CN102241985A

CN102241985A - 透明导电膜湿法蚀刻液组合物

Info

Publication number: CN102241985A
Application number: CN2011101096883A
Authority: CN
Inventors: 张军; 常积东; 李承孝
Original assignee: Xi'an Dongwang Fine Chemical Co Ltd
Current assignee: Xi'an Dongwang Fine Chemical Co Ltd
Priority date: 2011-04-29
Filing date: 2011-04-29
Publication date: 2011-11-16

Abstract

本发明提供一种透明导电膜湿法蚀刻液组合物。该透明导电膜湿法蚀刻液组合物包含(1)0.5-10wt％的草酸；(2)0.1-40wt％的硫酸；(3)0.01-10wt％的铵盐；(4)0.001-10wt％的表面活性剂；(5)余量水。该蚀刻液组合物蚀刻速率均匀稳定，无残留，不腐蚀配线。

Description

透明导电膜湿法蚀刻液组合物

技术领域

本发明涉及透明导电膜湿法蚀刻液组合物，尤其涉及一种可在等离子显示器(PDP)，液晶显示器(LCD)，有机发光二极管显示器(OLED)等中用作像素电极的透明导电膜如氧化铟锌(ITO)或氧化铟锌(IZO)图样化的湿法蚀刻液。

背景技术

在LCD、PDP、OLED等平面显示领域中，透明导电膜作为像素电极被广泛使用。氧化铟锌(ITO)由于具有，低电阻率、高可见光透过率、膜层硬度强且对基底附着力大、优良的化学稳定性等多种独特的性质，使用最为广泛。

目前，湿法蚀刻是ITO蚀刻的重要方法之一。主要是选择无机酸/盐或有机酸的水溶液组合物。其中，常用的有机酸有草酸、乙酸、柠檬酸等；常用的无机酸有盐酸、硫酸、磷酸、硝酸、碘酸、氢溴酸等。蚀刻液体系主要有，(1)盐酸+硝酸体系。该体系优点是蚀刻速率快，缺点是生产中无法对蚀刻速率进行精确控制；盐酸、硝酸的易挥发性，也造成体系组分含量不恒定；以及环境的不友好性。(2)磷酸体系。主要缺点是蚀刻后有残渣。(3)三氯化铁+盐酸体系。优点是蚀刻速率快，缺点是侧蚀量大，且对环境污染大。(4)碘酸或氢溴酸体系。虽然蚀刻性好，但易游离出卤素单质或挥发，不稳定且毒性大。(5)草酸体系。优点是蚀刻均匀。缺点是蚀刻速率慢，需要较高温度条件，且低温时易析出草酸晶体。

发明内容

为了解决现有技术的不足，本发明提供一种新型的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物蚀刻速率均匀稳定，无残留，不腐蚀配线，不含易挥发物质，不污染环境。

本发明的技术方案如下：

一种透明导电膜湿法蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物为草酸和硫酸的水溶液，其中草酸含量为0.5-10wt％；硫酸含量为0.1-40wt％。这里所讲的酸的含量均是指其有效成分占蚀刻液组合物的质量分数。

本发明的蚀刻液组合物若还含有0.01-10wt％铵盐，效果较佳。

上述的铵盐优选硫酸铵、硫酸氢胺、硝酸铵、碳酸铵、碳酸氢铵、氯化铵、溴化铵、甲酸铵、乙酸铵、丙酸铵、草酸铵、苯甲酸铵中的一种或两种。实际上，一般常用的铵盐均能够应用于本发明。

本发明的蚀刻液组合物若还含有0.001-10wt％表面活性剂，与上述草酸、硫酸配合使用，效果较佳；或者蚀刻液组合物若还含有0.001-10wt％表面活性剂，与上述草酸、硫酸、铵盐配合使用，效果更佳。

上述的表面活性剂优选阳离子型、阴离子型、非离子型、Gemini型和两性表面活性剂中的一种或两种。

上述蚀刻液组合物中，草酸含量为1-7wt％；硫酸含量为1-25wt％；铵盐含量为0.1-8wt％；表面活性剂含量为0.01-10wt％；余量为水；此种配比效果较佳。

上述的表面活性剂优选Gemini型表面活性剂。此时的蚀刻液组合物配比仍采用：草酸含量为1-7wt％；硫酸含量为1-25wt％；铵盐含量为0.1-8wt％；表面活性剂含量为0.01-10wt％；余量为水；则效果更佳。

本发明的蚀刻液组合物的最佳配比为：草酸含量为2-4wt％；硫酸含量为2-15wt％；铵盐含量为0.5-5wt％；表面活性剂含量为0.1-5wt％；余量为水。

经验证，以本发明的上述基础配方0.5-10wt％草酸、0.1-40wt％硫酸为基本方案制得的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，能够用于等离子显示器(PDP)、液晶显示器(LCD)、有机发光二极管显示器(OLED)透明导电膜氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)图样化的湿法蚀刻。

本发明具有优秀并且稳定的蚀刻能力，蚀刻后无残渣，同时对铝、钼等金属配线无腐蚀，不含易挥发物质，不污染环境。

具体实施方式

本发明提供如下透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其含有

(1)0.5-10wt％的草酸；

(2)0.1-40wt％的硫酸；

(3)余量水。

本发明中，草酸起着均匀蚀刻的作用。草酸的含量为0.5-10wt％，优选1-7wt％，更优选2-4wt％。当含量小于0.5wt％时，蚀刻速率小，蚀刻效果差；当含量大于10wt％时，得不到更好的蚀刻效果，且易结晶析出。

本发明中，硫酸起促进蚀刻速率，增加草酸溶解性，防止草酸低温析出的作用。硫酸的含量为0.1-40wt％，优选1-25wt％，更优选2-15wt％.当含量小于0.1wt％时，起不到促进蚀刻速率，增加草酸溶解性，防止草酸低温析出作用；当含量大于40wt％时，得不到更好的促进蚀刻速率，增加草酸溶解性，防止草酸低温析出的效果。

本发明中，添加铵盐可以使组合物性能更加优异。铵盐起调节蚀刻速率平稳的作用。铵盐的含量为0.01-10wt％，优选0.1-8wt％，更优选0.5-5wt％.当含量小于0.01wt％时，起不到调节蚀刻速率作用；当含量大于10wt％时，得不到更好的调节蚀刻速率的效果。作为具体例，可以选自铵盐选自硫酸铵、硫酸氢胺、硝酸铵、碳酸铵、碳酸氢铵、氯化铵、溴化铵、甲酸铵、乙酸铵、丙酸铵、草酸铵、苯甲酸铵中的1种或2种。

本发明中，还可以添加表面活性剂。表面活性剂的含量为0.001-10wt％，优选0.01-10wt％，更优选0.1-5wt％.当含量小于0.001wt％时，起不到很好的润湿作用；当含量大于10wt％时，得不到更好的润湿的效果，并引起体系泡沫增多。表面活性剂可以选自阳离子型、阴离子型、非离子型、Gemini型和两性表面活性剂中的1种或2种。其中优选Gemini型表面活性剂，原因是Gemini型表面活性剂与传统的表面活性剂相比，具有更高表面活性和优秀润湿性。作为Gemini型表面活性剂具体例，可以选自硫酸酯盐型、磺酸盐型、羧酸盐型、季铵盐型Gemini型表面活性剂中的1种或2种。

本发明中的水为超纯水。

下面详细说明本发明的实施例。所述实施例用于对本发明进行进一步说明，但本发明并不限于以下实施例。

一、蚀刻液制备

室温搅拌条件下，在超纯水中加入乙酸、草酸，搅拌至完全溶解均匀，过滤，得到所需蚀刻液组合物。

二、蚀刻效果

本实验所用表面电阻8-10Ω，膜厚约150nm的ITO玻璃基板。对玻璃基板进行清洗，烘干处理。保持蚀刻液温度为45℃，将处理过的玻璃基板浸入蚀刻液中5分钟。取出清洗，烘干后，显微镜观察。

蚀刻效果：250倍显微镜观察蚀刻5分钟后的玻璃基板是否有残渣。

不同组分含量的蚀刻液实施例和比较例的蚀刻效果如表1所示。

A：示无残渣，

B：几处残渣，

C：少量残渣，

D：较多残渣。

表1不同浓度蚀刻液的蚀刻效果(45℃，5min.)

其中，

A：表示铵盐；B：表示表面活性剂

A1：硫酸铵

A2：硫酸氢胺

A3：硝酸铵

A4：碳酸铵

A5：碳酸氢铵

A6：甲酸铵

A7：乙酸铵

A8：丙酸铵

A9：草酸铵

A10：苯甲酸铵

B1：十二烷基硫酸三乙醇胺

B2：月桂醇硫酸钠

B3：木质素磺酸铵

B4：十二烷基苯磺酸铵

B5：十八烷基二羟乙基甜菜碱

B6：AEO₇(C₁₂脂肪醇聚氧乙烯(7)醚)

B7：氯化十二烷基二甲基苄基铵

B8：聚氧乙烯聚氧丙烯丁基醚

B9：Gemini型

选择不同的蚀刻温度：40℃，55℃，60℃和70℃时，蚀刻时间：2分钟，测试不同组分含量的蚀刻液的蚀刻效果。如表2所示。

表2不同温度下的蚀刻效果

	40℃	50℃	55℃	60℃	70℃
						实施例1	A	A	A	A	A
实施例2	B	A	A	A	A
						实施例3	A	A	A	A	A
实施例4	B	B	A	A	A
						实施例5	A	A	A	A	A
实施例6	A	A	A	A	A
						实施例7	A	A	A	A	A
实施例8	B	A	A	A	A
						实施例9	B	A	A	A	A
实施例10	B	B	B	A	A
						实施例11	B	B	A	A	A
实施例12	B	A	A	A	A
						实施例13	A	A	A	A	A
实施例14	A	A	A	A	A
						实施例15	B	B	B	B	A
实施例16	B	B	A	A	A
						实施例17	B	A	A	A	A
实施例18	A	A	A	A	A
						实施例19	A	A	A	A	A
实施例20	A	A	A	A	A
						比较例1	D	D	C	C	C
比较例2	D	D	D	C	C
						比较例3	D	D	D	D	C
比较例4	D	D	D	C	C

根据上述铵盐、表面活性剂可选取的具体试剂的物理、化学性质，可理论推知，分别采用其在上述可选范围内的其他各种具体试剂及其混合物，依照上述配比取值范围，得到的剥离液组合物也能够起到基本相同的效果。

Claims

1.一种透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：所述的蚀刻液组合物为草酸和硫酸的水溶液，其中草酸含量为0.5-10wt％；硫酸含量为0.1-40wt％。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：该蚀刻液组合物还含有0.01-10wt％铵盐。

3.根据权利要求2所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：所述的铵盐选自硫酸铵、硫酸氢胺、硝酸铵、碳酸铵、碳酸氢铵、氯化铵、溴化铵、甲酸铵、乙酸铵、丙酸铵、草酸铵、苯甲酸铵中的一种或两种。

4.根据权利要求1至3任一所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：该蚀刻液组合物还含有0.001-10wt％表面活性剂。

5.根据权利要求4所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：所述的表面活性剂选自阳离子型、阴离子型、非离子型、Gemini型和两性表面活性剂中的一种或两种。

6.根据权利要求5所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：所述的表面活性剂为Gemini型表面活性剂。

7.根据权利要求5所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：该蚀刻液组合物中，草酸含量为1-7wt％；硫酸含量为1-25wt％；铵盐含量为0.1-8wt％；表面活性剂含量为0.01-10wt％；余量为水。

8.根据权利要求6所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：该蚀刻液组合物中，草酸含量为1-7wt％；硫酸含量为1-25wt％；铵盐含量为0.1-8wt％；表面活性剂含量为0.01-10wt％；余量为水。

9.根据权利要求8所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：该蚀刻液组合物中，草酸含量为2-4wt％；硫酸含量为2-15wt％；铵盐含量为0.5-5wt％；表面活性剂含量为0.1-5wt％；余量为水。

10.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，用于等离子显示器(PDP)、液晶显示器(LCD)、有机发光二极管显示器(OLED)透明导电膜氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)图样化的湿法蚀刻。