CN102237333A - 导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置，该导电元件包括：基板，具有第一波状面和第二波状面；以及导电层，形成在第一波状面上，其中，导电层形成导电图案，并且第一波状面和第二波状面满足以下关系，0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8，其中，Am1是第一波状面的振动的平均振幅，Am2是第二波状面的振动的平均振幅，λm1是第一波状面的平均波长，以及λm2是第二波状面的平均波长。

Description

导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置

技术领域

本发明涉及导电元件、导电元件制造方法、配线元件、信息输入装置、显示装置和电子设备。更具体地，本发明涉及在基板表面上形成导电图案的导电元件。

背景技术

迄今为止，利用光刻的电路图案形成方法已经被广泛地用作用于在例如由玻璃或塑料制成的绝缘基板(基底)上以预定电路图案形成导电层的方式。这种电路图案形成方法通常通过使用“步骤和重复”处理或者与此类似的处理来执行。更具体地，根据“步骤和重复”处理，通过“金属层涂覆”、“抗蚀剂涂覆”、“曝光”、“显影”、“去除”和“抗蚀剂剥离”这些步骤来形成电路图案。因此，当实际执行时，利用光刻的电路图案形成方法的产量较低。

为了增加产量，提出了利用丝网印刷的电路图案形成方法。根据利用丝网印刷的电路图案形成方法，例如，通过使用橡胶辊并通过掩模在绝缘基板上涂覆金属浆，然后烘焙所涂覆的金属浆，以形成预定电路图案的导电层。由于利用丝网印刷的电路图案形成方法提供了高产量，所以已经研究了其对于各种装置的应用。例如，日本未审查专利申请公开第2009-266025号公开了通过利用丝网印刷形成触摸面板的电极的方法。此外，日本未审查专利申请公开第2005-149807号公开了通过利用丝网印刷形成图像显示设备的电极的方法。

然而，丝网印刷的问题在于，掩模比较昂贵，以高精度对准掩模是复杂的操作，并且形成在掩模中的孔容易被堵塞。因此，需要能够代替丝网印刷实现高产量的电路图案形成方法。

发明内容

因此，期望提供可以实现极好产量的导电元件、导电元件制造方法、配线元件、信息输入装置、显示装置和电子设备。

根据本发明的一个实施方式，提供了一种导电元件，包括：基板，具有第一波状面和第二波状面；以及导电层，形成在第一波状面上，其中，导电层形成导电图案，并且第一波状面和第二波状面满足以下关系，

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8

(其中，Am1是第一波状面的振动的平均振幅，Am2是第二波状面的振动的平均振幅，λm1是第一波状面的平均波长，以及λm2是第二波状面的平均波长)。

根据本发明的另一实施方式，提供了一种导电元件，包括：基板，具有第一波状面和第二波状面，每一个波状面都具有不大于可见光的波长的波长；以及导电层，形成在第一和第二波状面中的第一波状面上，其中，导电层形成导电图案，并且第二波状面的振动的平均振幅Am2大于第一波状面的振动的平均振幅Am1。

根据本发明的又一实施方式，提供了一种导电元件制造方法，包括以下步骤：在具有第一波状面和第二波状面的基板的表面上形成导电层；以及去除形成在基板表面上的导电层，其中，在去除导电层的过程中，由导电层制成的导电图案形成在第一和第二波状面中的第一波状面上，并且第一波状面和第二波状面满足以下关系，

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8

(其中，Am1是第一波状面的振动的平均振幅，Am2是第二波状面的振动的平均振幅，λm1是第一波状面的平均波长，以及λm2是第二波状面的平均波长)。

根据本发明的又一实施方式，提供了一种导电元件制造方法，包括以下步骤：在具有第一波状面和第二波状面的基板的表面上形成导电层，每一个波状面都具有不大于可见光的波长的波长；以及去除形成在基板表面上的导电层，其中，第二波状面的振动的平均振幅Am2大于第一波状面的振动的平均振幅Am1，第二波状面的振动的平均振幅Am2与第二波状面的平均波长λm2的比率(Am2/λm2)为1.8以下，并且在去除导电层的过程中，由导电层制成的导电图案形成在第一和第二波状面中的第一波状面上。

在本发明的实施方式中，优选地，形成在平坦面(表示第一波状面的一个实例)上的导电层的面积大于形成在波状面(表示第二波状面的一个实例)上的导电层的面积。优选地，导电层连续形成在平坦面上，但导电层不连续地形成在波状面上。优选地，形成在平坦面上的导电层的厚度大于形成的波状面上的导电层的厚度。

在本发明的实施方式中，优选地，导电层的表面电阻为5000Ω/□(单位面积)以下。导电层优选包含从包括导电高聚物、金属纳米粒子和碳纳米管的组中所选择的至少一种。导电层优选包含透明氧化物半导体。透明氧化物半导体优选为氧化铟锡或氧化锌。导电层优选为非晶相和多晶相的混合状态。导电图案优选为配线图案。优选地，波状面为通过以一维阵列配置多个结构所形成的一维波状面或者通过以二维阵列配置多个结构所形成的二维波状面。导电元件可以适用于配线元件、信息输入装置、显示装置和电子设备。

在本发明的实施方式中，优选地，第一波状面和第二波状面满足以下关系，并且第二波状面的平均波长λm2不大于可见光的波长，

(Am1/λm1)＝0且0＜(Am2/λm2)≤1.8。

在本发明的实施方式中，优选地，第一波状面和第二波状面满足以下关系，并且第一波状面的平均波长λm1不大于可见光的波长，

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8。

在本发明的实施方式中，优选地，第一波状面和第二波状面满足以下关系，并且第二波状面的平均波长λm2不小于100nm，

(Am1/λm1)＝0且0＜(Am2/λm2)≤1.8。

在本发明的实施方式中，优选地，第一波状面和第二波状面满足以下关系，并且第一波状面的平均波长λm1和第二波状面的平均波长λm2都不小于100nm，

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8。

在本发明的实施方式中，优选地，根据本发明的导电元件还包括残留膜，其通过去除涂覆在第一波状面以及第二波状面上的导电层而部分地形成在第二波状面上，并且导电层和残留膜满足以下关系，

S1＞S2

(其中，S1是导电层的面积，S2是残留膜的面积)。在这种情况下，优选地，形成在第一波状面上的导电层连续地形成在第一波状面上，而形成在第二波状面上的残留膜不连续地形成在第二波状面上。

在本发明的实施方式中，优选地，导电元件还包括残留膜，其通过去除涂覆在第一波状面以及第二波状面上的导电层而部分地形成在第二波状面上，并且导电层和残留膜满足以下关系，

d1＞d2

(其中，d1是导电层的厚度，d2是残留膜的厚度)。

根据本发明的上述实施方式，可以实现高产量。

附图说明

图1A是示出根据本发明第一实施方式的导电元件的结构的一个实例的平面图，图1B是示出根据本发明第一实施方式的导电元件的结构的一个实例的沿着图1A中的线IB-IB截取的截面图，以及图1C是示出根据本发明第一实施方式的导电元件的第一区域中的层结构的截面图；

图2A是图1A所示第二区域的一部分的放大平面图，图2B是沿着图2A中的轨迹T1、T3等的每一个截取的截面图，图2C是沿着图2A中的轨迹T2、T4等的每一个截取的截面图，图2D是示出用于形成对应于图2A中的轨迹T1、T3等的每一个的潜像的激光束的调制波形的示图，以及图2E是示出用于形成对应于图2A中的轨迹T2、T4等的每一个的潜像的激光束的调制波形的示图；

图3是图1A所示第二区域的一部分的放大透视图；

图4A是沿着图2A所示第二区域中的轨迹延伸方向截取的截面图，以及图4B是沿着图2A所示第二区域中的θ方向截取的截面图；

图5是图1A所示第二区域的一部分的放大透视图；

图6是图1A所示第二区域的一部分的放大透视图；

图7是图1A所示第二区域的一部分的放大透视图；

图8是解释当结构之间的边界不清楚时设置结构的底面的方式的示图；

图9A至图9D示出了当改变底面的椭圆率时结构的底面的形状；

图10A示出了每一个都具有圆锥状或截顶圆锥状的结构的阵列的一个实例，以及图10B示出了每一个都具有椭圆锥状或截顶椭圆锥状的结构的阵列的一个实例；

图11A是示出用于制造基板的辊状母盘的结构的一个实例的透视图，以及图11B是示出图11A所示辊状母盘的一部分的放大透视图；

图12A是示出图11A所示辊状母盘的一部分的放大截面图，以及图12B是示出图11A所示第二区域的一部分的放大平面图；

图13是示出辊状母盘曝光设备的结构的一个实例的框图；

图14A至图14C示出了解释用于制造根据本发明第一实施方式的导电元件的方法的一个实例的连续步骤；

图15A至图15C示出了解释用于制造根据本发明第一实施方式的导电元件的方法的一个实例的连续步骤；

图16A至图16C示出了解释用于制造根据本发明第一实施方式的导电元件的方法的一个实例的连续步骤；

图17A是根据本发明第二实施方式的导电元件的第二区域的一部分的放大平面图，图17B是沿着根据本发明第二实施方式的导电元件的第二区域中的轨迹T1、T3等的每一个所截取的截面图，图17C是沿着图17A中的轨迹T2、T4等的每一个所截取的截面图，图17D是示出用于形成对应于图17A中的轨迹T1、T3等的每一个的潜像的激光束的调制波形的示图，以及图17E是示出用于形成对应于图17A中的轨迹T2、T4等的每一个的潜像的激光束的调制波形的示图；

图18示出了当改变底面的椭圆率时结构的底面的形状；

图19A是示出用于制造基板的辊状母盘的一部分的放大透视图，以及图19B是示出图19A所示第二区域的放大平面图；

图20A是根据本发明第三实施方式的导电元件的结构的一个实例的平面图，图20B是示出根据本发明第三实施方式的导电元件的结构的一个实例的沿着图20A中的线XXB-XXB截取的截面图，以及图20C是示出根据本发明第三实施方式的导电元件的第一区域中的层结构的截面图；

图21A是示出用于制造基板的辊状母盘的结构的一部分的放大透视图，以及图21B是示出用于制造基板的辊状母盘的一部分的放大截面图；

图22A是示出根据本发明第四实施方式的导电元件的结构的一个实例的截面图，以及图22B是示出根据本发明第四实施方式的导电元件的变形例的截面图；

图23A是示出根据本发明第五实施方式的盘状母盘的结构的一个实例的平面图，以及图23B是示出图23A所示盘状母盘的一部分的放大平面图；

图24是示出盘状母盘曝光设备的结构的一个实例的框图；

图25A是示出根据本发明第六实施方式的导电元件的结构的一个实例的截面图，以及图25B是是示出根据本发明第六实施方式的导电元件的第二区域的一部分的放大透视图；

图26A是示出根据本发明第七实施方式的导电元件的结构的一个实例的平面图，以及图26B是示出根据本发明第七实施方式的导电元件的结构的一个实例的沿着图26A中的线XXVIB-XXVIB截取的截面图；

图27是示出根据本发明第八实施方式的液晶显示装置的结构的一个实例的透视图；

图28是示出根据本发明第九实施方式的设置有触摸面板的显示装置的结构的一个实例的透视图；

图29A是示出根据本发明第九实施方式的触摸面板的结构的第一实例的透视图，以及图29B是示出本发明第九实施方式中的第一基板的结构的一个实例的分解透视图；

图30A是示出本发明第九实施方式的触摸面板的结构的第二实例的透视图，以及图30B是示出第一基板的结构的一个实例的分解透视图；

图31A是根据本发明第十实施方式的IC卡的结构的一个实例的平面图，以及图31B是示出图31A所示IC卡的一部分的放大平面图；

图32A是示出根据本发明第十一实施方式的显示装置的结构的一个实例的截面图，图32B是示出图32A所示配线区域的放大截面图，以及图32C是示出图32A所示非配线区域的放大截面图；

图33是示出蚀刻之前和之后的用于测试例2的光学片的光谱反射系数的图表；

图34A示出了用于制造根据实施例1的透明导电片的石英母盘的成形表面，以及图34B示出了用于评估根据实施例1的透明导电片的导电-非导电的点；

图35是描绘相对于初始电阻值和蚀刻时间的变化率(即，假想厚度的变化)的倒数之间的关系的示图；

图36A是示出根据变形例的第二区域的一部分的放大透视图，以及图36B是示出图36A所示第二区域的一部分的放大平面图。

具体实施方式

参照附图以以下顺序描述本发明的实施方式。

1.第一实施方式(通过利用波状面的存在或不存在在基板表面上形成配线图案：参见图1A)

2.第二实施方式(以四方栅格图案配置结构：参见图17A)

3.第三实施方式(通过利用两种类型的波状面之间的差异在基板表面上形成配线图案：参见图20A)

4.第四实施方式(配线图案形成在两个基板表面上：参见图22A和图22B)

5.第五实施方式(表示制造盘状母盘的实例：参见图23A和图23B)

6.第六实施方式(结构为凹陷形式：参见图25A和图25B)

7.第七实施方式(随机形成结构：参见图26A和图26B)

8.第八实施方式(表示对显示装置的应用：参见图27)

9.第九实施方式(表示对信息输入装置的应用：参见图29A和图30A)

10.第十实施方式(表示对IC卡的应用：参见图31A和图31B)

11.第十一实施方式(表示对显示装置的应用：参见图32A至图32C)

<1.第一实施方式>

[导电(光学)元件的结构]

图1A是示出根据本发明第一实施方式的导电元件的结构的一个实例的平面图，图1B是示出根据本发明第一实施方式的导电元件的结构的一个实例的沿着图1A中的线IB-IB截取的截面图，以及图1C是示出根据本发明第一实施方式的导电元件的第一区域中的层结构的截面图。在以下描述中，在其上形成电路的包括导电元件1的表面的平面中彼此垂直的两个方向被称为X轴方向和Y轴方向，并且垂直于其上形成电路的表面的方向被称为Z轴方向。

根据本发明第一实施方式的导电元件1包括：基板2，具有交替形成在其上的第一区域R₁和第二区域R₂；以及导电层4，连续形成在第一区域R₁和第二区域R₂中的一个R₁中以提供配线图案(导电图案)。例如，导电层4由具有导电性的单层膜形成。结合在第一区域R₁中形成配线图案的情况(作为导电图案的一个实例)进行以下描述。然而，导电图案不限于配线图案，其可被设置为具有导电性的各种图案中适当的一种。例如，导电图案可以被形成为电极图案。

从减小表面电阻的观点来看，如图1C所示，导电元件1优选还包括金属层5，其以与导电层4垂直相邻(或堆叠)的关系形成在第一区域R₁中的基板表面上。导电元件1实际上被用于构成例如印刷电路板、图像显示装置或信息输入装置。印刷电路板的实例包括刚性板、柔性板和刚性-柔性板。图像显示装置的实例包括液晶显示装置和电致发光(EL)装置(诸如有机EL装置和无机EL装置)。

(第一区域R₁和第二区域R₂)

例如，在第二区域R₂中的基板表面上形成波长不大于可见光的波长的波状面Sw2。此外，在波状面Sw2上，根本没有形成导电层4，或者以不连续状态形成导电层4。例如，波状面Sw2是凹凸面，其中，以与不大于可见光波长的波长相对应的排列节距来形成多个结构3。另一方面，例如，在第一区域R1中的基板表面上形成平坦面Sp1，并且在平坦面Sp1上连续形成导电层4。因此，第二区域R₂用作建立形成在第二区域R₂的两侧的相邻第一区域R₁上的导电层4之间的绝缘的绝缘区域。相反，连续形成在第一区域R₁中的导电层4在第一区域R1延伸的方向上具有导电性，并且其用作配线图案(导电图案)。

优选地，平坦面Sp1和波状面Sw2满足以下关系：

(Am1/λm1)＝0.0＜(Am2/λm2)≤1.8

(其中，Am1是平坦面Sp1的振动(vibration)的平均振幅，Am2是波状面Sw2的振动的平均振幅，λm1是平坦面Sp1的平均波长，以及λm2是波状面Sw2的平均波长)。

由于平坦面Sp1可以被认为是其振动的平均振幅为“0”的波状面，所以平坦面Sp1的平均振动振幅Am1和平均波长λm1以及比率(Am1/λm1)可以如上所述进行定义。

在比率(Am2/λm2)＞1.8的情况下，存在在转印波状面Sw2的步骤中引起剥离不良且损坏波状面Sw2的趋势。

例如，波状面Sw2是一维或二维波状面，其波长不大于可见光的波长。更具体地，例如，波状面Sw2是凹凸面，其中，通过以与不大于可见光波长的波长相对应的排列节距以一维或二维阵列配置形成多个结构3。

波状面Sw2的平均波长λm2优选在不小于100nm的范围内。如果平均波长λm2小于100nm，则存在在形成波状面Sw2的过程中难度增加的趋势。

此外，波状面Sw2的平均波长λm2优选在不大于100μm的范围内。如果平均波长λm2大于100μm，则会在印刷(in-printing)和膜形成的过程中发生阶梯覆盖的问题，由此发生缺陷。

优选地，在第二区域R₂中根本不存在导电层4。然而，导电层4可以以允许第二区域R₂用作绝缘区域的这种状态而存在于第二区域R₂上。在后一种情况下，形成在第一区域R₁中的导电层4的面积优选大于形成在第二区域R₂中的导电层4的面积。更具体地，优选地，导电层4连续形成在第一区域R₁中，而导电层4例如以岛状状态不连续地形成在第二区域R₂中。作为可选，形成在第二区域R₂中的导电层4的厚度可以以形成在第二区域R₂中的导电层4基本没有显示出导电性且第二区域R₂能够用作绝缘区域的这种程度而小于形成在第一区域R₁中的导电层4的厚度。

作为另一种方式，导电层4或者其一部分优选在第二区域R₂中根本没有作为残留膜而存在，但是其可以以第二区域R₂能够用作绝缘区域的这种程度而存在为残留膜。当在第二区域R₂中存在残留膜的情况下，并且形成在第一区域R₁中的导电层4和存在于第二区域R₂的残留膜优选满足以下关系：

S1＞S2

(其中，S1是导电层4的面积，S2是残留膜的面积)。

当满足上述关系时，优选地，导电层4连续形成在第一区域R1中，而残留膜以例如岛状的状态不连续地存在于第二区域R2中。

此外，当在第二区域R2中存在残留膜时，形成在第一区域R₁中的导电层4和存在于第二区域R₂的残留膜优选满足以下关系：

d1＞d2

(其中，d1是导电层4的厚度，d2是残留膜的厚度)。

当满足上述关系时，残留膜的厚度优选以残留膜基本上不显示导电性且第二区域R2能够用作绝缘区域的这种程度而小于形成在第一区域R1中的导电层4的厚度。

虽然图1A表示了连续形成在第一区域R₁中的导电层(即，配线图案)具有直线形状的情况，但配线图案不限于直线形状，并且配线图案可以根据电路设计等具有期望的形状。注意，例如，当导电层4不连续地形成在第二区域R₂中时，因为其在这种情况下不能用作配线图案，因此从图中省略导电层4。换句话说，在附图中没有示出残留膜。

通过在包括波状面Sw2的振动幅度最大的位置的一个方向上切割波状面Sw2获得的截面具有三角形波形状、正弦波形状、重复二次曲线或二次曲线的一部分的波形状、与上述形状近似的形状等。二次曲线的实例包括圆、椭圆和抛物线。

波状面Sw2的振动的平均振幅Am2及其平均波长λm2的比率(Am2/λm2)优选为1.8以下。如果比率(Am2/λm2)超过1.8，则存在在转印结构3的步骤中引起剥离不良且损坏结构3的趋势。

这里，如下确定波状面Sw2的平均波长λm2及其振动的平均振幅Am2。首先，在包括第二区域R2中的波状面Sw2的振动幅度最大的位置的一个方向上切割导电元件1，并通过TEM(透射电子显微镜)拍摄所切割截面的照片。然后，根据所拍摄的TEM照片确定波状面Sw2的波长λ2及其振动的幅度A2。在从导电元件1中随机选择的10个点处重复上述测量之后，简单地取测量值的平均(算术平均)以获得波状面Sw2的平均波长λm及其振动的平均振幅Am2。然后，通过使用如上所述确定的波状面Sw2的平均波长λm及其振动的平均振幅Am2获得波状面Sw2的比率(Am2/λm2)。

以下将一一描述导电元件1的基板2、结构3、导电层4和金属层5。

(基板)

例如，基板2是具有透明性或不透明性的基板。例如，基板2可以由诸如塑料材料的有机材料或者诸如玻璃的无机材料制成。

这里可用的玻璃的实例包括钙钠玻璃、铅玻璃、硬质玻璃、石英玻璃和液晶玻璃(参见“化学便览(Chemical Handbook)”，基础编，P.I-537，由Chemical Society of Japan编辑)。不仅考虑到诸如透明性、折射率和散射的光学特性，而且考虑到诸如耐冲击性、耐热性和耐久性的各种特性，塑料材料的优选实例包括：(甲基)丙烯酸树脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯和其他乙烯基单体(诸如烷基(甲基)丙烯酸脂和苯乙烯)的共聚物；聚碳酸酯树脂，诸如聚碳酸酯和二甘醇双烯丙烯碳酸酯(CR-39)；热固性(甲基)丙烯酸树脂，诸如(溴化)双酚A二(甲基)丙烯酸酯的均聚物或共聚物，以及(溴化)双酚A单(甲基)丙烯酸酯的聚氨酯改性单体的聚合物或共聚物；以及聚酯，尤其是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和不饱和聚酯，以及丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚亚安酯、环氧树脂、多芳基化合物、聚醚砜、聚醚酮和环烯聚合物(商标名：ARTON和ZEONOR)。此外，还可以使用考虑耐热性的芳族聚酰胺树脂。

当塑料基板被用作基板2时，可以形成下涂层以用于表面处理，以提高塑料表面的表面能、涂覆特性、滑动特性、平面性等。用于下涂层的材料实例包括有机烷氧基金属化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯和聚亚安酯。可选地，基板2的表面可以用电晕放电或UV照射来处理，以获得等效于下涂层所获得的效果。

当基板2是塑料膜时，例如，可以通过拉伸一种上述树脂的方法或者用溶剂稀释一种上述树脂、以膜的形式涂覆所稀释的树脂并干燥膜的方法来获得基板2。例如，基板2的厚度为大约25μm至500μm。

例如，基板2可以为膜、板或块的形式，但是基板2的形式不限于这些特定实例。这里，所定义的术语“膜”包括片。

(结构)

图2A是图1A所示第二区域的一部分的放大平面图。图2B是沿着图2A中的轨迹T1、T3等的每一个截取的截面图，以及图2C是沿着图2A中的轨迹T2、T4等的每一个截取的截面图。图2D是用于形成对应于图2A中的轨迹T1、T3等的每一个的潜像的激光束的调制波形的示图，以及图2E是用于形成对应于图2A中的轨迹T2、T4等的每一个的潜像的激光束的调制波形的示图。图3以及图5至图7分别是图1A所示第二区域的一部分的放大透视图。图4A是沿着图2A所示第二区域中的轨迹延伸方向所截取的截面图，以及图4B是沿着图2A所示第二区域中的θ方向所截取的截面图。

在第二区域R₂中，在基板2的表面上配置具有凸状的多个结构3。利用凸状结构3的存在，波状面Sw2形成在第二区域R₂中的基板2的表面上。例如，结构3与基板2独立形成或者与基板2一体形成。当结构3和基板2彼此独立形成时，根据需要可以在结构3和基板2之间形成底部基层。底部基层是与结构3的底侧一体形成的层并且例如通过固化与结构3所使用的能量线可固化树脂组分类似的能量线可固化树脂组分来形成。底部基层的厚度不限于特定值，并且可以根据需要任意选择。

结构3的纵横比(Hm/Pm)优选满足以下关系：

0＜(Hm/Pm)≤1.8

(其中，Hm是结构3的平均高度，Pm是结构3的平均排列节距)。

在(Hm/Pm)＞1.8的情况下，存在在转印结构3的步骤中引起剥离不良并损坏结构3的趋势。

例如，可以以一维或二维阵列来配置多个结构3。例如，结构3的阵列可以为规则或不规则阵列。优选地，根据母盘制造方法等来选择规则或不规则阵列中适当的一种。

从减少光反射的观点来看，优选地，结构3以与不大于欲减少反射的频带中的光的波长的波长相对应的排列节距(例如，以与不大于可见光的波长的波长相对应的排列节距)来二维循环配置结构3。这里，术语“排列节距”是指平均排列节距P。例如，欲减少反射的光的波长带为紫外线波长带、可见光波长带或红外线波长带。这里，术语“紫外线波长带”是指10nm以上360nm以下的波长带。术语“可见光波长带”是指360nm以上830nm以下的波长带。术语“红外线波长带”是指830nm以上1mm以下的波长带。实际上，结构3的平均排列节距优选在180nm以上350nm以下的范围内，更优选为100nm以上320nm以下，更优选为110nm以上280nm以下。如果平均排列节距小于180nm，则存在制造结构3的过程中的难度增加的趋势。另一方面，如果平均排列节距超过350nm，则存在引起可见光衍射的趋势。

在导电元件1中，配置结构3以在基板2的表面上形成轨迹T1、T2、T3等(以下统称为“轨迹T”)的多行。在本发明的申请文件中，术语“轨迹(track)”是指以直线或曲线连续形成结构3的区域。此外，术语“列方向”是指在基板2的成形面中与轨迹延伸的方向(例如，X轴方向)垂直的方向。

在通过彼此相邻的两条轨迹T之间的半个节距偏移的位置处配置结构3。更具体地，参见彼此相邻的两条轨迹T，另一轨迹(例如，T2)中的结构3被配置在一个轨迹(例如，T1)中配置的结构3之间的中间位置(偏移一半节距的位置)。从而，如图2A所示，在相邻轨迹(T1至T3)的每三行中排列结构3，以形成六角形栅格图案或准六角形栅格图案，其中，结构3的中心位于七个点a1至a7处。在该实施方式中，术语“六角形栅格图案”是指规则的六角形栅格图案。此外，不同于规则的六角形栅格图案，术语“准六角形栅格图案”是指通过在轨迹延伸方向(例如，X轴方向)上延伸而变形的六角形栅格图案。

当以准六角形栅格图案排列结构3时，优选地，如图2A所示，相同轨迹(例如，轨迹T1)中结构3的排列节距P1(例如，a1和a2之间的距离)大于两个相邻轨迹(例如，T1和T2)之间的结构3的排列节距，即相对于轨迹延伸方向的±θ方向上的结构3的排列节距P2(例如，a1和a7之间的距离以及a2和a7之间的距离)。通过如上所述排列结构3，可以进一步增加结构3的充填密度。

从形成结构3的容易度的观点来看，结构3优选具有轴对称锥形形状或在轨迹方向上延伸或收缩的锥形形状。当相邻的结构3彼此结合时，除了结构3的与相邻结构结合的各自的下部之外，结构3优选具有轴对称锥形形状或在轨迹方向上延伸或收缩的锥形形状。锥形形状的实例包括圆锥形状、截顶圆锥形状、椭圆锥形状和截顶椭圆锥形状。这里，如上所述，术语“锥形形状”是指不仅包括圆锥形状和截顶圆锥形状而且还包括椭圆锥形状和截顶椭圆锥形状的概念。此外，术语“截顶圆锥形状”是指通过切掉圆锥形状的顶部而获得的形状，以及术语“截顶椭圆锥形状”是指通过切掉椭圆锥形状的顶部而获得的形状。

优选地，结构3具有锥形形状，在该锥形形状的底面中，轨迹延伸方向上的结构3的宽度大于与轨迹延伸方向垂直的列方向上的结构3的宽度。更具体地，如图3和图5所示，结构3优选具有这样的椭圆锥形状，其中，底面是具有长轴和短轴的椭圆形、长圆形(oblong)或卵形，并且顶部具有曲面。作为可选，如图6所示，结构3优选具有这样的截顶椭圆锥形状，其中，底面是具有长轴和短轴的椭圆形、长圆形或卵形，并且顶部具有平坦面。结构3均具有可以在列方向上以更大的充填率排列的这种形状。

从提高反射特性的观点来看，结构3优选具有这样的锥形形状(参见图5)，其中，顶部的斜度比较缓和，从中部到底部斜度变得逐渐陡峭。从提高反射特性和透射特性的观点来看，结构3优选具有这样的锥形形状(参见图3)，其中，中部的斜度比底部和顶部的斜度陡峭，或者具有这样的锥形形状(参见图6)，其中，顶部具有平坦面。当结构3具有椭圆锥形状或截顶椭圆锥形状时，其底面的长轴的方向优选平行于轨迹延伸方向。在图3等中，结构3具有相同的形状。然而，结构3的形状在一个导电元件1中不限于一种形状，可以在基板表面上形成具有两种以上形状的结构3。此外，结构3可以与基板2一体形成。

如图3以及图5至图7所示，优选在结构3的***处部分或整体地形成突出部6。由于突出部6的存在，即使当结构3的填充率较低时，也可以将反射率保持得较低。更具体地，如图3以及图5和图6所示，突出部6形成在彼此相邻的结构3之间。可选地，如图7所示，细长的突出部6可以部分或整体地形成在结构3的***。例如，细长的突出部6从结构3的顶部延伸到底部。例如，突出部6可以具有三角形或矩形形状的截面。然而，突出部6的形状不限于这种特定的形状，可以考虑例如形成突出部6的容易度来任意选择其形状。此外，结构3的***表面可以部分地或整体地粗糙化以形成细微的凹凸部。实际上，例如，彼此相邻的结构3之间的表面可以被粗糙化以形成细微的凹凸部。作为可选，可以在结构3的表面上(例如，在其顶部中)形成细微的孔。

从位于轨迹延伸方向上的底部算起的结构3的高度H1优选小于从位于列方向上的底部算起的结构3的高度H2。换句话说，结构3的高度H1和H2优选满足H1＜H2的关系。原因在于，如果以H1≥H2的关系排列结构3，则结构3在轨迹延伸方向上的排列节距P1增加并且结构3在轨迹延伸方向上的填充率降低。填充率的降低会引起反射特性的劣化。

结构3的平均高度Hm、平均排列节距Pm和平均纵横比(Hm/Pm)优选分别与波状面Sw2的平均振动振幅Am、平均波长λm和比率(Am/λm)相同。

这里，通过以下公式(1)来定义平均纵横比：

平均纵横比＝Hm/Pm            ...(1)

其中，Hm是结构的平均高度，Pm是平均排列节距(平均周期)。

通过以下公式(2)来定义平均排列节距Pm：

平均排列节距Pm＝(p₁+p₂+...+p₁₀)/10    ...(2)

其中，p₁、p₂...p₁₀分别表示从基板表面上的结构3中随机选择的十组结构3的排列节距P1或P2。这里，P1是轨迹延伸方向上的排列节距(即，轨迹延伸方向上的周期)，P2是相对于轨迹延伸方向的±θ方向上的排列节距(θ＝60°-δ，其中，δ优选满足0°＜δ≤11°，更优选地满足3°≤δ≤6°)(即，θ方向上的周期)。

如下确定平均排列节距Pm、平均高度Hm和平均纵横比(Hm/Pm)。首先，沿着包括结构3的顶部的截面切割导电元件1，并且通过TEM(透射电子显微镜)拍摄所切割截面的照片。然后，根据所拍摄的TEM照片确定结构3的排列节距P(排列节距P1或P2)和结构3的高度H。在从导电元件1中随机选择的10个点处重复上述测量之后，简单地取测量值的平均(算术平均)以获得平均排列节距Pm和平均高度Hm。然后，通过使用如上所述确定的平均排列节距Pm和平均高度Hm获得平均纵横比(Hm/Pm)。

纵横比对于所有结构3来说可以不相同，并且结构3可被形成为具有特定的高度分布。利用具有高度分布的结构3，可以减少反射特性对波长的依存性。因此，可以实现具有极好抗反射特性的导电元件1。

这里，术语“高度分布”是指具有两个以上不同高度(深度)的结构3形成在基板2的表面上。换句话说，术语“高度分布”是指具有基准高度的结构3和具有不同于基准高度的高度的结构3形成在基板2的表面上。例如，在基板2的表面上周期性或非周期性(随机)地形成具有不同于基准高度的高度的结构3。在前一种情况下，周期性方向例如为轨迹延伸方向或列方向。

足(根)部3a优选形成在结构3的***。由于足部3a的存在，例如，在制造导电(光学)元件1的处理中可以更加容易地从模具上剥离结构3。这里，足部3a是指形成在结构3的底部***处的突出部。从提高剥离特性的观点来看，足部3a优选具有曲面，该曲面具有从结构3的顶部开始在朝向下部的方向上逐渐减小的高度。足部3a可以只形成在结构3的***的一部分中。然而，从提高剥离特性的观点来看，足部3a优选形成在结构3的整个***之上。当结构3为凹部形式时，足部被设置为形成在用作结构3的凹部的开口***处的曲面。

当以六角形栅格图案或准六角形栅格图案排列结构3时，结构3的高度被定义为从位于列方向上的底部算起的结构3的高度。从位于轨迹延伸方向(X方向)的底部算起的结构3的高度小于从位于列方向(Y方向)上的底部算起的结构3的高度，并且从除轨迹延伸方向之外的区域中的底部算起的结构3的高度基本上与从位于列方向上的底部算起的结构3的高度相同。因此，通过从位于列方向上的底部算起的高度来表示子波长结构。当结构3为凹部形式时，上述公式(1)中的结构3的高度被设置为结构3的深度H。

假设同一轨迹中结构3的排列节距为P1且两个相邻轨迹之间结构3的排列节距为P2，则比率P1/P2优选满足关系1.00≤P1/P2≤1.2或1.00＜P1/P2≤1.2，更优选地满足关系1.00≤P1/P2≤1.1或1.00＜P1/P2≤1.1。通过将比率P1/P2设定为满足这种数字范围，可以增加具有椭圆锥形状和截顶椭圆锥形状的结构3的填充率，并且提高抗反射特性。

以100％为上限，基底表面中结构3的填充率为65％以上，优选为73％以上，更优选为86％以上。通过将填充率设定为落入这种范围，可以提高抗反射特性。为了增加填充率，优选地，通过将相邻结构3的下部彼此结合，或者通过调整结构3的底面的椭圆率来扭曲结构3。

这里，如下确定结构3的填充率(平均填充率)。

首先，通过使用扫描电子显微镜(SEM)拍摄导电元件1的表面的照片作为“顶视图”。在从所拍摄的SEM照片中随机选择单位栅格Uc之后，测量单位栅格Uc的排列节距P1和轨迹节距Tp(参见图2A)。此外，通过图像处理来测量位于相关单位栅格Uc中心处的结构3的底面的面积S。然后，通过使用所测量的排列节距P1、轨迹节距Tp和底面的面积S，根据以下公式(3)确定填充率：

填充率＝(S(hex.)/S(unit))×100    ...(3)

单位栅格的面积：S(unit)＝P1×2Tp

位于单位栅格内的结构的底面的面积：S(hex.)＝2S

对从所拍摄的SEM照片中随机选择的10个单位栅格执行计算填充率的上述处理。此外，对所测量的值简单地取平均(算术平均)以获得填充率的平均值，并且平均值被设置作为基板表面中结构3的填充率。

当结构3彼此重叠时，或者当诸如突出部6的子结构存在于结构3之间时，可以通过在处于与结构3的高度的5％相对应的水平处设置阈值的同时确定面积比的方法来获得填充率。

图8是解释当结构3之间的边界不清楚时计算填充率的方式的示图。当结构3之间的边界不清楚时，如图8所示，通过基于利用SEM观察的截面照片将阈值设置为与结构3的高度h的5％(＝(d/h)×100)相对应的水平，并且通过计算高度d处结构3的直径来确定填充率。当结构3的底面具有椭圆形状时，对于椭圆形状的长轴和短轴的每一个类似地执行上述处理。

图9A至图9D示出了当改变底面的椭圆率时结构3的底面形状。图9A至图9D所示的椭圆分别具有100％、110％、120％和141％的椭圆率。通过以这种方式改变椭圆率，可以改变基板表面中结构3的填充率。当以准六角形栅格图案形成结构3时，结构3的底面优选具有100％＜e≤150％范围内的椭圆率e。通过将椭圆率设定为落入该范围，可以增加基板3的填充率，并且可以获得极好的抗反射特性。

假设轨迹方向(X方向)上结构3的底面的轴的长度为a且其在列方向(Y方向)上的轴的长度为b，则椭圆率e被定义为(a/b)×100。如下确定结构3的轴的长度a和b。首先，通过使用扫描电子显微镜(SEM)拍摄导电元件1的表面的照片作为“顶视图”，并且从所拍摄的SEM照片中随机提取10个结构3。然后，测量所提取结构3的每一个的底面的轴的长度a和b。此外，简单地分别对测量值a和b取平均(算术平均)以获得长度a和b对应的平均值，并且平均值被设置作为结构3的轴的长度a和b。

图10A示出了每一个都具有圆锥形状或截顶圆锥形状的结构3的阵列的一个实例，以及图10B示出了每一个都具有椭圆锥形状或截顶椭圆锥形状的结构3的阵列的一个实例。如图10A和图10B所示，优选排列结构3，使得他们的下部以重叠的关系相互结合。更具体地，一个结构3的下部优选与其他相邻结构3的部分或所有的下部相结合。更加具体地，相邻结构3的下部优选在轨迹方向或θ方向上或者在这两个方向上彼此结合。图10A和图10B示出了所有相邻结构3的下部彼此结合的实例。通过以这种方式使结构3彼此结合，可以增加结构3的填充率。更具体地，结构3优选与在考虑了折射率的光程长度的情况下所使用的环境下的光的波长带中最大值的1/4以下相对应的下部处相互结合。结果，可以获得极好的抗反射特性。

如图10B所示，在相同轨迹中彼此相邻的结构3的下部被重叠以形成第一结合部a，以及在相邻轨迹之间彼此相邻的结构3的下部被重叠以形成第二结合部b。在第一结合部a和第二结合部b之间的交叉处形成交叉部c。例如，交叉部c的位置低于第一结合部a和第二结合部b的位置。当具有椭圆锥形状或截顶椭圆锥形状的结构3的下部彼此结合时，例如，第一结合部a、第二结合部c和交叉部c的高度顺序减小。

长度或直径2r(参见图8)与排列节距P1的比率(即，(2r/P1)×100)为85％以上，优选在90％以上，更加优选在95％以上。通过将比率设定为落入这种范围，可以增加结构3的填充率，并且可以提高抗反射特性。如果比率((2r/P1)×100)增加则结构3过度地彼此重叠，则抗反射特性趋于劣化。因此，优选设定比率((2r/P1)×100)的上限，使得结构3与在考虑了折射率的光程长度的情况下所使用的环境下的光的波长带中最大值的1/4以下相对应的下部处相互结合。这里，排列节距P1表示结构3在轨迹方向上的排列节距，长度2r表示轨迹方向上的结构3的底面的轴的长度。更具体地，当结构3的底面为圆形时，长度2r被设置为直径，而当结构3的底面为椭圆时，其被设置为长轴的长度。

(导电层)

例如，导电层4为透明导电层。例如，透明导电层为无机透明导电膜。此外，导电层4例如由单层膜形成。

无机透明导电膜优选包含透明氧化物半导体作为主要成分。这里，可使用的透明氧化物半导体的实例包括：二元化合物，诸如SnO₂、InO₂、ZnO和CdO；三元化合物，包含作为二元化合物的组成元素的Sn、In、Zn和Cd中的至少一种；以及多组成(成分)氧化物。透明氧化物半导体的实际实例包括氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、掺杂铝的氧化锌(AZO(Al₂O₃，ZnO))、SZO、掺杂氟的氧化锡(FTO)、氧化锡(SnO₂)、掺杂镓的氧化锌(GZO)以及氧化铟锌(IZO(In₂O₃，ZnO))。在这些实例中，从高可靠性和低电阻的观点来看，氧化铟锡(ITO)尤其优选。此外，从增加导电性的观点来看，无机透明导电膜的材料优选处于非晶相和多晶相的混合状态。

导电层4的材料可以包含金属膜。例如，金属膜可以由从包括Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu的组中所选择的至少一种金属制成。此外，导电层4可以包含从包括导电高聚物、金属纳米粒子和碳纳米管的组中所选择的至少一种作为主要组成。

第一区域R1中导电层4的表面电阻优选为5000Ω/□(单位面积)以下。如果表面电阻超过5000Ω/□(单位面积)，则存在电阻太高且导电层4不能被用作电极的趋势。

[辊状母盘(master)的结构]

图11A是示出用于制造基板的辊状母盘11的结构的一个实例的透视图，以及图11B是示出图11A所示辊状母盘的一部分的放大透视图。辊状母盘11是用于在基板表面上形成上述结构3的母盘。例如，辊状母盘11具有圆柱或圆筒形状。在辊状母盘11的圆柱或圆筒表面上交替形成许多第一区域R₁和许多第二区域R₂。图11A和图11B示出了以环状沿着圆周形成第一区域R₁和第二区域R₂的情况。然而，第一区域R₁和第二区域R₂的形状不限于图中所示，可以根据配线图案的期望形状(即，将形成在第一区域R₁中的导电层4的形状)来适当地选择它们的形状。例如，辊状母盘11可以由玻璃制成，但是辊状母盘11的材料不具体限于玻璃。

图12A是示出图11A所示辊状母盘的一部分的放大截面图，以及图12B是示出图11A所示第二区域的一部分的放大平面图。在辊状母盘11的第二区域R2中，例如，以与不大于可见光的波长的波长相对应的排列节距排列多个凹部形式的结构12。例如，凹部形式的结构12没有形成在第一区域R1中，从而第一区域R1具有平坦面。以六角形栅格图案或准六角形栅格图案在第二区域R2中排列多个结构12，其中，结构12的中心位于彼此相邻的三条轨迹(T1至T3)之上的点a1至a7处。可以通过利用稍后描述的辊状母盘曝光设备执行图案化来记录或绘制六角形栅格图案或准六角形栅格图案，从而，通过生成与记录设备的旋转控制器同步的每个轨迹的极性反转格式化信号，并在恒定角速度(CAV：ConstantAngular Velocity)的条件下以适当的馈送节距馈送辊状母盘，以彼此空间上链接二维图案。因此，通过适当地设定极性反转格式化信号的频率和辊状母盘的旋转数，可以在期望的记录区域中形成具有均匀空间频率的栅格图案。

[曝光设备的结构]

图13是示出辊状母盘曝光设备的结构的一个实例的框图。以下将参照图13描述辊状母盘曝光设备的结构。例如，可以基于光盘记录设备来构造图13所示的辊状母盘曝光设备。

激光束源21是对用作记录介质的母盘11的表面上涂覆的抗蚀剂层进行曝光的光源，并且其振荡例如波长λ＝266nm的激光束14以用于记录的目的。从激光束源21发射的激光束14直线前进同时保持平行光束的形式，然后进入电光调制器(EOM)22。已经穿过EOM 22的激光束14被反射镜23反射并被导向调制光学***25。

反射镜23由偏振分束器构成，并具有反射一种偏振分量并透射另一种偏振分量的功能。已经穿过反射镜23的偏振分量被光电二极管(PD)24接收，并且通过根据从光电二极管24输出的表示其所接收的光量的信号控制EOM 22来执行激光束14的相位调制。

在调制光学***25中，通过聚光透镜26将激光束14会聚至例如由玻璃(SiO₂)制成的声光调制器(AOM)27。在经过AOM 27的强度调制之后，通过透镜28将离散激光束14转换为平行光束。从调制光学***25出射的激光束14被反射镜31反射并作为水平和平行光束被引导至可移动光学台32。

可移动光学台32包括光束扩展器(BEX)33和物镜34。被引导至可移动光学台32的激光束14通过光束扩展器33成形为期望的光束形状并通过物镜34传送以用于照射母盘11上的抗蚀剂层。母盘11被放置在连接至主轴电机35的转盘36上。在旋转母盘11并在母盘11的高度方向上移动激光束14的同时，通过利用激光束间歇地照射抗蚀剂层来执行抗蚀剂层的曝光步骤。在曝光步骤中形成的潜像基本上具有椭圆形状，其中，长轴在母盘11的圆周方向上延伸。通过在箭头R的方向上移动可移动光学台32来移动激光束14。

曝光设备包括控制机构37，用于在抗蚀剂层中形成与图2A所示的六角形栅格或准六角形栅格的二维图案相对应的潜像。控制机构37包括格式化器29和驱动器30。格式化器29包括控制利用激光束14照射抗蚀剂层的定时的极性反转部。驱动器30接收来自极性反转部的输出并控制AOM 27。

在上述辊状母盘曝光设备中，与用于记录设备的旋转控制器同步地生成每个轨迹的极性反转格式化信号，并通过AOM 27执行激光束14的强度调制，使得二维图案在空间上彼此链接。可以在恒定角速度(CAV)的条件下以适当的旋转数、适当的调制频率和适当的馈送节距对抗蚀剂层进行图案化来记录六角形栅格图案或准六角形栅格图案。为了在圆周方向上获得315nm的图案周期以及在相对于圆周方向大约60°的方向(或者大约-60°的方向)上获得300nm的图案周期，例如，馈送节距被设置为251nm(基于毕达哥拉斯定理)。根据辊状母盘的旋转数(例如，1800rpm、900rpm、450rpm和225rpm)来改变极性反转格式化信号的频率。例如，与辊状母盘的1800rpm、900rpm、450rpm和225rpm的旋转数相对应的极性反转格式化信号的频率分别为37.70MHz、18.85MHz、9.34MHz和4.71MHz。实际上，可以通过可移动光学台32上的光束扩展器(BEX)33将远紫外激光束的光束直径放大5倍，通过具有0.9数值孔径(NA)的物镜34利用放大的激光束照射母盘11上的抗蚀剂层，以及在期望的记录区域中形成细微的潜像来获得具有均匀空间频率的准六角形栅格图案(例如，圆周方向上315nm的周期和相对于圆周方向大约60°的方向(或者大约-60°的方向)上300nm的周期)。

[制造导电元件的方法]

以下将参照图13至图16描述根据本发明第一实施方式的导电元件1的制造方法的一个实例。

(抗蚀剂层形成步骤)

首先，如图14A所示，制备圆柱或圆筒的辊状母盘11。例如，辊状母盘11是玻璃制成的母盘。接下来，如图14B所示，在辊状母盘11的表面上形成抗蚀剂层13。例如，抗蚀剂层13可以由有机抗蚀剂或无机抗蚀剂制成。这里可以使用的有机抗蚀剂的实例包括基于酚醛清漆(novolac-based)的抗蚀剂和化学放大型抗蚀剂。此外，这里可以使用的无机抗蚀剂的实例包括金属化合物，其不仅包含一种金属，而且还可以包含两种以上的金属。

(曝光步骤)

接下来，如图14C所示，旋转辊状母盘11，并通过使用上述辊状母盘曝光设备利用激光束(曝光光束)14来照射抗蚀剂层13。此时，利用激光束14照射抗蚀剂层13，同时在辊状母盘11的高度方向上(即，在平行于圆柱或圆筒辊状母盘11的中心轴的方向上移动激光束14。此外，此时，仅在与两个配线图案区域之间的绝缘区域相对应的第二区域R₂中形成潜像16，由此被设置作为曝光区域。另一方面，与配线图案区域相对应的第一区域R₁没有被曝光，并被设置作为未曝光区域。例如，以与不大于可见光波长的波长相对应的节距，根据激光束14的轨线来形成潜像16。

例如，配置潜像16以在辊状母盘11的表面上形成多行轨迹，并提供六角形栅格图案或准六角形栅格图案。例如，每个潜像16都具有椭圆形状，其具有在轨迹延伸方向上定向的长轴。

(显影步骤)

接下来，作为图15A所示显影步骤的一个实例，显影溶液被滴在抗蚀剂层13上以对抗蚀剂层13进行显影，同时旋转辊状母盘11。当抗蚀剂层13由正性抗蚀剂形成时，与未曝光区域相比，经受了激光束14曝光的曝光区域中的显影溶液的溶解率较高。因此，如图15A所示，在抗蚀剂层13中形成对应于潜像(曝光区域)16的图案。结果，例如，在第二区域R₂中，在抗蚀剂层13中形成六角形栅格图案或准六角形栅格图案的开口。另一方面，没有在第一区域R₁的抗蚀剂层13中形成开口，并且第一区域R₁整体保持在被抗蚀剂层13覆盖的状态。作为另一种方式，在辊状母盘11的表面上形成仅在第二区域R₂中具有开口图案的掩模。

(蚀刻步骤)

接下来，通过将形成在辊状母盘11上的抗蚀剂13的图案(抗蚀剂图案)用作掩模来蚀刻辊状母盘11的表面。结果，在辊状母盘11的表面的第二区域R₂中，通过开口进行蚀刻。因此，如图15B所示，在第二区域R₂中形成结构(凹部)12，每一个结构(凹部)12都例如具有椭圆锥形状和截顶椭圆锥形状，其中长轴在轨迹延伸方向上定向。另一方面，在辊状母盘11的表面的第一区域R₁中，由于第一区域R₁完成被抗蚀剂13所覆盖，所以没有进行蚀刻并且辊状母盘11的表面保持为平坦面。例如，实际上可以使用干蚀刻进行蚀刻。

通过上述步骤，可以获得目标辊状母盘11。

(转印步骤)

接下来，作为图15C所示转印步骤的一个实例，使辊状母盘11与其上涂覆有转印材料15的基板2(例如，膜)相互紧密接触。在通过例如利用紫外线的照射来固化转印材料15之后，从辊状母盘11上剥离与固化的转印材料15一体的基板2。

例如，转印材料包含紫外线固化材料和引发剂。根据需要，转印材料15还可包含填料、功能添加剂等。

例如，紫外线固化材料由单官能单体、双官能单体、多官能单体等制成。更具体地，紫外线固化材料单独或以混合形式包含以下材料。

单官能单体的实例包括羧酸(诸如丙烯酸)、羟基化合物(诸如2-羟乙基丙烯酸酯、2-羟丙基丙烯酸酯和4-羟基丁基丙烯酸酯)、烷基基化合物、脂环化合物(诸如丙烯酸异丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯、丙烯酸异冰片酯和丙烯酸环己基酯)和其他功能单体(诸如2-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙烯基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸酯、四氢化糠基丙烯酸酯、苯甲基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨基丙烯酸酯、N，N-二甲氨基丙基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯氨化物、丙烯酰吗啉、N-异丙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯醛基酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、2-(全氟辛基)乙基丙烯酸酯、3-(全氟己基)-2-羟基丙基丙烯酸酯、3-(全氟辛基)-2-羟基丙基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)甲基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚丙烯酸甲酯、2-(2，4，6-三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯和2-乙基己基丙烯酸酯)。

双官能单体的实例包括三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羟基丙烷二芳基醚和聚氨酯丙烯酸酯。

多官能单体的实例包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇戊-/己-丙烯酸酯以及双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯。

引发剂的实例包括2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮和2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮。

例如，这里所使用的填料可以为无机微粒或有机微粒。无机微粒的实例包括金属氧化物微粒，诸如SiO₂、TiO₂、ZrO₂、SnO₂和Al₂O₃。

功能添加剂的实例包括均化剂、表面调整剂和防沫剂。例如，基板2的材料包括甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚碳酸酯、苯乙烯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、二乙酸纤维素、三乙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯基缩醛、聚醚酮、聚氨酯和玻璃。

形成基板2的方法不限于特定的一种。例如，注射成型处理、挤出成型处理、铸造处理等可以用于形成基板2。在需要的情况下可以对基板表面执行诸如电晕处理的表面处理。

(金属层形成步骤)

接下来，根据需要，在基板表面的第一区域R1和第二区域R2中形成金属层5。例如，金属层5可通过诸如热CVD、等离子体CVD以及光CVD的CVD(化学气相沉积)处理(即，通过利用化学反应从气相沉淀薄膜的技术)以及诸如真空气相沉积、等离子体辅助气相沉积、溅射以及离子电镀的PVD(物理气相沉积)处理(即，用于在真空中物理地在基板上聚集气化材料并形成薄膜的技术)来形成。

(形成导电层的步骤)

接下来，如图16B所示，在基板表面的第一区域R₁和第二区域R₂中形成导电层4。结果，在第一区域R₁和第二区域R₂中以不同的状态形成导电层4。例如，可以通过干式处理或湿式处理来形成导电层4。实际上，例如，可以通过化学形成处理或物理形成处理来形成导电层4。化学形成处理的实例包括诸如热CVD、等离子体CVD以及光CVD的CVD(化学气相沉积)、喷涂处理、浸渍处理和粉末涂覆处理。物理形成处理的实例包括真空气相沉积处理、溅射处理、离子电镀处理和脉冲***相沉积处理。此外，可以在加热基板2的同时形成导电层4。接下来，当需要时，对导电层4执行退火处理。通过退火，导电层4变为非晶相和多晶相的混合状态。

(去除导电层的步骤)

接下来，如图16C所示，对其上形成有导电层4的基板表面执行蚀刻。通过蚀刻，从第二区域R₂中去除导电层4，而在第一区域R₁中保留导电层4。因此，形成在第一区域R₁中的导电层4用作配线图案，而第二区域R₂用作配线图案之间的绝缘区域。蚀刻可以为湿蚀刻或干蚀刻。此外，实际可以以湿蚀刻和干蚀刻的组合进行蚀刻。例如，用于湿蚀刻的蚀刻剂可以为硫酸、盐酸、硝酸和氯化铁中的一种或多种。此外，草酸，磷酸、醋酸和硝酸的混合酸，或者铵铈(IV)硝酸盐的水溶液也可以被用作蚀刻剂。干蚀刻实际上可以为等离子体蚀刻或反应离子蚀刻(RIE)。

这里，表述“去除”是指以下三种情况中的一种：(1)导电层4完全从第二区域R₂中消除，(2)导电层4被部分地消除为导电层4在第二区域R₂中不显示出导电性的这种不连续状态(例如，岛状的状态)，或者(3)导电层4被减薄到导电层4在第二区域R₂中不显示出导电性的这种程度。

(清洗步骤)

接下来，根据需要清洗已经经受了蚀刻的基板表面。

通过上述步骤，获得了目标导电元件1。

简而言之，根据第一实施方式，导电层4形成在具有平坦面Sp1和波状面Sw2的基板表面上。然后，基于形成在平坦面Sp1和波状面Sw2上的导电层4的各自状态之间的差异，通过在平坦面Sp1和波状面Sw2上处理导电层4来形成导电图案，使得形成在波状面Sw2上的导电层4被去除，而形成在平坦面Sp1上的导电层4保留。因此，可以以高精度和高产量实现导电元件1。

(变形例)

图36A是示出根据变形例的第二区域的一部分的放大透视图，以及图36B是示出图36A所示第二区域的一部分的放大平面图。如图36A和图36B所示，例如，多个结构3可以一维地排列在第二区域R₂中，使得在多行轨迹T中配置结构3以分别沿着轨迹T延伸，从而以一维图案形成波状面Sw2。例如，轨迹T可以具有直线或圆弧形状。此外，可以以摆动形式延伸具有直线或圆弧形状的轨迹T。

例如，结构3是在一个方向上延伸的柱形构件，并且其截面形状例如为三角形、顶部具有曲率R的三角形、多角形、半圆形、半椭圆形或抛物线形。然而，结构3的截面不限于这些形状。结构3的形状的实际实例包括柱状透镜式(lenticular)形状和棱镜式形状，但是结构3的形状不限于这些形状。结构3的高度可以沿着轨迹延伸方向改变。此外，结构3可以间歇地形成在轨迹延伸方向上。

<2.第二实施方式>

[导电(光学)元件的结构]

图17A是根据本发明第二实施方式的导电元件的第二区域的一部分的放大平面图。图17B是沿着根据本发明第二实施方式的导电元件的第二区域中的轨迹T1、T3等的每一个所截取的截面图，图17C是沿着图17A中的轨迹T2、T4等的每一个所截取的截面图。图17D是示出用于形成对应于图17A中的轨迹T1、T3等的每一个的潜像的激光束的调制波形的示图，以及图17E是示出用于形成对应于图17A中的轨迹T2、T4等的每一个的潜像的激光束的调制波形的示图。

根据第二实施方式的导电元件1与根据第一实施方式的导电元件1的不同之处在于，在每三行相邻的轨迹中排列形成在第二区域R2中的多个结构3，以形成四角形栅格图案或准四角形栅格图案。在第二实施方式中，不同于规则的四角形栅格图案，术语“准四角形栅格图案”是指通过在轨迹延伸方向(X轴方向)上延伸而变形的四角形栅格图案。

同一轨迹中结构3的排列节距P1大于两个相邻轨迹之间的结构3的排列节距。此外，假设同一轨迹中结构3的排列节距为P1且两个相邻轨迹之间结构3的排列节距为P2，则P1/P2优选满足1.4＜P1/P2≤1.5的关系。通过将P1/P2设定为满足这种数字范围，可以增加具有椭圆锥形状和截顶椭圆锥形状的结构3的填充率，并且可以提高抗反射特性。

从相对于轨迹延伸方向位于±θ方向上的底部算起的结构3的高度H2优选小于从位于轨迹延伸方向上的底部算起的结构3的高度H1。换句话说，结构3的高度H1和H2优选满足H1＞H2的关系。当以四角形栅格图案或准四角形栅格图案排列结构3时，结构3的高度H被定义为从位于排列结构3的方向(即，轨迹(延伸)方向)上的底部算起的结构3的高度。

图18示出了当改变底面的椭圆率时结构3的底面的形状。三个椭圆3₁、3₂和3₃分别具有100％、163.3％和141％的椭圆率。通过以这种方式改变椭圆率，可以改变基板表面中结构3的填充率。当以四角形栅格图案或准四角形栅格图案排列结构3时，结构3的底面的椭圆率e优选在150％≤e≤180％的范围内。通过将椭圆率设定为落入该范围，可以增加结构3的填充率，并且可以获得极好的抗反射特性。

以100％为上限，基板表面中结构3的填充率为65％以上，优选为73％以上，更优选为86％以上。通过将填充率设定为落入这种范围，可以提高抗反射特性。

这里，如下确定结构3的填充率(平均填充率)。

首先，通过使用扫描电子显微镜(SEM)拍摄导电元件1的表面的照片作为“顶视图”。在从所拍摄的SEM照片中随机选择单位栅格Uc之后，测量单位栅格Uc的排列节距P1和轨迹节距Tp(参见图17A)。此外，通过图像处理来测量位于相关单位栅格Uc内的四个结构3中的一个的底面面积S。然后，通过使用所测量的排列节距P1、轨迹节距Tp和底面的面积S，根据以下公式(4)确定填充率：

填充率＝(S(tetra)/S(unit))×100        ...(4)

单位栅格的面积：S(unit)＝2×((P1×Tp)×(1/2))＝P1×Tp

位于单位栅格内结构的底面的面积：S(tetra)＝S

对从所拍摄的SEM照片中随机选择的10个单位栅格执行计算填充率的上述处理。此外，对所测量的值简单地取平均(算术平均)以获得填充率的平均值，并且平均值被设置为基板表面中结构3的填充率。

长度2r与排列节距P1的比率(即，(2r/P1)×100)为64％以上，优选在69％以上，更加优选在73％以上。通过将比率设定为落入这种范围，可以增加结构3的填充率，并且可以提高抗反射特性。这里，排列节距P1表示轨迹方向上结构3的排列节距，长度2r表示轨迹方向上结构3的底面的轴的长度。具体地，当结构3的底面为圆形时，长度2r被设置为直径，而当结构3的底面为椭圆时，其被设置为长轴的长度。

[辊状母盘的结构]

图19A是示出用于制造基板的辊状母盘11的一部分的放大透视图，以及图19B是示出图19A所示第二区域的放大平面图。第二实施方式中使用的辊状母盘与第一实施方式中使用的辊状母盘的不同之处在于，在第二区域R₂中，在每三行的相邻轨迹(例如，轨迹T1至T3)中排列形成多个结构12，以形成四角形栅格图案或准四角形栅格图案。

可以通过利用辊状母盘曝光设备执行图案化来记录或绘制四角形栅格图案或准四角形栅格图案，从而，通过生成与记录设备的旋转控制器同步的每个轨迹的极性反转格式化信号，并在恒定角速度(CAV：ConstantAngular Velocity)的条件下以适当的馈送节距馈送辊状母盘，以彼此空间上链接二维图案。因此，通过适当地设定极性反转格式化信号的频率和辊状母盘11的旋转数，可以通过激光束的照射在辊状母盘11上的抗蚀剂层的期望记录区域中形成具有均匀空间频率的栅格图案。

第二实施方式也可以提供与第一实施方式所获得优点同样的优点。

<3.第三实施方式>

[导电元件的结构]

图20A是根据本发明第三实施方式的导电元件的结构的一个实例的平面图。图20B是示出根据本发明第三实施方式的导电元件的结构的一个实例的沿着图20A中的线XXB-XXB截取的截面图，以及图20C是示出根据本发明第三实施方式的导电元件的第一区域中的层结构的截面图。根据第三实施方式的导电元件1与根据第一实施方式的导电元件1的不同之处在于，通过利用形成在第一区域R₁中的第一波状面Sw1和形成在第二区域R₂中的第二波状面Sw2之间的差异(即，振动的平均振幅的差异)，通过使形成在第一区域R₁和第二区域R₂中的导电层4的蚀刻率彼此不同来形成配线图案等。

(第一区域和第二区域)

例如，在第二区域R2中的基板表面上形成波长不大于可见光波长的第二波状面Sw2。此外，在第二波状面Sw2上，根本没有形成导电层4，或者以不连续状态形成导电层4。可选地，形成在第二区域R₂中的导电层4可以具有远小于形成在第一区域R₁中的导电层4的厚度的厚度，以至形成在第二区域R₂中的导电层4基本上不显示出导电性且第二区域R₂用作绝缘区域的程度。另一方面，例如，在第一区域R₁中的基板表面上形成波长不大于可见光的波长的第一波状面Sw1，并且在第一波状面Sw1上连续地形成导电层4。因此，第二区域R₂用作绝缘区域，其建立形成在第二区域R₂两侧的相邻第一区域R₁上的导电层4之间的绝缘。相反，连续形成在第一区域R₁中的导电层4在第一区域R₁延伸的方向上具有导电性，并且其用作配线图案(导电图案)。

例如，第一波状面Sw1是凹凸面，其中，以与不大于可见光波长的波长相对应的排列节距形成多个第一结构3₁。此外，例如，第二波状面Sw2是凹凸面，其中，以与不大于可见光波长的波长相对应的排列节距形成多个第二结构3₂。从减小表面电阻的观点来看，如图20C所示，优选在基板表面上进一步形成金属层5。

优选地，从不阻碍由第一区域R1中的第一结构3₁所提供的抗反射效果的观点来看，跟随第一结构3₁的表面形状形成导电层4，使得第一结构3₁和导电层4具有彼此基本相同的表面形状。因此，通过以这种方式形成导电层4，可以抑制可能由导电层4的形成所引起的折射率轮廓的变化，并且保持极好的抗反射特性和/或极好的透射特性。导电层4的材料优选为非晶相和多晶相的混合状态。通过使用这种类型的材料，即使在第一结构3₁的高度减小时，也可以以不阻碍第一结构3₁的抗反射效果的膜厚来形成导电层4。换句话说，即使在第一结构3₁的高度减小时，导电层4也可以保持跟随第一结构3₁的形状的形式。

第二波状面Sw2的振动的平均振幅Am2与其平均波长λm2的比率(Am2/λm2)优选大于第一波状面Sw1的振动的平均振幅Am1与其平均波长λm1的比率(Am1/λm1)。这样的条件能够同时满足光学特性和电选择性。第二波状面Sw2的振动的平均振幅Am2与其平均波长λm2的比率(Am2/λm2)优选为1.8以下。如果比率(Am2/λm2)超过1.8，则存在在转印第二结构3₂的步骤中引起剥离不良且损坏第二结构3₂的趋势。第二波状面Sw2的振动的平均振幅Am2优选大于第一波状面Sw1的振动的平均振幅Am1。

第一波状面Sw1的平均波长λm1和第二波状面Sw2的平均波长λm2优选分别在不小于100nm的范围内。如果平均波长λm1和平均波长λm2小于100nm，则波状面Sw1和Sw2的制造趋于困难。此外，第一波状面Sw1的平均波长λm1和第二波状面Sw2的平均波长λm2优选分别在不大于100μm的范围内。如果平均波长λm1和平均波长λm2大于100μm，则会在印刷(in-printing)和膜形成的处理中发生阶梯覆盖的问题，由此发生缺陷。

第二结构3₂的平均纵横比优选大于第一结构3₁的平均纵横比。第一结构3₁的平均排列节距Pm1、平均高度Hm1和平均纵横比(Hm1/Pm1)优选分别与第一波状面Sw1的平均波长λm1、平均振动幅度Am1和比率(Am1/λm1)相同。此外，第二结构3₂的平均排列节距Pm2、平均高度Hm2和平均纵横比(Hm2/Pm2)优选分别与第二波状面Sw2的平均波长λm2、平均振动幅度Am2和比率(Am2/λm2)相同。

实际上，如上所述，第二波状面Sw2的振动的平均振幅Am2与其平均波长λm2的比率(Am2/λm2)优选大于第一波状面Sw1的振动的平均振幅Am1与其平均波长λm1的比率(Am1/λm1)。这种条件能够同时满足光学特性和电选择性。更具体地，比率(Am1/λm1)和比率(Am2/λm2)优选满足以下条件：

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8

(其中，Am1是第一波状面Sw1的平均振幅，Am2是第二波状面Sw2的平均振幅，λm1是第一波状面Sw1的平均波长，以及λm2是第二波状面Sw2的平均波长)。

在(Am2/λm2)＞1.8的情况下，存在在转印第二波状面Sw2的步骤中引起剥离不良并损坏第二波状面Sw2的趋势。

这里，以在第一实施方式中用于测量波状面Sw2的比率(Am2/λm2)同样的方式测量第一波状面Sw1的比率(Am1/λm1)。

可以彼此独立地选择第一波状面Sw1和第二波状面Sw2的形状、波长和振动幅度。例如，第一波状面Sw1和第二波状面Sw2可以分别独立形成为一维或二维波状面。此外，第一波状面Sw1和第二波状面Sw2的波长和振动幅度可以以纳米或微米级别独立设定为适当的波长或适当的振动幅度。

优选地，导电层4的一部分完全没有在第二区域R₂中作为残留膜。然而，导电层4可以以使得第二区域R₂用作绝缘区域的这种状态来存在作为残留膜。在后一种情况下，形成在第一区域R₁中的导电层4的面积优选大于形成在第二区域R₂中的导电层4或其一部分的面积。更具体地，优选地，导电层4连续形成在第一区域R₁中，而导电层4或其一部分例如以岛状的状态不连续地形成在第二区域R₂中。作为可选，形成在第二区域R₂中的导电层4或其一部分的厚度可以小于形成在第一区域R₁中的导电层4的厚度，以至形成在第二区域R₂中的导电层4或其一部分基本上没有显示出导电性并且第二区域R₂能够用作绝缘区域的这种程度。

(结构)

例如，如同形成在第二区域R₂中的第二结构3₂，形成在第一区域R₁中的第一结构3₁也以规则的栅格形状(诸如六角形栅格图案、准六角形栅格图案、四角形栅格图案或准四角形栅格图案)进行排列。可选地，如后所述，可以随机地排列第一结构3₁。注意，形成在第一区域R₁中的第一结构3₁的排列图案可以与形成在第二区域R₂中的第二结构3₂的排列图案不同，并且以不同的排列图案来配置两个区域中的结构。

例如，第一波状面Sw1是凹凸面，其中，以与不大于可见光波长的波长相对应的排列节距形成多个第一结构3₁。此外，例如，第二波状面Sw2是凹凸面，其中，以与不大于可见光波长的波长相对应的排列节距形成多个第二结构3₂。第二结构3₂的平均纵横比(Hm2/Pm2)优选大于第一结构3₁的平均纵横比(Hm1/Pm1)。更具体地，第一结构3₁和第二结构3₂优选满足以下关系：

0＜(Hm1/Pm1)＜(Hm2/Pm2)≤1.8

(其中，Hm1是第一结构3₁的平均高度，Hm2是第二结构3₂的平均高度，Pm1是第一结构3₁的平均排列节距，以及Pm2是第二结构3₂的平均排列节距)。

在比率(Hm2/Pm2)＞1.8的情况下，存在在转印第二结构3₂的步骤中引起剥离不良并损坏第二结构3₂的趋势。

这里，以在第一实施方式中用于测量结构3的比率(Hm/Pm)同样的方式测量第一结构3₁的纵横比(Hm1/Pm1)和第二结构3₂的纵横比(Hm2/Pm2)。

关于第一结构3₁和第二结构3₂，可以以与第一实施方式中的结构3同样地方式设计除上述方面以外的其他方面。注意，第一结构3₁的排列图案和形状可以与第二结构3₂的排列图案和形状不同，并且可以以不同的排列图案和不同的形状配置两个区域中的结构。

[辊状母盘的结构]

图21A是示出用于制造基板的辊状母盘11的结构的一部分的放大透视图，以及图21B是示出用于制造基板的辊状母盘的一部分的放大截面图。用于第三实施方式的辊状母盘11与用于第一实施方式的辊状母盘的不同之处在于，在第一区域R1和第二区域R2中分别形成第一波状面Sw1和第二波状面Sw2。

例如，以与不大于可见光波长的波长相对应的节距，通过排列凹陷的第一结构12₁来形成辊状母盘11的第一波状面Sw1。例如，以与不大于可见光波长的波长相对应的节距，通过排列凹陷的第二结构12₂来形成辊状母盘11的第二波状面Sw2。辊状母盘11的第一波状面Sw1和第二波状面Sw2具有分别与基板2的第一波状面Sw1和第二波状面Sw2相反的凹凸形状。

辊状母盘11的第一区域R₁和第二区域R₂分别对应于基板2的第一区域R₁和第二区域R₂。换句话说，形成在辊状母盘11的第一区域R₁中的凹陷结构12₁用于形成在基板2的第一区域R₁中形成的凸起结构3₁。形成在辊状母盘11的第二区域R₂中的凹陷结构12₂用于形成在基板2的第二区域R₂中形成的凸起结构3₂。第二结构12₂的纵横比优选大于第一结构12₁的纵横比。

在第三实施方式的蚀刻步骤中，蚀刻其上形成导电层4的基板表面，使得从第二结构3₂去除导电层4，而在第一区域R1中保留导电层4。更具体地，优选地，执行蚀刻以使得通过利用形成在第一波状面Sw1和第二波状面Sw2上的导电层4之间的膜质量、相位状态等的差异，基本去除形成在第二波状面Sw2上的导电层4，而形成在第一波状面Sw1上的导电层4保留为连续的连接状态。结果，导电图案可以选择性地只形成在第一波状面Sw1和第二波状面Sw2中的第一波状面Sw1上。

可选地，优选地，执行蚀刻以使得通过利用形成在第一波状面Sw1和第二波状面Sw2上的导电层4之间的膜质量、相位状态等的差异，形成在第二波状面Sw2上的导电层4被去除为不连续状态(例如，岛状的状态)，而形成在第一波状面Sw1上的导电层4保留为连续的连接状态。结果，导电图案可以选择性地只形成在第一波状面Sw1和第二波状面Sw2中的第一波状面Sw1上。

此外，优选地，执行蚀刻以使得通过利用形成在第一波状面Sw1和第二波状面Sw2上的导电层4之间的膜质量、相位状态等的差异，形成在第二波状面Sw2上的导电层4的厚度被减小为远小于形成在第一波状面Sw1上的导电层4的厚度。结果，导电图案可以选择性地只形成在第一波状面Sw1和第二波状面Sw2中的第一波状面Sw1上。

根据第三实施方式，由于第一结构3₁和第二结构3₂分别形成在第一区域R₁和第二区域R₂中，所以可以提高导电元件1的抗反射特性。在如此构造的第三实施方式中，保留在第一区域R₁中用作配线图案的导电层4优选形成为跟随形成在第一区域R₁中的结构3₁的形状的形状。这种特征在提高抗反射特性和/或透射特性的效果中对抑制效果降低起到贡献。

通过在基板表面上形成(例如利用幅度调制和/或频率调制)调制的波状面以及通过在相关基板表面上形成导电层，可以根据施加于基板2的波状面的调制的差异来改变导电层的状态。因此，可以根据施加于基板2的波状面的调制的差异来改变蚀刻剂对导电层的溶解率。换句话说，通过利用施加于基板2的波状面的调制的差异，可以在基板表面上形成期望的导电图案。

当基板表面的波状面由纳米结构形成时，还可以提高可视性和光学特性。换句话说，可以实现期望的电阻而不劣化光学特性。

在现有技术中的信息输入装置(诸如数字式电阻触摸面板或电容式触摸面板)中，由导电层制成的配线图案形成在基板表面上，由于导电层和基板之间反射率的差异而使得配线图案出现并在视觉上变得明显，使得图像显示质量劣化。相反，利用根据本发明实施方式的信息输入装置，由于不管是否存在导电层都实现了低反射和高透射率，因此可以使配线图案在视觉上不明显。

<4.第四实施方式>

图22A是示出根据本发明第四实施方式的导电元件的结构的一个实例的截面图。根据第四实施方式的导电元件1与根据第一实施方式的导电元件1的不同之处在于，第一区域R₁和第二区域R₂设置在基板2相对的主面的每一个中，并且导电层4连续地只形成在第一和第二区域中的第一区域R₁中，从而在基板的两个主面上形成配线图案。如图22B所示，可以修改第四实施方式，使得通孔(贯通孔)形成在第一区域R₁中穿透基板2，并且在通孔中填充诸如导电墨水的导电材料以使形成在基板2的两个主面上的电路配线图案等电连接。

根据第四实施方式，由于配线图案形成在基板2的两个主面上，所以可以以大于第一实施方式的面积在导电元件1上形成电路。

<5.第五实施方式>

[盘状母盘的结构]

图23A是示出根据本发明第五实施方式的盘状母盘的结构的一个实例的平面图，以及图23B是示出图23A所示盘状母盘的一部分的放大平面图。

第五实施方式与第一实施方式的不同之处在于，第一区域R₁和第二区域R₂设置在盘状母盘41的表面中，并且在第二区域R₂中形成多个凹陷结构12。虽然图23A和图23B示出了交替形成分别具有环形的第一区域R₁和第二区域R₂，但第一区域R₁和第二区域R₂的形状不限于图中所示，根据配线图案的期望形状可以将这两个区域任选地设置为各种形状中适当的一种。

[曝光设备的结构]

首先，参照图24描述用于制造具有上述结构的盘状母盘41的曝光设备。

可移动光学台32包括光束扩展器(BEX)33、反射镜38和物镜34。导向可移动光学台32的激光束14通过光束扩展器33被成形为期望的形状，并且通过反射镜38和物镜34传送，以用于照射盘状母盘41上的抗蚀剂层。母盘41被放置在与主轴电机35连接的转台(未示出)上。通过利用激光束14照射母盘41上的抗蚀剂层，并且同时旋转母盘41并在旋转母盘41的半径方向上移动激光束14来执行曝光抗蚀剂层的步骤。在曝光步骤中形成的潜像基本上具有椭圆状，其长轴在母盘41的圆周方向上延伸。通过在箭头R的方向上移动可移动光学台32来移动激光束14。

图24所示的曝光设备包括控制机构37，其用于在抗蚀剂层中形成与六角形栅格或准六角形栅格的二维图案相对应的潜像。控制机构37包括格式化器(formatter)29和驱动器30。格式化器29包括控制利用激光束14照射抗蚀剂层的定时的极性反转部。驱动器30接收来自极性反转部的输出并控制声光调制器(AOM)27。

控制机构37使每个轨迹的通过AOM 27执行的激光束14的强度调制与主轴电机35的旋转速度和可移动光学台32的移动速度彼此同步，使得通过潜像形成的二维图案空间上相互链接。在恒定角速度(CAV)的条件下控制母盘41的旋转。然后，通过利用主轴电机35设置母盘41适当的旋转数、利用AOM 27设置激光束14的强度的适当频率调制以及利用可移动光学台32设置激光束14适当的馈送节距来执行图案化。结果，在抗蚀剂层中形成六角形栅格图案或准六角形栅格图案的潜像。

此外，逐渐改变极性反转部的控制信号以保持恒定的空间频率(即，潜像的图案密度)。更具体地，在每个轨迹改变利用激光束14照射抗蚀剂层的周期的同时执行曝光步骤，并且通过控制机构37执行激光束14的频率调制，使得对于每个轨迹T来说将排列节距P1保持为预定值(例如，330nm，315nm或300nm)。作为另一种方式，控制调制以使得，随着轨迹位置被定位得远离盘状母盘41的中心，利用激光束14以较短的周期照射抗蚀剂层。结果，可以在整个基板表面的上方以均匀的空间频率形成纳米图案。

[导电元件的制造方法]

除了通过使用具有上述结构的曝光设备来对形成在盘状母盘41上的抗蚀剂层进行曝光之外，可以以与第一实施方式同样的方式来制造根据第五实施方式的导电元件1。

第五实施方式还可以提供与第一实施方式所获得的优点同样的优点。

<6.第六实施方式>

图25A是示出根据本发明第六实施方式的导电元件1的结构的一个实例的截面图，以及图25B是示出根据本发明第六实施方式的导电元件的第二区域的一部分的放大透视图。根据第六实施方式的导电元件1与根据第一实施方式的导电元件1的不同之处在于，在基板表面的第二区域R2中形成凹陷形式的多个结构3。通过反转第一实施方式中结构3的凸起形状来获得第六实施方式中结构3的凹陷形状。当如第六实施方式结构3处于凹陷形式时，凹陷结构3的开口部分(即，凹陷的入口部分)被定义为底部，而基板2的深度方向上凹陷结构3的最低部分(即，凹陷的最深部分)被定义为顶部。因此，结构3的顶部和底部基于表示结构3的实际形状的假想空间来定义。此外，由于在第六实施方式中结构3处于凹陷形式，所以用结构3的深度H来替代上述公式(1)等中所使用结构3的高度H。

第六实施方式的细节在除了上述方面之外的其他方面与第一实施方式中的相同。

因此，由于第一实施方式中结构3的凸起形状仅仅被反转为第六实施方式中的凹陷形状，所以第六实施方式也可以提供与第一实施方式获得的优点同样的优点。

<7.第七实施方式>

图26A是示出根据本发明第七实施方式的导电元件的结构的一个实例的平面图，以及图26B是示出根据本发明第七实施方式的导电元件的结构的一个实例的沿着图26A中的线XXVIB-XXVIB截取的截面图。根据第七实施方式的导电元件1与根据第一实施方式的导电元件1的不同之处在于，随机地配置多个结构3。可以随机地改变结构3的排列节距，但是优选在与不大于可见光波长的波长相对应的范围内进行改变。形成在基板表面上的结构3不限于具有相同的尺寸和/或形状，而是它们可以具有两种以上不同的尺寸和/或形状。优选地，二维或三维随机地形成结构3。这里，表述“二维随机”是指在导电元件1的面内方向上随机地配置结构3。此外，表述“三维随机”是指不仅在导电元件1的面内方向上而且在导电元件1的厚度方向上随机地配置结构3。

<8.第八实施方式>

图27是示出根据本发明第八实施方式的液晶显示装置的结构的一个实例的透视图。如图27所示，液晶显示装置是无源矩阵驱动型(也被称为简单矩阵驱动型)的显示装置。液晶显示装置包括：第一基板101和第二基板111，彼此对向进行配置，在它们之间存在预定空间；以及液晶层121，设置在第一基板101和第二基板111之间。

在第一基板101的相对主面中的一个(其被定位为与第二基板111面对)中重复交替地设置直线第一区域R₁和直线第二区域R₂。第一基板101的第一区域R₁和第二区域R₂中的表面结构分别与根据上述第一至第七实施方式中的一个的导电元件中的基板的第一和第二区域中的表面结构相同。例如，通过以与不大于例如可见光波长的波长相对应的排列节距形成多个结构，第一基板101的第二区域R₂中的表面被设置为波状面，并且例如以岛状的状态不连续地在波状面上形成透明导电层。另一方面，第一基板101的第一区域R₁中的表面被设置为平坦面而不在其中形成结构，并且在第一区域R₁中连续地形成透明导电层。因此，在第一基板101的相对主面中的一个(其被定位为与第二基板111相对)上以条状图案形成许多水平(X)电极(第一电极)102(每一个都由连续形成的透明导电层制成)。

在第二基板111的相对主面中的一个(其被定位为与第一基板101相对)上交替重复地设置直线第一区域R₁和直线第二区域R₂。第二基板111的第一区域R₁和第二区域R₂中的表面结构分别与根据上述第一至第七实施方式中的一个的导电元件的基板的第一和第二区域中的表面结构相同。例如，通过以与不大于例如可见光波长的波长相对应的排列节距形成多个结构，第二基板111的第二区域R₂中的表面被设置为波状面，并且例如以岛状的状态不连续地在波状面上形成透明导电层。另一方面，第二基板111的第一区域R₁中的表面被设置为平坦面而不在其中形成结构，并且在第一区域R₁中连续地形成透明导电层。因此，在第二基板111的相对主面中的一个(其被定位为与第一基板101相对)上以条状图案形成许多垂直(Y)电极(第二电极)112(每一个都由连续形成的透明导电层制成)。

第一基板101的第一区域R₁和第二区域R₂相对于第二基板111的第一区域R₁和第二区域R₂垂直延伸。换句话说，第一基板101上的水平电极102和第二基板111上的垂直电极112处于正交关系。

根据第八实施方式，例如，可以通过利用波状面的存在或不存在或者结构的存在或不存在来制造液晶显示装置的电极。此外，当波状面的波长或者结构的排列节距被设置为不大于可见光的波长时，例如，可以提高液晶显示装置的抗反射特性和/或透射特性。

可选地，如在上述第三实施方式中，例如，可以在第一区域R₁和第二区域R₂中分别形成纵横比不同的不同类型的结构。通过在第一和第二区域中形成不同类型的结构，可以进一步提高液晶显示装置的抗反射特性和/或透射特性。在这种情况下，形成在各自的第一区域R₁中以分别用作水平电极102和垂直电极112的透明导电层优选具有跟随形成在第一区域R₁中的结构形状的形状。这种特征在通过结构的存在所获得的提高抗反射特性和/或透射特性的效果中对抑制效果降低起到贡献。

<9.第九实施方式>

图28是示出根据本发明第九实施方式的设置有触摸面板201的显示装置202的结构的一个实例的透视图。如图28所示，触摸面板(信息输入装置)201被设置在显示装置202上。例如，通过使用粘合剂将显示装置202和触摸面板201彼此贴合。前面板(表面构件)203可以进一步设置在触摸面板201的表面上。例如，通过使用粘合剂将触摸面板201和前面板(表面构件)203彼此贴合。

显示装置202可以被构造为各种类型的显示装置中适当的一种，包括液晶显示器、CRT(阴极射线管)显示器、等离子体显示面板(PDP)、电致发光(EL)显示器和表面传导型电子发射显示器(SED)。例如，触摸面板201可以被构造为电阻膜式或电容式的触摸面板。电阻膜式的触摸面板的一个实例为矩阵电阻膜式的触摸面板。电容式的触摸面板的一个实例为采用“线传感器(Wire Sensor)”或“ITO栅格(ITO Grid)”的投射式电容量的触摸面板。

图29A是示出根据本发明第九实施方式的触摸面板201的结构的第一实例的透视图。图29A所示触摸面板201是矩阵电阻膜式的触摸面板，并且其包括第一基板211和第二基板221，它们被配置为彼此相对并且夹置有点状间隔件(未示出)以在它们之间保持预定的空间。

图29B是示出根据本发明第九实施方式的第一基板的结构的第一实例的分解透视图。由于第二基板221具有与第一基板211基本相同的结构，所以省略第二基板221的分解透视图。在第一基板211的相对主面的一个(其被定位为与第二基板221相对)中交替重复地设置矩形第一区域R₁和矩形第二区域R₂。第一基板211的第一区域R₁和第二区域R₂中的表面结构分别与根据上述第一至第七实施方式中的一个的导电元件的基板的第一和第二区域中的表面结构相同。例如，通过以与不大于例如可见光波长的波长相对应的排列节距形成多个结构，第一基板211的第二区域R₂中的表面被设置为波状面，并且例如以岛状的状态不连续地在波状面上形成透明导电层。另一方面，第一基板211的第一区域R₁中的表面被设置为平坦面而不在其中形成结构，并且在第一区域R₁中连续地形成透明导电层。因此，在第一基板211的相对主面中的一个(其被定位为与第二基板221相对)上以条状图案形成许多水平(X)电极(第一电极)212(每一个都由连续形成的透明导电层制成)。

在第二基板221的相对主面的一个(其被定位为与第一基板211相对)中交替重复地设置矩形第一区域R₁和矩形第二区域R₂。第二基板221的第一区域R₁和第二区域R₂中的表面结构分别与根据上述第一至第七实施方式中的一个的导电元件的基板的第一和第二区域中的表面结构相同。例如，通过以与不大于例如可见光波长的波长相对应的排列节距形成多个结构，第二区域R₂中第二基板221的表面被设置为波状面，并且例如以岛状的状态不连续地在波状面上形成透明导电层。另一方面，第二基板221的第一区域R₁中的表面被设置为平坦面而不在其中形成结构，并且在第一区域R₁中连续地形成透明导电层。因此，在第二基板221的相对主面中的一个(其被定位为与第一基板211相对)上以条状图案形成许多垂直(Y)电极(第二电极)222(每一个都由连续形成的透明导电层制成)。

第一基板211的第一区域R₁和第二区域R₂相对于第二基板221的第一区域R₁和第二区域R₂垂直延伸。换句话说，第一基板211上的水平电极212和第二基板221上的垂直电极222处于正交关系。

图30A是示出根据本发明第九实施方式的触摸面板的结构的第二实例的透视图。图30A所示触摸面板是采用“ITO栅格”的投射电容式的触摸面板，并且其包括彼此堆叠的第一基板231和第二基板241。

图30B是示出第一基板231的结构的一个实例的分解透视图。由于第二基板241具有与第一基板231基本相同的结构，所以省略第二基板241的分解透视图。在第一基板231的相对主面中的一个(其被定位为与第二基板241相对)中交替重复地设置第一区域R₁和第二区域R₂，使得相邻的第一区域R₁利用夹置在其中的第二区域R₂而彼此隔开。类似地，在第二基板241的相对主面中的一个(其被定位为与第一基板231相对)中交替重复地设置第一区域R₁和第二区域R₂，使得相邻的第一区域R₁利用夹置在其中的第二区域R₂而彼此隔开。第一基板231和第二基板241的第一区域R₁和第二区域R₂中的表面结构分别与根据上述第一至第七实施方式中的一个的导电元件的基板的第一和第二区域中的表面结构相同。

通过在X轴方向上重复地互连单位区域C₁(每一个都具有预定形状)来形成第一基板231的第一区域R₁，并且通过在X轴方向上重复地互连单位区域C₂(每一个都具有预定形状)来形成第一基板231的第二区域R₂。通过在Y轴方向上重复地互连单位区域C₁(每一个都具有预定形状)来形成第二基板241的第一区域R₁，并且通过在Y轴方向上重复地互连单位区域C₂(每一个都具有预定形状)来形成第二基板241的第二区域R₂。例如，单位区域C₁和单位区域C₂的每一个的形状可以为菱形(斜方形)、三角形或矩形，但是不限于这些实例。

例如，通过以与不大于例如可见光波长的波长相对应的排列节距形成多个结构，第一基板231和第二基板241的第二区域R₂中的表面被分别设置为波状面，并且例如以岛状的状态不连续地在波状面上形成透明导电层。另一方面，第一基板231和第二基板241的第一区域R₁中的表面被分别设置为平坦面而不在其中形成结构，并且在每个第一区域R₁中连续地形成透明导电层。因此，在第一基板231的相对主面中的一个(其被定位为与第二基板241相对)上排列多个水平(X)电极(第一电极)232(每一个都由透明导电层制成)。此外，在第二基板241的相对主面中的一个(其被定位为与第一基板231相对)上排列多个垂直(Y)电极(第二电极)242(每一个都由透明导电层制成)。水平电极232和垂直电极242分别具有与第一基板231和第二基板242的各自的第一区域R1相同的形状。

第一基板231上的水平电极232和第二基板241上的垂直电极242处于正交关系。在第一基板231和第二基板241彼此堆叠的状态下，第一基板231的第一区域R₁和第二基板241的第二区域R₂以堆叠关系进行定位，并且第一基板231的第二区域R₂和第二基板241的第一区域R₁以堆叠关系进行定位。因此，当从输入表面侧观看触摸面板201时，多个水平(X)电极(第一电极)232和多个垂直(Y)电极(第二电极)242看起来好像它们以紧密填充的状态全部排列在一个主面之上而没有互相重叠。

根据第九实施方式，例如，可以通过利用波状面的存在或不存在或者结构的存在或不存在来制造触摸面板201的电极。此外，当波状面的波长或结构的排列节距被设置为不大于可见光的波长时，例如，可以提高触摸面板201的抗反射特性和/或透射特性。

可选地，如在上述第三实施方式中，例如，可以在第一区域R₁和第二区域R₂中分别形成纵横比不同的不同类型的结构。通过在第一和第二区域中形成不同类型的结构，可以进一步提高触摸面板201的抗反射特性和/或透射特性。这里，例如，电极可以被制造得在视觉上不易被识别。在这种情况下，形成在第一区域R₁中以用作电极的透明导电层优选具有跟随形成在第一区域R₁中的结构的形状的形状。这种特征在通过结构的存在所获得的提高抗反射特性和/或透射特性的效果中对抑制效果降低起到贡献。

<10.第十实施方式>

图31A是示出根据本发明第十实施方式的IC卡的结构的一个实例的透视图，以及图31B是示出图31A所示IC卡的一部分的放大平面图。图31A所示的IC卡是所谓的非接触式IC卡，并且其包括基板301、天线线圈302和IC芯片303。天线线圈302的两端都连接至IC芯片302。此外，在基板301的两个表面上都设置有外部涂层或覆盖物(未示出)。

可以通过使用膜、片或板来形成基板301。然而，用于基板301的材料形式不具体限于这些实例，而是可以根据IC卡所需的特性来任选地使用材料的其他形式。从耐久性和使用便利性的观点来看，基板301优选由具有柔性的树脂材料制成。这里可使用的树脂材料的实例包括PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、聚酰亚胺(PI)和聚酯。然而，基板301的材料不具体限于这些实例，还可以根据IC卡所需的特性来任选地使用其他普通的树脂材料。

例如以螺旋形状沿着基板301的一个主面的***边缘交替形成第一区域R₁和第二区域R₂。基板301的第一区域R₁和第二区域R₂中的表面结构分别与根据上述第一至第七实施方式中的一个的导电元件的基板的第一和第二区域中的表面结构相同。例如，通过以细微节距形成多个结构，第二区域R₂中的基板表面被设置为波状面，并且例如以岛状的状态不连续地在波状面上形成透明导电层。另一方面，第一区域R₁中的基板表面被设置为平坦面而不在其中形成结构，并且在第一区域R₁中连续地形成透明导电层。因此，以跟随第一区域R₁的形状沿着基板301的一个主面的***边缘形成由连续形成的导电层所制成的天线线圈302。可选地，如在上述第三实施方式中，例如，可以在第一区域R1和第二区域R2中分别形成纵横比不同的不同类型的结构。

外部涂层构成IC卡的前表面和后表面，并且包含高分子材料(例如，PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PBT(聚对苯二甲酸丁二酯)、PEG(聚乙二醇)或定向PET)作为主要组成。然而，外部涂层的材料不具体限于这些实例，还可以根据IC卡所需的特性来任选地使用其他普通的树脂材料。

天线线圈302是电磁感应线圈，其形成在基板301上以环形线圈形状沿着基板301的***边缘延伸多圈。天线线圈302的两端连接至IC芯片303。天线线圈302接收从读取器/写入器发出的AC磁场以感应产生AC电压，并将感应的AC电压提供给IC芯片303。

IC芯片303利用从天线线圈302提供的电能进行操作，并且其控制IC卡内部的各种部件。例如，IC芯片303经由天线线圈302执行与读取器/写入器的通信。更具体地，IC芯片303执行相对于读取器/写入器的相互认证并传送数据。

根据第十实施方式，例如，可以利用波状面的存在或不存在或者结构的存在或不存在来制造IC卡的天线线圈302。因此，由于可以在不执行蚀刻等的情况下制造天线线圈302，所以可以提高IC卡的产量。

<11.第十一实施方式>

图32A是示出根据本发明第十一实施方式的显示装置400的结构的一个实例的截面图，图32B是示出图32A所示配线区域的放大截面图，以及图32C是示出图32A所示非配线区域的放大截面图。在第十一实施方式中，与第一实施方式相同或对应的部件由相同的参考标号来表示。根据第十一实施方式的显示装置400是所谓的微胶囊电泳型的电子纸。显示装置400包括第一导电元件401、被配置为与第一导电元件401相对的第二导电元件402以及设置在第一和第二导电元件之间的微胶囊层(介质层)403。虽然结合本发明应用于微胶囊电泳型的电子纸的情况描述了第十一实施方式，但电子纸的实例不限于图中所示，并且本发明的实施方式可以应用于其他类型的电子纸，只要它们具有在被配置为相互面对的导电元件之间设置介质层的这种结构即可。这里，介质不仅包括液晶或固体，而且还包括气体(例如，空气)。此外，可以在介质中包括胶囊、颜料、粒子和其他适当的材料。除微胶囊电泳型之外，本发明实施方式可应用的电子纸的实例包括扭曲球(twist ball)型、热敏可重写(thermal rewritable)型、色粉显示(toner display)型、面内电泳(In-Plane electrophoretic)型、电子粉末和颗粒(electronic powder and granular)型。

微胶囊层403包括大量的微胶囊431。例如，包含分散在其中的黑色颗粒和白色颗粒的透明液体(分散介质)被密封在每个微胶囊431中。

第一导电元件401包括：基板2，具有平坦面Sp1和波状面Sw2，形成在第一导电元件401的面对第二导电元件402的一侧的表面上；以及导电层4，形成在基板2的平坦面Sp1上。根据需要，基板2可以利用夹置在中间的贴合层411(例如，粘合剂)贴合至例如由玻璃制成的支持体412。第二导电元件402包括：基板2，具有平坦面Sp1和波状面Sw2，形成在第二导电元件402的面对第一导电元件401的一侧的表面上；以及导电层4，形成在基板2的平坦面Sp1上。

根据显示装置(电子纸)400的驱动类型，以预定的电极图案形成设置在第一导电元件401和第二导电元件402中的每一个上的导电层4。电子纸的驱动类型的实例包括简单矩阵驱动型、有源矩阵驱动型和分段驱动型。

第十一实施方式的细节在除了上述方面之外的其他方面与第一实施方式的相同。

[实施例]

虽然将结合测试例更加详细地描述本发明，但本发明的实际实例不限于以下测试例。

在以下的测试例和实施例中，通过使用4端子电阻测量装置来测量导电片的表面电阻。探针的尖端针的直径R被设定为100μm，针节距被设定为1mm。

(测试例1)

(转印步骤)

首先，制备包括形成在其成形表面中的凹陷纳米结构的石英母盘。接下来，在包括凹陷纳米结构的石英母盘上涂覆紫外线固化树脂，并且使具有可粘附附接层的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)片与所涂覆的紫外线固化树脂紧密接触。在这种状态下，用紫外线照射紫外线固化树脂使其固化，同时在进行固化步骤时逐渐剥离PET片。结果，获得了包括形成在PET片表面上的多个凸起纳米结构的光学片。纳米结构的排列节距为270nm，并且纳米结构的高度为160nm。

(膜形成步骤)

接下来，通过溅射在光学片上形成ITO膜。极限真空度被设定为0.00015Pa，并且膜形成步骤期间的真空度被设定为0.24Pa。在膜形成步骤期间，以Ar∶O₂＝200∶13的混合比率来引入Ar气和O₂气。此外，调整膜形成条件，使得根据平板换算获得了30nm的膜厚。注意，平板换算的膜厚基本上等于结构顶部的膜厚。

(退火步骤)

接下来，包括形成在其上的ITO膜的光学片在大气中经受30分钟的150℃的退火。通过退火，进行ITO膜到多晶态的转变。接下来，利用X射线衍射(XRD)测量ITO膜，以确认转变为多晶态的进行。结果，观察到In₂O₃的峰值。接下来，通过4端子探针方法来测量ITO膜的表面电阻值。结果，表面电阻值为350Ω/□(单位面积)。

(蚀刻步骤)

接下来，已经经受了退火的光学片被浸入pH大约为3的溶液中持续20秒。

(清洗步骤)

接下来，用纯水清洗已经经受了蚀刻的光学片。接下来，通过4端子探针方法来测量光学片的表面电阻值。结果，确认片表面绝缘。

通过上述步骤，获得了目标光学片。

(测试例2)

除了将纳米结构的排列节距设置为250nm以及将纳米结构的高度设置为190nm之外，以与测试例1同样的方式获得光学片。在ITO膜的退火步骤之后，以与测试例1同样的方式测量光学片的表面电阻值。结果，表面电阻值为550Ω/□。此外，在清洗步骤之后，以与测试例1同样的方式测量光学片的表面电阻值。结果，确认片表面绝缘。

(测试例3)

除了在PET片的平坦平滑面上形成ITO膜而不在PET片上形成结构之外，以与测试例1同样的方式获得光学片。在ITO膜的退火步骤之后，以与测试例1同样的方式测量光学片的表面电阻值。结果，表面电阻值为200Ω/□。此外，在清洗步骤之后，以与测试例1同样的方式测量光学片的表面电阻值。结果，表面电阻值为200Ω/□。

(反射特性的评价)

在上述蚀刻步骤之前和之后，对根据测试例2的光学片测量光谱反射性。在图33中绘制了测量结果。

表1列出了根据测试例1至3的光学片的结构状态和评价结果。

表1

根据表1理解以下要点。

在ITO膜形成在结构上的测试例1和2中，光学片的表面电阻在蚀刻之前和之后发生显著变化，并且光学片表面从导电状态变为绝缘状态。另一方面，在ITO膜形成在平坦平滑面上的测试例3中，光学片的表面电阻在蚀刻之前和之后没有发生变化，并且保持导电状态。

根据图33理解以下要点。

在蚀刻之前，确认较短波长带中反射的增加可归因于ITO膜。相反，在蚀刻之后，没有确认较短波长带中反射的增加，并且在350至800nm的波长带中获得了基本平坦的光谱曲线。

将上述评价结果一起考虑，在根据测试例1和2的光学片中，在蚀刻之后，从光学片表面去除ITO膜。然而，在根据测试3的光学片中，ITO膜即使在蚀刻之后也仍然保留，同时其保持为薄膜的形式。因此，可以通过利用光学片上结构的存在或不存在来在基板表面上形成诸如配线图案的导电图案。作为另一种方式，可以通过利用光学片中波状面和平坦面之间的差异来在基板表面上形成诸如配线图案的导电图案。

(实施例1)

(转印步骤)

首先，如图34A所示，制备包括均以条状图案形成在其成形面中的纳米结构排列区域(第一区域)R₁和平坦区域(第二区域)R₂的石英母盘。接下来，在石英母盘的成形面上涂覆紫外线固化树脂，并且使具有可粘附附接层的PET片与所涂覆的紫外线固化树脂紧密接触。在这种状态下，用紫外线照射紫外线固化树脂使其固化，同时在进行固化步骤时逐渐剥离PET片。结果，获得了包括形成在PET片的纳米结构排列区域(第一区域)R1中的多个凸起纳米结构和形成在其平坦区域(第二区域)R2中的平坦面的光学片。纳米结构的排列节距为250nm，并且纳米结构的高度为200nm。纳米结构的形状为截顶锥形，并且纳米结构的排列为六角形。

(膜形成步骤)

接下来，通过溅射在光学片的成形面上形成ITO膜。极限真空度被设置为0.00015Pa，并且膜形成步骤期间的真空度被设置为0.24Pa。在膜形成步骤期间，以Ar∶O₂＝200∶13的混合比率来引入Ar气和O₂气。此外，调整膜形成条件，使得根据平板换算获得了30nm的膜厚。注意，平板换算的膜厚基本上等于结构顶部的膜厚。

(退火步骤)

接下来，包括形成在其上的ITO膜的光学片在大气中经受30分钟的150℃的退火。通过退火，进行ITO膜到多晶态的转变。接下来，利用X射线衍射(XRD)测量ITO膜，以确认转变为多晶态的进行。结果，观察到In₂O₃的峰值。

(蚀刻步骤)

接下来，已经经受了退火的光学片被浸入pH大约为3的溶液中持续20秒。

(清洗步骤)

接下来，用纯水清洗已经经受了蚀刻的光学片。

通过上述步骤，获得了目标透明导电片。

(导通/非导通评价)

通过使用测试器，在图34B所示各点处对根据实施例1如此获得的透明导电片的表面评价导通/非导通。所评价的导通/非导通在表2中表示为“导通”和“绝缘”。

因此，表2表示根据实施例1的透明导电片的评价结果。

表2

	A和B之间	E和A之间	C和D之间
				实施例1	绝缘	绝缘	2000Ω(导通)

根据表2理解以下要点。

在透明导电片的表面上，纳米结构排列区域(第一区域)R₁处于绝缘状态，而平坦面区域(第二区域)R₂处于导通状态。因此，可以仅通过顺序执行印刷(in-printing)步骤、膜形成步骤和蚀刻步骤来在基板表面上形成诸如配线或电极图案的期望导电图案。结果，可以增加产量。

(测试例4-1)

(膜形成步骤)

首先，制备具有平坦平滑面的PET片。接下来，通过溅射在PET片上形成ITO膜。极限真空度被设置为0.00015Pa，并且膜形成步骤期间的真空度被设置为0.24Pa。在膜形成步骤期间，以Ar∶O₂＝20∶1的混合比率来引入Ar气和O₂气。此外，调整膜形成条件，使得ITO膜具有30nm的厚度。

(退火步骤)

接下来，包括形成在其上的ITO膜的PET片在大气中经受60分钟的150℃的退火。通过退火，进行ITO膜到多晶态的转变。接下来，利用X射线衍射(XRD)测量ITO膜，以确认转变为多晶态的进行。结果，观察到In₂O₃的峰值。

通过上述步骤，获得了目标光学片。

(测试例4-2)

(膜形成步骤和退火步骤)

首先，通过以与测试例4-1同样的方式执行膜形成步骤和退火步骤来制造包括退火ITO膜的PET膜。

(蚀刻步骤)

接下来，已经经受了退火的PET膜被浸入pH大约为3的溶液中持续10秒，从而蚀刻ITO膜。

(清洗步骤)

接下来，通过顺序使用纯水、IPA(异丙醇)和纯水来清洗已经经受了蚀刻的PET膜。

通过上述步骤，获得了目标光学片。

(测试例4-3)

除了将浸入时间改为20秒之外，以与测试例4-2同样的方式获得光学片。

(测试例4-4)

除了将浸入时间改为30秒之外，以与测试例4-2同样的方式获得光学片。

(测试例4-5)

除了将浸入时间改为40秒之外，以与测试例4-2同样的方式获得光学片。

(测试例4-6)

除了将浸入时间改为50秒之外，以与测试例4-2同样的方式获得光学片。

(测试例4-7)

除了将浸入时间改为60秒之外，以与测试例4-2同样的方式获得光学片。

(测试例5-1)

(转印步骤)

首先，制备包括形成在其成形面中的凹陷纳米结构的石英母盘。接下来，在包括凹陷纳米结构的石英母盘上涂覆紫外线固化树脂，并且使具有可粘附附接层的PET片与所涂覆的紫外线固化树脂紧密接触。在这种状态下，用紫外线照射紫外线固化树脂使其固化，同时在进行固化步骤时逐渐剥离PET片。结果，获得了包括形成在其表面上的多个凸起纳米结构的PET片。

形成在PET片的表面上的纳米结构的详细结构数据如下。

结构的排列：六角形栅格排列

结构的凹凸形状：凸起

结构的整体形状：截顶锥形

结构的排列节距：250nm

结构的高度：90nm

结构的纵横比：0.36

(膜形成步骤)

接下来，通过溅射在包括形成在其上的纳米结构的PET片的表面上形成ITO膜。极限真空度被设置为0.00015Pa，并且膜形成步骤期间的真空度被设置为0.24Pa。在膜形成步骤期间，以Ar∶O₂＝20∶1的混合比率来引入Ar气和O₂气。此外，调整膜形成条件，使得获得了30nm的膜厚(根据平板换算)。注意，平板换算的膜厚被定义为在与ITO膜形成在PET片(其包括形成在其上的纳米结构)的表面上时相同的条件下在平板上形成ITO膜所得到的膜厚。根据发明人进行的试验所获得的知识，平板换算的膜厚基本上等于结构的顶部中的膜厚。

(退火步骤)

接下来，包括形成在其上的ITO膜的PET片在大气中经受60分钟的150℃的退火。通过退火，进行ITO膜到多晶态的转变。接下来，利用X射线衍射(XRD)测量ITO膜，以确认转变为多晶态的进行。结果，观察到In₂O₃的峰值。

通过上述步骤，获得了目标光学片。

(测试例5-2)

(膜形成步骤和退火步骤)

首先，通过以与测试例5-1同样的方式执行膜形成步骤和退火步骤来制造包括退火ITO膜的PET膜。

(蚀刻步骤)

接下来，已经经受了退火的PET膜被浸入pH大约为3的溶液中持续10秒，从而蚀刻ITO膜。

(清洗步骤)

接下来，通过顺序使用纯水、IPA和纯水来清洗已经经受了蚀刻的PET膜。

通过上述步骤，获得了目标光学片。

(测试例5-3)

除了将浸入时间改为20秒之外，以与测试例5-2同样的方式获得光学片。

(测试例6-1)

除了将结构的排列节距设置为250nm、将结构的高度设置为120nm以及将结构的纵横比设置为0.48之外，以与测试例5-1同样的方式获得光学片。

(测试例6-2)

除了将结构的排列节距设置为250nm、将结构的高度设置为120nm以及将结构的纵横比设置为0.48之外，以与测试例5-2同样的方式获得光学片。

(测试例6-3)

除了将结构的排列节距设置为250nm、将结构的高度设置为120nm以及将结构的纵横比设置为0.48之外，以与测试例5-3同样的方式获得光学片。

(测试例7-1)

除了将结构的排列节距设置为250nm、将结构的高度设置为155nm以及将结构的纵横比设置为0.62之外，以与测试例5-1同样的方式获得光学片。

(测试例7-2)

除了将结构的排列节距设置为250nm、将结构的高度设置为155nm以及将结构的纵横比设置为0.62之外，以与测试例5-2同样的方式获得光学片。

(测试例7-3)

除了将结构的排列节距设置为250nm、将结构的高度设置为155nm以及将结构的纵横比设置为0.62之外，以与测试例5-3同样的方式获得光学片。

(测试例8-1)

(膜形成步骤和退火步骤)

除了使用以下的棱镜片之外，通过以与测试例5-1同样的方式执行膜形成步骤和退火步骤来制造包括退火ITO膜的棱镜片。

通过上述步骤，获得目标光学片。

棱镜片的详细结构数据如下。

棱镜(结构)的排列：一维排列

棱镜的凹凸形状：凸起

棱镜的形状：具有等腰三角形截面的柱状

棱镜的排列节距：10μm

棱镜的高度：5μm

棱镜的纵横比：0.50

(测试例8-2)

(膜形成步骤和退火步骤)

首先，通过以与测试例8-1同样的方式执行膜形成步骤和退火步骤来制造包括退火ITO膜的棱镜片。

(蚀刻步骤)

接下来，已经经受了退火的棱镜片被浸入pH大约为3的溶液中持续10秒，从而蚀刻ITO膜。

(清洗步骤)

接下来，通过顺序使用纯水、IPA和纯水来清洗已经经受了蚀刻的棱镜片。

通过上述步骤，获得了目标光学片。

(测试例8-3)

除了将浸入时间改为20秒之外，以与测试例8-2同样的方式获得光学片。

(测试例8-4)

除了将浸入时间改为30秒之外，以与测试例8-2同样的方式获得光学片。

(测试例8-5)

除了将浸入时间改为40秒之外，以与测试例8-2同样的方式获得光学片。

(表面电阻)

通过4端子探针方法来测量根据上述测试例1-1至8-5获得的光学片的表面电阻值。在表3中列出了测量结果。

(初始变化率的倒数)

基于以下公式确定根据上述测试例1-1至8-5获得的光学片的每个表面的初始变化率(即，假想厚度的改变)的倒数。测量结果呈现在表4和图35中。

(初始变化率的倒数)＝(蚀刻前样本的表面电阻)/(蚀刻后样本的表面电阻)

表3

单位：Ω/□

表4

(初始变化率的倒数)＝(蚀刻前样本的表面电阻)/(蚀刻后样本的表面电阻)

根据表3、表4和图35来理解以下要点。

在ITO膜形成在平坦面上的测试例4-1至4-7中，存在ITO膜的厚度难以通过蚀刻改变并且表面电阻保持基本恒定的趋势。另一方面，在ITO膜形成在多个结构上的测试例5-1至5-3、6-1至6-3以及7-1至7-3中，存在ITO膜的厚度通过蚀刻急剧减小并且表面电阻急剧增加的趋势。

在多个结构以微米级别的排列节距形成的测试例8-1至8-5中，存在与多个结构以纳米级别的排列节距形成的测试例5-1至5-3、6-1至6-3以及7-1至7-3同样的趋势。

虽然上面详细描述了本发明的实施方式，但本发明不限于前述实施方式，并且可以基于本发明的技术思想进行各种修改。

例如，在上述实施方式中提到的结构、方法、形状、材料和数值等仅被解释为示例性的，还可以根据需要使用不同的结构、方法、形状、材料和数值等。

此外，可以以组合方式实践前述实施方式的特征，而没有背离本发明的技术思想。

虽然结合本发明应用至配线图案被形成在其一个或两个表面上的单层导电元件的情况描述了前述实施方式，但本发明的实施方式不限于这种情况，而是也可以应用于多层导电元件。

虽然结合本发明应用至配线图案被形成在平坦基板面上的情况描述了上述实施方式，但其上形成配线图案的表面不限于平坦面，而是配线图案也可以形成在弯曲基板面上。

虽然结合本发明应用至液晶显示装置的情况描述了上述实施方式，但本发明的实施方式不限于此，而是还可以应用于无源矩阵驱动型的各种显示装置(诸如EL装置和所谓的电子纸)。

虽然结合本发明应用至两个基板彼此堆叠的投射电容式的触摸面板的情况描述了上述实施方式，但本发明的实施方式不限于此，而是还可以应用于例如电极形成在一个基板的两个相对面上的投射电容式的触摸面板。

虽然结合本发明应用至作为电子设备的显示装置和信息输入装置的情况描述了上述实施方式，但本发明的实施方式不限于此，而是还可以应用于包括显示装置、配线元件(诸如印刷电路板)等的各种类型的电子设备。

本发明包含于2010年4月28日向日本专利局提交的日本优先专利申请JP 2010-104622以及于2011年2月7日向日本专利局提交的日本优先专利申请JP 2011-024256所涉及的主题，其全部内容结合于此作为参考。

本领域的技术人员应该理解，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、再组合和变化，它们都在所附权利要求及其等效物的范围之内。

Claims (21)

1.一种导电元件，包括：

基板，具有第一波状面和第二波状面；以及

导电层，形成在所述第一波状面上，

其中，所述导电层形成导电图案，并且

所述第一波状面和所述第二波状面满足以下关系，

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8

其中，Am1是所述第一波状面的振动的平均振幅，Am2是所述第二波状面的振动的平均振幅，λm1是所述第一波状面的平均波长，以及λm2是所述第二波状面的平均波长。

2.一种导电元件，包括：

基板，具有第一波状面和第二波状面，每一个波状面都具有不大于可见光的波长的波长；以及

导电层，形成在所述第一波状面和所述第二波状面中的所述第一波状面上，

其中，所述导电层形成导电图案，并且

所述第二波状面的振动的平均振幅Am2大于所述第一波状面的振动的平均振幅Am1。

3.根据权利要求1所述的导电元件，其中，所述第一波状面和所述第二波状面满足以下关系，并且

所述第二波状面的平均波长λm2不大于可见光的波长，

(Am1/λm1)＝0且0＜(Am2/λm2)≤1.8。

4.根据权利要求1所述的导电元件，其中，所述第一波状面和所述第二波状面满足以下关系，并且

所述第一波状面的平均波长λm1不大于可见光的波长，

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8。

5.根据权利要求1所述的导电元件，其中，所述第一波状面和所述第二波状面满足以下关系，并且

所述第二波状面的平均波长λm2不小于100nm，

(Am1/λm1)＝0且0＜(Am2/λm2)≤1.8。

6.根据权利要求1所述的导电元件，其中，所述第一波状面和所述第二波状面满足以下关系，并且

所述第一波状面的平均波长λm1和所述第二波状面的平均波长λm2均不小于100nm，

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8。

7.根据权利要求1所述的导电元件，还包括残留膜，所述残留膜通过去除涂覆在所述第一波状面以及所述第二波状面上的所述导电层而部分地形成在所述第二波状面上，

其中，所述导电层和所述残留膜满足以下关系，

S1＞S2

其中，S1是所述导电层的面积，S2是所述残留膜的面积。

8.根据权利要求7所述的导电元件，其中，形成在所述第一波状面上的所述导电层连续地形成在所述第一波状面上，并且形成在所述第二波状面上的所述残留膜不连续地形成在所述第二波状面上。

9.根据权利要求1所述的导电元件，还包括残留膜，所述残留膜通过去除涂覆在所述第一波状面以及所述第二波状面上的所述导电层而部分地形成在所述第二波状面上，

其中，所述导电层和所述残留膜满足以下关系，

d1＞d2

其中，d1是所述导电层的厚度，d2是所述残留膜的厚度。

10.根据权利要求1或2所述的导电元件，其中，所述导电层的表面电阻为5000Ω/□以下，其中，□表示单位面积。

11.根据权利要求1或2所述的导电元件，其中，所述导电层包含从包括导电高聚物、金属纳米粒子和碳纳米管的组中所选择的至少一种。

12.根据权利要求1或2所述的导电元件，其中，所述导电层包含透明氧化物半导体。

13.根据权利要求12所述的导电元件，其中，所述透明氧化物半导体为氧化铟锡或氧化锌。

14.根据权利要求12所述的导电元件，其中，所述导电层处于非晶相和多晶相的混合状态。

15.根据权利要求1或2所述的导电元件，其中，所述导电图案为配线图案。

16.一种配线元件，包括根据权利要求1或2所述的导电元件。

17.一种信息输入装置，包括根据权利要求1或2所述的导电元件。

18.一种显示装置，包括根据权利要求1或2所述的导电元件。

19.一种电子设备，包括根据权利要求1或2所述的导电元件。

20.一种导电元件制造方法，包括以下步骤：

在具有第一波状面和第二波状面的基板的表面上形成导电层；以及

去除形成在所述基板的表面上的所述导电层，

其中，在去除所述导电层的过程中，由所述导电层制成的导电图案形成在所述第一波状面和所述第二波状面中的所述第一波状面上，并且

所述第一波状面和所述第二波状面满足以下关系，

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8

其中，Am1是所述第一波状面的振动的平均振幅，Am2是所述第二波状面的振动的平均振幅，λm1是所述第一波状面的平均波长，以及λm2是所述第二波状面的平均波长。

21.一种导电元件制造方法，包括以下步骤：

在具有第一波状面和第二波状面的基板的表面上形成导电层，每一个波状面都具有不大于可见光的波长的波长；以及

去除形成在所述基板的表面上的所述导电层，

其中，所述第二波状面的振动的平均振幅Am2大于所述第一波状面的振动的平均振幅Am1，

所述第二波状面的振动的平均振幅Am2与所述第二波状面的平均波长λm2的比率Am2/λm2为1.8以下，并且

在去除所述导电层的过程中，在所述第一波状面和所述第二波状面中的所述第一波状面上形成由所述导电层制成的导电图案。

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