CN104267851A - 一种改进的gf2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺 - Google Patents
一种改进的gf2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及触摸屏导电膜技术领域,具体涉及一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,它依次包括以下步骤:步骤A、干膜覆合:在导电薄膜的双面贴合干膜;步骤B、曝光、显影;步骤C、第一次蚀刻、剥膜;步骤D、耐酸印刷;步骤E、第二次蚀刻、剥膜;步骤F、绝缘印刷;步骤G、覆膜分切。本发明在干膜覆合的基础上,通过第一次蚀刻和第二次蚀刻的方式得到了改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组,该种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组不仅轻薄,且可以做成窄边框的触摸屏,通过上述制作工艺使制得的产品良率高而且性能好较同类产品也有较大提高。
Description
技术领域
本发明涉及触摸屏技术领域,具体涉及一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺。
背景技术
触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备,具有直观、简单、快捷的优点。触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用,比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询***等。
传统触控技术采用双层玻璃触控模组,它不仅厚重,而且不能做成窄边框的触摸屏。GF2架构触控技术,表示ITO pattern [RX]和[TX]都同时放在ITO Film上,GF2比传统双层玻璃触控模组更轻薄, 且可以做成窄边框的触摸屏,同时在主要原材料,制程工艺等部分具有较高的技术门槛。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,该种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组轻薄, 且可以做成窄边框的触摸屏。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,它依次包括以下步骤:
步骤A、干膜覆合:在导电薄膜的双面贴合干膜,所述导电薄膜包括基材层,所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层,所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层,所述干膜贴合于所述金属层;
步骤B、曝光、显影:将导电薄膜双面的干膜进行曝光,然后将曝光后的产品用显影剂进行显影,发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;
步骤C、第一次蚀刻、剥膜:用第一蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层,最后用碱液将已发生反应的干膜剥离;
步骤D、耐酸印刷:将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷10-15μm厚的耐酸胶进行保护;
步骤E、第二次蚀刻、剥膜:将经过步骤D处理后的导电薄膜用第二蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层,然后用碱液去除耐酸胶;
步骤F、绝缘印刷:将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷8-12μm厚的绝缘胶;
步骤G、覆膜分切: 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜,然后切成片材。
步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜,所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
步骤C所述每升第一蚀刻液由以下原料组成:
盐酸 180-220 mL
磷酸二氢钠 5-20g
氢氟酸 70-90 mL
双氧水 40-50mL
氯代十六烷基吡啶 0.1-1 mL
余量为水。
本发明第一次蚀刻的蚀刻液针对需要蚀刻的材料的特性,在第一蚀刻液中加入了缓蚀剂等成分可控制蚀刻速度,使蚀刻更精准,使形基本无侧蚀现象,这样大大提高了产品良率。
步骤D所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成:
环氧改性酚醛树脂 10-15份
乙二醇***醋酸酯 20-30份
甲基丙烯酸甲酯 15-20份
三聚氰胺甲醛树脂 10-15份
氯化聚丙烯 3-6份
壬基酚聚氧乙烯醚 3-8 份
四氟乙烯粉末 5-8份。
上述几种不同树脂相互配合,取长补短,制得的耐酸油墨具有良好的韧性和耐酸性能,能保护触摸屏制作过程中蚀刻工艺的顺利进行蚀刻工艺完成后,容易剥离,不会有残留在材料表面或者污染材料。
步骤E所述每升第二蚀刻液由以下原料组成:
盐酸 160-200 mL
硝酸 60-80 mL
草酸 180-200 mL
氯化铁 10-20g
烷基酚聚氧乙烯醚 10-20ml
余量为水。
本发明的第二次蚀刻的蚀刻液针对需要蚀刻的材料的特性,在第二蚀刻液中加入了缓蚀剂等成分可控制蚀刻速度,使蚀刻更精准,使形基本无侧蚀现象,这样大大提高了产品良率。
步骤C和步骤E中碱液采用质量百分比浓度为3%-8%的氢氧化钠溶液。
步骤C和步骤E中,定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测,用0.5mol/L 的NaOH溶液滴定,消耗该NaOH溶液<14-17ml时,须补加盐酸,控制pH值在3-5之间。
步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜,印刷正面;然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜,印刷背面;步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜,然后印刷背面。
本发明与现有技术相比较,有益效果在于:本发明在干膜覆合的基础上,通过第一次蚀刻和第二次蚀刻的方式得到了改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组,该种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组不仅轻薄, 且可以做成窄边框的触摸屏,通过上述制作工艺使制得的产品良率高而且性能好较同类产品也有较大提高。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的说明。
实施例1。
一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,它依次包括以下步骤:
步骤A、干膜覆合:在导电薄膜的双面贴合干膜,所述导电薄膜包括基材层,所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层,所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层,所述干膜贴合于所述金属层;
步骤B、曝光、显影:将导电薄膜双面的干膜进行曝光,然后将曝光后的产品用显影剂进行显影,发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;
步骤C、第一次蚀刻、剥膜:用第一蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层,最后用碱液将已发生反应的干膜剥离;
步骤D、耐酸印刷:将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷10μm厚的耐酸胶进行保护;
步骤E、第二次蚀刻、剥膜:将经过步骤D处理后的导电薄膜用第二蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层,然后用碱液去除耐酸胶;
步骤F、绝缘印刷:将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷8μm厚的绝缘胶;
步骤G、覆膜分切: 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜,然后切成片材。
其中,步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜,所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
步骤C中,所述每升第一蚀刻液由以下原料组成:
盐酸 180 mL
磷酸二氢钠 5g
氢氟酸 90 mL
双氧水 50mL
氯代十六烷基吡啶 1 mL
余量为水。
步骤E中,所述每升第二蚀刻液由以下原料组成:
盐酸 160mL
硝酸 60mL
草酸 180mL
氯化铁 10g
烷基酚聚氧乙烯醚 20ml
余量为水。
步骤D中,所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成:
环氧改性酚醛树脂 10份
乙二醇***醋酸酯 30份
甲基丙烯酸甲酯 15份
三聚氰胺甲醛树脂 15份
氯化聚丙烯 3份
壬基酚聚氧乙烯醚 8 份
四氟乙烯粉末 8份。
步骤C和步骤E中,碱液采用质量百分比浓度为4%的氢氧化钠溶液。
步骤C和步骤E中,定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测,用0.5mol/L 的NaOH溶液滴定,消耗该NaOH溶液<14ml时,须补加盐酸,控制pH值在3-5之间。
步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜,印刷正面;然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜,印刷背面;步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜,然后印刷背面。
实施例2。
一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,它依次包括以下步骤:
步骤A、干膜覆合:在导电薄膜的双面贴合干膜,所述导电薄膜包括基材层,所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层,所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层,所述干膜贴合于所述金属层;
步骤B、曝光、显影:将导电薄膜双面的干膜进行曝光,然后将曝光后的产品用显影剂进行显影,发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;
步骤C、第一次蚀刻、剥膜:用第一蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层,最后用碱液将已发生反应的干膜剥离;
步骤D、耐酸印刷:将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷12μm厚的耐酸胶进行保护;
步骤E、第二次蚀刻、剥膜:将经过步骤D处理后的导电薄膜用第二蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层,然后用碱液去除耐酸胶;
步骤F、绝缘印刷:将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷10μm厚的绝缘胶;
步骤G、覆膜分切: 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜,然后切成片材。
其中,步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜,所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
步骤C中,所述每升第一蚀刻液由以下原料组成:
盐酸 200 mL
磷酸二氢钠 10g
氢氟酸 80 mL
双氧水 45mL
氯代十六烷基吡啶 0.5mL
余量为水。
步骤E中,所述每升第二蚀刻液由以下原料组成:
盐酸 170 mL
硝酸 70 mL
草酸 190 mL
氯化铁 15g
烷基酚聚氧乙烯醚 15ml
余量为水。
步骤D中,所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成:
环氧改性酚醛树脂 13份
乙二醇***醋酸酯 24份
甲基丙烯酸甲酯 18份
三聚氰胺甲醛树脂 13份
氯化聚丙烯 5份
壬基酚聚氧乙烯醚 4 份
四氟乙烯粉末 7份。
步骤C和步骤E中,碱液采用质量百分比浓度为6%的氢氧化钠溶液。
步骤C和步骤E中,定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测,用0.5mol/L 的NaOH溶液滴定,消耗该NaOH溶液<16ml时,须补加盐酸,控制pH值在3-5之间。
步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜,印刷正面;然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜,印刷背面;步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜,然后印刷背面。
实施例3。
一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,它依次包括以下步骤:
步骤A、干膜覆合:在导电薄膜的双面贴合干膜,所述导电薄膜包括基材层,所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层,所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层,所述干膜贴合于所述金属层;
步骤B、曝光、显影:将导电薄膜双面的干膜进行曝光,然后将曝光后的产品用显影剂进行显影,发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;
步骤C、第一次蚀刻、剥膜:用第一蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层,最后用碱液将已发生反应的干膜剥离;
步骤D、耐酸印刷:将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷15μm厚的耐酸胶进行保护;
步骤E、第二次蚀刻、剥膜:将经过步骤D处理后的导电薄膜用第二蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层,然后用碱液去除耐酸胶;
步骤F、绝缘印刷:将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷11μm厚的绝缘胶;
步骤G、覆膜分切: 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜,然后切成片材。
其中,步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜,所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
步骤C中,所述每升第一蚀刻液由以下原料组成:
盐酸 210 mL
磷酸二氢钠 13g
氢氟酸 85 mL
双氧水 48mL
氯代十六烷基吡啶 0.8mL
余量为水。
步骤E中,所述每升第二蚀刻液由以下原料组成:
盐酸 190 mL
硝酸 75mL
草酸 190 mL
氯化铁 12g
烷基酚聚氧乙烯醚 13ml
余量为水。
步骤D中,所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成:
环氧改性酚醛树脂 13份
乙二醇***醋酸酯 28份
甲基丙烯酸甲酯 17份
三聚氰胺甲醛树脂 13份
氯化聚丙烯 5份
壬基酚聚氧乙烯醚 6 份
四氟乙烯粉末 6份。
步骤C和步骤E中,碱液采用质量百分比浓度为7%的氢氧化钠溶液。
步骤C和步骤E中,定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测,用0.5mol/L 的NaOH溶液滴定,消耗该NaOH溶液<15ml时,须补加盐酸,控制pH值在3-5之间。
步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜,印刷正面;然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜,印刷背面;步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜,然后印刷背面。
实施例4。
一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,它依次包括以下步骤:
步骤A、干膜覆合:在导电薄膜的双面贴合干膜,所述导电薄膜包括基材层,所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层,所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层,所述干膜贴合于所述金属层;
步骤B、曝光、显影:将导电薄膜双面的干膜进行曝光,然后将曝光后的产品用显影剂进行显影,发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;
步骤C、第一次蚀刻、剥膜:用第一蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层,最后用碱液将已发生反应的干膜剥离;
步骤D、耐酸印刷:将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷15μm厚的耐酸胶进行保护;
步骤E、第二次蚀刻、剥膜:将经过步骤D处理后的导电薄膜用第二蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层,然后用碱液去除耐酸胶;
步骤F、绝缘印刷:将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷12μm厚的绝缘胶;
步骤G、覆膜分切: 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜,然后切成片材。
步骤C中,所述每升第一蚀刻液由以下原料组成:
盐酸 220 mL
磷酸二氢钠 20g
氢氟酸 70 mL
双氧水 40mL
氯代十六烷基吡啶 0.1mL
余量为水。
步骤E中,所述每升第二蚀刻液由以下原料组成:
盐酸 200 mL
硝酸 80 mL
草酸 180 mL
氯化铁 10g
烷基酚聚氧乙烯醚 20ml
余量为水。
步骤D中,所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成:
环氧改性酚醛树脂 15份
乙二醇***醋酸酯 30份
甲基丙烯酸甲酯 20份
三聚氰胺甲醛树脂 15份
氯化聚丙烯 3份
壬基酚聚氧乙烯醚 8 份
四氟乙烯粉末 8份。
步骤C和步骤E中,碱液采用质量百分比浓度为8%的氢氧化钠溶液。
步骤C和步骤E中,定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测,用0.5mol/L 的NaOH溶液滴定,消耗该NaOH溶液<17ml时,须补加盐酸,控制pH值在3-5之间。
步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜,印刷正面;然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜,印刷背面;步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜,然后印刷背面。
实施例1-4制得的GF2结构的触控模组的性能测试见下表1。
。
通过上表可以看出本发明制得的改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组产品良率高、透光率冷热冲击、高温高湿、高温存储性能良好,b值、雾度值低。
最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (8)
1.一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,其特征在于:它依次包括以下步骤:
步骤A、干膜覆合:在导电薄膜的双面贴合干膜,所述导电薄膜包括基材层,所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层,所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层,所述干膜贴合于所述金属层;
步骤B、曝光、显影:将导电薄膜双面的干膜进行曝光,然后将曝光后的产品用显影剂进行显影,发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;
步骤C、第一次蚀刻、剥膜:用第一蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层,最后用碱液将已发生反应的干膜剥离;
步骤D、耐酸印刷:将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷10-15μm厚的耐酸胶进行保护;
步骤E、第二次蚀刻、剥膜:将经过步骤D处理后的导电薄膜用第二蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层,然后用碱液去除耐酸胶;
步骤F、绝缘印刷:将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷8-12μm厚的绝缘胶;
步骤G、覆膜分切: 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜,然后切成片材。
2.根据权利要求1所述的一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,其特征在于:步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜,所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,其特征在于:步骤C所述每升第一蚀刻液由以下原料组成:
盐酸 180-220 mL
磷酸二氢钠 5-20g
氢氟酸 70-90 mL
双氧水 40-50mL
氯代十六烷基吡啶 0.1-1 mL
余量为水。
4.根据权利要求1所述的一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,其特征在于:步骤D所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成:
环氧改性酚醛树脂 10-15份
乙二醇***醋酸酯 20-30份
甲基丙烯酸甲酯 15-20份
三聚氰胺甲醛树脂 10-15份
氯化聚丙烯 3-6份
壬基酚聚氧乙烯醚 3-8 份
四氟乙烯粉末 5-8份。
5.根据权利要求1所述的一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,其特征在于:步骤E所述每升第二蚀刻液由以下原料组成:
盐酸 160-200 mL
硝酸 60-80 mL
草酸 180-200 mL
氯化铁 10-20g
烷基酚聚氧乙烯醚 10-20ml
余量为水。
6.根据权利要求1所述的一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,其特征在于:步骤C和步骤E中碱液采用质量百分比浓度为3%-8%的氢氧化钠溶液。
7.根据权利要求1所述的一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,其特征在于:步骤C和步骤E中,定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测,用0.5mol/L 的NaOH溶液滴定,消耗该NaOH溶液<14-17ml时,须补加盐酸,控制pH值在3-5之间。
8.根据权利要求1所述的一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺,其特征在于:步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜,印刷正面;然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜,印刷背面;步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜,然后印刷背面。
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