封装单元及其封装方法和阵列面光源
CN102714264B (zh) 发光二极管封装件及其制造方法
CN103367616B (zh) 一种cob封装的led模块及其制造工艺
US20110227118A1 (en) Light Emitting Diode Package Structure and Manufacturing Method Thereof
KR100630226B1 (ko) 삼파장 백색 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
KR20090073598A (ko) Ｌｅｄ 패키지
KR20100002484A (ko) Ｌｅｄ 패키지
CN102110757B (zh) 白光led及其封装方法
KR20160067533A (ko) 소형광원이 구비된 엘이디 패키지 및 제조방법
CN100405621C (zh) 白色光源的制造方法
KR20100089055A (ko) 발광다이오드 패키지
KR20110036728A (ko) 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
KR20120068788A (ko) Ｌｅｄ 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120111